JPS5891003A - Psa法による純水素製造を目的とするcog精製法 - Google Patents

Psa法による純水素製造を目的とするcog精製法

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JPS5891003A
JPS5891003A JP56189221A JP18922181A JPS5891003A JP S5891003 A JPS5891003 A JP S5891003A JP 56189221 A JP56189221 A JP 56189221A JP 18922181 A JP18922181 A JP 18922181A JP S5891003 A JPS5891003 A JP S5891003A
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JP
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cog
psa
gas
cooler
tower
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JP56189221A
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Hidenori Sawabe
沢部 秀紀
Tsugio Hotta
堀田 次男
Setsu Takeo
竹尾 節
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JFE Steel Corp
Kawatetsu Kagaku KK
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
Kawatetsu Kagaku KK
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Publication date
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  • Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
  • Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 t,i0nプレッシャー・スイング成層)法によって純
水素を製造する際の原料COG (コークス炉ガス)の
精製法に間するものである。
純水素の需要は、石油化学あるいは石炭化学製品の水素
添nl′IN製用、エネルギー転換に関連する石炭液化
用、メタノール合成などの主原料用あるい(・まIC 
、 LSIなどの電子産業や医療並要用に、新1−い需
要分野の開拓と共に増7JOの一途をたどっている。
」在水素の多くは石油ナフサ,ブタンなどを原料とした
水蒸気改質法で!l!8!令されている。しかし、近乍
石油を原料とする水素の供給は、原料の高騰でコストが
高くつ〈等の問題が出てきた。
水素源としては石油の他にコークス炉でコークスを製造
する際の副生ガスの利用が考えられる。
この副生ガスは一般にCOGと称せられ、コークス炉の
ある銑鋼− ! !J1鉄所では現在、このCOGを製
鉄所や隣接する火力発電所の燃料として消費し7ている
。COG中には水素が5.t〜57%含まれており、こ
れをJlj択的に分離する方法が検討されてきたが、深
冷分離法以外には企業化に至っていない。
COGの組成からみてゼオライトあるいはカーボンを累
イオとする吸着剤(モレキュラーシーブ)を用いて高純
度の水素を分離回収することが考えらJする。モレキュ
ラーシープを使い加圧吸着−城庄脱着を繰り返してガス
を分離するPSA法は、COGをモレキュラーシーブに
圧送し水素以外のCH4゜Co、CO2等を吸着して水
素を選択的に分離できるはずである。しかし、このPS
A法はCOG中にNo。
値黄化合物、タール、ナフタリン、ベンゼン、トルエン
、キシレン等の有害物質が微扇でも存在すると、長時間
運転中にこれら有害物質がモレキュラーシーブを汚指し
吸着能を低下させるため、高純度のガスを分離すること
