JPS5879479A - サイリスタインバ−タ装置 - Google Patents
サイリスタインバ−タ装置Info
- Publication number
- JPS5879479A JPS5879479A JP56175231A JP17523181A JPS5879479A JP S5879479 A JPS5879479 A JP S5879479A JP 56175231 A JP56175231 A JP 56175231A JP 17523181 A JP17523181 A JP 17523181A JP S5879479 A JPS5879479 A JP S5879479A
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- JP
- Japan
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- thyristor
- semiconductor element
- thyristors
- reactor
- self
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/505—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
- H02M7/515—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、誘導加熱装置の高周波電源等誘導性負荷に
電力を供給するサイリスタインバータ装置に関する。
電力を供給するサイリスタインバータ装置に関する。
第１図に１この種のサイリスタインバータ装置の従来例
を示す。このインバータ装置は、単相ブリッジ接続され
た４箇のサイリスタＴｈｕ、Ｔｈｖ。
を示す。このインバータ装置は、単相ブリッジ接続され
た４箇のサイリスタＴｈｕ、Ｔｈｖ。
Ｔｈｘ 及び７ｈ７と、負荷Ｒに対して並列接続され
たコンデンサＣからなる主回路を具える並列型インバー
タであって、直流リアクトルＬｏ を介して直流電源Ｅ
に接続されている。Ｌ及びｒは夫々負荷Ｒのインダクタ
ンス分と抵抗分である。Ｃｓ。
たコンデンサＣからなる主回路を具える並列型インバー
タであって、直流リアクトルＬｏ を介して直流電源Ｅ
に接続されている。Ｌ及びｒは夫々負荷Ｒのインダクタ
ンス分と抵抗分である。Ｃｓ。
Ｔｈ−及びＬｓは夫々起動回路を構成するコンデンサ、
サイリスタ及びリアクトルであって、これらの素子は直
列にして、負荷ＲとコンデンサＣからなる負荷回路に並
列に挿入されている。
サイリスタ及びリアクトルであって、これらの素子は直
列にして、負荷ＲとコンデンサＣからなる負荷回路に並
列に挿入されている。
次に、このインバータ装置の起動について説明する。第
２図及び第３図は夫々起動時の回路と各部の波形を示す
。両図において、Ｉｌは起動回路を流れる電流、Ｖｓは
コンデンサＣｍ の電圧、ＶＳＣＲはサイリスタＴｈｓ
の電圧、ｖＬｓはリアクトルＬ８の電圧、ｖＯは負荷回
路の電圧である。
２図及び第３図は夫々起動時の回路と各部の波形を示す
。両図において、Ｉｌは起動回路を流れる電流、Ｖｓは
コンデンサＣｍ の電圧、ＶＳＣＲはサイリスタＴｈｓ
の電圧、ｖＬｓはリアクトルＬ８の電圧、ｖＯは負荷回
路の電圧である。
起動前、コンデンサＣｓ は第１図に示す極性に充電
されているものとする。まず、サイリスタＴｈ１１とＴ
ｈｘを点弧させて直流リアクトルＬｏに十分なエネルギ
ーを蓄積させた後、サイリスタＴｈｓを点弧してコンデ
ンサＣｓの電荷をＣｓ −Ｔｈｅ−Ｌｓ −Ｃｓなる共
振回路に放出させる。これによりコンデンサＣが第１図
に示す極性に充電されると共にサイリスタＴｈｓ が
消弧される。次いで、ｒ、Ｌ及びＣで定まる共振周波数
で振動する負荷回路の電圧Ｖｏの適当な位相でサイリス
タＴＨＶ を点弧し、サイリスタＴｈｕを電圧Ｖｏで
逆バイアスして消弧させ、直流リアクトルＬｏの蓄積エ
ネルギーを負荷回路に放出せしめる。これによシコンデ
ンサＣが上記とは逆極性に充電され始める。次に、電圧
Ｖｏの次半サイクルの適当な位相でサイリスタＴｂｕと
Ｔｈｙを点弧し、電圧ＶｏによりサイリスタＴｈｖとＴ
ｂｘを消弧させる。以後、これを繰返すことによシ定常
運転状態に到らしめる。
されているものとする。まず、サイリスタＴｈ１１とＴ
ｈｘを点弧させて直流リアクトルＬｏに十分なエネルギ
