JPS5875149A - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents

ポジ型感光性樹脂組成物

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JPS5875149A
JPS5875149A JP17324981A JP17324981A JPS5875149A JP S5875149 A JPS5875149 A JP S5875149A JP 17324981 A JP17324981 A JP 17324981A JP 17324981 A JP17324981 A JP 17324981A JP S5875149 A JPS5875149 A JP S5875149A
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JP
Japan
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copolymer
photosensitive resin
resin composition
positive type
type photosensitive
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Pending
Application number
JP17324981A
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English (en)
Inventor
Yukihiro Hosaka
幸宏 保坂
Yoichi Kamoshita
鴨志田 洋一
Yoshiyuki Harita
榛田 善行
Toko Harada
原田 都弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はポジ型感光性樹脂組成物に関する。
さらに詳述すれば、ロット間のバラツキが少なく、かつ
高感度のポジ型感光性樹脂組成物に関する。
現在、集積回路作製のために使用されているポジ型線光
性′樹脂組成物の大部分は、フェノール・ノボラック樹
脂に1,2−キノンジアジド化合物を添加してなる感光
性樹脂組成物である。
フェノール・ノぢラック樹脂はフェノール類とアルデヒ
ド類とを付加縮合して作るが、フェノール類の反応点が
多いため、生成し九フェノール、・ノボラック樹脂中に
は多種類の多核体が含まれる。また、反応条件などの微
妙な差が生成−+ス名酋億の両回を轡多スの〒 1−2
−キノンジアジド化合物を添加してなるポジ型感光性樹
脂組成物の性能に著しい影響を及ぼす。現在市販されて
いるこの種のポジ型感光性樹脂組成物の最大の欠点は、
素材であるフェノール・ノボラック樹脂の製造時の再現
性の悪さに由来するロフト間のバラツキである。
マタフェノール・ノボラック樹脂が硬く、脆いこと4こ
の種のポジ型感光性樹脂組成物の欠点の一つであり、こ
れを塗布することによりシリコンウェハー上に形成され
た感光性フィルムにパターンマスクを真空密着し走時に
感光性フィルムが割れやすく1歩留シを著しく低下させ
る。
かかる欠点を改良する九めに鋭意検討し九結果、モノオ
レフィン系不飽和化合物とα、β−エチレン性不飽和カ
ルボン酸を共重合してなる数平均分子量SOO〜10,
000の共重合体と、1.2−キノンジアジド化合物と
を含有するポジ型感光性樹脂組成物は、上記フェノール
・ノボラック樹脂系レジストの欠点を解決できるεとを
見出し、厩に特許出願<ttii願’m56−1421
37 >をし丸、そのごさらに鋭意検討したところ、α
、β−エチレン性不飽和カルボン酸■とこれと共重合し
うる単量体■との共重合体と、一般式 (式中bR1〜R,は同一または異なり、水素、アルキ
ル基、アルコキシ基、水酸基または−OR,であ抄、R
・はアルキル基、アリール基、アラルキル基であり、R
マは1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル基
