JPS5885894A - セフアロスポリン化合物の製造法 - Google Patents
セフアロスポリン化合物の製造法Info
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- JPS5885894A JPS5885894A JP56184877A JP18487781A JPS5885894A JP S5885894 A JPS5885894 A JP S5885894A JP 56184877 A JP56184877 A JP 56184877A JP 18487781 A JP18487781 A JP 18487781A JP S5885894 A JPS5885894 A JP S5885894A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Cephalosporin Compounds (AREA)
- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、セファ四スポリン化金物の製造法に関する。
更に詳しくは本発明は、一般式〔式中Ｒ１はアリール基
又はアリールオキシ基を示す、Ｒ愈は水素原子又はカル
ボキシル基の保護基□ を示す、ＹはＣ／又は基−８１”（Ｒ１は置換もしくは
非置換のアリール基又は置換もしくは非置換の芳香族複
素環残基）を示す、〕で表わされるセファロス早す／ｌ
ｔｔ＠［製ｍ讃に−する。
又はアリールオキシ基を示す、Ｒ愈は水素原子又はカル
ボキシル基の保護基□ を示す、ＹはＣ／又は基−８１”（Ｒ１は置換もしくは
非置換のアリール基又は置換もしくは非置換の芳香族複
素環残基）を示す、〕で表わされるセファロス早す／ｌ
ｔｔ＠［製ｍ讃に−する。
一般式（ＩＦ）ｅ表わされるセファ四スポリン化金物は
、抗１作用を有し抗１割として有用な化金物である。ま
た一般式（Ｗ）で褒わ宴れ番セ７アロスボダン化合物は
、γ位ア電ド基の脱アシル化及び再アシル化により、又
は８位に適当な置換基を導入する仁とにより、一般に広
く使Ｍ害れているセファロスポサン系抗生物質に置換で
奮る重要な会威中間体である。
、抗１作用を有し抗１割として有用な化金物である。ま
た一般式（Ｗ）で褒わ宴れ番セ７アロスボダン化合物は
、γ位ア電ド基の脱アシル化及び再アシル化により、又
は８位に適当な置換基を導入する仁とにより、一般に広
く使Ｍ害れているセファロスポサン系抗生物質に置換で
奮る重要な会威中間体である。
本発明の目的は、一般式（Ｗ）で表わされるセファ四ス
ポリン化金物を安価で入手容重な原料化金物から簡便な
操作で高純度、高収率にて製造し得る方法を提供するこ
とｋある。
ポリン化金物を安価で入手容重な原料化金物から簡便な
操作で高純度、高収率にて製造し得る方法を提供するこ
とｋある。
即ち本発明は、一般式
〔式中−はアリール基又はアリールオキシ基を示す Ｒ
ｍは水素原子又はカルボキシル基の保護基を示す、〕 で表わされるチアゾ１ノアゼチジノン誘導体を含水有機
溶媒中 一般式 ％式％ 〔式中Ｒ１は置換もしくは非置換のアリール基又は置換
もしくは非置換の芳香族複素環残基を示す。
ｍは水素原子又はカルボキシル基の保護基を示す、〕 で表わされるチアゾ１ノアゼチジノン誘導体を含水有機
溶媒中 一般式 ％式％ 〔式中Ｒ１は置換もしくは非置換のアリール基又は置換
もしくは非置換の芳香族複素環残基を示す。
Ｘはハロゲン原子を示す。〕
で表わされる含硫黄化合物と反応させて一般式〔式中１
ｊｌ、ｌ１ｍ及びＲ１は前記に同じ、〕で表わされるア
ゼチジノン化合物を得、次いで該化金物を有機溶媒中ア
ンモニアと反応させて一般式 〔式中ＹはＣ／又は基−８ＲＩ（Ｒ１は前記に同じ）を
示す、Ｒ１及びＲ３は前記に同じ、〕 で表わされるセファロスポ曽ン化合物を得ることを特徴
とするセファロスポリン化合物の製造法に係る。
ｊｌ、ｌ１ｍ及びＲ１は前記に同じ、〕で表わされるア
ゼチジノン化合物を得、次いで該化金物を有機溶媒中ア
ンモニアと反応させて一般式 〔式中ＹはＣ／又は基−８ＲＩ（Ｒ１は前記に同じ）を
示す、Ｒ１及びＲ３は前記に同じ、〕 で表わされるセファロスポ曽ン化合物を得ることを特徴
とするセファロスポリン化合物の製造法に係る。
本発明において、Ｒ１で示されるアリール基としては例
えばフェニル基、トリル基、今シリル基、ナフチル基、
ｐ−クロルフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、？−
ニトロフェニル基、ｐ−ヒドロキシフェニル基等を挙げ
ることかで壷、またアリールオ牛シ基としては例えばフ
ェノキシ基、トリルオキシ基、今シリルオキシ基、ナフ
予ルオキシｌ、１１−タロル７エエルオキシ基、ｐ−メ
トキシフェニルオキシ基、ｐ−ニトロフエエルオ今シー
基、ｐ−ヒドロキシ７エエルオキシ基等を挙げることが
で會る。Ｒで示されるカルボキシル基の保護基としては
例えばフェニル環上にニトロ基を有することのあるアリ
ール低級アルキル基、フェニル環上にニトロ基を有する
ことのあるアリールオキシ低級アルキル基、ハロゲン原
子を置換基として有することのある低級アルキル＆勢を
挙げることがで会る。ここでフェニル環上にニトロ基を
有することのあるアリール低級アルキル基としては例え
ばベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ジフェニルメチ
ルｌ、２−フェニルエチル基、２−（ｐ−ニトロフェニ
ル）エチル１．８−７ヱ二ルプロビル基、８−（ｐ−ニ
トロフェニル）フロビル基等を挙げることがで壷、７エ
エル環上にニトロ基を有することのあるアリールオキシ
低級アルキル基としては例えばフェノキシメチル基、ｐ
−ニトロフェノキシメチル基、２−フェノキシエチル基
、ｆｌ−（ｐ−ニトロフェノキシ）エチル基、＄−フェ
ノキシプロピルＪＬ８−（ｐ−ニトロフェノキシ）プロ
ピル基部を挙げることかで壷、またハロゲン原子を置換
基として有することのある低級アルキル基としては例え
ばメチル基、エチルＭ、ｎ−プロピル基、イソプロピル
基、ｎ−ブチル基、ｔａｒｔ−ブチル基、怠−クロロエ
チル＆、２、も２−ト曽タロロエチル基等を挙げること
がで会番、 Ｒ１て示される置換もしくは非置換のアリ
ール基としては例えばフェニル基、ｐ−１トロ７エエル
基、ペンタタロロ７エエル基等を挙げることかで會、置
換もしくは非置換の芳香族複素環残基としては例えば２
−ビ１ジル基、ｇ−ベンゾチアゾ呼ル基、１．Ｉｌ、４
−チアジアゾール−６−イル基、意−メチル−１，８，
４−チアジアゾール−ｂ−イル基、１．！、Ｉ、４−テ
トツゾールー暴−イル基、ｌ−メチル−１，も＄、４−
テトラゾールー器−イーイル基 、７ｘｘ−ｈ −１ｊ