ができなくなる。このため、この方法はまだ実用化され
ておらず、この技術の企業化のポイントは有害物質をど
のような方法で除去し、長時間運転を確保することがで
きるかにあった。
本発明者らは、かかる問題のCOG中の有害物質なPS
A装置に入る手前で除去する技術を開発すべく研究を重
ねた。−+−の結果、モレキュラーシーブよりも不害物
質を吸滝除去する能力かあり、化学吸4オ6よび″物理
吸着の両面から優れた機能を有する活性炭に着目した。
すなわち本発明はPSA法を実施する装置のFU前に活
性炭層を絹込み、従来のCOG精製技術を強化してもな
お残存する有害物質を活性炭1−に通し、化学反りし吸
着と物理吸着を行わしめろことによってこれら有害物η
を除去してPSA法に必要な精製COGを得ることを毛
、徴とする。
本発明の特融とする活4q;炭層に萌すff4製(また
COOは、従来のCOG精製技術により′!#則1され
たCOGである。OY来のCOG′4*製技術I″jN
O除去に関1、では加E 、加温下のNoガムの生成と
これに続く水あるい&ゴアルカリ水による洗浄除去があ
る。
また、硫黄除去に関してl′!湿氏あるいは乾式脱値法
カ& ル。ghKベンゼン、トルエン、キシレン除去に
関しては洗浄油による吸収がある。またタール、ナフタ
リン除去に関しては冷却、デミスタ−による分離が挙げ
られる。
これらの方法によってCOGを精製した後も、これらの
不害物質が若干残存している。このCOGを用いてPS
A装置を運転することにできるが、高価tcモレキュラ
ーシーブの寿命が短く工業生産には不利である。有害物
質を精製COGから除去した高度に精製されたCOGを
原料とするならば、高価なモレキュラーシーブを半永久
的に使用することができる。
本発明によるCOOの精製プロセスの最終工程に活性炭
層を絹込んだ精製法(・4、前記モレキュラーシーブの
半永久的利用を0T能にする。また、この発明により評
度に精製さねたCOGを原料どして、今後PSA法によ
る純水素を大計に汝−価に得ることができ、今まで燃料
として使用されたCOGを貴ルな水素柳として利用する
ことが大いに期待される。
次に本発明方法による各工程について具体的に説明する
原料COGの昇fモ まず原料COGを圧縮機により/り〜、20 Ky /
 cm2Gに昇圧する。後のP S A法による水素製
造工程においても15−.20 K?/cm2Gの圧力
で操作サレ、−E タこれにより製〕宥した純水素も更
に加圧した状態で使用される場合が多いので、前ft1
2FF縮機による昇圧を有効に生かすことができる。ま
た、COGの精製に関して昇FEは原理的に各不純物質
の分圧を高めその除去をより容易にする利点がある。
COGの精製と活性炭の使用 圧縮機により昇圧したCOGは、含有するNo、硫黄、
ベンゼン、トルエン、キンレン、タール、ナフタリン等
の有害物質を除去するための精製工程に委ねろ。
+11 NoおよびNoガムの除去 COGにNoを乙〜#、 ppm含有する。Noを除去
するため、加圧加温の状態でCOG中のNoを、共存ス
る02及びジオレフィン顛(ブタジェン、シクロペンタ
ジェン等)と反応させてNoガムを生成させる。
Co()中にNoがθ、os ppm以上存在するとN
oガムが生成し、このNoガムは反応直後θ、/〜/μ
程度の粉状微粒子であるが、COO中(で分散する間に
大粒子化し粘着性となる。Noガムが存在すると、圧縮
機や以後のプロセス機器に堆積し弁軸の円滑な作動を妨
害し、あるいはその発火性により爆発事故を誘発する等
の原因となる。また、後のPSA工程においても吸着剤
に付着してNoガムが吸着剤の孔路を閉塞するため、目
的とするガスの吸着機能な著1.〈低下し、吸着剤の寿
命を短縮させる結果となる。Noガムに強酸性であり、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の有機溶剤には不溶で
ある。従って、Noガムを除去するVcl’!水あるい
はアルカリ水で洗浄する。
尚、ガム化反応の操作圧力は高い程不利であるが、操作
yA度はgO〜100’Cの範囲がよく、go’c以下
の温度ではジオレフィンとのガム化反応速度が遅くなり