ーを蓄積させた後、サイリスタＴｈｓを点弧してコンデ
ンサＣｓの電荷をＣｓ −Ｔｈｅ−Ｌｓ −Ｃｓなる共
振回路に放出させる。これによりコンデンサＣが第１図
に示す極性に充電されると共にサイリスタＴｈｓ が
消弧される。次いで、ｒ、Ｌ及びＣで定まる共振周波数
で振動する負荷回路の電圧Ｖｏの適当な位相でサイリス
タＴＨＶ を点弧し、サイリスタＴｈｕを電圧Ｖｏで
逆バイアスして消弧させ、直流リアクトルＬｏの蓄積エ
ネルギーを負荷回路に放出せしめる。これによシコンデ
ンサＣが上記とは逆極性に充電され始める。次に、電圧
Ｖｏの次半サイクルの適当な位相でサイリスタＴｂｕと
Ｔｈｙを点弧し、電圧ＶｏによりサイリスタＴｈｖとＴ
ｂｘを消弧させる。以後、これを繰返すことによシ定常
運転状態に到らしめる。
第１図のインバータ装置は、上記のように起動されて安
定運転に入るが、起動用のコンデンサＣ＠やりアクドル
Ｌｍを具える起動回路を用いる為、装置全体の重量、大
きさが増えて高価になシ、またこの起動回路は、起動時
のみ利用されるものであるから、不経済であるという欠
点があった。
定運転に入るが、起動用のコンデンサＣ＠やりアクドル
Ｌｍを具える起動回路を用いる為、装置全体の重量、大
きさが増えて高価になシ、またこの起動回路は、起動時
のみ利用されるものであるから、不経済であるという欠
点があった。
この発明は、上記し九従来のもの＼欠点を除去する為に
なされたもので、サイリスタブリッジが、起動に際して
１もしくは２のサイリスタと同時に点弧される自己消弧
型の半導体素子を具え、該半導体素子が、直流リアクト
ルにエネルギーが蓄積されると消弧される構成とするこ
とにより、従来のような起動用コンデンサとりアクドル
を具える起動回路を設けなくても起動が可能でア不゛サ
イリスタインバータ装置を提供することを目的とする。
なされたもので、サイリスタブリッジが、起動に際して
１もしくは２のサイリスタと同時に点弧される自己消弧
型の半導体素子を具え、該半導体素子が、直流リアクト
ルにエネルギーが蓄積されると消弧される構成とするこ
とにより、従来のような起動用コンデンサとりアクドル
を具える起動回路を設けなくても起動が可能でア不゛サ
イリスタインバータ装置を提供することを目的とする。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第４図において、ＧＴＨは、自己消弧型の半導体素子で
あって、ゲートターンオフサイリスクが用いられている
。この半導体素子ＧＴＨは誘導性（７）負荷Ｒとコンデ
ンサＣの両者に対して並列に接続されている。他の構成
は、第１図のものと同じであるので、同一のものには同
じ符号を符しその説明は省略する。
あって、ゲートターンオフサイリスクが用いられている
。この半導体素子ＧＴＨは誘導性（７）負荷Ｒとコンデ
ンサＣの両者に対して並列に接続されている。他の構成
は、第１図のものと同じであるので、同一のものには同
じ符号を符しその説明は省略する。
このインバータ装置を起動させる場合には、まず、サイ
リスタＴｈｕと’ｒｈｙ及び自己消弧型の半導体素子Ｇ
ＴＨを同時に点弧し、直流電源Ｅ−直流リすクドルＬｏ
−サイリスタＴｈｕ−半導体素子ＧＴＨ−サイリスタＴ
ｈｙ−直流電源Ｅなる回路を通して直流リアクトルＬｏ
を直流電源Ｅに短絡する。次いで、直流リアクトルＬｏ
を流れる電流が十分に立上ると、半導体素子ＧＴＨを消
弧して直流リアクトルＬｏに蓄積されたエネルギーを負
荷回路に放出せしめる。これにより、＝ンデンサＣが図
示極性に初期充電されると共に負荷回路に振動電流が流
れ始めるので、この負荷回路の電圧の次の半サイクルの
適当な位相でサイリスタＴｈｖ とＴｈｘ を同時に
点弧させる。サイリスタＴｈｖ とＴｈｘ が導通す
ると、サイリスタＴｈｕとＴｈｙ は負荷回路の電圧
により逆バイアスされて消弧し、直流リアクトルＬｏ
を流れる電流は、Ｌｏ−Ｔｈマー負荷タンク回路−Ｔｂ
ｘへと転流する。以後、サイリスタＴｈｕ 、 Ｔｈｙ
とＴｈｖ、 Ｔｈｘ の交互点弧を繰返すことにより、
装置は定常運転に入る。このように、この実施例では、
半導体素子ＧＴＨを消弧することによシ直流リアクトル
Ｌ０の蓄積エネルギーが一挙に負荷回路に放出されるの
で、コンデンサＣの初期電圧として、次の転流に必要な
電圧が十分に確保される。
リスタＴｈｕと’ｒｈｙ及び自己消弧型の半導体素子Ｇ