！、ｌ、４−９ ） ９ Ｖ−ｋ −ｌ−イル基等を挙
げることがで壷る。Ｘで示されるハロゲン原子としては
例えば塩素原子、奥嵩原子、沃素原子等を挙げることが
で會る。
えばフェニル基、トリル基、今シリル基、ナフチル基、
ｐ−クロルフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、？−
ニトロフェニル基、ｐ−ヒドロキシフェニル基等を挙げ
ることかで壷、またアリールオ牛シ基としては例えばフ
ェノキシ基、トリルオキシ基、今シリルオキシ基、ナフ
予ルオキシｌ、１１−タロル７エエルオキシ基、ｐ−メ
トキシフェニルオキシ基、ｐ−ニトロフエエルオ今シー
基、ｐ−ヒドロキシ７エエルオキシ基等を挙げることが
で會る。Ｒで示されるカルボキシル基の保護基としては
例えばフェニル環上にニトロ基を有することのあるアリ
ール低級アルキル基、フェニル環上にニトロ基を有する
ことのあるアリールオキシ低級アルキル基、ハロゲン原
子を置換基として有することのある低級アルキル＆勢を
挙げることがで会る。ここでフェニル環上にニトロ基を
有することのあるアリール低級アルキル基としては例え
ばベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ジフェニルメチ
ルｌ、２−フェニルエチル基、２−（ｐ−ニトロフェニ
ル）エチル１．８−７ヱ二ルプロビル基、８−（ｐ−ニ
トロフェニル）フロビル基等を挙げることがで壷、７エ
エル環上にニトロ基を有することのあるアリールオキシ
低級アルキル基としては例えばフェノキシメチル基、ｐ
−ニトロフェノキシメチル基、２−フェノキシエチル基
、ｆｌ−（ｐ−ニトロフェノキシ）エチル基、＄−フェ
ノキシプロピルＪＬ８−（ｐ−ニトロフェノキシ）プロ
ピル基部を挙げることかで壷、またハロゲン原子を置換
基として有することのある低級アルキル基としては例え
ばメチル基、エチルＭ、ｎ−プロピル基、イソプロピル
基、ｎ−ブチル基、ｔａｒｔ−ブチル基、怠−クロロエ
チル＆、２、も２−ト曽タロロエチル基等を挙げること
がで会番、 Ｒ１て示される置換もしくは非置換のアリ
ール基としては例えばフェニル基、ｐ−１トロ７エエル
基、ペンタタロロ７エエル基等を挙げることかで會、置
換もしくは非置換の芳香族複素環残基としては例えば２
−ビ１ジル基、ｇ−ベンゾチアゾ呼ル基、１．Ｉｌ、４
−チアジアゾール−６−イル基、意−メチル−１，８，
４−チアジアゾール−ｂ−イル基、１．！、Ｉ、４−テ
トツゾールー暴−イル基、ｌ−メチル−１，も＄、４−
テトラゾールー器−イーイル基 、７ｘｘ−ｈ −１ｊ
！、ｌ、４−９ ） ９ Ｖ−ｋ −ｌ−イル基等を挙
げることがで壷る。Ｘで示されるハロゲン原子としては
例えば塩素原子、奥嵩原子、沃素原子等を挙げることが
で會る。
本発明において出発原料として用いられ６化合物（りは
、例えば一般式 〔式中Ｒ１及び１は前記に同じ、〕で表わされるチアゾ
リノアゼチジノン誘導体を水−有機溶媒混合系中塩化物
又は塩酸の存在下に電解反応させることにより製造され
る。有機溶媒としては例えば酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸ブチル、ギ駿メチル、ギ駿エチル、プロピオン酸エ
チルなどのカルボン酸エステル類、ジエチルエーテル、
ジプチルエーテル、テトラヒトＷ７ラン、ジオキ量ン、
エチレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル類
、ジタロロメタン、クロロホルム、Ｆ５Ａ塩化綬素、ジ
ブロムエタンなどの八−ダン化炭化水嵩類、アセトエト
曽ル、ブチロエト讐−などの晶トリル類、メタノール、
エタノール、イソプ雷パノール。
、例えば一般式 〔式中Ｒ１及び１は前記に同じ、〕で表わされるチアゾ
リノアゼチジノン誘導体を水−有機溶媒混合系中塩化物
又は塩酸の存在下に電解反応させることにより製造され
る。有機溶媒としては例えば酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸ブチル、ギ駿メチル、ギ駿エチル、プロピオン酸エ
チルなどのカルボン酸エステル類、ジエチルエーテル、
ジプチルエーテル、テトラヒトＷ７ラン、ジオキ量ン、
エチレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル類
、ジタロロメタン、クロロホルム、Ｆ５Ａ塩化綬素、ジ
ブロムエタンなどの八−ダン化炭化水嵩類、アセトエト
曽ル、ブチロエト讐−などの晶トリル類、メタノール、
エタノール、イソプ雷パノール。
ブタノール、第三級ブタノ−ｋｔどのアルコール類、ペ
ンタン、ヘキサン、シターヘキ号ンなどの膨化水嵩類、
ベンゼン、トルエン、キシレン、タロルペンインなどの
芳香族化金物などの中から一つあるいは二つ以上選ばれ
墨、塩化物としては例えば、塩化ナト響つム、塩化力９
ウム、塩化讐チウム等のアルカリ金属塩、塩化マグネシ
ウム、塩化バリウム、塩化カルシウム等のアルカリ土類
金属塩、塩化アンモニウム、塩化テトラメチルアン毫ニ
ウム、塩化テトラメチルアン毫ニウム、塩化テトラブチ
ルアンモニウム等のアン令ニウム塩等が挙げられる。該
電解反応は釣６〜８００ ｗａｌｖｃｍｌ”のＩａｓの
電流密度マ行なえるが好ましくは釣１６〜６・ｆｆ１Ａ
／＠１１１１の範Ｉ！Ｉ″ｒ！ある０重た電極は通常電
解反応に使ＪｌｌＩＩれる白金、炭素、ステンレス、酸
化鉛、ニッケルなどが使用で會る。電解は約−雪・〜１
００℃の範囲の温度で訂なえるが好ましくは約−１０〜
６０″０″′ｅ行なうとよい、電解反応を行う鳩舎隔膜
を用いても無隔膜でもよい、この電解ＩＬＩ／１５に必
要な通電量は、電解槽の形状、電極の種類、基質濃度、
基質の反応性等により一定しないが、約２〜Ｂ （Ｉ
Ｆ／ｍｏｌの電気量を通電する乙とにより１１６〜９６
％の高収率で目的物がほぼ純品として得られる。
ンタン、ヘキサン、シターヘキ号ンなどの膨化水嵩類、
ベンゼン、トルエン、キシレン、タロルペンインなどの
芳香族化金物などの中から一つあるいは二つ以上選ばれ
墨、塩化物としては例えば、塩化ナト響つム、塩化力９
ウム、塩化讐チウム等のアルカリ金属塩、塩化マグネシ
ウム、塩化バリウム、塩化カルシウム等のアルカリ土類
金属塩、塩化アンモニウム、塩化テトラメチルアン毫ニ
ウム、塩化テトラメチルアン毫ニウム、塩化テトラブチ
ルアンモニウム等のアン令ニウム塩等が挙げられる。該
電解反応は釣６〜８００ ｗａｌｖｃｍｌ”のＩａｓの
電流密度マ行なえるが好ましくは釣１６〜６・ｆｆ１Ａ
／＠１１１１の範Ｉ！Ｉ″ｒ！ある０重た電極は通常電
解反応に使ＪｌｌＩＩれる白金、炭素、ステンレス、酸