、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基、
l、2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニル基であ
る。iた。R1−R,の少くとも1つは−OR,であり
、かつ−OR,の数は3つを超えない。) で示される1、2−キノンジアジド化合物を含有するポ
ジ型感光性樹脂組成物を使用すると。
フェノール・ノボラック樹脂系感光性樹脂組成物の欠点
が改良されるとともに感度が著しく向上することを知見
し1本発明に到達した。
上記α、β−エチレン性不飽和カルボン酸囚としては、
例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモ
ノカルボン酸、マレイン酸。
フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸など
のジカルボン酸、無水マレイン酸、無水イタコン酸がど
の酸無水物、マレイン酸七ノエチル、フマル酸モノエチ
ル、イタコン酸モノエチルなどのジカルボン酸のモノエ
ステル類を挙げる午とができる。これらα、β−エチレ
ン性不飽和カルボン酸(へ)の共重合量は好ましくは5
〜40モル%、特に好ましくは′5〜25モル%である
。5モル%未満では共重合体のアルカリ溶解度が減少す
るため、アルカリ現儂時に現像残りの現象や感度低下が
認められる。逆に40モル%を超えると、未露光部のア
ルカリ溶解速度が大きくなり、アーカIJll儂時の一
膜率が低下する。
α、β−エチレン性不飽和カルボン酸囚と共重合しうる
単量体0としては% 1,3−ブタジェン、イソプレン
、クロロプレン、ジメチルブタジェンなどの共役ジオレ
フィン化合物、メチルメタクリラート、エチルメタクリ
ラート、n−ブチルメタクリラート、シクロヘキシルメ
タクリラート、フェニルメタクリラート、2−ヒドロキ
シエチルメタクリラートなどのメタクリル酸エステルま
たはアクリル酸エステルやスチレン、α−メチルスチレ
ン、アクリロニトリル、塩化ビニル、メタクリルアミド
、酢酸ビニルなどのモノオレフィン系不飽和化合物を用
いることができる。これら単量体0の共重合量は好まし
くは@〜95モル%、特に好ましくは75〜95モル%
である。60モル%未満では相対的にα、β−エチレン
性不飽和カルボン酸囚の共重合量が増加するので、アル
カリ現像のコントロールが難かしく、95モル%を超え
ると、逆にα、β−エチレン性不飽和カルボン酸■の共
重合量が減少するので、アルカリ現像逅困難となる。
これら単量体0のうち、レジストの特性としてシリコン
基板への接着性や%に柔軟なレジスト皮膜が必要とされ
る場合、共役ジオレフィン化合物を共重合体の一成分と
して使用するが、その共重合量は好ましくはωモル%未
満、特に好ましくは旬モル%未満である。これらの単量
体0は数種混合して使用−することもできる。
本発明で用いる共重合体の重合法は%に限定するもので
はないが、主として溶液ラジカル重合法によって合成さ
れる。この場合に用いられる溶媒は後述のポジ型感光性
樹脂組成物作製に使用される各種溶媒、の他、メタノー
ル、エタノール%n−プロパツールナトのアルコール類
やテトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類な
どが使用される。また数種類の溶媒を混合使用してもよ
い。とくに好適に使用されるのはアルコール類である6
重合触媒には通常のラージカル重合開始剤が使用でき1
例えば2.2−アゾビスイノブチロニトリル、2,2−
アゾビス−(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2゜
グーアゾビス−(4−メトキシ−2,4−ジメf A/
 /< 1/ ロニトリル)などのアゾ化合物、ベンゾ
イルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、t−プチ
