JPS5877568A - グロ−放電を用いた薄膜形成装置 - Google Patents
グロ−放電を用いた薄膜形成装置Info
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- JPS5877568A JPS5877568A JP17986082A JP17986082A JPS5877568A JP S5877568 A JPS5877568 A JP S5877568A JP 17986082 A JP17986082 A JP 17986082A JP 17986082 A JP17986082 A JP 17986082A JP S5877568 A JPS5877568 A JP S5877568A
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- Japan
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- glow discharge
- thin film
- reactor
- holes
- many holes
- Prior art date
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、グロー放電を用いた気相成長法（プラズマＣ
ＶＤ法）により基板上に薄膜な形成する装置において反
応気体の流れの均一性を得ること蚤こより形成される薄
膜の膜厚および膜質の均一性を得ることな目的とする。
ＶＤ法）により基板上に薄膜な形成する装置において反
応気体の流れの均一性を得ること蚤こより形成される薄
膜の膜厚および膜質の均一性を得ることな目的とする。
まずｉ１図に従来のプラズマＣＶＤ装置の一例を示す。
反応器ｌ内には、上部電極２および下部電極３とからな
る一対の対向電極が設けられている。また排気口４に接
続された排気装置により、反応器ｌ内は減圧され、る。
る一対の対向電極が設けられている。また排気口４に接
続された排気装置により、反応器ｌ内は減圧され、る。
導入口５より反応器ｌ内に導入された反応気体は上部電
極２に印加された高周波電界によりグロー放電を生ずる
。この放電エネルギーにより反応気体間に化学結合が生
じ、下部電極３上に置かれた基板６上に薄膜が形成され
る。基板６十昏こ形成される薄膜の膜質を良好（こする
ため（こ、Ｔ部Ｍ￥、極３はヒーター７により加熱され
る。
極２に印加された高周波電界によりグロー放電を生ずる
。この放電エネルギーにより反応気体間に化学結合が生
じ、下部電極３上に置かれた基板６上に薄膜が形成され
る。基板６十昏こ形成される薄膜の膜質を良好（こする
ため（こ、Ｔ部Ｍ￥、極３はヒーター７により加熱され
る。
第２図に前記従来の装置で形成し７た窒化シリコン膜の
膜厚および屈折率の下部電極」−における＋ｌｂ径方向
の分布を示す。同図においては反応気体としてＳｉ ［
−Ｉ４． Ｎ２． ＮＨ３の混合気体を用いており、膜
形成条件は以下の通りである。
膜厚および屈折率の下部電極」−における＋ｌｂ径方向
の分布を示す。同図においては反応気体としてＳｉ ［
−Ｉ４． Ｎ２． ＮＨ３の混合気体を用いており、膜
形成条件は以下の通りである。
Ｓｉ馬の流ｔ： ２５ ｃｃ／ｍｉｎ 。
Ｎ２の流計：２３３ｃｃ／ｍｉｎ 。
ＮＨ３の流量： ５６ ｃ ｃ／ｍｉｎ 。
反応気体圧カニ ０．５０Ｔｏｒｒ 。
基板温度：２５０°０゜
高周波電カニ ０．２１ Ｗ／ ｃｍ２゜形成時間：２
ｍ１ｎ。
ｍ１ｎ。
同図から従来装置においては下部筒、極の中心からの距
離が増加するとともに形成された窒化シリコン膜の膜厚
および屈折率が大きく増加し、その下部電極上における
均一性の悪いことがわかる。
離が増加するとともに形成された窒化シリコン膜の膜厚
および屈折率が大きく増加し、その下部電極上における
均一性の悪いことがわかる。
その原因については以下のように考えられる。第１図に
示したように従来装置においては、反応気体は下部電極
３の中央より導入され一対の対向電極２と３との間を流
れて下部電極３の周辺より排気口４へと排気される。こ
の場合、反応気体は一対の対向電極間を流れていく間に
分解が進行するために下部電極３上において動径方向に
膜厚および膜質の不均一性が生ずると考えられる。
示したように従来装置においては、反応気体は下部電極
３の中央より導入され一対の対向電極２と３との間を流
れて下部電極３の周辺より排気口４へと排気される。こ
の場合、反応気体は一対の対向電極間を流れていく間に
分解が進行するために下部電極３上において動径方向に
膜厚および膜質の不均一性が生ずると考えられる。
本発明は反応気体の流れを均一化することにより形成さ
れる薄膜の膜厚および膜質の均一化をはかったものであ
る。第３図に本発明の実施例を示す。本発明においては
反応気体は上部電極１２にあけられた多数の吹き出し穴
１８より反応器１１内に導入され、下部電極１３におい
て基板１６を保持する部分の周辺にあけられた多数の排
気穴１９により排気口１４へと排気される。このように
することにより水平面内で均一な土工方向の反応気体の
流れが得られる。
れる薄膜の膜厚および膜質の均一化をはかったものであ
る。第３図に本発明の実施例を示す。本発明においては
反応気体は上部電極１２にあけられた多数の吹き出し穴
１８より反応器１１内に導入され、下部電極１３におい
て基板１６を保持する部分の周辺にあけられた多数の排
気穴１９により排気口１４へと排気される。このように
することにより水平面内で均一な土工方向の反応気体の
流れが得られる。
第４図に本実施例の装置で形成した窒化シリコン膜の膜
厚および屈折率の下部電極上における動径方向の分布を
示す。同図における膜形成粂件は第２図のものと同一で
ある。同図から本発明によれば膜厚および膜質の均一性
が良好な薄膜を形成することができることがわかる。
厚および屈折率の下部電極上における動径方向の分布を
示す。同図における膜形成粂件は第２図のものと同一で
ある。同図から本発明によれば膜厚および膜質の均一性