、才た100°C以上ではNoが再発生ずるため不利で
ある。
上記方法によりCOGからNOを除去した場合でも、N
oはθS〜/ ppm程度残存する。また下Beの乾式
脱硫装置にこのCOGをJ+す場合、酸化鉄の一部が転
化した像化鉄FeS 、 Fe25うが残存するN。
と反応してRu5sin 5alat 、 Fe CF
e4(No )7S515の化合物を生ずるので脱硫装
置内に固定化除去でき有利である。しかし、ここ士で処
理してもCOG中にNoがθ、、2 pp+n程1’f
残存し長期運転中にNoガムが発生する。
本発明者らは最後の精岬丁(♀表して活性炭層にCOG
を辿禍さぜ、倣1iに残存寸ろNOおよびNoガムを完
全に除去できることを県出17た。
COGを活性炭11−に1由すと、Noが炭素と反応し
、COと1−1  に分i′+イしく2NO→−C−+
Co2+N2> 、また2 NoからNoガムを生成し吸ン斥(2、さらに既にCO
G中に分散しているNoガムも活性炭に吸着するため、
Noと1・JOガムは完全に除去される。
(2)飾黄の除去 一般に既に脱値処刊[されたCOG中にはH2Sが、x
o my/ Net  、有機硫黄(C8、(:Olが
/30m?/NM5程度残存している。この装置成分を
含むCOGをPSA工程に委ねると、モレキュラーシー
ブ上に無機信置が析出し、モ1/ギ」−ラーンーブの孔
路を閉塞l、7て目的ガスの1敗着(デ芝能か低下する
ことを確かめた。こね(イ王に硫化水素と酸素グー−モ
レキュラーシーブのl+llI!媒作用を受けて反応し
、〈4−1戊L7た無機fit 宜1がモレキュラーシ
ーブに吸着堆積するためで))る。有機硫黄に関しても
CO2,02などの酸化性ガスやH2Oが共存1.てい
るため、同様に反応し無機信置が’:IE If l−
、、tllj Wjする。このためモレキュラーシーブ
の吸着面が神覆されこれが吸着能の急鑑な低下の原因に
なっていると考られる。それ故PSA装置の技時間安定
運転を持糾させるためには、装置化合物か酸素のいずれ
かを車前に除去しておく必要がある。
Fe2O3・5H20を充填した乾式脱佑T塔ケ用いる
と、COG中のH2S 濃度を:z my/NM′4%
度まで減ら1゛ことができ、あわせてNoおよびCNも
酸化鉄子に固定化して除去することが四iヒである。こ
の脱偵i方法によっても1128に2〜/NIV(程度
残存しており有機硫黄にいたっては殆七除去されない。
しかし、このようにして残存する値、量分に活性炭で処
理すると効1果的に除去される。硫黄分は活性炭の触姪
作用により例式[的に吸着するだけでなく、化学反応を
frつて以下に示す反応式により反応すると思われる。
生成物はそのまま活性炭に吸着する現象が見られ、活性
炭の効果の大きいことが確認された。
5H)8 + 1102→5H20+5E3  H2S
+1 /202→H2n+5o22H2S+802→5
S+21(20H2S+202→H2S04C8,2+
502→CO2+2SO2SO2+/202→5o5S
03+ H20→H2S04C82+2H20→2H2
S−1−Co2Eros 十H20−+ H2S + 
CO2C82+02→2S十CO22CO8十〇2→2
S+2CO2C82+CO2→2S+2CO(5)ベン
ゼン、トルエン、キシレン(BTX )の除去COG中
のBTX等の芳香族炭化水素はモレキュラー7−ブに対
する親和力が大きい。従って一度吸着すると減圧法では
脱着再生ができず、また加熱法でftBTXが分解炭化
しやすい。このTこめPSA装置にBTXを含有するC
OGを使用する場合、モレキュラーシーブの有路を閉塞
し永久汚損をもたらす原因となる。それ故BTXの事前
除去はI) S A装置の使期女全運転に欠かせない条
件である。
COO中のBTXを除去するには、タール油から分留[
7た吸収油を洗浄油として用い、低温7u+ If下で
吸収操作を行う。冷却操作11BTXの子側分圧を下げ
、7JnFF操作はBTXの分用な高めBTXの除去を
容易にするためである。尚、BTXと共にC82のgO
〜qO%が吸ワ油に吸収除去される。これにより、C0
()中ノBTXm11fを/li’/NM 程度まテ下
げることができる。しかし、この程度ではPSA装百に