ルペルオキシピパレー)、1.1−ビス−(I−ブチル
ペルオキシ)シクロヘキサンなどの有機過酸化物及び過
酸化水素などである。
過酸化物をラジカル重合開始剤に使用する場合、還元剤
を組み合せてレドックス型の開始剤としてもよい。連鎖
移動剤としてはn−アミルメルカプタン、t−アミルメ
ルカプタン、n−へキシルメルカプタン、軟−へキシル
メルカプタン。
n−ノニルメルカプタン、t−ノニルメルカプタン、n
−ドデシルメルカプタン、t−ドデシルメルカプタンな
どのメルカプタン類、四塩化炭素、四臭化炭素などのハ
ロゲン化炭化水素類が好適に使用される。
また1本発明で用−る共重合体の数平均分子量は通常5
oo−io、oooであシ、好ましくは向〜s、ooo
である。このような数平均分子量の共重合体を用いるこ
とにょシ1本発明のポジ型感光性樹脂組成物の感度をさ
らに高めることができる。
本発明で用いる共重合体は上記のように通常ラジカル付
加重合法で合成するが、使゛用する各単量体はそのもの
自身の反応性に従って重合するので1重合前期と後期で
は瞬時に生成する共重合体の共重合組成は異なっている
のが普通である。しかし本発明で用込るα、β−エチレ
ン性不飽和カルボン酸囚とこれと共重合しうる単量体(
ロ)との共重合体においては、重合反応中の複数の任意
の時点における各共重合成分の共重合量(共重合組成)
の標準偏差が3以下、好ましくは2以下であるようKし
て製造した組成分布の狭い共重合体を使用するととKよ
抄本発明のポジ型感光性樹脂組成物のロフト間の均一性
や感度をよ〉高めることができる。
上記のようKして重合される共重合体は、α。
β−エチレン性不飽和カルボン酸囚、単量体■のいずれ
もが単官能性であるために線状高分子と見做されるもの
でちゃ、多愉能性単量体を付加縮合するフェノール・ノ
ボラック樹脂とけ異なりて再現性よく一定の特性を持つ
共重合体が得られるために、これを素材としたポジ型感
光性樹脂はその品質を一定に保つことができる。
本発明で使用される1、2−キノンジアジド化合物は1
例えば1.2−す7トキノンジアジドー4−スルホニル
クロリド% 1.2−1フトキノンジアジド−5−スル
ホニルクロリド、または1.2−ベンゾキノンジアジド
−4−スルホニルクロリドなどと以下に例示するヒドロ
キシ化合物などをアルカリ触媒下で縮合することKより
合成することができる。
上記ヒドロキシ化合物としては、0−ヒドロキシ安息香
酸エチル、0−ヒドロキシ安息香酸プロピル、O−ヒド
ロキシ安息香酸ノニル%〇−ヒドロキシ安息香酸ラウリ
ル、m−ヒドロキシ安息香酸エチル、m−ヒドロキシ安
息香酸プロピル、m−ヒドロキシ安息香i1ノニル、m
−ヒドロキシ安息香酸ツウリル%p−ヒドロキシ安息香
酸エチル、p−ヒドロキシ安息香酸□プロピル、p−ヒ
ドロキシ安息香酸ノニル、p−ヒドロキシ安息香酸ラク
リル%p−ヒドロキシ安息香酸フェニル、p−ヒドロキ
シ安息香酸ベン身ル等のヒドロキシ安息香酸エステル類
、2゜4−ジヒドロ午シ安息香酸エチル、2.4−ジヒ
ドロキシ安息香酸ラウリル、2.5−ジヒドロキシ安息
香酸エチルs2,5−ジヒドロキシ安息香酸ラウリル3
.5−ジヒドロキシ安息香酸エチル、°3 、5−ジヒ
ドロキシ安息香酸ラウリル、3.5−ジヒドロキシ安息
香酸フェニル。
3.5−ジヒドロキシ安息香酸ベンジル、2゜3.4−
トリヒドロキシ安息香酸エチル、2゜3.4−トリヒド
ロキシ安息香酸プロピル、2゜3.4−トリヒドロキシ
安息香酸ラウリル、2゜3.4−)リヒドロキシ安息香
酸セチル%2゜3.4−)ジヒドロキシ安息香酸フェニ
ル、2゜3.4−)リヒドロキシ安息香酸べ/ジル、2
゜4.6−)ジヒドロキシ安息香酸エチル、2゜4.6
−)リヒドロキシ安息香酸プロピル2゜4.6−)ジヒ
ドロキシ安息香酸ラウリル、2゜4.6−)リヒドロキ
シ安息香酸セチル、2゜4.6−トリヒドロキシ安息香
酸フェニル、2゜4.6−)ジヒドロキシ安息香酸ベン
ジル、3゜4.5−)ジヒドロキシ安息香酸エチル%3
゜4.5−)リヒドロキシ安息香酸プロピル、3゜4.
