JPS5829153A - 光ビツクアツプ用ウオブラ - Google Patents
光ビツクアツプ用ウオブラInfo
- Publication number
- JPS5829153A JPS5829153A JP56126474A JP12647481A JPS5829153A JP S5829153 A JPS5829153 A JP S5829153A JP 56126474 A JP56126474 A JP 56126474A JP 12647481 A JP12647481 A JP 12647481A JP S5829153 A JPS5829153 A JP S5829153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- cantilever
- metal cantilever
- metal
- recording medium
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はビデオディスク等で用いられる光ピツクアップ
のトラッキング誤差検出の一手法であるウオブリング（
ＷＯｆｌ）ｌｉｎｇ）法において使用される光ピックア
ップ用つオブラに関する。より詳しくは、半導体レーザ
を使用した光ピツクアップに適用されるウオブラに関す
る。本文に記載する光ピツクアップとは９回転するディ
スク状記録媒体上にスポット状に集光された半導体レー
ザの光束（以下では集光スポットと呼称する。）が反射
される際に、前記ディスク状記碌媒体の回転中心を中心
とする円弧に沿って刻まれた一定深さのピット列によっ
て受ける強度変調を検出することによシ、前記ディスク
状記録媒体の情報を読み取るものをいう。前記強度変調
の検出を確実に行うためには９周知の如く。
のトラッキング誤差検出の一手法であるウオブリング（
ＷＯｆｌ）ｌｉｎｇ）法において使用される光ピックア
ップ用つオブラに関する。より詳しくは、半導体レーザ
を使用した光ピツクアップに適用されるウオブラに関す
る。本文に記載する光ピツクアップとは９回転するディ
スク状記録媒体上にスポット状に集光された半導体レー
ザの光束（以下では集光スポットと呼称する。）が反射
される際に、前記ディスク状記碌媒体の回転中心を中心
とする円弧に沿って刻まれた一定深さのピット列によっ
て受ける強度変調を検出することによシ、前記ディスク
状記録媒体の情報を読み取るものをいう。前記強度変調
の検出を確実に行うためには９周知の如く。
前記集光スポットが常に前記ピット列の上にあるように
トラッキングを行う必要がある。この事情に伴い、トラ
ッキング誤差検出が必要不可欠となるが、公知の一手法
としてウオブリング法がある。これは前記集光スポット
を前記ピット列とは垂直な方向に、一定周波数にて全振
幅Ｑ、ｌＰＬないしａ２ＩｔＷＬ程度微小変動させ９反
射光の前記周波数における位相を検出することによりト
ラッキング誤差検出を行う方法である。
トラッキングを行う必要がある。この事情に伴い、トラ
ッキング誤差検出が必要不可欠となるが、公知の一手法
としてウオブリング法がある。これは前記集光スポット
を前記ピット列とは垂直な方向に、一定周波数にて全振
幅Ｑ、ｌＰＬないしａ２ＩｔＷＬ程度微小変動させ９反
射光の前記周波数における位相を検出することによりト
ラッキング誤差検出を行う方法である。
従来、前記集光スポットを振動させるためのウオプラと
しては、専ら、振動鏡の如き、ウオブリングに専用の光
学素子が使用され、これによるレーザ光束の微小偏向に
よりウオブリングがなされていた。このために従来のウ
ォプラによると、光ピックアップの構造、光ピツクアッ
プ内の光路が雑雑にガるという欠点が生じた。
しては、専ら、振動鏡の如き、ウオブリングに専用の光
学素子が使用され、これによるレーザ光束の微小偏向に
よりウオブリングがなされていた。このために従来のウ
ォプラによると、光ピックアップの構造、光ピツクアッ
プ内の光路が雑雑にガるという欠点が生じた。
更に従来のウオブラによれば前記専用の光学素子の占め
る空間を確保する必要があるために光ピツクアップの形
状もこれに応じて大きくなシ。
る空間を確保する必要があるために光ピツクアップの形
状もこれに応じて大きくなシ。
使用する半導体レーザの有する小形軽量性という特長を
充分に生かすことができなかった。
充分に生かすことができなかった。
本発明は以上の欠点を解消することを目的としてなされ
たもので、その特徴は、前記専用の光学素子を設けるこ
