JPS591070B2 - 高周波インバ−タ - Google Patents

高周波インバ−タ

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JPS591070B2
JPS591070B2 JP53108943A JP10894378A JPS591070B2 JP S591070 B2 JPS591070 B2 JP S591070B2 JP 53108943 A JP53108943 A JP 53108943A JP 10894378 A JP10894378 A JP 10894378A JP S591070 B2 JPS591070 B2 JP S591070B2
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JP
Japan
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capacitor
commutating
circuit
control switching
switching element
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JP53108943A
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JPS5537826A (en
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忠士 渋谷
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Meidensha Corp
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Meidensha Corp
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Publication date
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    • F15B1/02Installations or systems with accumulators
    • F15B1/04Accumulators
    • F15B1/08Accumulators using a gas cushion; Gas charging devices; Indicators or floats therefor
    • F15B1/10Accumulators using a gas cushion; Gas charging devices; Indicators or floats therefor with flexible separating means
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    • F15B2201/615Assembling or methods for making ports therefor

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高周波動作を可能にしたインバータに関する
近年、サイリスタインバータを用いた誘導加熱装置が用
いられるようになり、特に被加熱部材の比較的表面層を
加熱するために多く利用されている。
被加熱部材の表面層を加熱するにはインバータ装置の動
作周波数を高周波的に行えば表面層のみの加熱が促進さ
れる。従来のインバータは、使用される半導体制御スイ
ッチング素子のターンオフタイムが20即程度であると
いう特性上、3KH2程度の動作周波数までしか動作さ
せることができなかつた。
このため、10KH2以上の高周波インバータとするに
は多数の制御スイッチング素子を使用し、各スイッチン
グ素子を時分割方式でON、OFF制御し、各スイッチ
ング素子に必要な逆電圧期間を設ける構成にしていた。
しかし、この時分割方式では制御スイッチング素子を多
数必要とするしその制御回路も複雑になるため、装置コ
ストが高くなるし装置の信頼性も低下する欠点があつた
。本発明ぱ上記の欠点を除去し、制御スイッチング素子
数の低減を図ることができる高周波インバータを提供す
ることを目的とする。第1図ぱ本発明の一実施例を示す
主回路構成である。
順変換装置CNVの正負出力間には電解コンデンサCS
、、CS2の直列回路が並列接続される。両コンデンサ
の中点には負荷タンク回路Lの一端が接続され、タンク
回路Lの他端には転流コンデンサCtが接続される。制
御スイッチング素子としてのサイリスタ51は二次巻線
Ltllを持つ転流リアクトルLt、と直列接続され、
コンデンサCSIの高圧側と転流コンデンサCtの他端
との間に接続される。同様に、サイリスタ52は二次巻
線Lt12を持つ転流リアクトルLt2と直列接続され
、コンデンサCS2の低圧側と転流コンデンサCtの他
端との間に接続される。転流リアクトルLtlの二次巻
線LtllはダイオードD1と耐リ接続されてコンデン
サCSIに並列接続され、転流リアクトルLt2の二次
巻線Lt12ぱダイオードD2と直列接続されてコンデ
ンサC82に並列接続される。
な訃、転流リアクトルLtl,Lt2の一次,二次巻線
間の極性、ダイオードの方向は図示の方向にされる。こ
うした主回路構成に訃いて、転流コンデンサCtが図示
の極性に充電されているとし、第2図に示すように負荷
タンク回路Lの電圧零T,時点でサイリスタS,を点弧
する。
これによV1コンデンサCSlからサイリスタS1一転
流リアクトルLtl一転流コンデンサCt−タンク回路
Lのループで電流が流れ始める。このときの等価回路は
第3図aに示すようになV1コンデンサCsの電圧Es
と、転流コンデンサCtの電圧Etの電圧和(E8+E
t)でC8−Ltl−Ct一負荷タンク回路のインピー
ダンスZの直列共振回路を通して放出され、負荷電流1
Lが流れ、コンデンサCtの放電さらに逆極性への充電
がなされる。この負荷電流1Lがピーク値を過ぎると、
転流リアクトルLtlの電圧極性が反転し、転流リアク
トルLtlの二次巻線電圧がEsとなつたときT2にダ
イオードD1が導通し第3図bの等価回路になる。また
、このときの一次巻線Lt,の電圧は一次、二次間の巻
数比をkとすればE8/kとなる。従つて、T2以後は
サイリスタS,が逆阻止になるT3時点までは転流リア
クトルLtlに蓄えられていたエネルギーがダイオード
D1を通した帰還電流1Fとして電源側に帰還され、サ
イリスタS1の電圧波形VSlは負荷電流を流している
期間(t1〜T2)の電流1S1と帰還電流1Fを流し
ている期間(T2〜T3)は零にあり、T3時点から{
Et−Es一負荷電圧VLQ)}の逆電圧を発生し、{
Et−E8−VL(t)}=0までの期間(T3〜T5
)だけ逆電圧期間がかけられる。次に、サイリスタS2
はS1点弧から負荷電流の3/2周期後T4時点で点弧
する。
この場合も上述の動作と同様に、コンデンサCtが逆極
性に所定電圧まで充電されたときにダイオードD2を通
して帰還電流が流れ、サイリスタS2の点弧から3/2
周期後にサイリスタS1を再び点弧する。従つて、サイ
リスタS,,S2はその逆電圧期間が負荷電流周波数の
半周期以上のとなD、ターンオフタイムの長いサイリス
タを使用して比較的高い周波数インバータを実現できる
。また、制御スイツチング素子は2個ですみ、従米の時
分割方式インバータに比べて主回路素子数の大幅な低減
及びその点弧回路が簡単になる。な訃、実施例に訃いて
は、サイリスタS1とS2との交互の点弧を負荷電流の
3/2周期とする場合を示したが、これは負荷の軽重に
応じて、又は出力の周波数に対応させて(2n+1)/
2周期(但しnは整数)に設定もしくは可変とすること
もできる。
以上述べたように、本発明によれば、制御スイツチング
素子の動作周波数を負荷の動作周波数に対して低くでき
、少ない数の主回路素子で高周波出力を得ることができ
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による高周波インバータの一実施例を示
す主回路構成図、第2図は第1図の動作を説明するため
の各部波形図、第3図は第1図の動作を説明するための
等価回路図である。 CNV・・・順変換装置、Sl,S2・・・制御スイツ
チング素子、Ltl,Lt2・・・転流リアクトル、C
t・・・転流コンデンサ、Dl,D2・・・ダイオード