化鉛、ニッケルなどが使用で會る。電解は約−雪・〜１
００℃の範囲の温度で訂なえるが好ましくは約−１０〜
６０″０″′ｅ行なうとよい、電解反応を行う鳩舎隔膜
を用いても無隔膜でもよい、この電解ＩＬＩ／１５に必
要な通電量は、電解槽の形状、電極の種類、基質濃度、
基質の反応性等により一定しないが、約２〜Ｂ （Ｉ
Ｆ／ｍｏｌの電気量を通電する乙とにより１１６〜９６
％の高収率で目的物がほぼ純品として得られる。
また化合物（Ｉ）は一般式
〔式中Ｒ１及びＲ１は前記に同じ、〕で表わされるチア
ゾリノアゼチジノン誘導体に詐駿の存在下に亜鉛を作用
させることにより製造される。酢酸の使用量としては特
に制限がなく仄範囲から適宜選択され得るが、通常一般
式（マＩ）で表わされる化金物に対して１〜１０倍モル
量、好ましくは１４倍モル量の酢酸をＩＬＩ５系内に存
在させるのがよい。
ゾリノアゼチジノン誘導体に詐駿の存在下に亜鉛を作用
させることにより製造される。酢酸の使用量としては特
に制限がなく仄範囲から適宜選択され得るが、通常一般
式（マＩ）で表わされる化金物に対して１〜１０倍モル
量、好ましくは１４倍モル量の酢酸をＩＬＩ５系内に存
在させるのがよい。
また一般式（ＴＩ）で表わされる化金物と亜鉛との使用
割合としては特に限定されず駅い範囲内で適宜選択で會
るが、通常一般式（町）て表わされる化合物に対して通
常１〜１０＠モル量、好ましくは意〜４倍モル量とする
のがよい、該反応は一般に有機溶媒中にて行なわれる。
割合としては特に限定されず駅い範囲内で適宜選択で會
るが、通常一般式（町）て表わされる化合物に対して通
常１〜１０＠モル量、好ましくは意〜４倍モル量とする
のがよい、該反応は一般に有機溶媒中にて行なわれる。
有機溶媒としては原料化合物及び目的化合物に不活性な
溶媒を木（使用で会、例えば酢酸エチル、１ｆｆｉ！酸
メチル、プロピオン駿メチル等のエステル類、ジエチル
エーテル、テシラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテ
ル類、塩化メチレン、ジブロムエタン、クロロホルム、
四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン。
溶媒を木（使用で会、例えば酢酸エチル、１ｆｆｉ！酸
メチル、プロピオン駿メチル等のエステル類、ジエチル
エーテル、テシラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテ
ル類、塩化メチレン、ジブロムエタン、クロロホルム、
四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン。
トルエン、キシレン等の芳香族縦比水素類等を挙げるこ
とかで會る。該反応においては比較的低温下に反応を行
なうことが望ましく、その反応温度としては一６０〜８
０℃程度が好適である。
とかで會る。該反応においては比較的低温下に反応を行
なうことが望ましく、その反応温度としては一６０〜８
０℃程度が好適である。
化金物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）との反応において、含水
有機溶媒としては例えば含水ジメチルスルホキシド、含
水ジオキサン等を挙げることがで會る。
有機溶媒としては例えば含水ジメチルスルホキシド、含
水ジオキサン等を挙げることがで會る。
含水有機溶媒中に占める水の量としては特に限定がなく
広い範囲内から適宜選択で舎るが、通常化合物（Ｉ）に
対して１〜６００当量、好ましくは１０〜１００当量程
度用いるのがよい、化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）との
使用割合としては特に限定がなく、広い範囲内で適宜選
択で舎るが、通常前者に対して後者を等モル−１０倍モ
ル、好ましくは等毛ル〜４倍モル用いるのがよい、該反
応は通常−１０〜６０℃程度、好ましくは室温付近にて
行なわれる。該反応において用いられる化合物（■）は
不活性溶媒例えば四塩化炭素中、相当するジスルフィド
に当モル量の分子状ハロゲンを反応させることにより製
造される８本発明では、斯くして製造される化合物（１
ｍ）を反応混合物から単一して反応に供してもよいし、
反応混合物をそのまま反応に供してもよい。
広い範囲内から適宜選択で舎るが、通常化合物（Ｉ）に
対して１〜６００当量、好ましくは１０〜１００当量程
度用いるのがよい、化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）との
使用割合としては特に限定がなく、広い範囲内で適宜選
択で舎るが、通常前者に対して後者を等モル−１０倍モ
ル、好ましくは等毛ル〜４倍モル用いるのがよい、該反
応は通常−１０〜６０℃程度、好ましくは室温付近にて
行なわれる。該反応において用いられる化合物（■）は
不活性溶媒例えば四塩化炭素中、相当するジスルフィド
に当モル量の分子状ハロゲンを反応させることにより製
造される８本発明では、斯くして製造される化合物（１
ｍ）を反応混合物から単一して反応に供してもよいし、
反応混合物をそのまま反応に供してもよい。
化合物（曹）とアンモニアとの反応において、用いられ
る有機溶媒としては不活性な溶媒を広（使用でき、好ま
しくはジメチルホルムアミド、ジメチルアセドアミド等
の非プロトン性極性溶媒、特、ｐ に好ましくはジメチルホルムアミドを使用するのがよい
、化合物（ＩＩ）とアン４ＪＬアとの使用割合としては
特に限定されず広範囲内で適宜選択で会るか、通常前者
に対して後者を等そルー１倍モル量、好ましくは１．６
倍電ル量りいるのがよい、該反応は通常−テトＩＯ℃程
度、好ましくは一４０〜６℃程度にて好適に進行する。
る有機溶媒としては不活性な溶媒を広（使用でき、好ま
しくはジメチルホルムアミド、ジメチルアセドアミド等
の非プロトン性極性溶媒、特、ｐ に好ましくはジメチルホルムアミドを使用するのがよい
、化合物（ＩＩ）とアン４ＪＬアとの使用割合としては
特に限定されず広範囲内で適宜選択で会るか、通常前者
に対して後者を等そルー１倍モル量、好ましくは１．６
倍電ル量りいるのがよい、該反応は通常−テトＩＯ℃程
度、好ましくは一４０〜６℃程度にて好適に進行する。
本発明で得られるセファロスポリン化合物（Ｗ）は、使
用する１ｍの種類によりＹが−ＳＲ畠 の場合、あるい
はＹがａの場合がある。特にＲ１がペンタクロロ７エエ
ル、！−ペンゾチｙＶ９ｊル、１．１１．４−チアジア
ゾール−ｂ−イル禽よびその置換体、１、 ！、 ＩＩ
、 ４−テトラゾール−５−イルおよびその置換体の場
合にはＹが一８ＲＩであるセファロスポリン化合物（Ｗ