となしに、半導体レーザの小形・軽量性という特長を生
かすべく、小形かつ単純構造のカンチレバーすなわち片
持梁の先端近傍に半導体レーザを装着し、前記カンチレ
バーを励振することによって、前記半導体レーザを加振
し、集光光学系によって前記ディスク状記録媒体上に集
光された前記半導体レーザの光束すなわち集光スポット
を一定周波数にて振動させることにある。他の特徴は、
前記カンチレバー、およびそのクランパの材料として金
属を採用し、前記金属の良好な熱伝導性によって前記半
導体レーザの放熱を確実に行わしめ、前記半導体レーザ
の安定な発振を持続させることにある。更に他の特徴は
、前記金属製カンチレバーの両面に電歪素子を張りつけ
、これらを帯域増幅器、移相器を含む電気信号増幅部に
接続して前記金属製カンチレバーの自励発振を行わしめ
、もって一定振幅、一定周波数の安定な機械的振動を半
導体レーザに加えることによシ。
たもので、その特徴は、前記専用の光学素子を設けるこ
となしに、半導体レーザの小形・軽量性という特長を生
かすべく、小形かつ単純構造のカンチレバーすなわち片
持梁の先端近傍に半導体レーザを装着し、前記カンチレ
バーを励振することによって、前記半導体レーザを加振
し、集光光学系によって前記ディスク状記録媒体上に集
光された前記半導体レーザの光束すなわち集光スポット
を一定周波数にて振動させることにある。他の特徴は、
前記カンチレバー、およびそのクランパの材料として金
属を採用し、前記金属の良好な熱伝導性によって前記半
導体レーザの放熱を確実に行わしめ、前記半導体レーザ
の安定な発振を持続させることにある。更に他の特徴は
、前記金属製カンチレバーの両面に電歪素子を張りつけ
、これらを帯域増幅器、移相器を含む電気信号増幅部に
接続して前記金属製カンチレバーの自励発振を行わしめ
、もって一定振幅、一定周波数の安定な機械的振動を半
導体レーザに加えることによシ。
前記ディスク状記録媒体上の集光スポットを一定周波数
、一定振幅にて振動させることにある。
、一定振幅にて振動させることにある。
以下図面について説明する。
第１図は半導体レーザ加振部の斜視図である。
図において、半導体レーザＱｌは、補助ヒートシンク（
１）を介して、直方体状金属製カンチレバー（至）の先
端近傍にろう付等により装着されている。
１）を介して、直方体状金属製カンチレバー（至）の先
端近傍にろう付等により装着されている。
前記金属製カンチレバー（至）は、同一金属材料あるい
は別途加工された金属よりなるクランパに）によって一
方が固定されている０ここで前記半導体レーザ鱒と前記
金属製カンチレバー（至）間。
は別途加工された金属よりなるクランパに）によって一
方が固定されている０ここで前記半導体レーザ鱒と前記
金属製カンチレバー（至）間。
および前記金属製カンチレバー（至）と前記クランパー
の間には熱的接触が保たれており、従りて前記半導体レ
ーザ顛で発生した熱は前記金属製カンチレバー（至）お
よび前記クランパ■を伝って外界に放出される。前記金
属製カンチレバー（至）には相対向する２面に、前記半
導体レーザａ四とは異なる位置に、前記金属製カンチレ
バー（至）の長さ方向（至）に電歪効果によって伸縮可
能な、各々の両面に電極を設けた。１対の電歪素子板（
６０ａ ） 、 （ｓｏｂ ）が各々張９つけられて
いる。
の間には熱的接触が保たれており、従りて前記半導体レ
ーザ顛で発生した熱は前記金属製カンチレバー（至）お
よび前記クランパ■を伝って外界に放出される。前記金
属製カンチレバー（至）には相対向する２面に、前記半
導体レーザａ四とは異なる位置に、前記金属製カンチレ
バー（至）の長さ方向（至）に電歪効果によって伸縮可
能な、各々の両面に電極を設けた。１対の電歪素子板（
６０ａ ） 、 （ｓｏｂ ）が各々張９つけられて
いる。
但し図には、電歪素子板（ｓｏｂ）は示されていない。
各電歪素子板（Ｂｏａ ） 、 （６０ｂ ）の、前
記金属製カンチレバー（至）に接していない電極からは
リード線（７０ａ ） 、 （７０ｂ ）が引き出
されており、電極電圧のとり出し、あるいは電極への電
圧印加が可能となるようになされている。
記金属製カンチレバー（至）に接していない電極からは
リード線（７０ａ ） 、 （７０ｂ ）が引き出
されており、電極電圧のとり出し、あるいは電極への電
圧印加が可能となるようになされている。
第２図は本発明によるウオツチの動作説明図である。金
属製カンチレバー（至）に張り付けられ九電歪素子板（