有効に利用することはでとない。
ところが、上記活性炭層を用いると、活性炭にBTXが
完全に吸着され、後のPSA装置のモレキュラーシーブ
に何ら悪影響を及ぼさないことが判った。
(4)タール、ナフタリン等の除去 CO(’)中にはタール油、吸収油、潤1滑油、ナフタ
リン等の分子旬の大きい炭化水素類が混入している。ま
た、前に己BTXを除去するために用いた吸収油の蟻状
油滴や吸収油中のナフタリン分がCOG中に再拡散して
存在している。
COG中にこれら炭化水素類が存在すると、他の有害物
質と同様妬、後のPSAT程で用いる吸着剤との親和力
が強いため、吸璃剤のガス吸着能を著しく使丁させる。
従って、このような有害な炭化水素沖は除去しなけねげ
ならない。
分子鎖の大きい炭化水素類をCOG中から1余去するに
it it+ F下における冷却処理が非常によい結果
を与える。この冷却処理によると、タール、ナフタリン
等の濃度を5 #9/NM5権度まで減らすことができ
る。ま′L−1この冷却処理はCOG中に共存する水分
の除去にも効果がある。水は極性の旨い分子で糸)るか
ら吸着1111に最優先して吸着しガス本来の1及府能
を(1’!:下させるので除去する必要が))る。
しかし、この冷却処理によってもCOG中のタール、ナ
フタリン等の除去は完全ではない。このため幌、意(+
If ’iiした結果、Co()を活性炭層に通ずこと
により、これらタール、ナフタリン等も完全に除去でき
ることケ確認した。
以上、Cooを71 ’lt’Jするために、COG中
に含有する不純物質を1ま六l〜た後、まだCo()中
に残存する不純物佃を活性炭層に通すことにまり略完全
に除去することができる。
従って、COa積製の最終工程、WlちPSA装館の直
前に活性炭着合・設置してPSA装置のモレキュラーシ
ーブの保護装置aとすることができる。活性炭装置の負
荷を犬きくして、他のCOG精製の工程を省略する方法
も考えられるが、活性炭の吸着容積に限界がありあまり
得策ではない。この活性炭層は不純物質の倣−分を最終
的に完全除去する装置として使用するが、例えば他のC
OG精製装置が故障したような非常の場合にも、モレキ
ュラーシーブの保護装置として役立てることが可能であ
る。
これにより、モレキュラーシーブの汚4M 、 M生の
虞れが少なくなり、モレキュラーシーブを取替えること
なく長門運転することができ、またPSA法により製造
される水素の純度を−ヒげることができる。
次に本発明方法による実施例について図面に基づき説明
する。
使用した原料(”OGの組成及びCOGに含まれる有害
不純物質の濃度は第1表に示した通りである。
第 1 表 この原料COGをPSA法による水素製造のために精製
する。
図において、ライン/で供給した原料COGを圧縮機−
で昇干し圧力を15.5 Ky/c1n2Gに設定した
圧縮機ユな出たCo()は温度/10〜/20°Cであ
った。
続いて送風機lを備えたガスクーラー3により温If 
調節を行い、ホットボトル3 K COGを送った。
ホットボトルタは内部空洞の円油立て形耐圧容器であり
、7MI FF加現の状態でCOG中のNOと02及び
ジエン類が反応してNoガムが生成する。Noガムを含
むCo()はNoガム洗浄塔7に入り、塔上部からライ
ン基で供給した洗浄水によりザイクロン接触洗浄されN
oガムが除去される。Noガム洗浄用ノスプレ水4寸k
l COG / KM  当りo、o!itであった。
第2表に、ポットボトルにおけるCOG滞留時間。
温度に対するNoの除去効果を示寸。
第2表 」−表の結果から、ポットボトルの温度ニgθ〜100
°C9滞留時間は、?〜乙分がよく、100°C,5分
を標準運転条件とした。
NOガム洗浄隼゛7を出たCOGは、冷却水人口/θ及
び冷却水小口//を備えたガスクーラー9で温間調節さ
れ、H2Sを除去する目的で乾式脱像塔/2に導かれる
。脱硫塔7.2にを1脱硫剤(水酸化第二鉄F・e(O
H)5)を充填した。COGの脱硫剤に対する接触時間
を90秒として、COGの脱(Iilt塔入口混入口温
度°Cの条件で運転した。脱(ilIt塔/2を出たC
OGに含まねる)] S濃卯&:r /、、?〜ユ、2
 rny/Nx、i5. No濃度tto、/〜0..
