JPS5879015A - 芳香族ポリエステルの製造方法 - Google Patents

芳香族ポリエステルの製造方法

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JPS5879015A
JPS5879015A JP17708281A JP17708281A JPS5879015A JP S5879015 A JPS5879015 A JP S5879015A JP 17708281 A JP17708281 A JP 17708281A JP 17708281 A JP17708281 A JP 17708281A JP S5879015 A JPS5879015 A JP S5879015A
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JP
Japan
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hydroxyphenyl
bis
molecular weight
hydrocarbon group
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JP17708281A
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English (en)
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Hikotada Tsuboi
坪井 彦忠
Motoo Kawamata
川又 元夫
Shiro Fujikake
藤掛 史朗
Kazuhiro Masuda
升田 和広
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Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 性の優れた芳香族4リエステルの製造方法に関し、ll
IiK再現性よく望ましい分子量の芳香族4リエステル
を製造する方法に関するものである。
テレフタル酸とイノ7タル酸またはこれらの誘導体と、
2,2−ビス(4′−ヒドロキシフェニル)f■/母/
またはその誘導体より製造される芳香族4リエステルは
、引張り強度、―げ強度などの機械的性質、熱変形温度
、熱分解温度などの熱的性質、その他電気的性質などK
ついて、優れた性能を有する樹脂であることが知られて
いる。
しかしながら、ポリエチレンテレフタレートのような芳
香族脂肪族ポリエステルとの比較では熱的性質は改善さ
れているものの、近年、高性能樹脂に焚求される耐熱性
能な考慮すれば、上記の芳香族/リエステルの熱的性質
は、必らずしも満足の行くものではない。
特に、これらの高性能樹脂は、電気、電子分野に使用さ
れることも多く、例えば、手出浴中での耐熱性などが要
求されるまでKなっ【いる。実用分野におけるこのよう
な要求を満足させるためKは、従来会知の上記した如き
芳香族−リエステルでは、明らかに性能的に不十分であ
り、樹脂の可使用温度範囲をさらに向上させることが必
要である。
たとえば上記のタイプの芳香族4リエステルのガラス転
移温度あるいは軟化温度は200℃以下であり成形品の
熱変形温度は170℃以下であるため高い耐熱性が要求
されたり高温での寸法安定性が必要とされる分野に用い
ることは困難である。
一方、2,2−ビス(4′−ヒドロキシフェニル)プロ
ノヤンに代るビスフェノール成分としテ、ビス(ヒドロ
キシフェニル)スルホン熱性が認められる。しかしなが
ら、この種の芳香族ぼりエステルは、成形が困難で成形
物が不透明化、白濁しやすく、しかも最適な条件で成形
し【も非常に脆く、クラックが入りやすい。
ホンの他に、次式 〔式中において、水酸基はXに対してメタパ または一う位にあり、Xは岸素数1〜20の炭化水素基
、0、CO%S,SO  またはSO,を示し、aはO
または1である。R,〜8,は水素、炭素数1〜8の炭
化水素基またはハロゲン原子を示し、互いに同一でも異
ってもよいが、XがSO,のときR,〜R,がすべて同
時に水嵩ではない。〕 で示されるビスフェノール類を混合使用すると、上記の
欠点が大幅に改善され、しかも優れた耐熱性を保持でき
ることを見出した(特願昭56−64255)。
上記の重合体は圧縮、押出し、射出のいずれの成形法に
おいても、外観の良好な成形品が得られ、これらは十分
な機械物性および特に優れた熱物性を有している。
このような重合体を成形加工する鍬には、成形加工性の
面から要望される分子量領域と成形品の吻性面から必要
とされる分子量領域があり、この両者より重合体の好ま