）が得られる。このように、本発明により、化合物（１
）のセファロスポリン化合物（ＩＦ）への環化と同時に
、その８′−位にセファロスポリン系抗生物質のペンダ
ントとして繁用されているメルカプトチアジアゾール基
あるいはメルカプトテトラゾール基を導入することがで
会る。また本発明化より得られるセファロスポリン化合
物（ｆｆ）てＹがＣＩ！の場合は、通常の置換反応によ
り種々の置換基を導入で会る有用な中間体である。
用する１ｍの種類によりＹが−ＳＲ畠 の場合、あるい
はＹがａの場合がある。特にＲ１がペンタクロロ７エエ
ル、！−ペンゾチｙＶ９ｊル、１．１１．４−チアジア
ゾール−ｂ−イル禽よびその置換体、１、 ！、 ＩＩ
、 ４−テトラゾール−５−イルおよびその置換体の場
合にはＹが一８ＲＩであるセファロスポリン化合物（Ｗ
）が得られる。このように、本発明により、化合物（１
）のセファロスポリン化合物（ＩＦ）への環化と同時に
、その８′−位にセファロスポリン系抗生物質のペンダ
ントとして繁用されているメルカプトチアジアゾール基
あるいはメルカプトテトラゾール基を導入することがで
会る。また本発明化より得られるセファロスポリン化合
物（ｆｆ）てＹがＣＩ！の場合は、通常の置換反応によ
り種々の置換基を導入で会る有用な中間体である。
本発明の目的化合物は反応終了後、常法により抽出単離
し、カラムクロマトグラフあるいは再結晶により精製す
ることがで會る。
し、カラムクロマトグラフあるいは再結晶により精製す
ることがで會る。
本発明によれば、目的とする化合物（Ｗ）を簡便な操作
て高純度、高収率にて製造し得る。
て高純度、高収率にて製造し得る。
以下に参考例及び実施例を挙げる。尚ｐｈ とあるのは
７エ１ル基を意味する。
７エ１ル基を意味する。
参考例１
！−（１−フエエルオ今シメチルーテーオ牛ンー４−チ
オー雪、６−ジアザピシタロ（１，！、（１）ヘプト−
２−エン−６−イル）−３−クロロメチル−ｍ−ブテン
酸メチルの合成 杖付合試験管に塩化ナトνウムｉＦを秤りとり乙れに水
１ ｍｌを加えて溶解する。このものに詐＠１０．＠Ｉ
ｍ／、塩化メチｖ ンＩｋ ｌｌｌ５／、！−Ｃｓ−フ
ェニルオキシメチルー丁−オヰソー４−チオー亀６−ジ
アずビシクロＣ８４，０）ヘプト−２−工ン−６−イル
）−１−メチル−８−ブテン酸メチに器Ｏｍｌを加え均
一溶液とする。これに撹拌機、白金板ｃ大壷さ１．５Ｘ
＄！ｃｍ雪）２枚を取り付けｊＯｍＡ定電流、１．６〜
２．ＯＶ、約２６℃の条件下４Ｆ／ｍ・１の電流を通じ
て電解反応を行う、電解終了後、水槽に６％希塊駿を加
えてｐＨ７Ｋ調製し、塩化メチレン（１！ Ｏｍｌ ）
で抽出する。抽出液は水洗後乾燥濃縮すると粗生成物６
７ ｍＦが得られる。
オー雪、６−ジアザピシタロ（１，！、（１）ヘプト−
２−エン−６−イル）−３−クロロメチル−ｍ−ブテン
酸メチルの合成 杖付合試験管に塩化ナトνウムｉＦを秤りとり乙れに水
１ ｍｌを加えて溶解する。このものに詐＠１０．＠Ｉ
ｍ／、塩化メチｖ ンＩｋ ｌｌｌ５／、！−Ｃｓ−フ
ェニルオキシメチルー丁−オヰソー４−チオー亀６−ジ
アずビシクロＣ８４，０）ヘプト−２−工ン−６−イル
）−１−メチル−８−ブテン酸メチに器Ｏｍｌを加え均
一溶液とする。これに撹拌機、白金板ｃ大壷さ１．５Ｘ
＄！ｃｍ雪）２枚を取り付けｊＯｍＡ定電流、１．６〜
２．ＯＶ、約２６℃の条件下４Ｆ／ｍ・１の電流を通じ
て電解反応を行う、電解終了後、水槽に６％希塊駿を加
えてｐＨ７Ｋ調製し、塩化メチレン（１！ Ｏｍｌ ）
で抽出する。抽出液は水洗後乾燥濃縮すると粗生成物６
７ ｍＦが得られる。
このものはシリカゲルカラムを用いベンゼン−酢酸エチ
ル（５３１）の混合溶媒で展開すると目的化合物が６０
ｍＦ（収率９１％）１６ちれる。
ル（５３１）の混合溶媒で展開すると目的化合物が６０
ｍＦ（収率９１％）１６ちれる。
Ｉ Ｒ（ＣＨＣＩ！Ｉ） １７丁０ 、１７４８
ｃｍ−１ＨＭＩｉ （ＣＤＣ／ｓ） ８．７４ （
８Ｈｓ ）８．９１（！Ｈ＠） ４．８ｔＪＣ２Ｈｓ） ６．１５（２Ｈｂｓ） ６．４４（１１口） ５．９１１１Ｈｂｌ） ６．７１〜ｆ、Ｉ ８ （６１ｍ） 参考偶黛 塩化ナトｑウムＩＦを水Ｓ−に溶解し、これに濃硫酸ｏ
、ｏ ｙ Ｉａ／、塩化メチレン６ｍｊＦ及び！−（３
−ベンジル−７−オキソ−４−チオ−２，６−ジアザビ
シクロＣ１１，＄１．Ｏ）ヘプト−３−エン−６−（ル
）−８−メチルー３−ブテン駿メチル６０ｔｎｆを加え
電解液を調製する。ｓｃ−の白金板電極を装入し８０ｍ
Ａ定電流％１．８〜１．ｌｌＶ％！５℃で約言時間電解
を行う、電解終了後塩化メチレン（８０ｍｌ ）で抽出
を行う、抽出液は亜硫酸ナトリウム水、重ソウ水、食塩
水で洗浄後無水硫酸す）１ウムで乾燥し、溶媒を除来し
て淡黄色の液体？４ｍＦを得た。このものをシ誓カゲル
ヵラムを用い、ベンイン：酢酸エチル（８：ｌ）の混合
嬉謀て展開すると意−（畠−フェエルジタロロメチルー
丁−オキソ−４−チオー意、６−ジアザピシタロ〔３，
雪、０〕ヘプト−２−エン−６−イル）−８−タロロメ
チルー畠−ブテン酸メチルが６２．５ｍｌ （収率９６
％）１８られた。
ｃｍ−１ＨＭＩｉ （ＣＤＣ／ｓ） ８．７４ （
８Ｈｓ ）８．９１（！Ｈ＠） ４．８ｔＪＣ２Ｈｓ） ６．１５（２Ｈｂｓ） ６．４４（１１口） ５．９１１１Ｈｂｌ） ６．７１〜ｆ、Ｉ ８ （６１ｍ） 参考偶黛 塩化ナトｑウムＩＦを水Ｓ−に溶解し、これに濃硫酸ｏ
、ｏ ｙ Ｉａ／、塩化メチレン６ｍｊＦ及び！−（３
−ベンジル−７−オキソ−４−チオ−２，６−ジアザビ
シクロＣ１１，＄１．Ｏ）ヘプト−３−エン−６−（ル
）−８−メチルー３−ブテン駿メチル６０ｔｎｆを加え
電解液を調製する。ｓｃ−の白金板電極を装入し８０ｍ
Ａ定電流％１．８〜１．ｌｌＶ％！５℃で約言時間電解
を行う、電解終了後塩化メチレン（８０ｍｌ ）で抽出
を行う、抽出液は亜硫酸ナトリウム水、重ソウ水、食塩
水で洗浄後無水硫酸す）１ウムで乾燥し、溶媒を除来し
て淡黄色の液体？４ｍＦを得た。このものをシ誓カゲル
ヵラムを用い、ベンイン：酢酸エチル（８：ｌ）の混合
嬉謀て展開すると意−（畠−フェエルジタロロメチルー
丁−オキソ−４−チオー意、６−ジアザピシタロ〔３，
雪、０〕ヘプト−２−エン−６−イル）−８−タロロメ
チルー畠−ブテン酸メチルが６２．５ｍｌ （収率９６
％）１８られた。
ＩＲ１７！Ｏ，目１６ ｃｒｎ−”
ＮＭＲ（ＣＤＣ／ｓ） ８．７５（ＩＩＨ％ｍ）”−
８１（＄！１．ｓ） ５．１４（２Ｈ１，） ５．４１（ＩＨ，、） ６．０６（ＩＨ、畠 ） ７．８〜７．９（δＪｍ） ２−（１−フェニルジタロロメチルーテーオキソ−４−
チオ−３，６−ジアザビシクロ（１，１，０）ヘプト−
冨−エンー６−イル）−３−りｗｗメチル−畠−ブテン
