JPS5877447A - 表面研摩法とその装置 - Google Patents

表面研摩法とその装置

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JPS5877447A
JPS5877447A JP56172835A JP17283581A JPS5877447A JP S5877447 A JPS5877447 A JP S5877447A JP 56172835 A JP56172835 A JP 56172835A JP 17283581 A JP17283581 A JP 17283581A JP S5877447 A JPS5877447 A JP S5877447A
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Toshiji Kurobe
黒部 利次
Osamu Imanaka
今中 治
Eijiyuu Hatano
波田野 栄十
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TOYO KENMAZAI KOGYO KK
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、加工物とポリシャ間に砥粒なはさみ、両者
の相対運動によって加工物表面を研摩する表面研摩法と
その装置に関する。
かかる表面研摩法は、従来、例えばラップ仕上又はパフ
仕上の場合、加工物をラップ又はパフの如きポリシャに
押し付けて研摩するようになっており、この押し付は力
つまり加工圧は、作業者の経験と熟練に依存するところ
が大で、自由に制御することは困難であった。
この発明は、加工圧を自由に制御することのできる表面
研摩法とその装置を得ることを目的としている。
この発明は、磁性流体が磁石に引付けられる力を利用し
たものである。磁性流体は、液相中にコロイrサイズの
強磁性微粉末を分散させたコロイド溶液であって、分散
質が150X程度以下と極めて微細であるため常磁性的
挙動を示す超常磁性の磁気的性質を有する。従って磁場
を印加すれば、磁性流体は磁束径路に引き寄せられ、特
に磁束密度の大きい方に引き寄せられる性質がある。
第1図にもとづいてこの発明の詳細な説明すると、回転
又は往復動可能な加工盤1に設けたみぞ2内に磁性流体
を充填し、この磁性流体を膜状のポリシャ3内に封じ込
め、ポリシャ3上に形成した加工室4内にポリシ液を収
容して、ポリシ液と磁性流体を膜状のポリシャ3で仕切
る。加工物5を加工室4のポリシ液中に浸漬しその被加
工面をポリシャ膜乙にすきまを置いて対面又は接触させ
、加工物5に対向するみぞ部分の磁性流体に点線で示す
磁束φの径路を形成するように磁場を印加すると、みぞ
2内の磁性流体は磁束形成部に引き寄せられて液面が盛
り上がり、ポリシャ膜3は、点線で示すように膨出し、
ポリシ液中の砥粒なはさんで加工物5の被加工面に押し
付けられる。そこでポリシャ膜6と加工物5の両者を相
対運動させれば加工物の表面研摩が行われる。磁場を電
磁石により印加すれば、電流の大きさに比例して磁束密
度を変えることができ、ひいては磁性流体を引きよせる
力を変えることができ、結局はポリシャ膜3の押し付は
力つまり加工圧を変えることができる。従って、磁場形
成用電流を無段に変えることKより加工圧を自由に制御
することができる。
以下この発明の詳細な説明する。第2図に示す研摩装置
において、11は厚さ約5w+mの黄銅製の如き非磁性
体の円形加工盤つまり円盤、12は円盤11の片面に穿
設した外径145■、内径109m、深さ3.5m*の
ドーナツ形のみぞ、1314はアクリル製の内側円環、
15はアクリル製の外側円環であって、両日環14及び
15と円盤11間にゴム板13をはさみ両日環を円盤に