しい分子量が決定される。したがって、重合体を製造す
る際には、上記のようにして決定される分子量の製品を
再現性よく製造することが実用上非常に重要である。
この様な目的に使用される分子量−節剤とり、テ、 2
,2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパンのみをビ
スフェノール成分として使用した全芳香族ポリエステル
については、フェノール、クレゾール、フェニルフェノ
ールなどが知られている。しかし乍ら分子11.111
節剤としてのこれらのモノフェノール類は、ビスフェノ
ール類の反応速度との差が殆んどないため、ビスフェノ
ール類と同時に添加されて反応を実施すると、好ましい
結果が得ν)rLない。実際の使用にあたっては、モノ
フェノール類を後で東金途中の反応液に加える必要があ
り、添加の時期は、反応訴の結反変化を測定しながら決
定される。しかもこのように厳密に添加時期を設定して
も、必らずしも再現性良く目的の分子量のポリエステル
を帰ることは困難であり、少しでも添加が遅れると、設
定した分子量を大幅に上回る結果となる。
またこれら公知のモノフェノール類は、分子量調節の効
果が持続し難く、反応時間が艮(なると、分子量も徐々
に増加する傾向が認められ、必要な分子量のIリエステ
ルを再現性よく得ることは、6易でない。
本発明の目的は所望の分子量の重合体を再現性よく帰る
ことができ、かつ成形加工時の熱安定性が良好で分子量
低下を伴わない芳香族ポリエステルの製造方法を提供す
ることにある。
本発明に従って、 一般式 〔但し、上式中、(2)において、カルがニル基は互い
にメタまたはパラ位にあり、俤)式におい【、酸素原子
はSO雪基に対しメタまたはノ譬う位にあり、(0式に
おいて、#1票原子はXに対してメタまたは/譬う位に
ある。(0式におけるXは炭素数1〜20の2価の炭化
水素基、o、 co、8,80  またはSO,を示し
、島は0または1である。]ll M+ B 4はそれ
ぞれ水素、炭素数1〜8の炭化水素基またはハロゲン原
子を示し、互いに同一でも異ってもよいが、XがSO2
のときR1−R4がすべて同時に水累ではない。1.m
及び1は夫々上の整数であり m/ j =0.36〜1.06、 n/ l =0.
04〜0.66、(m+n )/j=0.99〜1.1
0、j+m十m=10〜1000) で示される、(均と(Qが隣り合うことはない繰返し単
位よりなる芳香族ポリエステルを製造する方法において
、分子量調節剤として、一般式(1) R’:!’NH−基°(ここでR7は、炭素数1〜18
の炭化水素基もしくは、ハロゲンにより置換された炭素
数1〜18の炭化水素基を示す。)、シアノ基又はニト
ロ基であり、互〜・に同一であっても異ってもよく、b
は5以下、0は4以下のいずれも正の整数を示す。〕で
表わされる、ヒドロキシベンゾフェノン誘導体を使用す
る芳香族ポリエステルの製造方法が提供される。
本発明によnば、分子量調節剤として上記のヒドロキシ
ベンゾフェノン誘導体を使用する場合、反応温度、反応
時間、触媒の量、その他の反応因子に影曽されず目的と
する分子量のポリエステルを容易に再現性よ(帰ルコと
ができる。従ってヒドロキシベンゾフェノン−導体は分
子量調節剤として重合の最荀か釆 らビスフェノール成分とともに反応傘中に共存させるこ
とかできる。
しかもヒドロキシペ/シフエノン−導体を分子量−節剤
として使用して得られたポリエステルは、加工時の熱安
定性が大で分子量の低下を伴うことなく成形加工がり罷
である。
これはポリエステル末端に結合したヒドロキシベンゾフ
ェノン誘導体残基が熱、#1素等による高温でのラジカ
ル的分解反応に対して安定であり、また高温における微
蓋の水分によって進行する加水分解反応に対しても着し
く安定であることを示している、 本発明のポリエステルに使用される上記成因に相当する
ジカルボン酸成分としては、たとえばイソフタル酸およ
びテレフタル酸が用いられる。それぞれ単独で用いるこ
とも可能であるが、両者の混合物を使用することも多い
。混合使用する場合、イソフタル酸成分とテレフタル酸
成分の比は、5:95から95:5までの範囲が用いら
れ、さらに好ましくは30ニア0〜70 : 30の範
囲である。
上記のジカルボン酸成分は、通常芳香1s−)カルがン
識のジクロライド、ジエステルなどの誘導体として重合
反応に用いられるが、ジカルyy@のまま用いられるこ
ともあり、採用する重合方法によって最適なものを選択
でき少くとも、また通常は1槓を用いる。ジエステルを
使用する°際のエステルをIIII或する原料としては
、炭素数1−10の低級脂肪族アルコール、炭素数6〜
