JPS5890598U - メモリセル - Google Patents

メモリセル

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JPS5890598U
JPS5890598U JP1982133728U JP13372882U JPS5890598U JP S5890598 U JPS5890598 U JP S5890598U JP 1982133728 U JP1982133728 U JP 1982133728U JP 13372882 U JP13372882 U JP 13372882U JP S5890598 U JPS5890598 U JP S5890598U
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JP
Japan
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memory cell
effect transistors
transistors
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JP1982133728U
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淳一 茂木
宮坂　清
野口　英二
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の４トランジスタメモリセルの回路図、第
２図ａ、ｂは特性曲線図およびＭＯ３ＦＥＴ断面説明図
、第３図は周辺部を含めた従来のメモリセルの回路図、
第４図は本考案の実施例を示す回路図である。 図面でＱ、、　Ｑ、は情報記憶用のＭＯＳＦＥＴ、　Ｑ
、。 Ｑ６はトランスファゲート用のＭＯ８ＦＥＴ、　ＢＬよ
。 ＢＬ２はビット線、ＷＬはワード線である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 情報記憶用の一対の電界効果トランジスタと、ワード線
    電圧で制御されてこれらのトランジスタと一対のビット
    線との接続切離を行なうトランスファゲート用の一対の
    電界効果トランジスタとを備え、該トランスファゲート
    用の電界効果トランジスタには閾値電圧以下でも暗電流
    を流す折れ線状のドレイン電流対ゲート電圧特性を持た
    せ、これら２対の電界効果トランジスタでフリップフロ
    ップを形成させてなることを特徴とするメモリセル。
JP1982133728U 1982-09-02 1982-09-02 メモリセル Expired JPS5912799Y2 (ja)

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JP1982133728U JPS5912799Y2 (ja) 1982-09-02 1982-09-02 メモリセル

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JP1982133728U JPS5912799Y2 (ja) 1982-09-02 1982-09-02 メモリセル

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JPS5890598U true JPS5890598U (ja) 1983-06-18
JPS5912799Y2 JPS5912799Y2 (ja) 1984-04-17

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ID=29927174

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JP1982133728U Expired JPS5912799Y2 (ja) 1982-09-02 1982-09-02 メモリセル

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JPS5912799Y2 (ja) 1984-04-17

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