ねじ止め16をしてゴム板13を円盤11に固定する。
ゴム板の固定は、先に内側円環14をねじ止めし、次い
でゴム板13を張りながら外側円環15をねじ止めして
、ゴム板が円周全域にわたって均一な弾性を持つように
固定するとよい。17及び17はそれぞれ通路18を介
してみぞ12に連絡した1対の注入口であって、一方の
注入口から磁性流体をみぞ12内に流し込みながら他方
の注入口からみぞに残っている空気を抜き取り、みぞ1
2内に充満するまで磁性流体を充填する。磁性流体の充
填は、ゴム板16に余分な圧力が加わらないように流量
を調節することが望ましい。充填後、注入口17を弁そ
の他適当な手段で密閉する。内側及び外側円環14及び
15は、ゴム板16を底壁として上端を開放・し、かつ
ポリシ液を収容する環状の加工室19を形成する。円盤
11は下部回転軸20の上部にアクリル製ワッシャ21
及び22を介してナツト23により固定され、下部回転
軸20は、支持台24に設けた下部台25に縦に間隔を
おいて設けた軸受26及び26に支承され。
その下部にプーリ27を取付け、これによりプーリ27
の回転が円盤11に伝えられる。
円盤11をはさんで上部電磁石28及び下部電磁石29
を対設する。上部電磁石28は、黄銅管に直径0.8簡
のエナメル線を巻いたもので、支持台24にねじ止め3
0した上部台31に固定され、内部円管28aと外部円
管28b間のすきま32に冷却水を流して軟鋼製鉄心6
3の通電中の熱膨張を防止している。鉄心33は、内部
円管28aを貫通して上方に伸長し、上部台31に設け
た軸受34に回転可能に支承された黄銅円管製のスリー
ブ35に固定ねじ36により固定され、スリーブ65に
プーリ37を取付け、これにより鉄心33を円盤11と
同じ回転数で回転させる。上部電磁石の鉄心63は、そ
の先端部が磁極として磁束放射機能を有すると共に、ゴ
ム板13に被加工面をすきまを置いて対面又は接触させ
るように加工物を担持する機能を有し、その下端には黄
銅円柱製の加工物取付台38が接着その他適当な手段で
取付けられ、鉄心に対する加工物の取付は取外しは、固
定ねじ36をゆるめて鉄心33を抜き出すことによって
行われる。鉄心66の上端には黄銅製の丸頭ボルト39
がねじ込まれ、ボルト39の頭に接触できるようにマイ
クロメータヘッド40を上部台31に取付ける。マイク
ロメータヘッド40は、加工物取付台38に取付けた加
工物を加工室19に配置する際、鉄心33の上下位置を
調節したとき、その鉛直方向の移動距離を読取り、以後
新たな加工物を加工室に配置する毎に、鉄心33をヘッ
ド40の読みに合わせて鉄心位置つまりは加工物位置の
再現性を得るようにしている。加工物の取付は取外しの
ため鉄心63を抜き出す際ヘッド40が邪魔にならぬ様
に、マイクロメータヘッド40全体を上部台に旋回又は
上下スライド可能に取付けることが望ましい。下部電磁
石29は、軟鋼の固定鉄心41に薄肉の黄銅管をかぶせ
、その上から直径0.8鴎のエナメル線を巻いたもので
、鉄心41が上部電磁石の鉄心33と同軸となるように
下部台25に固定されている。上方板29aから突出し
ている鉄心41の先端磁極部41aを。
磁力線分布を変えるため例えば、昭和56年実願第40
649号に記載した不均一磁場形成用の磁極用鉄心の如
き磁極形状に変えることができるように着脱自在として
もよい。
上記のように構成された研華装置において、鉄心33の
加工物取付台38に研摩すべき加工物を接着し、加工物
の被加工面がゴム板13に接触しかつ自転できる程度に
又はゴム板から少なくとも砥粒の粒子径よりは大きなす
きまをおいて対面する程度に鉄心63の上下位置を調節
して鉄心33をねじ36で固定する。プーリ27及び3
7に接続するインダクションモータ(図示なし)を起動