18のフェノール類が含まれる。具体的なジエステルの
例としては、ジメチルテレフタレート、ジメチルイノフ
タレート、ジエチルイソフタレート、ジエチルテレフタ
レート、ジイソプロピルイノフタノート、ジ亀−デロピ
ルテレフタレート、ジイソブチルイソフタレート、ジフ
ェニルインフタレート、ジフェニルテレフタレート、ジ
フェニルイソフタレート、ジエチルイソフタレート、ジ
ベンジルテレフタレートなどがあげられる。また、2橿
のアルコールでエステル化された混合ジエステルやモノ
エステル(半エステル)をも使用することができる。
本発明のビスフェノール成分としては、式(6)に相当
スるビス(ヒドロキシ7エール)スルホン類が用いられ
る。ビス(ヒドロキシフェニル)スルホン類としては、
たとえばビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビ
ス(3−ヒ)”ロキシフェニル)スルホ/、3−ヒPロ
キシフェニル4′−ヒトpキシフェニルスルホツカ含ま
れる。ビス(ヒドロキシフェニル)スルホン類は、単独
構造のものでもまた異性体の混合物としても使用するこ
とができる。
特に好ましいのは、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ス
ルホζテアル。
上記ビス(ヒドロキシフェニル)スルホン類は、水酸基
を有したまま、またはアルカリ金属もしくはアルカリ土
類金属との塩や脂肪族もしくは芳香族カルI/酸とのエ
ステルなどの各種誘導体として反応に供される場合もあ
る。重合反応の方法、形I!により最適なものが選択さ
れる。
本発明の重合体を製造する際に用いられるに反応に使用
するモル比と、4リマー中忙存9 在する残基の比は反応性の差その他原因により必ずしも
一致しないが4リマー中のシカルーフill基Ill尚
り、ビス(ヒドロキシフェニル)スルホン残基(m/j
 )が0.36〜1.06個存在するような範囲にある
。さらに好ましく )t、 0.40〜1.0個ビス(
ヒドロキシフェニル)スルホン残基が存在する範囲であ
り、特に好ましいのは、0.45〜0.96の範囲であ
る。ビス(ヒドロキシフェニル)スルホン残基が0.3
6未満ではポリマーの耐熱性が劣りがちで、また1、0
6をこえると4リマーの成形性、成形−の透明性、強じ
ん性等で問題が生じ易い。
本発明のビスフェノール成分とし℃は、さらに前記式(
C)に相当する、即ち式(2)〔式において、水酸基は
Xに対して、メタまたは)臂う位にあり、Xは炭素数1
〜20の炭化水素基、0、C01s、 so、 80!
を示し、aはOまたは1である。R1−R4は水素、炭
素数1〜8の炭化水素基、ハロダン原子を示し、互いに
同一でも異ってもよいが、XがSO3のときR1−R4
がすべて同時に水素ではない。〕 テ示すれるビスフェノール類を、上記ビス(ヒドロキシ
フェニル)スルホンM、!:、 ト4)K使用する9式
(2)で示されるビスフェノール類の具体的な例として
は、2,2−ビス(4′−ヒドロキシフェニル)!ロバ
/、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−
ビス(4′−ヒドロキシ3′−メチルフェニル)プロ/
#/、2,2−ビス(3′−クロル4′−ヒドロキシフ
ェニル)fロノ’?y、1.1−ビス(4′−ヒドロキ
シフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4′−ヒ
ドロキシフェニル)イソブタン、l、1−ビス(4′−
ヒドロキシフェニル)ジフェニルメタ7.2.2−ビス
(3’、5’−17メチル4′−ヒドロキシフェニル)
クロノ譬/、ビス(3,5−ジメチル4−ヒドロキシフ
ェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エー
テル、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルフィド、ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(3
,5−ジメチル4−ヒドロキシフェニル)スルフィド、
ビス(3,5−ジメチル4−ヒドロキシフェニル)スル
ホン、4.4’−ジヒドロキシビフェニル、3.3 ’
 、 5,5 ’−テトラメチル4.4′−ジヒドロキ
シピフェニル、2,2−ビス(3/、5′−ジブロモ4
′−ヒドロキシフエニル)プロノぐン、ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)クトン、2,2−ビス(a/、S/−
ジフェニル4′−ヒドロキシフェニル)グロΔノ、1.