ＴＨを同時に点弧し、直流電源Ｅ−直流リすクドルＬｏ
−サイリスタＴｈｕ−半導体素子ＧＴＨ−サイリスタＴ
ｈｙ−直流電源Ｅなる回路を通して直流リアクトルＬｏ
を直流電源Ｅに短絡する。次いで、直流リアクトルＬｏ
を流れる電流が十分に立上ると、半導体素子ＧＴＨを消
弧して直流リアクトルＬｏに蓄積されたエネルギーを負
荷回路に放出せしめる。これにより、＝ンデンサＣが図
示極性に初期充電されると共に負荷回路に振動電流が流
れ始めるので、この負荷回路の電圧の次の半サイクルの
適当な位相でサイリスタＴｈｖ とＴｈｘ を同時に
点弧させる。サイリスタＴｈｖ とＴｈｘ が導通す
ると、サイリスタＴｈｕとＴｈｙ は負荷回路の電圧
により逆バイアスされて消弧し、直流リアクトルＬｏ
を流れる電流は、Ｌｏ−Ｔｈマー負荷タンク回路−Ｔｂ
ｘへと転流する。以後、サイリスタＴｈｕ 、 Ｔｈｙ
とＴｈｖ、 Ｔｈｘ の交互点弧を繰返すことにより、
装置は定常運転に入る。このように、この実施例では、
半導体素子ＧＴＨを消弧することによシ直流リアクトル
Ｌ０の蓄積エネルギーが一挙に負荷回路に放出されるの
で、コンデンサＣの初期電圧として、次の転流に必要な
電圧が十分に確保される。
第５図は、この発明の他の実施例であって、この実施例
では、自己消弧型の半導体素子ＧＴＨをサイリスタＴｈ
ｘ と並列に接続しである。起動に際しては、半導体
素子ＧＴＨとサイリスタＴｈｕを同時に点弧して直流リ
アクトルＬｏにエネルギーを蓄積させた後、半導体素子
ＧＴＨを消弧し、サイリスタＴｈｙを点弧して上記蓄積
されたエネルギーを負荷回路に放出せしめコンデンサＣ
を初期充電する。なお、半導体素子ＧＴＨは、サイリス
タＴｈｕあるいはサイリスタＴｈｖあるいはＴｈｙと並
列に接続してもよい。
では、自己消弧型の半導体素子ＧＴＨをサイリスタＴｈ
ｘ と並列に接続しである。起動に際しては、半導体
素子ＧＴＨとサイリスタＴｈｕを同時に点弧して直流リ
アクトルＬｏにエネルギーを蓄積させた後、半導体素子
ＧＴＨを消弧し、サイリスタＴｈｙを点弧して上記蓄積
されたエネルギーを負荷回路に放出せしめコンデンサＣ
を初期充電する。なお、半導体素子ＧＴＨは、サイリス
タＴｈｕあるいはサイリスタＴｈｖあるいはＴｈｙと並
列に接続してもよい。
また、上記各実施例では、サイリスタブリッジが、サイ
リスタの１もしくは負荷回路と並列に自己消弧型の半導
体素子ＧＴＨを持つ構成となっているが、サイリスタブ
リッジが、ブリッジ接続された１箇の半導体素子ＧＴＨ
と３箇のサイリスタを具える構成とし、起動後は、半導
体素子ＧＴＨを対向アームのサイリスタと同期させて周
期的に点弧するようにしてもよい。
リスタの１もしくは負荷回路と並列に自己消弧型の半導
体素子ＧＴＨを持つ構成となっているが、サイリスタブ
リッジが、ブリッジ接続された１箇の半導体素子ＧＴＨ
と３箇のサイリスタを具える構成とし、起動後は、半導
体素子ＧＴＨを対向アームのサイリスタと同期させて周
期的に点弧するようにしてもよい。
以上の如く、この発明によれば、サイリスタブリッジに
自己消弧型の半導体素子を持たせただけであるが、該半
導体素子を、起動に際して１もしくは２のサイリスタと
同時に点弧し直流リアクトルにエネルギーが蓄積された
後消弧させるようＫしたことにより、従来、設けていた
起動用のコンデンサやりアクドルを含む起動回路を用い
なくても直接に起動することができるので、従来に比し
て簡単な構造とし、小型、軽量、安価にすることができ
る。
自己消弧型の半導体素子を持たせただけであるが、該半
導体素子を、起動に際して１もしくは２のサイリスタと
同時に点弧し直流リアクトルにエネルギーが蓄積された
後消弧させるようＫしたことにより、従来、設けていた
起動用のコンデンサやりアクドルを含む起動回路を用い
なくても直接に起動することができるので、従来に比し
て簡単な構造とし、小型、軽量、安価にすることができ
る。
第１図は、従来のサイリスタインバータ装置の回路図、
第２図及び第３図は、上記インバータ装置の起動時の回
路図及び各部の波形図、第４図は、この発明によるサイ
リスタインバータ装置の実施例の回路図、第５図は、こ
の発明″の他の実施例の回路図である。 図において、Ｔｈｕ、Ｔｈｖ、Ｔｈｘ、 Ｔｈｙ−サイ
リスタ、ＧＴｈ・−・自己消弧型の半導体素子、Ｒ・・
・四基性負荷、Ｃ・・・コンデンサ。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 １゜ 第２図 第３図