2ppmであった。接触時間qO秒以−1−ではその効
果が殆ど変らなかった。脱硫、剤の硫黄蓄積量が、20
%以上とならないように、脱硫剤を切替えながら連続運
転を行った。
脱値塔/コを出たC OGは冷媒入口/4Z 、冷媒用
ロアSな備えたガスクーラー/3で温度を調節した。
続いてベンゼン、トルエン、キシレン(BTX) 金除
去するためにBTX吸収塔/乙に導いた。このBTX吸
収塔に入るCOGの温tWを70°Cに調節し、圧力を
/夕Kp 7cm2Qで運転した。BTX除去用の吸収
油&j石炭タール油から分離した洗浄油であり、平均分
子邦は/、?θ〜//、5 、沸点範囲はコ、?&〜、
715°Cである。吸収塔/乙の入口/7から入る吸収
油中のベンゼン濃度を7重量%以下、吸収油対COGの
液−ガス比0.1.t//NM5で運転したところ、吸
収塔の出口/gから出たCOG中に残存するBTX &
″jQ、ll〜0.6f7!/NM  であった。
次にCOGは冷媒入口20及び冷媒用0.2/を備えた
ガスクーラー/qで更に冷却する。COG ’& 5〜
.20°Cに冷却し、COG中に含まれるタール油(ミ
スト)、ナフタリン、水分等を凝縮した。凝縮液をデミ
スタ−ツユの衝突飯と金網に通した。COG圧力はts
 Ky/cIn2Gで運転を継続した。ナフタリンの凝
結はC0C)ラインの閉塞をもたらす懸念があるが、タ
ール油、吸収油、水の液化が同時に行われるためナフタ
リンが溶解17共にドレンλ、?から排除されるので問
題ない。
COGの冷却温度と冷却後の残存不純物扇との関係を第
5表に示す。
第 5 表 上表の結果から、ナフタリン及びタール除去用クーラー
の温饗は5°Cを標準運転条件とした。
デミスタ−,2,ユを出たCOG、il活性炭を充填し
た1吸着塔、2IIに入る。活性炭による吸着処理時の
coGifカは/3に?/σ20 、C’OG温度はλ
0°C1接触時間/S秒、およびガス流速0..3 m
7秒の条件で連糾運〔を行った。このとき使用した活性
炭を第4表に示す。
第 4 表 活性炭の吸着#は最大i3%を目処にして、吸着塔、2
14を切替えながら連続運転を行った。
活性炭に対する吸着量にベンゼンが最も多い。
減千と水蒸気パージによりBTX分を脱着させて再生し
、活性炭を繰り返し使用することができる。
活性炭は継続使用している間に、漸時タール、NOガム
、無機装置の蓄積が」胃大するので単なる減圧と水蒸気
パージでは再生が不可能となる。従って、減圧と水蒸気
パージ後も吸着量が70%を越える状軸になったならは
、スチームクラッキング方式でg00〜9θθ”Cに7
JI]熱して活性炭を11牛した。このスチームクラッ
キング方式による再生法で、活性炭のざ、7〜g7%は
再生161収吸着剤として使用1[能でル・す、不足分
は新しい活性炭を補充l−た。
吸着量、241で処flvシだ後COG中の有害不純物
は、氾5表に示したように殆ど除去された。
第 5 表 上記COG精製の各工程中の有害不純物の含有計な第6
表にまとめた。
このようにして処理した精製COGをPSA装置、23
に通した。PSA装置 J5 Kは第7表に示した仕S
のモ1/キュラーシープを充填シた。
第 7 表 このPSA装置k 、2.r +t coo供給m度を
23〜.?J ”C。
ガス速変をo、、i m7秒の条ト1−で運転した。C
OGは純水素と高カロリーガス(副成ガス)に分離され
それぞれ出n 、24及び出ローフから除去される。
第8表にPSA運転によるH2ガス製造実験の結果k・
示した。
第 8 表 次にCOGを精製する際、活性炭処理の有無がゼオライ
トの吸着性能の変化にどのように影響するかを比較実験
lまた。ゼオライトの吸着性能の変化を見るために、C
Or)からH2ガスを連続運転で製造しているPSA装
置のゼオライ) &Aを一定期間毎にサンプリングした
。このサンプリングしたゼオライトは、CO2,■(2
混2合ガスを用いた試験器により温度50°Cにおける