1−ビス(4′−ヒドロキシフェニル)1−フェニルエ
タン、ビス(3−ヒドロキシフェニル)スルフィド、ビ
ス(3−ヒドロキシフェニル)スルホン、3.3’−ジ
ヒドロキシビフェニル、ビス(3−ヒドロキシフェニル
)エーテル、3−ヒドロキシフェニル4−ヒドロキシフ
ェニルエーテルなどを挙げるととができ、これらは単独
でも2種類以上の混合物としても使用することができる
本発明の重合体に用いられる式(2)で示されるビスフ
ェノール類のジカルゲン酸成分に対する使用量について
は、実際に反応に使用するモル比と、ポリマー中に存在
する残基の比は反応性の差その他の原因により必ずしも
一致しないがポリマー中のジカルl/酸残基1個当り、
式(2)のビスフェノール残基n / lが$ 0.0
4〜0.66個存在する範囲にあり、さらに好ましくは
0.08〜0.621−の範囲である。
m / lが0.04未満では4リマーの成形性、成形
物の強じん性、透明性などが不充分となりやすく、また
0166をこえるとポリマーの熱に対する性能が低下し
易い。更に上記芳香族4リエステルにおいて(vm +
ts ) / Iは0.9〜1.10の範囲、l + 
m + *は10〜1000の範囲にあることが重合体
の性能よりみて好ましい。
本発明の方法では、分子量調節剤として前述の一般式(
1)で示されるヒドロキシベンlフェノン誘導体を使用
する。具体的なヒドロキシベンゾフェノン誘導体の例と
しては、2−ヒドロキシペンゾフエノ/、3−ヒドロキ
シベンゾフェノン、4−ヒドロキシベンlフェノン、2
−メチル4−ヒドロキシベンゾフェノン、2−エチル4
−ヒドロキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ4−t−
プチルペ/ゾフエノ/、2−ヒドロキシ4,4′−ジー
t−fチルペ/ゾフエノ/、2−ヒドロキシ4− El
−ブチルベンゾフェノン、2−ヒドロキシ4−1−へキ
シルベンゾフェノン、3,5−シlチル4−ヒドロキシ
ベンゾフェノ/、3.5−シーt−ブチル4−ヒドロキ
シベンゾフェノ/、2−にドロキシ4,4′−ジクロル
ベンゾフェノン、2−ヒドロキシ3.゛5−ジクロルベ
ンゾフェノ/、2−クロル4−ヒドロキシベンlフェノ
ン、2−ヒドロキシ4−ブロモベンゾフェノン、3.5
−ジブロモ4−ヒドロキシベンlフェノン、2−ヒドロ
キシ4.4′−シフルオリヘンシフエノン、2−フルオ
ロ4−ヒドロキシペノゾフエノン、2−ヒドロキシ4−
メトキシベンゾフェノン、4−メトキシ4′−ヒドロキ
シベンゾフェノン、2−ヒドロキシ4− n−オクチロ
キシベンシフエノン、2−エトキシ4−ヒドロキシベン
ゾフェノ/、2−アセチル4−ヒドロキシベンlフェノ
ン、2.4−/アセチル4′−ヒドロキシベンゾフェノ
ン、3,5−ジアセチル4−ヒドロキシベンゾフェノ/
、2−アセチルアミノ4−ヒドロキシベンlフェノン、
2−ヒドロキシ4−アセチルアミノベンゾフェノ/、3
−ヒドロキシ4.4′−ジアセチルアミノベンゾフェノ
/、2−ヒドロキシ4,4′−ジシアノベンゾフェノ/
、4−ヒドロキシ4′−シアノヘンシフエノン、2−シ
アノ4−ヒドロキシベンlフェノン、4−ヒドロキシ4
′−二トロペ/ゾフエノ/、2−ヒドロキシ4,4′−
ジニトロペ/シフエノン、2−二トp4′−ヒドロキシ
ベンゾフェノン、2−ニトロ2′−ヒP!*/4−二ト
ロペンゾフエノ/、などを挙げることができ、これらは
、1種、または2種以上の混合物として使用できる。
本発明の方法に使用されるヒドロキシベンlフェノン誘
導体は、遊離のフェノール体のまま使用できるし、また
アミン類やアルカリ金属、アルカリ土類金属との塩Eし
ても使用でき、重合反応の方法により好ましい形態を選
択することができる。
