JPS6016399U - 半導体記憶装置の書込み装置 - Google Patents

半導体記憶装置の書込み装置

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JPS6016399U
JPS6016399U JP10534183U JP10534183U JPS6016399U JP S6016399 U JPS6016399 U JP S6016399U JP 10534183 U JP10534183 U JP 10534183U JP 10534183 U JP10534183 U JP 10534183U JP S6016399 U JPS6016399 U JP S6016399U
Authority
JP
Japan
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write
semiconductor storage
storage device
writing
semiconductor memory
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Pending
Application number
JP10534183U
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English (en)
Inventor
武藤　信次
Original Assignee
株式会社日立製作所
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はＥＰＲＯＭの艷憶素子ＦＥＴの断面図、第２図
は記憶素子ＦＥＴのゲート電圧Ｖ、−ドレイン電流Ｉ。 、特性図、第３図は従来技術を利用した欠陥品摘出例図
、第４図はＥＰＲＯＭの書込み特性図、第５図は本考案
の一実施例のブロック図、第６図は本考案を利用した欠
陥品摘出例図である。 １０・・・制御装置、１１・・・表示装置、１２・・・
ＲＡＭ、１３・・・電源電圧部、１４・・・書込電圧部
、１５・・・ＥＰＲＯＭ０

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 書込み電圧および書込みパルス幅を小さくして、通常よ
    り少ない蓄積電荷量で複数回書込み、半導体記憶装置全
    体の記憶深さを同一レベルに書込むことを特徴とする半
    導体記憶装置の書込み装置。
JP10534183U 1983-07-08 1983-07-08 半導体記憶装置の書込み装置 Pending JPS6016399U (ja)

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JP10534183U JPS6016399U (ja) 1983-07-08 1983-07-08 半導体記憶装置の書込み装置

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JP10534183U JPS6016399U (ja) 1983-07-08 1983-07-08 半導体記憶装置の書込み装置

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JPS6016399U true JPS6016399U (ja) 1985-02-04

Family

ID=30246958

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0339200A (ja) * 1989-07-05 1991-02-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd アイロン台

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0339200A (ja) * 1989-07-05 1991-02-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd アイロン台

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