5−)ジヒドロキシ安息香酸ラウリル、3゜4.5−)
リヒドロキシ安息香酸セチル、3゜4.5−トリヒドロ
キシ安息香酸フェニル、3゜4.5−)ジヒドロキシ安
息香酸ベンジルなどを挙げることができる。
これら1,2−キノンジアジド化合物の使用量は、好ま
しくは共重合体100重量部に対して5〜100重量部
であシ、特に好ましくは10−沁重量部である。5重量
部未満で#′il、2−−?ノンジアジド化合物が光を
吸収して生成するカルボン酸量が少ないのでバターニン
グが困難であり、100重量部を超えると、短時間の光
照射では加え九1.2−キノンジアジド化合物の全てを
分解することはできず、そのま\残存するので。
アルカリ現儂が困難となる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、上記共重合体と1
.2−キノンジアジド化合物を溶解する溶媒に溶かして
作るが、例えば溶媒として、正チレングリコールモノメ
チルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル
などのグリコールエーテル類、メチルセロソルブアセテ
ート、エチルセロソルブアセテートなどのセロソルブエ
ステル類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類
、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等ケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類を挙げること
ができる。これら溶媒は構成要素の溶解度の他に、基板
に感光性樹脂組成物を塗布した後の溶媒蒸発速度、塗布
膜の表面形状に与える影響を考慮して、数種類混合して
使用することもできる。
さらに必要に応じて、この感光性樹脂組成物に保存安定
剤や色素、顔料などを添加することも可能である。
1+、シリコン酸化膜などの被塗布基板との接着力を、
向上させるため、ヘキサメチルジシラザンやクロロメチ
ルシランなどを予じめ基板に塗布するとともできる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物の現像液には、水酸化
ナトリウ^、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸
ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水など
の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン
などの第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピ
ルアミンなどの第二アミン類、トリエチルアミン。
メチルジエチルアミンなどの第三アミン類、ジメチルエ
タノール・アミン、トリエタノールアミンなどのアルコ
ールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級
アンモニウム塩などアルカリ類の水溶液、ビロール、ピ
ペリジン、l、8−ジアザビシクロ(5,4,0)−7
−ウンデセン、l、5−ジアザビシフa(4゜3.0)
−5−ノナンなどの環状・アミン類の水溶液が使用され
、金属を含有する現像液の使用が問題となる集積回路作
製時には、第四級アンモニウム塩や環状アミンの水溶液
を使用するのが好ましい。まえ上記アルカリ類の水溶液
にメタノール、エタノールのようなアルコール類などの
水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加し走水溶液を
現儂液に使用することもできる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、集積回路用として
特に有用であるばかにでなく、アルミニウムのような金
属支持体上に塗布してオフセット印刷版用、マスク4製
用としても有用である。
次に実施例をあけて本発明をさらに具体的に説明するが
、本発明はこれらの実施例によって何ら制約されるもの
ではない。
実施例1 100Jオートクレーブ内を乾燥窒素で置換し九のち、
2.2−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN ) 
1.4 時を含むメタノール53Jを仕込んだ。引き続
きスチレン(8T)6.3時。
アクリロニトリル(AN) 5.5に#、メタクリル酸
(MAA) 2−19、t−ノニルメルカプタン1.4
即を仕込んだ。オートクレーブを加熱し、内温を70C
K保ちながら加持間重合反応を行なった。反応終了稜内
容物の一部を抜き敗シ、大過剰の石油エーテルに落して
共重合体を回収した。共重合体を石油エーテルで良く洗
浄し。
501Z’、15時間加熱真空乾燥して目的とする共重
合体を得た。共重合体の共重合組成は8T/AN/MA
A=32.5154.4/13.1モル%であり、蒸気
圧浸透圧法で測定した数平均分子量は 、2200であ
った。
この共重合体20.9.1.2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸−p−ヒドロキシ安息香酸ノニルエス
テル6gを601のエチルセロソルブアセテートに溶解
し、孔径0.45μ嵐のミリポアフィルタ−でろ過して