酸メチルｌ１００ｍ？及び亜鉛粉末１ ＠ Ｏｍｌを榔
化メチレンｉ！ ＩＩＩ／に混合し、０〜−６℃に冷却
する。これに詐駿０．６−を加え、８０分間撹拌する０
反応終了後身却下エーテル１Ｂ−を加え、有機嬉筐を分
離する０次いで水、飽和重曹水、飽和食塩水でそれぞれ
洗浄した後、無水硫酸す）ＩＪウムで乾燥する。減圧下
溶媒を除来し、喪渣をベンゼン−酢酸エチル（１０：１
）の溶媒を用いてシ曽カゲルカラムで精製、分離すると
、雪−（Ｓ−ベンジル−Ｔ−オキソ−４−チオ−８，６
−ジアザビシクロ（１１，ＬＯ）へブトＩ−エン−６−
イル）−８−クロロメチル−３−ブテン酸メチルを得る
。収率９４．ｓ％ Ｉ ｌ （ＣＢＣ／ａ％ｃｍ−’） １’ｒ’ｒ４
．１７４４Ｎ Ｍ Ｒ（ＣＤＣ／、％ａ、ｐｐｍ）８．
７１（ｓ ８Ｈ）、１．テ８（膠、ｆｌＨ）８．８
８（ｓ ＩＨ）、６．０９（ａ、ｉ！Ｈ）６．８γ
（ｓ ＩＨ）、６．８８（ｓ、２８）Ｔ、ｔＲＣｓ
６Ｈ） 実施例１ ｃｏｏｃｎ、ｐｈ ２−（８−ベンジル−７−オキソ−４−チア−２，６−
ジアザビシクロｃｓ、ｇ、ｏ：＋へブタ−２−エン−６
−イル）−Ｓ−Ｚロロメチル−３−ブテン酸ベンジル
６５ｎＰにジオキサン１．８ｍ／を加えて均一溶液とし
、続いて０．１１ｍ１！の水を加える。
８１（＄！１．ｓ） ５．１４（２Ｈ１，） ５．４１（ＩＨ，、） ６．０６（ＩＨ、畠 ） ７．８〜７．９（δＪｍ） ２−（１−フェニルジタロロメチルーテーオキソ−４−
チオ−３，６−ジアザビシクロ（１，１，０）ヘプト−
冨−エンー６−イル）−３−りｗｗメチル−畠−ブテン
酸メチルｌ１００ｍ？及び亜鉛粉末１ ＠ Ｏｍｌを榔
化メチレンｉ！ ＩＩＩ／に混合し、０〜−６℃に冷却
する。これに詐駿０．６−を加え、８０分間撹拌する０
反応終了後身却下エーテル１Ｂ−を加え、有機嬉筐を分
離する０次いで水、飽和重曹水、飽和食塩水でそれぞれ
洗浄した後、無水硫酸す）ＩＪウムで乾燥する。減圧下
溶媒を除来し、喪渣をベンゼン−酢酸エチル（１０：１
）の溶媒を用いてシ曽カゲルカラムで精製、分離すると
、雪−（Ｓ−ベンジル−Ｔ−オキソ−４−チオ−８，６
−ジアザビシクロ（１１，ＬＯ）へブトＩ−エン−６−
イル）−８−クロロメチル−３−ブテン酸メチルを得る
。収率９４．ｓ％ Ｉ ｌ （ＣＢＣ／ａ％ｃｍ−’） １’ｒ’ｒ４
．１７４４Ｎ Ｍ Ｒ（ＣＤＣ／、％ａ、ｐｐｍ）８．
７１（ｓ ８Ｈ）、１．テ８（膠、ｆｌＨ）８．８
８（ｓ ＩＨ）、６．０９（ａ、ｉ！Ｈ）６．８γ
（ｓ ＩＨ）、６．８８（ｓ、２８）Ｔ、ｔＲＣｓ
６Ｈ） 実施例１ ｃｏｏｃｎ、ｐｈ ２−（８−ベンジル−７−オキソ−４−チア−２，６−
ジアザビシクロｃｓ、ｇ、ｏ：＋へブタ−２−エン−６
−イル）−Ｓ−Ｚロロメチル−３−ブテン酸ベンジル
６５ｎＰにジオキサン１．８ｍ／を加えて均一溶液とし
、続いて０．１１ｍ１！の水を加える。
上記操作とは別に２−ベンゾチアゾリルジスルフィド９
８ｍＦをジオキサンａｍ／に加え、湯浴で加熱しながら
均一溶液とし、ξれに塩素の四塩化炭素溶液を０．４０
ｍ１！加えてしばらくの間ふり家ぜる、これを上記ジオ
キ量ン溶液に加えて、室温で８０分間か会重ぜる０次に
！ Ｏｍ／の酢酸エチルを加えて希釈し、これを飽和食
塩水で洗浄し、Ｎ畠１ｓＯ４で礼儀したのち濃縮する。
８ｍＦをジオキサンａｍ／に加え、湯浴で加熱しながら
均一溶液とし、ξれに塩素の四塩化炭素溶液を０．４０
ｍ１！加えてしばらくの間ふり家ぜる、これを上記ジオ
キ量ン溶液に加えて、室温で８０分間か会重ぜる０次に
！ Ｏｍ／の酢酸エチルを加えて希釈し、これを飽和食
塩水で洗浄し、Ｎ畠１ｓＯ４で礼儀したのち濃縮する。
Ｓられた残渣をシリカゲルカラム上てベンゼン−酢酸エ
チル（８：ｌ）を用いてタロマドグラフィーを行い雪−
（８−ｙエニルア竜ドア電Ｖ−４−（！Ｉ−ベンゾチア
ゾリルジチオ）−鵞一アゼチジノン−１−イル）−１−
クロロメチルー３−ブテン酸ベンジルを得る＊ （８１
，６ｍＦ、 ｉｌ １％）以下に得られた化合物の分析
値を示す。
チル（８：ｌ）を用いてタロマドグラフィーを行い雪−
（８−ｙエニルア竜ドア電Ｖ−４−（！Ｉ−ベンゾチア
ゾリルジチオ）−鵞一アゼチジノン−１−イル）−１−
クロロメチルー３−ブテン酸ベンジルを得る＊ （８１
，６ｍＦ、 ｉｌ １％）以下に得られた化合物の分析
値を示す。
ＮＭＲ（−、ＣＤＣ／ｌ） 机＠６（ａ、１１）、４
．１ｉ自よび４．１＄９（ＡＢｑ、ＩＨ。
．１ｉ自よび４．１＄９（ＡＢｑ、ＩＨ。
１１Ｈｚ ） 、 ８．１４ （ｓ 、１Ｍ）！Ｓ、６
−６．４ （ｍ 、 ｌ１ｌ） 。
−６．４ （ｍ 、 ｌ１ｌ） 。
ｌｓ、６０←ｓ、１１１）、Ｉ＄Ｊｌ
（ｄ、ＩＨ，４Ｍｇ）、６．Ｉ意
（ｄ ＊ Ｉ Ｈ＊ ＪＩＨｇ ）ｓマ、１−？、４１
（ｍ 、 ｌ ＩＨ） 、 ７Ｊ −８，０（ｍ、Ｉ
Ｈ） 実施例鴛 実施例１と同様の方法で次の化合物を製造する。
（ｍ 、 ｌ ＩＨ） 、 ７Ｊ −８，０（ｍ、Ｉ
Ｈ） 実施例鴛 実施例１と同様の方法で次の化合物を製造する。
結果を下表に示す。
Ｃ０ＯＲ”
実施例３
溶媒をジオキサンのかわりにジメチルスルホキシドを用
いて実施例１と同様の処理を行なうと２−（８−フェニ
ルアセドア霊ドー４−（！−ベンゾチアゾリルジチオ）
−２−アゼチジノン−１−ベルト４−クロロメチル−３
−ブテン駿ベンジルを得る。（収率８９％） 得られ
た化合物の分析値は実施例１の値と一致する。
いて実施例１と同様の処理を行なうと２−（８−フェニ
ルアセドア霊ドー４−（！−ベンゾチアゾリルジチオ）
−２−アゼチジノン−１−ベルト４−クロロメチル−３
−ブテン駿ベンジルを得る。（収率８９％） 得られ
た化合物の分析値は実施例１の値と一致する。
実施例４
２−（ｓ−ベンジル−丁−オキソ−４−チア−２，６゛
−ジアザビジタロ（： Ｌ！、０ ）へブター！−エン
−６−イル）−８−クロロメチル−３−ブテン酸ベンジ
ル６０ｍＦにジオキサン１．８ｍ／を加えて均一溶液と
し、続いてｏ、ｔｓｍｊの水を加える。
−ジアザビジタロ（： Ｌ！、０ ）へブター！−エン
−６−イル）−８−クロロメチル−３−ブテン酸ベンジ
ル６０ｍＦにジオキサン１．８ｍ／を加えて均一溶液と
し、続いてｏ、ｔｓｍｊの水を加える。
上記操作とは別に２−ベンゾチアゾリルジスルフィド４
１ｍｆと曹つ素１！ｍＦをジオキサン５ｍ／に加え、湯
浴で加熱しながら均一溶液とする。ξれを上記ジオキサ
ン溶液に加えて、室温７３０分間反応させる。ξれを実
施例１と同様な方法で処 、１１ＬＩ−（８−フェニル
アセドアミド−４−（２−ベンゾチアゾリルジチオ）−
冨−アイチリノン−１−イル）−ＩＩ−クロロメチル−
８−ブテン酸ベンジルを得る。（収率 ８０鳴） 得られた化合物の分析値は実施例１の値と一致する。