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 順変換装置の正負出力間に並列接続される第1、第
    2コンデンサから成る第1直列回路と、この第1直列回
    路の中点に負荷のタンク回路を介して一端が接続された
    転流コンデンサと、上記順変換装置の正出力端と転流コ
    ンデンサの他端との間に順方向に接続された第1制御ス
    イッチング素子と二次巻線を持つ第1転流リアクトルか
    ら成る第2直列回路と、上記転流コンデンサの他端と順
    変換装置の負出力端との間に順方向に接続された第2制
    御スイッチング素子と二次巻線を持つ第2転流リアクト
    ルから成る第3直列回路と、上記第1又は第2制御スイ
    ッチング素子のONにより上記転流コンデンサが逆極性
    に所定電圧まで充電された後には上記第1又は第2転流
    リアクトルの二次巻線を通して対応する第1又は第2コ
    ンデンサに電流帰還する第1、第2ダイオードと、上記
    第1、第2制御スイッチング素子を上記負荷のタンク回
    路共振周波数の(2n+1)/2(但しnは整数)周期
    毎に交互にON制御する制御回路とを備えたことを特徴
    とする高周波インバータ。
JP53108943A 1978-09-05 1978-09-05 高周波インバ−タ Expired JPS591070B2 (ja)

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JP53108943A JPS591070B2 (ja) 1978-09-05 1978-09-05 高周波インバ−タ
US06/087,701 US4287916A (en) 1978-09-05 1979-10-24 Semispherical shape valve device in bladder type accumulators

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JPS5537826A JPS5537826A (en) 1980-03-17
JPS591070B2 true JPS591070B2 (ja) 1984-01-10

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ID=14497572

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JPS5537826A (en) 1980-03-17
US4287916A (en) 1981-09-08

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