JPS5891643A - 電子ビ−ムアニ−ル方法 - Google Patents
電子ビ−ムアニ−ル方法Info
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- JPS5891643A JPS5891643A JP56190414A JP19041481A JPS5891643A JP S5891643 A JPS5891643 A JP S5891643A JP 56190414 A JP56190414 A JP 56190414A JP 19041481 A JP19041481 A JP 19041481A JP S5891643 A JPS5891643 A JP S5891643A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１１発明の技術分野
本発明は電子ビームアニール方法に係り、特に被処理試
料表面のアニール深さの制御方法に関する。
料表面のアニール深さの制御方法に関する。
（２） 従来技術と問題点
絶縁性基板上に形成した多結晶シリコン層の単結晶化、
或いはシリコン（Ｓｉ）基板とその上に設けたアルミニ
ウム（Ａｔ）電極との接触抵抗を低下せしめるためのア
ルミニウム（Ａ１）のシリサイド化、更にはイオン注入
により半導体結晶中に生じたダメージの回復等を目的と
して、被処理試料の表面層を局部的に加熱するのに、レ
ーザアニール法や電子ビームアニール法が用いられてい
る。
或いはシリコン（Ｓｉ）基板とその上に設けたアルミニ
ウム（Ａｔ）電極との接触抵抗を低下せしめるためのア
ルミニウム（Ａ１）のシリサイド化、更にはイオン注入
により半導体結晶中に生じたダメージの回復等を目的と
して、被処理試料の表面層を局部的に加熱するのに、レ
ーザアニール法や電子ビームアニール法が用いられてい
る。
このうち電子ビームアニール法は、アニール深さを電子
ビームの加速電圧を選択することにより制御出来、また
被処理試料からの反射の影響を受は難いことから注目を
集めている。
ビームの加速電圧を選択することにより制御出来、また
被処理試料からの反射の影響を受は難いことから注目を
集めている。
電子ビームアニール法は、直径数１０（μｍ）程度の比
較的小さなスポットに絞られた大電流の電子ビームで被
処理試料表面を走査することによって行われる。この電
子ビームアニール法においてアニール深さは電子の加速
電圧に依存し、上述した如き数１００〔人〕〜数〔μｍ
〕程度の薄層のアニールを行う場合には、加速電圧は数
〔にＶ〕〜２０〔ｋν〕程の範囲に制御せねばならない
。一方電子ビームのスポット径はクーロン反発といわれ
る空間型持効果によって拡大するため、ボケ量は加速電
圧の３／２乗に逆比例して増大する。そのためアニール
深さを制御するため加速電圧を低くすると、被処理試料
表面において所望の電流密度が得られないという問題が
ある。更には加速電圧を電子銃の部分で変化させること
は、ウェネルトとカソードの間隔を微調しなければ最適
条件が得られないので、好ましくない。
較的小さなスポットに絞られた大電流の電子ビームで被
処理試料表面を走査することによって行われる。この電
子ビームアニール法においてアニール深さは電子の加速
電圧に依存し、上述した如き数１００〔人〕〜数〔μｍ
〕程度の薄層のアニールを行う場合には、加速電圧は数
〔にＶ〕〜２０〔ｋν〕程の範囲に制御せねばならない
。一方電子ビームのスポット径はクーロン反発といわれ
る空間型持効果によって拡大するため、ボケ量は加速電
圧の３／２乗に逆比例して増大する。そのためアニール
深さを制御するため加速電圧を低くすると、被処理試料
表面において所望の電流密度が得られないという問題が
ある。更には加速電圧を電子銃の部分で変化させること
は、ウェネルトとカソードの間隔を微調しなければ最適
条件が得られないので、好ましくない。
（３）発明の目的
本発明の目的は上記問題点を解消して、電子ビームのボ
ケ量を増大させることのない、電子ビームの加速電圧の
制御方法を提供することにある。
ケ量を増大させることのない、電子ビームの加速電圧の
制御方法を提供することにある。
（４）発明の構成
本発明の特徴は電子銃より被処理試料に向がう電子ビー
ムの行路の前記被処理試料表面近傍に減速電界を設け、
前記電子銃より前記所望の加速電圧より高い加速電圧に
より電子ビームを放射せしめ、該電子ビームを前記減速
電界により減速して！ 前記被処理試料表
面に入射せしめることにある。
ムの行路の前記被処理試料表面近傍に減速電界を設け、
前記電子銃より前記所望の加速電圧より高い加速電圧に
より電子ビームを放射せしめ、該電子ビームを前記減速
電界により減速して！ 前記被処理試料表
面に入射せしめることにある。
（５）発明の実施例
以下本発明の一実施例を図面により説明する。
図は本発明の電子ビームアニール方法の一実施例を、本
実施例に用いた電子と一ムアニール装置をと共に説明す
るためのシステム構成図である。
実施例に用いた電子と一ムアニール装置をと共に説明す
るためのシステム構成図である。
同図において、１はコラム、２は電子銃、３は電子レン
ズ、４はテレセンドリンク・デフレクタ、５は電子ビー
ムに対する減速電界を形成するため新たに設けたグリッ
ド・メソシュ、６は被処理試料、７は電子ビームを示す
。
ズ、４はテレセンドリンク・デフレクタ、５は電子ビー
ムに対する減速電界を形成するため新たに設けたグリッ
ド・メソシュ、６は被処理試料、７は電子ビームを示す
。
本実施例においては上記各部に印加する電圧を、例えば
電子銃２には−６０（ｋＶ）、被処理試料６にバー４０
〜−５５ （ｋＶ） 、グリッド・メツシュ５には０〔
ｖ〕とし得る。各部の電位をこのようにすることにより
、電子ビーム７は商い加速電圧により電子銃２より放射
されので、ビームスポット径はそれほど拡大することな
く被処理試料６表面に向かって進行する。そして電子ビ
ーム７が被処理試料６表面近傍に到達すると、電位０
（Ｖ）のグリッド・メツシュ５を設けたことによって生
じた電界が、電子ビーム７に対して減速電界として作用
するため、電子ビーム７は減速されて被処理試料２の表
面に入射する。従って被処理試料６表面のアニール深さ
はごく浅いものとなる。
電子銃２には−６０（ｋＶ）、被処理試料６にバー４０
〜−５５ （ｋＶ） 、グリッド・メツシュ５には０〔
ｖ〕とし得る。各部の電位をこのようにすることにより
、電子ビーム７は商い加速電圧により電子銃２より放射
されので、ビームスポット径はそれほど拡大することな
く被処理試料６表面に向かって進行する。そして電子ビ