ｓｏｂ）より引き出されたリード＠（７０’ｂ）により
、前配電歪素子板（ｓｏｂ）の電極電圧が電気信号増幅
部（８０）に入力される。
属製カンチレバー（至）に張り付けられ九電歪素子板（
ｓｏｂ）より引き出されたリード＠（７０’ｂ）により
、前配電歪素子板（ｓｏｂ）の電極電圧が電気信号増幅
部（８０）に入力される。
″電気信号増幅部（８０） Ｆｉ帯域フィルタ（ＳＯ）
。
。
増幅器（１００）および移相器（１１０）を含み。
その出力電圧をリード線（７０ａ ）を介して電歪素子
板（Ｂｏａ ）に印加する。増幅器（１００）の利得、
移相器（１１０）による移相量は、前記金属製カンチレ
バー（至）の先端が、自励発振によって一定振幅で安定
に振れるように調整される。
板（Ｂｏａ ）に印加する。増幅器（１００）の利得、
移相器（１１０）による移相量は、前記金属製カンチレ
バー（至）の先端が、自励発振によって一定振幅で安定
に振れるように調整される。
帯域フィルタ（９０）は、前記金属製カンチレバー翰の
１つの固有振動数に合わせられておυ。
１つの固有振動数に合わせられておυ。
当振動数にて自励発振が行われるよう設けられている。
前記金属製カンチレバー（至）の自励発振によって、半
導体レーザ舖は、半導体レーザ光束（１２０）をディス
ク状記録媒体（ｔＳＯ）上に集光して、集光スポットを
形成するための集光光学系（１５０）の光軸（１６０）
に垂直な方向に加振され、このために集光スボッ）（１
４０）はディスク状記録媒体（１３０）上で、一定周波
数。
導体レーザ舖は、半導体レーザ光束（１２０）をディス
ク状記録媒体（ｔＳＯ）上に集光して、集光スポットを
形成するための集光光学系（１５０）の光軸（１６０）
に垂直な方向に加振され、このために集光スボッ）（１
４０）はディスク状記録媒体（１３０）上で、一定周波
数。
一定振幅にて位置変動を行い、ウオブリングがなされる
。なお通常の光ピツクアップには１周知のように、傭光
ビームスプリッタの如き、往路と復路の光束を分離する
手段１円筒レンズないし円筒鏡の如き、焦点外れ検出用
非点光束を形成する手段、４分割光検知器の如き、前記
ディスク状記録媒体（１３Ｇ）によシ反射された前記復
路の光束を検知する手段等が構成要素として含まれるが
、Ｋｚ図忙おいては、これらを−さい省いである。しか
しながら本発明によるウオツチは前記の諸手攻と共に用
いられることはいうまでもない。また第２図における帯
域フィルタ（ＳＯ） 、増幅器（１００）、移相器（１
ｉ０）の順序は９本発明に係るウオツチの効果に何ら影
響を及ぼすものではなく、これらの順序は自由に変更し
てもさしつかえない。また帯域フィルタ（ｓＯ）と増幅
器（１００）を分けて説明したが９本発明に係るウオツ
チは例えばアクティブ帯域フィル４の如き、帯域フィル
タと増幅器が一体となった場合にも適用できることはい
うまでもない。
。なお通常の光ピツクアップには１周知のように、傭光
ビームスプリッタの如き、往路と復路の光束を分離する
手段１円筒レンズないし円筒鏡の如き、焦点外れ検出用
非点光束を形成する手段、４分割光検知器の如き、前記
ディスク状記録媒体（１３Ｇ）によシ反射された前記復
路の光束を検知する手段等が構成要素として含まれるが
、Ｋｚ図忙おいては、これらを−さい省いである。しか
しながら本発明によるウオツチは前記の諸手攻と共に用
いられることはいうまでもない。また第２図における帯
域フィルタ（ＳＯ） 、増幅器（１００）、移相器（１
ｉ０）の順序は９本発明に係るウオツチの効果に何ら影
響を及ぼすものではなく、これらの順序は自由に変更し
てもさしつかえない。また帯域フィルタ（ｓＯ）と増幅
器（１００）を分けて説明したが９本発明に係るウオツ
チは例えばアクティブ帯域フィル４の如き、帯域フィル
タと増幅器が一体となった場合にも適用できることはい
うまでもない。
本発明によるウオツチにおいて得られるウオブリングの
周波数、ウオブリングによる集光スポット位置の振動振
幅のおおよその数値例を次に示そう。前記金属製カンチ
レバー（至）の材料としてリン青銅、もしくはベリリウ
ム銅、もしくはアルミニウムを使用し、前記金属製カン
チレバー（至）の長さ５ｕ、厚みｔｓｔｍとすると１周
波数が２０ＫＨｇないし３０ＫＨｇ程度で自励発振がな
され、このとき金属製カンチレバー（至）の先端は電気
信号増幅部（８０）の条件に依存して振幅がａ、１μｍ
ないし１０μｍで振動する。従っていま集光光学系（１
５０）による結像倍率を１＝４とすれば、集光スポット