して円盤11及び鉄心66を回転する。上下電磁石28
及び29の電磁石イルに直流電流を通電すると、第6図
に示すように、鉄心66の下端の磁極例えばN極とこれ
に対向する鉄心41の上端の磁極例えばS極間に磁束φ
が形成され、これにより両磁極間を通過する円盤11の
みぞ12内の磁性流体に磁場が印加され、みぞ12内の
磁性流体は磁界の強いところに集まろうとする。そのた
め同じく両磁極間を通過するゴム板16の部分が第1図
に示したように加工物に向は上方に盛り上がり、このゴ
ム板部分が加工室19内のポリシ液中の砥粒をはさんで
加工物表面に押し付けられ、被加、工面の研摩が行われ
る。電磁コイルに流す電流の強さを加減することにより
ゴム板13による加工圧が制御され、従って加工量が制
御される。
上記実施例に係る研摩装置たよって得られた加工例は次
の通りであった。
(1)  印加する磁場の大きさつまり磁束密度は電流
によって変えることができ、両者の関係は第4図に示す
通りであった。電磁石のコイルに流す直流電流はスライ
ダツクスにより調節し、磁束密度の測定は鉄心36に取
付けた加工物の面上で行った。
(2)電磁石のコイルに流す電流とゴム板による加工圧
の関係は第5図に示す通りであった。測定は、ひずみゲ
ージを接着したリン青銅板に加工物と同形の試料を接着
し、リン青銅板を片持梁式に支持して試料下面をゴム板
13に接触させ、円盤11のみを回転した上で上下電磁
石28及び29に通電し、す/青銅板の変位を測定し、
その平均変位をとって加工圧に換算した。その手順は下
表に示す通りである。試料のガラスの直径は16■。
であるから、リン青銅板に加わる力がら加工圧を求める
ことができる。下表において予荷重というのは自重によ
る荷重のことである。
0、  1.1  0.5   2.3   1.14
0.2  6.0  1.5   3.3   1.6
40.4  24.0  5.7   7.5   3
.730.6  38.8  9.3  11.1  
 5.520.8  52.3 12.8  14.6
7261.0  64.4 15.5  17:3  
 8.611.2  6B、2 16.4  18.2
   9.05(3)下記の条件で表面研摩した場合、
電磁石のコイルに流す電流と加工量つまり加工前後の加
工物の質量減の関係は第6図に示す通りであった。
同図において加工量lv/hは1時間当りの平均をとっ
て示しである。
加工物二ンーダ石灰ガラス、直径約16ttynの円板
、厚み約1.21m、 GO砥粒SIG * 400で
粗ラッピングの前加工したもの。
ポリシ液:GC砥粒5iC18()Qと水を重量比3,
8対12で混合したもの。
回転数:  30r、 p、 m ポリシ時間:60分 加工圧= 1〜8.521伽2 磁性流体:フェリコロイドDES −40、タイホーエ
業株式会社製、グイエステ ルをベースとしたもの。
ポリシャ:約1m厚の生ゴム製ゴム板。
(4)上記の条件で得られた加工面の表面あらさは第7
゛図に示す通りであった。測定は加工面の直径上で測定
した。第7図において、(イ)図は前加工面、(ロ)図
は電流OA及び加工圧1f31/cM2、(ハ)図は電
流0.2人及び加工圧1.8 ffi/m2、に)図は
電流0.4A及び加工圧3.7 fN/cm2、(ホ)
図は電流0,6A及び加工圧5.52重/cfn2、(
へ)図は電流0.8A及び加工圧7.3f重/cm2、
(ト)図は電流1.OA及び加工圧89*jcm2の場
合を示し、(イ)ないしくト)図においてα曲線は加工
面の中央部を、β曲線は加工面の周辺部を示している。
第8図は上記条件下の研摩において各電流値に対応する
表面あらさの変化を示したもので、同図において白丸は
中央部を黒丸は周辺部を示している。第9図は、上記条
件で研摩した後、GC砥粒SiC*1500と水を2.