ーム７が被処理試料６表面近傍に到達すると、電位０
（Ｖ）のグリッド・メツシュ５を設けたことによって生
じた電界が、電子ビーム７に対して減速電界として作用
するため、電子ビーム７は減速されて被処理試料２の表
面に入射する。従って被処理試料６表面のアニール深さ
はごく浅いものとなる。
このアニール深さは図示の装置及び上記一実施例の方法
を用いれば一１被処理試料６の電位及びグリッド・メソ
シュ５の電位を選択することによって、所望の深さに制
御出来る。しかも電子銃２の加速電圧は十分に高くして
良いので、被処理試料６表面に到達した時の電子ビーム
７のボケ量は小さい。
を用いれば一１被処理試料６の電位及びグリッド・メソ
シュ５の電位を選択することによって、所望の深さに制
御出来る。しかも電子銃２の加速電圧は十分に高くして
良いので、被処理試料６表面に到達した時の電子ビーム
７のボケ量は小さい。
なお上記減速電界を形成するには、上記説明中に示した
グリッド・メソシュ５を設ける方法に限らず、例えば電
子ビームアニール装置の電子レンズ系を利用して実施す
ることも可能である。
グリッド・メソシュ５を設ける方法に限らず、例えば電
子ビームアニール装置の電子レンズ系を利用して実施す
ることも可能である。
（６）発明の詳細
な説明した如く本発明によれば、電子ビームを高い加速
電圧で放射し、被処理試料表面の近傍で減速することに
より、電子ビームのボケ量を殆ど無視出来る位に小さく
できるので、電流密度が大きくしかも加速電圧の低い電
子ビームを被処理試料に入射せしめることが可能となり
、従ってアニール深さを所望の如く制御することが出来
る。
電圧で放射し、被処理試料表面の近傍で減速することに
より、電子ビームのボケ量を殆ど無視出来る位に小さく
できるので、電流密度が大きくしかも加速電圧の低い電
子ビームを被処理試料に入射せしめることが可能となり
、従ってアニール深さを所望の如く制御することが出来
る。
図は本発明の電子ビームアニール方法の一実施例を、使
用した電子ビームアニール装置と共に説明するためのシ
ステム構成図である。 図において、２は電子銃、５はグリッド・メンシュ、６
は被処理試料、７は電子ビームである。
用した電子ビームアニール装置と共に説明するためのシ
ステム構成図である。 図において、２は電子銃、５はグリッド・メンシュ、６
は被処理試料、７は電子ビームである。
Claims (1)
- 被処理試料を所望の加速電圧を有する電子ビームで照射
して前記被処理試料表面を加熱する電子ビームアニール
方法において、電子銃より被処理ビームを放射せしめ、
該電子ビームを前記減速電界により減速して前記被処理
試料表面に入射せしめることを特徴とする電子ビームア
ニール方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190414A JPS5891643A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 電子ビ−ムアニ−ル方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190414A JPS5891643A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 電子ビ−ムアニ−ル方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891643A true JPS5891643A (ja) | 1983-05-31 |
Family
ID=16257738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56190414A Pending JPS5891643A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 電子ビ−ムアニ−ル方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5891643A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271865U (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-08 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55161344A (en) * | 1979-06-01 | 1980-12-15 | Philips Nv | Scan electron microscope |
| JPS5642946A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-21 | Toshiba Corp | Scanning type electron microscope device |
| JPS56114318A (en) * | 1980-02-14 | 1981-09-08 | Anelva Corp | Apparatus for irradiating pulse electron beam |
-
1981
- 1981-11-26 JP JP56190414A patent/JPS5891643A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55161344A (en) * | 1979-06-01 | 1980-12-15 | Philips Nv | Scan electron microscope |
| JPS5642946A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-21 | Toshiba Corp | Scanning type electron microscope device |
| JPS56114318A (en) * | 1980-02-14 | 1981-09-08 | Anelva Corp | Apparatus for irradiating pulse electron beam |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271865U (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-08 |
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