（１４０）は１ｌｌＯ３μ気ないし３μｍの振幅とな
り、所要の振幅である０１μ気ないし０．２ ｊｌＷＬ
という値は調整範囲内にあることになる０ 以上で述べたように１本発明によれば、半導体レーザは
小形且つ単純構造の金属製カンチレバーに、熱的接触を
保つように装着されており。
周波数、ウオブリングによる集光スポット位置の振動振
幅のおおよその数値例を次に示そう。前記金属製カンチ
レバー（至）の材料としてリン青銅、もしくはベリリウ
ム銅、もしくはアルミニウムを使用し、前記金属製カン
チレバー（至）の長さ５ｕ、厚みｔｓｔｍとすると１周
波数が２０ＫＨｇないし３０ＫＨｇ程度で自励発振がな
され、このとき金属製カンチレバー（至）の先端は電気
信号増幅部（８０）の条件に依存して振幅がａ、１μｍ
ないし１０μｍで振動する。従っていま集光光学系（１
５０）による結像倍率を１＝４とすれば、集光スポット
（１４０）は１ｌｌＯ３μ気ないし３μｍの振幅とな
り、所要の振幅である０１μ気ないし０．２ ｊｌＷＬ
という値は調整範囲内にあることになる０ 以上で述べたように１本発明によれば、半導体レーザは
小形且つ単純構造の金属製カンチレバーに、熱的接触を
保つように装着されており。
また前記金属製カンチレバーに張夛付けて設けられた１
対の電歪素子板と、帯域増幅器、移相器を含む電気信号
増幅部とによって前記金属製カンチレバーに自励発振を
行わせることによって前記半導体レーザを加振するため
、半導体レーザの小形・軽量性という特長を損うことな
しに、良好な放熱性によって安定したレーザ発振を維持
しつつ、一定振幅、一定周波数の安定な機械的振動を半
導体レーザに与えることができ。
対の電歪素子板と、帯域増幅器、移相器を含む電気信号
増幅部とによって前記金属製カンチレバーに自励発振を
行わせることによって前記半導体レーザを加振するため
、半導体レーザの小形・軽量性という特長を損うことな
しに、良好な放熱性によって安定したレーザ発振を維持
しつつ、一定振幅、一定周波数の安定な機械的振動を半
導体レーザに与えることができ。
集光光学系によってディスク状記録媒体上に形成される
集光スポットは一定周波数、一定振幅でピット列に垂直
に振動し、ウオブリングがなされる。更に本発明によれ
ば、従来の光ピックアップ用つオプラとして用いられて
いた振動鏡の如きウオブリングに専用の光学素子が不要
となるために、光ピツクアップの構造の単純化。
集光スポットは一定周波数、一定振幅でピット列に垂直
に振動し、ウオブリングがなされる。更に本発明によれ
ば、従来の光ピックアップ用つオプラとして用いられて
いた振動鏡の如きウオブリングに専用の光学素子が不要
となるために、光ピツクアップの構造の単純化。
形状の小形化がなされる。
第１図は半導体レーザ加振部の斜視図、第２貝はこの発
明によるウオプラの動作説明図である。図中ａＩは半導
体レーザ、Ｏｎは金属製カンチレバー、顛はクランパ＠
（６０）は電歪素子板。 （８０）は電気信号増幅部、、 （ＳＯ）は帯域フィル
タ、 （１００）は増幅器、 （１１０）は移相器
。 （１３０、）はディスク状記録媒体、 （１４Ｇ）は
集光スボッ）ｔ （１５０）は集光光学系である。 なお図中同一あるいは相当部分には同一符号を付して示
しである。 代理人 葛 野 信 − 第１図
明によるウオプラの動作説明図である。図中ａＩは半導
体レーザ、Ｏｎは金属製カンチレバー、顛はクランパ＠
（６０）は電歪素子板。 （８０）は電気信号増幅部、、 （ＳＯ）は帯域フィル
タ、 （１００）は増幅器、 （１１０）は移相器
。 （１３０、）はディスク状記録媒体、 （１４Ｇ）は
集光スボッ）ｔ （１５０）は集光光学系である。 なお図中同一あるいは相当部分には同一符号を付して示
しである。 代理人 葛 野 信 − 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 回転するディスク状記録媒体のピット列による反射光強
度変調によって、前記記録媒体の情報を読み取るべく、
少くとも半導体レーザと。 前記半導体レーザの光束を前記ディスク状記録媒体にス
ポット状に集光するだめの集光光学系と、前記スポット
を前記ピット列に垂直な方向に振動させるウオブリング
の手段とを有する光ピツクアップに適要される光ピック
アップ用つオプラにおいて、先端近傍に前記半導体レー
ザをろう付は等の手段をもって熱的接触を保ちつつ装着
した金属製カンチレバーであって、その他端を固定する
クランパと共に同一金属材料よシ加工されて成るか、も