5対12の重量比で混合したポリシ液で更に研晰した場
合の電流と表面あらさの関係を示すもので、白三角は中
央部を黒三角は周辺部を示している。
(5)上記加工例から下記の事項が確認された。
印 電流に比例した加工圧が得られる。
(ロ)電流を増加させるにつれ、加工量が増加し、表面
あらさが小さくなる。
(ハ)加工量の変化は電流に対する加工圧の関係と一致
する。
に)加工後の表面あらさば、中央部と周辺部では異なり
、中央部の方が小さくなる傾向がある。
第2図に示す装置において、加工室19内のポリシ液中
の砥粒を分散させる手段例えば刷毛42を第10図に示
すように支持台・24に取付け、円盤11の回転と共に
刷毛42でポリシ液を攪拌し、加工室19内で砥粒濃度
が均一に分散するようにすることが望ましい。ポリシャ
と加工物の相対運動は回転運動に限らない。例えば第1
1図に示すように、磁性流体の収容みぞ12及び加工室
19を直線状として、回転する円形加工盤の代り忙左右
に往復運動する直方形加工盤11としてもよい。
場合により、上部電磁石の鉄心を回転させることなく静
止した状態でもよい。また場合により、−・方の電磁石
を省略してもよい。例えば第12図に示すように、上部
電磁石28を省略し、鉄心の代りにラップ棒133を回
転可能に設け、このラップ棒な加工物の担持手段として
その下端に加工物取付台68を設けた構造としてもよい
。この場合、磁束は下部電磁石の鉄心41の先端の磁極
からラップ棒133の下端に向けて形成されるが、第3
図に示す場合よりも磁界が拡がって磁性流体の集中も少
な(なり、やや能率が落ちる傾向がある。
i2.11及び12図において、加工物を膜状のポリシ
ャ160表面に必ずしも接触させる必要はなくすきまを
置いて対置させてもよい。この場合、鉄心33及θラツ
プ棒163の回転に従いすきま内を砥粒が流動して流体
研摩が行われる。従って第2,11及び12図に示す装
置によれば、膜状のポリシャ表面に対する加工物の取付
は位置次第で、加工圧を加えたポリシングをしたり或は
砥粒の動きによる流体研摩をしたりすることもできる。
けることができれば、ゴム板に限らず他の任意の材料の
ものでよい。例えば、ゴム板に通常使用されているポリ
シャを貼り付けるとか、スポンジ状のポリシャを使用す
ることも可能であり、またテープにバインダを介して砥
粒を貼り付けて使用畔ることも可能である。膜状ポリシ
ャ材の選定に当っては下記の如きポリシャ如必要な力学
的性質を考慮するとよい。砥粒が有効に作用するために
は砥粒が余り早くポリシャに埋め込まれない方がよい。
ポリシャは適当な粘性、又は遅延弾性があるとよい。ポ
リシャが加工物例えばガラスに接着するのを避け、ポリ
シャと加工物の間にポリシ液がゆきわたるためには、ポ
リシャ表面が水に濡れ易くなることも必要である。砥粒
が加工物表面例えばガラス面に作用する時、その反作用
としてポリ関 シャに瞬時的な力が加わるが、この力によってポ藺 リシャ局部が変形してしまわないためには、瞬時弾性の
大きいことも望ましい。膜状のポリシャをそれ自体砥粒
を担持したもの或は例えばアブラシベルトの如く砥粒を
散布したものとすれば、工作液を使用せず乾式で行うこ
ともできる。
第13図ないし15図はこの発明を使用した研削盤方式
の表面研摩加工を例示するものである。
第13図は円筒外面みがきの場合を示し、同図において
、管状の加工盤11の内周に磁性流体収容の内周みぞ1
2を設け、磁性流体を封じ込むようにポリシャ膜13を
管状に取付け、加工盤11の直径方向に1対の電磁石2
8及び29を対設する。
加工すべき丸棒50を、その被加工面がポリシャ16の
表面に接触又はすきまを蓋いて対面するように、管状の
ポリシャ膜内に挿入し、電磁石28及び29に通電して
両磁極N、 8間に磁束φを形成すると1.)? IJ
シャ膜13が図示の如く盛り上って丸棒表面に押し付け
られる。丸棒50を回転すると共に、加工盤11を丸棒
50とは反対方向に回転させるか又は静止させ、電磁石