１ｍｆと曹つ素１！ｍＦをジオキサン５ｍ／に加え、湯
浴で加熱しながら均一溶液とする。ξれを上記ジオキサ
ン溶液に加えて、室温７３０分間反応させる。ξれを実
施例１と同様な方法で処 、１１ＬＩ−（８−フェニル
アセドアミド−４−（２−ベンゾチアゾリルジチオ）−
冨−アイチリノン−１−イル）−ＩＩ−クロロメチル−
８−ブテン酸ベンジルを得る。（収率 ８０鳴） 得られた化合物の分析値は実施例１の値と一致する。
実施例６
０）！−（８−フェニルアセトアミド−４−（２−ベン
ゾチアゾリルジチオ）−２−アゼチジノン−１−イル）
−ｇ−クロロメチル−８−ブテン酸ベンジル８０ｍＦに
ジメチルホルムアミド０．１５ ｍ／を加えて均−溶液
とする。この溶液を一８０℃に冷却し、アンモニアガス
をジメチルホルムアミドに溶かして調整した溶液（約！
Ｍ）４０Ｊ／を加えて１時間か奮まザながら反応させる
。これに６鳴塩酸を４＃Ｉ加えて、はげしくか會まぜな
がら室温にもどす、酢酸エチル５ｍ／を加えて希釈し、
飽和食塩水で洗浄、Ｎ’ａｌＳＯａで乾燥したのち濃縮
する。得られた残渣をシリカゲルカラム上ベンゼン−酢
酸エチル（１５：１）を用いてクロマトグラフィーを行
い、７−フェニルアセトアミド−８−（ベンゾチアゾー
ル−雪−イルチオメチル）−８−セフェム−４−カルボ
ン酸ベンジルを得る。
ゾチアゾリルジチオ）−２−アゼチジノン−１−イル）
−ｇ−クロロメチル−８−ブテン酸ベンジル８０ｍＦに
ジメチルホルムアミド０．１５ ｍ／を加えて均−溶液
とする。この溶液を一８０℃に冷却し、アンモニアガス
をジメチルホルムアミドに溶かして調整した溶液（約！
Ｍ）４０Ｊ／を加えて１時間か奮まザながら反応させる
。これに６鳴塩酸を４＃Ｉ加えて、はげしくか會まぜな
がら室温にもどす、酢酸エチル５ｍ／を加えて希釈し、
飽和食塩水で洗浄、Ｎ’ａｌＳＯａで乾燥したのち濃縮
する。得られた残渣をシリカゲルカラム上ベンゼン−酢
酸エチル（１５：１）を用いてクロマトグラフィーを行
い、７−フェニルアセトアミド−８−（ベンゾチアゾー
ル−雪−イルチオメチル）−８−セフェム−４−カルボ
ン酸ベンジルを得る。
（２４，４ｓｅｐ、８６％）
以下に得られた化合物の分析値を示す。
ＩＲ（ｊジＩＩ−＃） ８８１！！、１１１Ｓ、ＩＴ
ＩＩ。
ＩＩ。
１＠ｌＳｌ５ｃｍ”
Ｎ Ｍ Ｒ（＃ 、ＣＤＣ／ａ） １１．＠
０（ｓ、４Ｈ）、４．１１ Ｊｉよび４．１１１（Ａ
ＢＱ、 ！Ｉ１． ＩｓＨｇ） 、４．８８（６，１８
，８Ｈｚ）。
０（ｓ、４Ｈ）、４．１１ Ｊｉよび４．１１１（Ａ
ＢＱ、 ！Ｉ１． ＩｓＨｇ） 、４．８８（６，１８
，８Ｈｚ）。
５．１０（ｓ、意Ｈ）、５．７８
（ｄｄ 、 ＩＨ，５Ｈｇ 、 ９１ｇ ） ＠６、＄
８（ｄ、ＩＨ，９Ｈｚ）。
８（ｄ、ＩＨ，９Ｈｚ）。
’ｒ 、 １−’ｒ 、 ＠ （ｍ、 １１！Ｈ） 。
丁、ｓ−ｓ、ｅｃ■、！Ｈ）
（茸） ｇ−＜ｓ−フェニルア竜ドア電ドー４−（諺−
ベンゾチアゾリルジチオ）−意一アイチジノンー１−イ
ル）−１−クロロメチル−１−ブテン酸ベンジル４１１
６ｍＦにジメチルホルムアミド０．６−を加えて均一溶
液とする。この溶液を一２ｂ℃に冷却し、２８略アンモ
ニア水１５ ｉｔｌを加えて１時ＩＩＯ分か会家讐なが
ら反応させる。これにＳ％塩酸を４ＩＮ加えて、はげし
くかきまザながら室温にもどす、酢酸エチル５ｍ／を加
えて希釈し、飽和食塩水で洗浄、Ｎ１１ＳＯ４で乾燥し
たのち濃縮する。得られた残渣をシリカゲルカラム上ベ
ンゼン−酢酸エチル（１６：１）を用いてクロマトグラ
フィーを行い、７−フェニルアセドアミド−８−（ベン
ゾチアゾール−２−イルチオメチル）−＄−七７エムー
４−カルボン酸ベンジルを得る。
ベンゾチアゾリルジチオ）−意一アイチジノンー１−イ
ル）−１−クロロメチル−１−ブテン酸ベンジル４１１
６ｍＦにジメチルホルムアミド０．６−を加えて均一溶
液とする。この溶液を一２ｂ℃に冷却し、２８略アンモ
ニア水１５ ｉｔｌを加えて１時ＩＩＯ分か会家讐なが
ら反応させる。これにＳ％塩酸を４ＩＮ加えて、はげし
くかきまザながら室温にもどす、酢酸エチル５ｍ／を加
えて希釈し、飽和食塩水で洗浄、Ｎ１１ＳＯ４で乾燥し
たのち濃縮する。得られた残渣をシリカゲルカラム上ベ
ンゼン−酢酸エチル（１６：１）を用いてクロマトグラ
フィーを行い、７−フェニルアセドアミド−８−（ベン
ゾチアゾール−２−イルチオメチル）−＄−七７エムー
４−カルボン酸ベンジルを得る。
（！９．ＩｍＦ、７１％）
得られた化合物の分析値は実施例６（１）の分析値と一
致する。
致する。
実施例６
実施例６と同様の方法により、以下に示す反応を行なう
。
。
以下に得られた化合物の分析値を示す。
実施例７
２−（８−フェニルアセトアミド−４−ペンタタロロフ
ェニルジチオー鵞−丁ゼ予ジノン−ｔ −イル＞−Ｓ−
クロロメチル−３−ブテン酸ベンジルＲＯｍｆにジメチ
ルホル五ア電ド０．４−ｌを加えて均一溶液とする。こ
の溶液を一！６℃に冷却し、アン篭エアガスをジメチル
傘ル五ア電ドに溶かして調整した溶液（約１Ｍ）ｉ！Ｏ
μｌを加えて１時間か自家ぜながら反Ｉ５させる＝これ
に６喚梅酸を１滴加えて、はげしくか会まぜながら室温
にもどす、酢酸エチル６ ｍ／を加えて希釈し、飽和食
塩水で洗浄％Ｎａ１ＳＯ４で乾燥したのち濃縮する。
ェニルジチオー鵞−丁ゼ予ジノン−ｔ −イル＞−Ｓ−
クロロメチル−３−ブテン酸ベンジルＲＯｍｆにジメチ
ルホル五ア電ド０．４−ｌを加えて均一溶液とする。こ
の溶液を一！６℃に冷却し、アン篭エアガスをジメチル
傘ル五ア電ドに溶かして調整した溶液（約１Ｍ）ｉ！Ｏ
μｌを加えて１時間か自家ぜながら反Ｉ５させる＝これ
に６喚梅酸を１滴加えて、はげしくか会まぜながら室温
にもどす、酢酸エチル６ ｍ／を加えて希釈し、飽和食
塩水で洗浄％Ｎａ１ＳＯ４で乾燥したのち濃縮する。
得られた残渣をシリカゲルカラム上、ベンゼン−酢酸エ
チル（１６：１）を用いてクロマシダラフイーを行い、
７−フエエルアセトアミドー３−ペンタクロロフェニル
チオメチル−３−セフェム−４−カルボン酸ベンジル（
Ｌ＠ｍＦ、１１６鳴）とマー７エエルア七ドア電ドー８
−クロロメチル−３−セフェム−４−カルボン酸ベンジ
ル（５，６ｎＦ。
チル（１６：１）を用いてクロマシダラフイーを行い、
７−フエエルアセトアミドー３−ペンタクロロフェニル
チオメチル−３−セフェム−４−カルボン酸ベンジル（
Ｌ＠ｍＦ、１１６鳴）とマー７エエルア七ドア電ドー８
−クロロメチル−３−セフェム−４−カルボン酸ベンジ
ル（５，６ｎＦ。
４ト１を得る。以下に得られた化合物の分析値を示す。
７−フェニルアセトアミド−８−ペンタクロロフエニル
＋ｔｉチル−８−セフェム−４−カルボン酸ベンジル； ＩＲＣ１４ジｔａ−ル） ８！６０，１７７５，１