すでに記したよ5に、本発明の方法では、所定量のヒド
ロキシベンゾフェノン誘導体を最初から反応液中に全量
存在させて重合反応を実施し、所望の分子量の4リエス
テルを得ることができる。しかしながら、実際に使用す
る方法は、特に制約を受けず、分割添加してもよいし、
反応開始後適当な時点で加えてもよい。
ヒドロキシベンゾフェノン誘導体の使用量は、目的とす
る製品であるIリエステルの分   ゛子量によって決
定されるが、通常、ビスフェノール成分全量に対して、
0.1〜25モル係の範囲である。上記の範囲より使用
量が少ないと、分子量を有効に制御することが困難とな
り、上記範囲より使用量が多いとIリマーの耐熱性が低
下する場合がある。峙に好ましい使用量の範囲は、ビス
フェノール成分全量に対し−f−10.5〜12モル憾
である。
本発明の方法では、必要に応じて、各種の有機溶媒が使
用される。溶媒の種類や使用量は重合方法によって変化
するが、通常モノマー又はモノマーと生成4リマーに対
する溶解ルメタ/)、クロ四ホルム、四塩化炭素、モノ
クロルエタ/、ジクロルエタン類、トリクロ# z p
ン類、fトラクロルエタン類、エタンの多塩素化物、炭
素数3以上の塩素化物、上記化合物の塩−をフッ素、臭
素又はヨウ素に置換した化合物、トルエン、キシレン、
アニソール、フエネトール、フェノール、ハロダン化フ
ェノール類、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシP1N−メ
チル−2−ピロリドン、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、テトラリフなどを挙げることができ、これらを単独
または2種以上で、使用することができる。
本発明の重合体の製造方法に特に制約はなく、会知の方
法がいずれも適用できるが、代表的な重合法の例として
は、下記の方法を挙げることができる: ビス(ヒドロキシフェニル)スルホン類、式(2)で示
されるビスフェノール11Iidよび必要量のとドルキ
シベンゾフェノン−導体をアルカリ金属水酸化物ととも
に水相Kl解し、水に不溶な有機溶剤中にイソフタロイ
ルクロライドおよび/またはテレフタロイルクロライV
を溶解し両相を混合して反応させる界面重合法;ビス(
ヒドロキシフェニル)スルホン類、式(2)のビスフェ
ノール類、必要量のヒトロキシベ/シフエノン誘導体、
イソフタロイルクロライドおよび/またはテレフタロイ
ルクロライPを含む均一な有機溶剤溶液中K、脱塩酸剤
として第3級アミン類等を共存させて実施する溶液重合
法;イソフタル酸および/またはテレフタル酸のジエス
テルと、ビス(ヒドロキシフェニル)スルホン類および
式(2)のビスフェノール類を所定量のしドルキシベン
ゾフェノン誘導体の存在下で溶融反応させる溶融重合法
本発明の重合体にはすでに述べた成分の他に、以下の反
応成分または混合成分を1llllli以上含むことが
できる。
即ち、重合体の安定性を一層高め、着色な防止する目的
で種々の安定剤な含むことができる。具体的な化合物の
例としては、亜り/酸、亜リン酸ジエチル、亜リン酸ジ
フェニル、亜リン酸トリエチル、亜リン酸トリクレジル
、亜リン酸トリオクチル、亜りン酸トリデシル、λ(2
/−ヒドロキシ5′−メチルフェニル)ぺ/シトリ゛ア
ゾール、2(2’−ヒドロキシ5′−エチルフェニル)
ベンゾトリアゾール、ピロガロール、有機スズメルカプ
チP化合物、ポリエステル類、ビスフェノール類又はシ
アルツール類と三塩化り/の反応によって得られる亜り
ン酸トリエステル重合体などな挙げることができる。こ
れらは、通常、重合体中KO,01〜5−の範囲で存在
させることができる。
本発明の重合体は、耐熱性が大であるにもかかわらず、
溶融時の粘度が過大にならず、加工性が良好であるが、