CO2分圧と吸着瞳の関係を測定した。第9表に示した
ように、COOを原料として水素ガスを’F!! 漬す
るためのゼオライトダAの運転時間の経時に伴つC02
吸着量の変化を比較検a・1シた。
第 9 表 (十段:活性炭処理有、下段二同無) −ヒ記の表から、活性炭処理を施したCOGをPSA装
首に供給する場合ゼオライトの吸着能は殆ど変化しない
が、活性炭処理を施さなかったCOGの場合ゼオライト
の吸着能は使用期間が長くなると急速Kf化し低下する
ことが判る。
水素製性用の原Y[ガスとして、COO以外に水蒸気改
質ガス、各種オフガス(脱メタン、アンモニア合成、メ
タノール合成、各(、Fハイドロカーボンプロセス等)
、各種化学装置ベントガスがあるが、これらのガス成分
はH2,CO、Co2. CH4,N2. Nl2゜1
(20等であり、COGのガス成分と類似している。
従って基本的にはモレキュラーシーブを充填したPSA
装置により′純水素を製造することができる。
その1t7cooと同様にモレキュラーシーブのガス吸
着分離機症を阻害する有害物質が含まれている場合には
、これら原料ガスに本発明による技術を適用して廟害物
質を殆ど完全に除−天することができる。
この様に、COGな従来法により精製後PSA法により
水素を!!+!!造する直前に本発明の特徴とする精製
法を採用することにより、原料ガスを完全にN製するこ
とができる。その結果純水素を製造するガス源として、
上記各イ重原料ガスの利用範囲が拡大する。また、本発
明方法によりモレキュラーシープのガス吸着分離機a[
を阻害する有害物質を除去することに、1杯紳1「水素
の製、告のみでなく、各種−・イド【コカーボンの分離
や回収、炭酸ガスのi余去、脱窒1等、PSAを利用す
る場合の長期安定運転な可能とし、本発明の技術を利用
する効果は非常に高くその1j&用分叶も広がる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明方法による1稈の実施例を示す線図である。 /・・・原料(”’OG供給ライン、2・・・「f縮機
1、?・・・ガスクーラー、q・・・送風機、S・・・
ポットボトル、6・・・洗浄水供給ライン、7・・・N
oガム洗浄塔、g・・・1−1i水]]、9・・・ガス
クーラー、10・・・冷却水入口、//・・・冷却水出
口、/2・・・乾式脱イvlt塔、/、?、/9・・・
ガスクーラー、/ll、 、:10・・冷砂入[−1、
/、5− 、.2/・・・冷奴出口、/乙・・BTX吸
収塔、/7・吸収曲入[]、75g・・吸収油出口、2
2・・・デミスタ−1λ、?・・・混合液ドレン、−q
・・・吸着塔1.25・・・PSA装置i5..24−
・・純水素出口、27・・・高カロリーガス出口。 特許出願人 川鉄化学株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ′Eレキュラーシーブ吸着削を充填したPSA(P
    ressure SwingAdsorpt、ionプ
    レッシャー・スイング吸着)装置を用いるPSA法によ
    って純水素を製〕青する際の原料としてCOO(コーク
    ス炉ガス)を用い、吸矯剤のガス吸着分離機能を阻害す
    るCOG中の有害物質を除去するために原料COGの圧
    力をPsA装置の操作圧まで昇圧してCOGを精製し、
    次いでPSA装置の直前に組込んだ活性炭層にCOGを
    1山しCOG中の有害物質を略完全に除去することを特
    徴とするPSA法による純水素製造を目的とするCOG
    梢製法。
JP56189221A 1981-11-27 1981-11-27 Psa法による純水素製造を目的とするcog精製法 Pending JPS5891003A (ja)

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