７１０゜１６６０ ｃｍ” ＮＭＲ（ａ 、 ＣＤＣ／ｓ） ８．８６および８．８０（ＡＢｑ、！Ｈ，１８Ｈｚ）。
＋ｔｉチル−８−セフェム−４−カルボン酸ベンジル； ＩＲＣ１４ジｔａ−ル） ８！６０，１７７５，１
７１０゜１６６０ ｃｍ” ＮＭＲ（ａ 、 ＣＤＣ／ｓ） ８．８６および８．８０（ＡＢｑ、！Ｈ，１８Ｈｚ）。
１８４（ｓ 、ＩＨ）、８．８１自Ｊ、ＣＦ４１１（Ａ
Ｂｑ。
Ｂｑ。
！Ｈ，１１１Ｈｚ）、４Ｊ４禽よびＬ！＠（ＡＢｑ。
１Ｂ、１富Ｈ富）、４．１ｌＳ１．１１．６１１冨）。
ｌｊ？（ｄｄ、１８．ＳＨｇ、Ｓｌｉｍ）、１１８（１
，ＩＨＪＫｇ）、’ｒ、ＩＴ（ｓ、５ｌＩ）７−フェニ
ルアセトアミド−畠−タａｍメチル −−Ｓ−＊フエム
ー４−カルボン酸ベンジル；ＩＲ（）ジーール）
１７１１．１マＩＩ、Ｈｌｌｌ・ｃｌａ−ＩＮＭＩ（＃
、ＣＤＣ／ｍ） 畠、ｓ！およびＩＪＯ（ＡＢｑ、黛１．ＩＩＩｇ）。
，ＩＨＪＫｇ）、’ｒ、ＩＴ（ｓ、５ｌＩ）７−フェニ
ルアセトアミド−畠−タａｍメチル −−Ｓ−＊フエム
ー４−カルボン酸ベンジル；ＩＲ（）ジーール）
１７１１．１マＩＩ、Ｈｌｌｌ・ｃｌａ−ＩＮＭＩ（＃
、ＣＤＣ／ｍ） 畠、ｓ！およびＩＪＯ（ＡＢｑ、黛１．ＩＩＩｇ）。
１．１１（ｓ、鵞Ｈ）、４．畠１ｍよび４．４ｍ１（Ａ
Ｂｉ意Ｈ，１ｇＨｚ）、４．８＠（ｄ、ＩＨ，ＳＨｇ）
ｅＬ！ ０ （−−１１Ｈ） ＊ Ｎ７丁（（！１．Ｉ
ＩＩ、５１１ｇ。
Ｂｉ意Ｈ，１ｇＨｚ）、４．８＠（ｄ、ＩＨ，ＳＨｇ）
ｅＬ！ ０ （−−１１Ｈ） ＊ Ｎ７丁（（！１．Ｉ
ＩＩ、５１１ｇ。
１ｌＩｇ）、６．４１（ｄ、１Ｂ、ｌｌｌ５）、ｔ！Ｖ
（ｓ ＊ ６ Ｈ） ｅ ７−８８ （ｓ ＠ Ｉｓ
Ｈ）実施例８ ！−（８−フェニルアセ）アミド−４−（４−１トロフ
エニルジチオ）−意一アゼチジノンー１−イル）−８−
クロ四メチルー８−ブテン駿メチル８１ｍ炉にジメチル
ホルムアミド０．５ｍＪＰ を加えて均一溶液とする
。この溶液を−！６℃に冷却し、アンモニアガスをジメ
チルホルムアミドに溶かして調整した溶液（約１１ Ｍ
） ６８ ｍｌを加えて１時間か會家ぜながら反応さ
せる。これに８％塩酸をＩＩＩ加えて、はげしくか壷ま
ぜながも室温にもどす、〜酢酸エチルＩ ｒｎｌを加え
て希釈し、飽和食塩水て洗浄、Ｎ１１ｓ０４で乾燥した
のち濃縮す纂。
（ｓ ＊ ６ Ｈ） ｅ ７−８８ （ｓ ＠ Ｉｓ
Ｈ）実施例８ ！−（８−フェニルアセ）アミド−４−（４−１トロフ
エニルジチオ）−意一アゼチジノンー１−イル）−８−
クロ四メチルー８−ブテン駿メチル８１ｍ炉にジメチル
ホルムアミド０．５ｍＪＰ を加えて均一溶液とする
。この溶液を−！６℃に冷却し、アンモニアガスをジメ
チルホルムアミドに溶かして調整した溶液（約１１ Ｍ
） ６８ ｍｌを加えて１時間か會家ぜながら反応さ
せる。これに８％塩酸をＩＩＩ加えて、はげしくか壷ま
ぜながも室温にもどす、〜酢酸エチルＩ ｒｎｌを加え
て希釈し、飽和食塩水て洗浄、Ｎ１１ｓ０４で乾燥した
のち濃縮す纂。
得られ〜た残渣をシリカゲルカラム上、ペンイン−齢駿
エチル（６：１）を用いてクロマトグラフィｉを行い、
７−フエエルア令ドア電ドー１−クロ（１４，６ｌＩ、
Ｎ６喚）を得る。
エチル（６：１）を用いてクロマトグラフィｉを行い、
７−フエエルア令ドア電ドー１−クロ（１４，６ｌＩ、
Ｎ６喚）を得る。
以下に得られた化金物の分析値を示す。
ＩＲ（１，、ジ■−ル） １７８６．１丁ＩＮ）、
１１１畠Ｏｃｍ−”ＮＭｙｔ（ａ、ｃＤｃ１ｍ’） １．８８およびＩＩＪＯＣＡ！ＩＱ 、ｔＨ，１８Ｈ露
）。
１１１畠Ｏｃｍ−”ＮＭｙｔ（ａ、ｃＤｃ１ｍ’） １．８８およびＩＩＪＯＣＡ！ＩＱ 、ｔＨ，１８Ｈ露
）。
畠、６０（ｓ、ｇＨ）、畠１ｇ＝１（１，Ｉｎ）１４．
４Ｏ−ｋｌよび４．８丁（ＡＢｑ 、２１．１ｌＩｇ）
。
４Ｏ−ｋｌよび４．８丁（ＡＢｑ 、２１．１ｌＩｇ）
。
４．９６（ｄ、ＩＨ，６Ｂｇ）、５．７１（ｄｄ。
１８、ｆｓＨ冨、ＩＩＩ露）、４１．１８（ｄ、ＩＩＩ
。
。
６１ｇ ） 、 ＶＪ７ （ｓ 、 ＩＨ）実施例９
実施例６と同様の方法で次の化合物を反応さ曽て、相当
するセフェム化合物を製造する。
するセフェム化合物を製造する。
以下に得られた化合物の分析値を示す。
７−フニノキシアセトア電ドー易−りＷｏメチル−８−
七フエムー４−カルボン酸ベンジル；ＩＲ（メジ１−ル
） １７９Ｇ、１７１１０．１−６９０ ｃｒｍ→
ＮＭＲ（＃、ＣＤＣ／１） ｌＬ６０ｔＪよび８．１Ｓ８（Ａ１１＠、ｉ！ＩＩ、１
１１ｇｇ）。
七フエムー４−カルボン酸ベンジル；ＩＲ（メジ１−ル
） １７９Ｇ、１７１１０．１−６９０ ｃｒｍ→
ＮＭＲ（＃、ＣＤＣ／１） ｌＬ６０ｔＪよび８．１Ｓ８（Ａ１１＠、ｉ！ＩＩ、１
１１ｇｇ）。
４．４０＊よび４．８１（＾ＢＱ、８ｍ１．１鴬Ｈｇ）
。
。
４．６１ （ｓ 、 ２Ｂ） 、 ４．１丁（ｄ ＊
ｌＩｔ ＊ Ｉ Ｈｇ） ＊！！、１１１（ａ、ＩＨ）
、６．マ８（ｄａ、ＩＨ，ＩｉＨｇ。
ｌＩｔ ＊ Ｉ Ｈｇ） ＊！！、１１１（ａ、ＩＨ）
、６．マ８（ｄａ、ＩＨ，ＩｉＨｇ。
ＩＨｇ）、Ｌ４１１（１１８，１１８ｇ）、？、畠！（
ｓ、５Ｈ）、１５．７〜丁、・（ｍ、６Ｈ）（以上） 第１頁の続き ０発 明 者 城井敬史 鳴門市里浦町里浦字花面６４９の ２大塚化学薬品株式会社鳴門工 場内
ｓ、５Ｈ）、１５．７〜丁、・（ｍ、６Ｈ）（以上） 第１頁の続き ０発 明 者 城井敬史 鳴門市里浦町里浦字花面６４９の ２大塚化学薬品株式会社鳴門工 場内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 〔式中１１はアリール基又はア曹−ルオキシ基を示す、
Ｉ！ｓは水素原子又はカルボキシに基の保護基を示す、
〕 て表わされるチアゾシノアイチジノン誘導体を含本有機
嬉媒中 一般式 ％式％（） ｃ式中Ｃは置換もしくは非置換のア菅−ル基又は置換も
しくは非置換の芳香族複素ｌｌ跣基を承す、Ｘはハロゲ
ン原子を示す、〕 で表わされる含硫黄化合物と反応させて一般式〔式中Ｒ
１、Ｒ１及びＲ１は前記に同じ、〕て表わ宴れるアゼチ
ジノン化合物を得、次いで該化合物を有機溶媒中アンモ
ニアと反ｊ［曽て一般式 〔式中ＹはＣ／又は基−８Ｒａ←１は前記に同じ〕を示
す、 Ｒ１及びＲ１は前記に同じ、〕で表わされる七７
アロスポツン化合物を得ることを特徴とするセファロス
ＩｌＩシシ化金物の製造法。 ■ 化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）との反応において用
いられる含水有機溶媒が含水ジメチルスに傘キシド又は
食水ジオキ量ンである特許請求の範■第１項記載の方法
。 ■ 化金物（りｋおいて！１が７エエル基又はフェノキ