さらに必要に応じて溶融時の粘度&−低下させる目的で
は、す/酸トリクレノル、リン酸トリフェニル、リン酸
トリエチル、亜リン酸トリクレジル、亜り/酸トリオク
チル、フタル酸ジオクチル、7タル酸ジノニル、ステア
リン酸カルシウム、ステアリン酸マグネシウム、ビスフ
ェノール類2分子とコハク酸、アジビン酸またはセパチ
ン酸各1分子とのエステル類などを挙げることができる
。これらは、通常重合体の全重量な基準として、0.1
〜30%の範囲で存在させることができる。
本発明の重合体は、通常の成形加工法および条件にて成
形加工し、望ましい製品とすることができる。即ち、圧
縮成形、押出し成形、射出成形が、従来から用いられて
いるそれぞれの成形機の能力範囲で十分可能であり、し
かも目的とする成形品を白濁やクラック等のない望まし
い状態で得ることができる。
本発明の重合体の成形加工条件を押出しおよび射出成形
の場合の例で示すと、成形温度は250〜400℃の間
で、好ましくは280〜380℃までの範囲である。し
かしながら、すでに述べたよ5に、溶融粘度を低下させ
る化合物、安定剤などの添加により成形温度を大幅に低
下させることが可能である。また成形品のサイズ、形状
等に制約はなく、通常の成形物の他、フィルム、シート
状物、精密微細構造を有する部品など各種のものを容易
に成形することができる。
また、本発明の重合体を溶液として、キャスティング法
によるフィルム製造も可能であり、押出しフィルムと同
様透明、強靭で耐熱性の大なも・のが得られる。
本IJi#iの重合体について、以下の実施ガにおいて
詳細に説明する。以下の実施例における対数粘度ダ1n
h  は、フェノール/テトラクロルエタン(重量比6
/4)の混合溶媒な用い、0.5 tldi II液と
し次式で求められるものである。
Ct寓 (上式中、t、はJli?リマー溶液の流れ時間、1、
は溶剤のみの流れ時間であり、Cは、Iリマー溶液濃度
(tldi)である。)また、ηinh 保持率とは、
ポリマー粉末のWlmk  fkAとし、同一の粉末を
350℃、100#/dG Kて、20分加圧成形して
得られたプレスシートのη1nklBとすると、次式で
求められるものである。
91nh  保持率(@= B /ムXIO”なお、以
下において部、優、比率は特配せぬ限り重量基準による
」(菖JLL ビス(4−ヒトルキシフェニル)スルホン100.1F
  (0,40モル)a2+2−ビス(4′−ヒドロキ
シフエニル)プロパン22.8f(0,10モル)およ
び4−ヒドロキシベンゾフェノン5.0f(0,03モ
ル)V反応器にとり、10g!水酸化ナトリウム水溶液
4201を加えて、攪拌#!解し、10℃に冷却した。
N、気流を溶液中に30分通じ、セチルトリメチルアン
モニウムブ四マイト0.20t1に加えた。イックタロ
イルクロライドとテレタタpイルク0ライド(4:6)
の混合物101.5 f(0,5モル)を、ジクロルメ
タン27に@解した溶液を攪拌しながら、一度#/C&
応器に加え、攪拌を続けた。1時間+2*関、aFRf
間。
611間の時点で、反応av7ンプリングして、以下の
とおりポリ−r −f析出させ、yinb t’測測定
た。即ち、各サンプルVIN塩酸水浴液を加えて酸性と
した後、水を加えて攪拌、洗浄v2回実施し、洗浄後の
ジクロルメタン溶液を、メタノールを入れたホモミキサ
ー中和加えポリマーを析出させた。析出した無色のポリ
マー%:F別し、さらにメタノールで洗浄乾燥して、ポ
リマー粉末を得た。得られたポリマー粉末の一部でダi
nh  V測定し、さらに残余のポリマーY350CK
て、20分関100fv/cIIで加圧して、シー)V
作成した。
得られた結果は表−1の通りである。
懺−1 Wlmk 保持率(* ) =(Bl/(A) X 1