28及び29を単独でか又は加工盤11と共に左右に往
復動させて円筒外面みがきを行う。第14図は円筒内面
みがきの場合を示し、スピンドル60を取付けた円柱状
の加工盤11の外周に磁性流体収容の外周みぞ12を設
け、磁性流体を封じ込むようにホリシャ膜16を円筒状
に取付け、加工盤11を加工物50の孔の中に挿入して
回転させ、加工物50の直径方向に対設した1対の電磁
石28.29に通電し、電磁石又はスピンドルを左右に
往復動させるか、或は加工物を左右に往復動させて円筒
内面みがきを行う。第15図は平面みがきの場合を示し
、スピンドル60を取付けた円形加工盤11の片面に磁
性流体収容のドーナツ形みぞ12を設け、磁性流体を封
じ込むようにポリシャ膜13を平板状に取付け、ポリシ
ャ膜を加工物500表面に接触させ、加工盤及び加工物
をはさんで対設した1対の電磁石28.29に通電し、
加工盤11を回転すると共に、加工WSOを左右に往復
動させかつ紙面に垂直方向に送るととにより表面みがき
を打ち。第16ないし15図に示す表面@孝加工におい
て、膜状のポリシャ15にはそれ自体砥粒を担持したポ
リシャ膜を使用する。また場合により対設する1対の電
磁石を円周に沿って複数個配設してもよい。
加工盤11は、必らずしも全体を非磁性体とする必要は
なく、磁束φの通過部分のみを非磁性材第16ないし1
5図に示す装置の場合には、磁性上下電磁石の各磁極は
、図示のように互#!c異極とする以外に、場合により
同極として七〇反尭力を利用してポリシャ膜を変位させ
加工圧を得るようにしてもよい。磁性流体に印加する磁
場は磁力線が磁極面のラジアル方向に概ね均等に分布し
た均一磁場でよい。しかし、特殊な局在したみがきを必
要とする場合は磁場勾配のある、例えば磁極面のラジア
ル方向に磁束密度が不均一に偏在した不均一磁場をかけ
るとよい。この場合、磁性流体が不均一磁場のうち%に
磁束密度の高い方へ集中し、これに伴いホIJシャ膜が
特定方向にのみ変位して加工物に対し局部的に偏った加
工圧を得ることになる。電磁石のコイルに流す電流を直
流に限らず交流として、ある一定の圧力を中心として交
流の振動数に合わせて強弱の力を交互に加えることも可
能である。前記した条件下の加工例は例示であって、加
工物の材質、大きさ又は平面ないし曲面の如き表面形状
に従いそれぞれに適したポリシャ、ポリシ剤、磁性流体
等の諸条件を選定すればよい。また図示した表面研摩加
工及び装置は、例示であって、状況如応じこの発明の範
囲内で種々変形し得ることは理解できよう。
以上説明したように、この発明は、磁性流体に磁場を印
加することにより膜状のポリシャを被加〒面に押し付け
て加工圧を得るので、磁場印加用電流を容易に無段に変
えて加工圧を自由に制御することができる。また電流の
制御忙よって加工圧の制御を自動化することもできる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の原理を示す概要図、第2図はこの発
明による表面研摩加工を一部断面にして示す正面図、第
6図は磁性流体に対する磁場印加を示す概要図、第4図
は電流と磁束密度の関係を示すグラフ、第5図は電流と
加工圧の関係を示すグラフ、第6図は電流と加工量の関
係を示すグラフ、第7図はこの発明によって得られた加
工物の表面あらさを例示する線図、第8図は電流と表面
あらさの関係を示すグラフ、第9図は電流と表面あらさ
の関係を示すグラフ、第10図は加工室内の砥粒分散用
の刷毛を示す一部断面にした部分正面図、第11図は加
工盤の変形例を一部断面にして示す部分正面図、第12
図は上部電磁石を省略した変形例を一部断面にして示す
部分正面図、第13図はこの発明を使用した円筒外面み
がきを例示する一部断面にした概要図、第14図は円筒
内面みがきを例示する概要図、及び第15図は平面みが
きを例示する概要図である。 1・・・・・・加工盤、  2・・・・−磁性流体の収
容みぞ。 3・・・・・・膜状のポリシャ、  4・・・・・・ポ