第２図及び第３図は、上記インバータ装置の起動時の回
路図及び各部の波形図、第４図は、この発明によるサイ
リスタインバータ装置の実施例の回路図、第５図は、こ
の発明″の他の実施例の回路図である。 図において、Ｔｈｕ、Ｔｈｖ、Ｔｈｘ、 Ｔｈｙ−サイ
リスタ、ＧＴｈ・−・自己消弧型の半導体素子、Ｒ・・
・四基性負荷、Ｃ・・・コンデンサ。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 １゜ 第２図 第３図
Claims (5)
- （１）直流リアクトを介して直流電源に接続され、誘導
性負荷に並列接続されたコンデンサを具える単相のサイ
リスタブリッジが、起動に際して該サイリスタブリッジ
の１もしくは２のサイリスタと同時に点弧される自己消
弧型の半導体素子を有し、この半導体素子が、上記直流
リアクトルにエネルギーが蓄積された後消弧されること
を特徴とするサイリスタインバータ装置。 - （２）自己消弧型の半導体素子が、負荷回路に並列に挿
入されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のサイリスタインバータ装置。 - （３）自己消弧型の半導体素子が、サイリスタブリッジ
の１のサイリスタと並列に接続されていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のサイリスタインバータ
装置。 - （４）サイリスタブリッジが、ブリッジ接続された１箇
の自己消弧型の半導体素子と３箇のサイリスタを具える
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のサイリス
タインバータ装置。 - （５）自己消弧型の半導体素子が、ゲートターンオフサ
イリスタであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
〜第４項記載のサイリスタインバータ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175231A JPS5879479A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | サイリスタインバ−タ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56175231A JPS5879479A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | サイリスタインバ−タ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5879479A true JPS5879479A (ja) | 1983-05-13 |
Family
ID=15992556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56175231A Pending JPS5879479A (ja) | 1981-10-31 | 1981-10-31 | サイリスタインバ−タ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5879479A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4612611A (en) * | 1983-09-02 | 1986-09-16 | A.E.G. Elotherm Gmbh | Starting circuit for a parallel resonant circuit inverter |
-
1981
- 1981-10-31 JP JP56175231A patent/JPS5879479A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4612611A (en) * | 1983-09-02 | 1986-09-16 | A.E.G. Elotherm Gmbh | Starting circuit for a parallel resonant circuit inverter |
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