♂比較例1 実施例1mおける、4−ヒドロキシペンゾフェノンの代
りに、フェノールを1.9F(0,03モル)を使用す
る他は、実施例1と同様に反応を行ない、表−2の結果
を得た。
表−2 マ1nh  保持率(% ) =(Bl/(AIX 1
0実施例2〜6.比較例2,3 実施例IKおける4−ヒドロキシベンゾフン エ/δ代りに表−3に示したヒドロキシベンゾフェノン
誘導体V0.03モル使用し、イソ7フ タメロイルクロライドとテレタタロイルクpライド(1
:1)の混合物101.5F(0,5モル)V使用する
他は実施例1と同様に反応を行ない、1時間、2時間、
3時間、6時間で反応at’サンプリングし、ポリマー
を析出させ、η1nh  v測定し、2時間のサンプル
については、さらにηinh  保持率を#J定し表−
3に示す結果を得た。
実施例7〜15 ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン87.6F(
0,35モル)、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スル
フィド32.7F(0,15モル)および表−4に示し
た種類と量のヒドロキシベンゾフェノンsty使用して
、実施例1と同様に反応を行なって得られた91nh 
 (反応時間、l。
2.3.6時間)および91nh 保持率(反応時間、
2時間)の値V表−4に示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式 〔但し、上式中、(8)において、カル−ニル基は互い
    にメタまたはノ臂う位にあり、(動式におい゛て、酸素
    原子は8へ基に対しメタまたはΔう位にあり、(Q弐に
    おいて、酸素原子はXに対してメタまたはパラ位にある
    。(O式におけるXは炭素数1〜20の2価の炭化水素
    基、0、C01g、go  または80.を示し、鼻は
    Oまたは1である。翼1〜B4はそれぞれ水素、炭素数
    1〜8の炭化水素1または7% Ellノン子を示し、
    互いに同一でも異ってもよいが、xtJ%80.のとき
    翼 〜翼 がすべて同時に水素ではない。j、鵬、鳳は
    夫々正のIl数であり   m/l=0.311〜1.
    0 g、   m/I=0.04〜G、66゜Cm+m
    s)/I=0.99〜1.10゜j+■+1=10〜1
    00OJ で示される、(蜀と(qが隣り倉5ことはない繰返し単
    位よりなる芳香族fリエステルを製造する方法において
    、分子量調節剤として、(R″)b(R11)。 〔式中、R1及びR6はそれぞれ炭素数1は、炭素数1
    °〜18の炭化水素基もしくは、ハa y 7 Kより
    置換された炭素数1〜18の炭化水素基な示す。)、シ
    アノ基、ニトロ基であり、互いに同一であっても異って
    もよ(、bは5以下、eは4以下のいずれも正の整数を
    示す〕で表わされる、ヒドロキシペ/シフエノン誘導体
    を使用することを特徴とする芳香族−リエステルの製造
    方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008094921A (ja) * 2006-10-10 2008-04-24 Unitika Ltd 被膜形成用樹脂

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JP2008094921A (ja) * 2006-10-10 2008-04-24 Unitika Ltd 被膜形成用樹脂

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