が良好な薄膜を形成することができることがわかる。
なお第４図には本実施例の装置で形成した窒化シリコン
膜の膜厚および屈折率の分布を示したが、酸化シリコン
膜、酸窒化シリコｙ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ０ｘｙｎｉ−
ｔｒｉｄｅ）膜、非晶質シリコン膜等についてイ）同様
（こ良好な均一性を得た。
膜の膜厚および屈折率の分布を示したが、酸化シリコン
膜、酸窒化シリコｙ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ０ｘｙｎｉ−
ｔｒｉｄｅ）膜、非晶質シリコン膜等についてイ）同様
（こ良好な均一性を得た。
第１図は従来のグロー放電を用いた尚膜形成装置の断面
図、第２図は従来の装置で形成した窒化シリコン膜の膜
厚ならびに屈折率と下部電極、にでの基板位置との関係
を示すグラフ、第３１・凶は本発明の一実施例における
グロー放電を１［１いた薄膜形成装置の断面図、第４図
は本発明の一実１１＋Ｈ例にユＩ６ける薄膜形成装置で
作成した窒化シリコン膜の膜厚ならびに屈折率と下部電
極上での基板位置との関係を示すグラフである。 各図において、ｌと１１は反応器、２と１２は上部電極
、３と１３は下部電極、４と１４は排気口、５と１５は
導入口、６と１６は基板、７と１７はヒータ、１８は吹
き出し穴、１９は排気穴である。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸 第 １ 図 第 Ｚ 図 下飾電藤の中Ｉ１．：力−）の￥Ｅ舊１ｃπ）χ３ （
２） 第 ４ 図 下ＯＩ吃λりの中ＩＬカ′プの距離（ｃ筑ｐ第１頁の続
き （塑発 明 者 原田征喜 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ３７１
図、第２図は従来の装置で形成した窒化シリコン膜の膜
厚ならびに屈折率と下部電極、にでの基板位置との関係
を示すグラフ、第３１・凶は本発明の一実施例における
グロー放電を１［１いた薄膜形成装置の断面図、第４図
は本発明の一実１１＋Ｈ例にユＩ６ける薄膜形成装置で
作成した窒化シリコン膜の膜厚ならびに屈折率と下部電
極上での基板位置との関係を示すグラフである。 各図において、ｌと１１は反応器、２と１２は上部電極
、３と１３は下部電極、４と１４は排気口、５と１５は
導入口、６と１６は基板、７と１７はヒータ、１８は吹
き出し穴、１９は排気穴である。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸 第 １ 図 第 Ｚ 図 下飾電藤の中Ｉ１．：力−）の￥Ｅ舊１ｃπ）χ３ （
２） 第 ４ 図 下ＯＩ吃λりの中ＩＬカ′プの距離（ｃ筑ｐ第１頁の続
き （塑発 明 者 原田征喜 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ３７１
Claims (1)
- 反応気体を導入口ならびに上部電極にあけられた多数の
孔から反応器内に導入し且つ下部電極の基板保持部分の
周辺にあけられた多数の孔から排気口へ排気するように
構成されてなることを特徴とするグロー放電を用いた薄
膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17986082A JPS5877568A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | グロ−放電を用いた薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17986082A JPS5877568A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | グロ−放電を用いた薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877568A true JPS5877568A (ja) | 1983-05-10 |
| JPS6210303B2 JPS6210303B2 (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=16073173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17986082A Granted JPS5877568A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | グロ−放電を用いた薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877568A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2550044A1 (fr) * | 1983-07-05 | 1985-02-01 | Parrens Pierre | Appareil de traitement par plasma de substrats en forme de plaquettes |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP17986082A patent/JPS5877568A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2550044A1 (fr) * | 1983-07-05 | 1985-02-01 | Parrens Pierre | Appareil de traitement par plasma de substrats en forme de plaquettes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6210303B2 (ja) | 1987-03-05 |
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