しくは別金属部材にて別加工されたクランパに熱的接触
を保ちつつ固定されて成る。大略直方体状の金属製カン
チレバーと、前記金属製カンチレバーの相対向する２面
に、前記半導体レーザとは異なる位置に各々張り付けら
れ、かつ前記金属製カンチレノ（−の長さ方向に電歪効
果によって伸縮可能な、各々の両面に電極を設けた１対
の電歪素子板と。 前記１対の電歪素子板のうち第１の電歪素子板の、前記
金属製カンチレノ（−に接していない側の電極に生ずる
電圧を増幅する。少くとも帯域通過フィルタ付増幅器と
位相変化部を設けた電気信号増幅部とを有し、前記電気
信号増幅部の出力を前記１対の電歪素子板のうち第２の
電歪素子板の、前記金属製カンチレバーに接していない
側の電極に印加することにより前記金属製カンチレバー
の自励発振を誘起し、との自励発振による前記金属製カ
ンチレバー先端の振動を前記半導体レーザに伝達して、
前記半導体レーザを、同レーザの発光方向と垂直な方向
に加振することによシ、前記集光光学系によって前記デ
ィスク状記録媒体上に集光された。前記半導体レーザの
スポット状光束を振動させることを特徴とする。光ピッ
クアップ用つオブラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56126474A JPS5829153A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 光ビツクアツプ用ウオブラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56126474A JPS5829153A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 光ビツクアツプ用ウオブラ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5829153A true JPS5829153A (ja) | 1983-02-21 |
| JPS6232531B2 JPS6232531B2 (ja) | 1987-07-15 |
Family
ID=14936107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56126474A Granted JPS5829153A (ja) | 1981-08-12 | 1981-08-12 | 光ビツクアツプ用ウオブラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5829153A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108663010A (zh) * | 2017-03-28 | 2018-10-16 | 日本株式会社日立高新技术科学 | 扫描型探针显微镜及其扫描方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154855U (ja) * | 1986-02-26 | 1987-10-01 | ||
| JPS62279640A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Nec Corp | ウエハ洗浄装置 |
| JPS63289819A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Nec Corp | ウェットエッチング装置 |
-
1981
- 1981-08-12 JP JP56126474A patent/JPS5829153A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108663010A (zh) * | 2017-03-28 | 2018-10-16 | 日本株式会社日立高新技术科学 | 扫描型探针显微镜及其扫描方法 |
| CN108663010B (zh) * | 2017-03-28 | 2021-10-26 | 日本株式会社日立高新技术科学 | 扫描型探针显微镜及其扫描方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6232531B2 (ja) | 1987-07-15 |
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