リシ液の収容室。 5・・・・・・加工物、  11・・・・・・加工盤、
  12・・・・・・収容みぞ、  13・・・・・・
ポリシー?、   19・=加工室。 28・・・・・・上部電磁石、  29・・・・・・下
部電磁石。 36・・・・・・上部電磁石の磁極用鉄心、  38・
・・・・・加工物取付台、  41・・・・・・下部電
磁石の磁極用鉄心。 代理人 弁理士 渡辺昭二 祖/図 1 毛3図。 1E)Δ 図 電 、九 (A) 見5I2] 電 、丸 tar #7 図 +1ン ρ 襄8 図           尾q図303− 尾10  図 、)1 尾72図 35 尾73図 襄lΔ口 襄76図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、膜状のポリシャ内に磁性流体を封じ込め、加工物の
    被加工面を前記ポリシャの表面に対面又は接触させ、ポ
    リシャと加工物の両者を相対運動させ、磁性流体に磁場
    を印加することにより前記ポリシャを被加工面に押し付
    けることを特徴とする表面研摩法。 2、前記加工物を砥粒を含むポリシ液中に浸漬させた特
    許請求の範囲第1項に記載の表面研摩法。 3、前記ポリシャがそれ自体砥粒を担持したものとなっ
    ている特許請求の範囲第1項に記載の表・面研摩法。 4、磁性流体の収容みぞを有する加工盤と、収容みぞを
    覆って磁性流体を封じ込むよ5に前記加工盤に取付けた
    膜状のポリシャと、磁性流体に磁場を印加するための電
    磁石と、被加工面を前記ポリシャに対面又は接触させる
    ように加工物又は加工盤を担持する手段と、加工盤と加
    工物を相対運動させる手段とを備えてなる表面研摩装置
    。 5、前記加工盤をはさんで少くとも1対の又は上部及び
    下部の電磁石を対設した特許請求の範囲第4項に記載の
    表面研摩装置。 6、前記ポリシャを底壁とした加工室を前記加工盤に設
    け、該加工室に砥粒を含むポリク液を収容した特許請求
    の範囲第5項に記載の表面研摩装置。 7、前記加工盤をドーナツ形のみぞを有する回転可能な
    円盤とし、該円盤をはさんで上部及び下部の電磁石を対
    設し、上部電磁石の鉄心を加工物担持手段としかつ回転
    可能とした特許請求の範囲第6項に記載の表面研摩装置
    。 8、前記加工盤を直線状のみぞを有する往復動可能な直
    方形加工盤とし、該加工盤をはさんで上部及び下部の電
    磁石を対設し、上部電磁石の鉄心を加工物担持手段とし
    かつ回転可能とした特許請求の範囲第6項に記載の表面
    研摩装置。 ′9.上部電磁石を省略し、上部電磁石の鉄心の代りに
    回転可能なラップ棒を設けた特許請求の範囲第7項に記
    載の表面研摩装置。 10、それ自体砥粒な担持した膜状のポリシャを使用し
    、磁性流体収容の内周みぞを設けた管状の加工盤に管状
    のポリシャ膜を取付け、加工盤の直径方向に少なくとも
    1対の電磁石を対設し、加工物を管状のポリシャ膜内に
    挿入して円筒外面みがきを行う特許請求の範囲第5項に
    記載の表面研摩装置。 11、それ自体砥粒を担持した膜状のポリシャを使用し
    、磁性流体収容の外周みぞを設けた円柱状の加工盤に円
    筒状のポリシャ膜を取付け、加工物の直径方向に少なく
    とも1対の電磁石を対設し、加工盤を加工物の孔の中に
    挿入して円筒内面みがきを行う特許請求の範囲第5項に
    記載の表面研摩装置。 12、それ自体砥粒を担持した膜状のポリシャを使′用
    し、磁性流体収容のドーナツ形みぞを設けた円形加工盤
    に平板状のポリシャ膜を取付け、加工盤及び加工物をは
    さんで少なくとも1対の電磁5触させて平面みがきを行
    う特許請求の範囲第5項に記載の表面研摩装置。
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