シ基である特許請求の＠Ｉ！ｌｉｔ項又は箇８項記載の
１法。 ■ 化金物（ＩＩ）において１ｍが７エエル基、ｐ−エ
）ロフエエル基、ベンタタ璽１７エエル基、鵞−ビ曽ジ
ル基、意−べシゾチＴゾ曽ル基、置換もしくは非置換の
１． Ｉｍ、 ４−チアジアゾール−６−イル基又は置
換もしくは非置換の１．ｔｊ、４−テトラゾール−ｂ−
イル基である特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれ
かに記載の７法。 ０ 化金物（菖）ＫＪＩいてＸが塩素原子である特許請
求の範−第１項乃至第４項のいずれかに記載の方法。 ［有］ 化金物（璽）とアンモニアとのＩＬＷ５に薯い
て厖いられる有＠鱒媒が非プロトン性極性溶媒である特
許請求の範囲第１項乃至第す項のいずれかに記載の方法
。 ■ 非プロトン性極性溶媒がジメチルホルムアミドであ
る特許請求の範囲第６項に記載の方法。 ０ 化合物（１）とアンモニアとの反応を一７８〜１０
℃にて行う特許請求の範囲第１項乃至第７項のいずれか
に記載の方法。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56184877A JPS5885894A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | セフアロスポリン化合物の製造法 |
| US06/370,034 US4482491A (en) | 1981-05-01 | 1982-04-20 | Thiazolinoazetidinone derivatives and process for the preparation of the same |
| GB08212330A GB2101986B (en) | 1981-05-01 | 1982-04-28 | Thiazolinoazetidinone derivatives |
| FR8207398A FR2504927B1 (fr) | 1981-05-01 | 1982-04-29 | Derives de la thiazolinoazetidinone, procedes pour leurs preparations et leur utilisation dans la preparation de cephalosporines |
| DE3216256A DE3216256A1 (de) | 1981-05-01 | 1982-04-30 | Thiazolinoazetidinonderivate und verfahren zu ihrer herstellung |
| DE3249933A DE3249933C2 (de) | 1981-05-01 | 1982-04-30 | Verfahren zur Herstellung von 2-[4-(Aryl-bzw. Heteroaryldithio)-2-azetidinon-1-yl]-3-halogenmethyl-3-butensäure-Derivaten |
| DE3249934A DE3249934C2 (ja) | 1981-05-01 | 1982-04-30 | |
| FR8220933A FR2522662B1 (fr) | 1981-05-01 | 1982-12-14 | Procede de preparation de cephalosporines |
| US06/625,621 US4603014A (en) | 1981-05-01 | 1984-06-28 | Thiazolinoazetidinone derivatives and process for the preparation of the same |
| GB08418485A GB2144418B (en) | 1981-05-01 | 1984-07-19 | Thiazolinoazetidinone derivatives and process for the preparation of the same |
| GB08500025A GB2152051B (en) | 1981-05-01 | 1985-01-02 | Process for the preparation of azetidinone derivatives |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56184877A JPS5885894A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | セフアロスポリン化合物の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885894A true JPS5885894A (ja) | 1983-05-23 |
| JPH0247474B2 JPH0247474B2 (ja) | 1990-10-19 |
Family
ID=16160871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56184877A Granted JPS5885894A (ja) | 1981-05-01 | 1981-11-17 | セフアロスポリン化合物の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885894A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1984000964A1 (en) * | 1982-09-02 | 1984-03-15 | Otsuka Kagaku Yakuhin | Process for preparing cephalosporin compounds |
-
1981
- 1981-11-17 JP JP56184877A patent/JPS5885894A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1984000964A1 (en) * | 1982-09-02 | 1984-03-15 | Otsuka Kagaku Yakuhin | Process for preparing cephalosporin compounds |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0247474B2 (ja) | 1990-10-19 |
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