感光液を作製した。
ヘキナメチルジシ2ザン処理し九シリコン□、− 酸化膜ウニバー上にスピンナーで感光液を塗布したのち
、8DC%父分間オープン中でプレベークして膜厚1μ
諺のレジスト膜を得た。
次いで、凸版印刷■製テストパターンマスクをウェハー
に密着しh 365nmでの光強度が50 ”’/−で
ある紫外線を4秒間照射し、テトラ)f−ルアンモニウ
ムヒドロキシド2.5重量%水溶液で20C260秒間
現儂したととる。線巾1.0s誂のパターンを解偉でき
九。
まえ、ウェハーに塗膜を形成し、プレベークし丸後、刃
先でレジスト表面を傷つけて光学顕微鏡で観察し九とこ
ろ、レジストの割れ具合は市販のフェノール・ノボラッ
ク系ポジ型感光性樹脂組成物のそれよりかなり割れ難い
ものであった。
同じ単量体組成でさらに9回重合を繰り返し、各々得ら
れた共重合体で同じ評価を行なったところ、全ての試料
が上述の条件で1.0 swrのパターンを解偉してお
り、ロフト間のバラツキが殆んど無いととを確認した。
比較例1 1.2−キノ/ジアジド化合物を1.2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸−2゜4−ジヒドロキシベン
ゾフェノンエステルに替えた他は実施例1と全く同様に
して評価したところ、線巾1.Ojllのパターンを解
儂するた−めには6秒間の紫外線照射が必要であつ九。
実施例2.3 1.2−キノンジアジド化合物を表1に示すものに替え
た他は実施例1と全く同様にして評価した。いずれの1
.2−キノンジアジド化合物を用いても感度が高かうえ
表1 実施例4 1001オートクレーブ内を窒素で置換し九〇ち、AI
BN 1,4時を含むメタノール53Jを仕込み、さら
K ST 3.3騨、AN 5.5時、MAAl、25
 K#。
t−ノニルメルカプタン1.44を仕込んだ。
70Cで重合を開始し、この温度を保ちながら、1時間
後K 300 fiArの速度で8T、170II/b
l’の速度でMAAの連続添加を開始した。STを10
時間%MAAを5時間連続添加したのち、さらにm時間
重合反応を行なり九。実施例1と同様の処理方法で得た
共重合体も組成はST/人N/MAA = 31.91
55.0/13.1モル%で、数平均分子量は2200
であつ九。
重合中途で内容物の一部を抜き取シ、そのものの共重合
組成を調定゛シ九。共重合組成を各重合率に対してプロ
ットし第1WJK示す。
実施□例1の共重合体についても各重合率における共重
合組成を測定し、参考として結果を第2図に示す。まえ
、各共重合成分の標準偏差値を表2に示すが5本実施例
の共重合体は組成分布の狭い共重合体であると判断され
友。
組成分布の狭い共重合体を用いて実施例1と全く同様に
評価し九ところ、線巾1.0μ翼のパターンを解儂する
九めに必要な紫外線照射時間は2秒であり、感度を向上
させることができえ。
【図面の簡単な説明】
第1図は8T/^N/MAA共重合体でBT、 MAA
を重合中連続添加して得たものの重合率と共重合組成の
関係を示す。第2図はモノマーを連続添加せずに重合し
九8T/AN/MAA共重合体の重合率と共重合組成の
関係を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 α、β−エチレン性不飽和カルボン酸囚とこれと共重合
    しうる単量体@との共重合体と。 一般式 %式% ニル基である。を九sR1〜Rsの少くとも1つは−O
    R,であシ、かつ−OR,の数は3つを超えない。)で
    示される1、2−キノンジアジド化谷物を含有すること
    を特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
JP17324981A 1981-10-29 1981-10-29 ポジ型感光性樹脂組成物 Pending JPS5875149A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4732836A (en) * 1986-05-02 1988-03-22 Hoechst Celanese Corporation Novel mixed ester O-quinone photosensitizers
US4732837A (en) * 1986-05-02 1988-03-22 Hoechst Celanese Corporation Novel mixed ester O-quinone photosensitizers
US4902785A (en) * 1986-05-02 1990-02-20 Hoechst Celanese Corporation Phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acidic halide substituents
US5035976A (en) * 1986-05-02 1991-07-30 Hoechst Celanese Corporation Photosensitive article having phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acid halide substituents
US5162510A (en) * 1986-05-02 1992-11-10 Hoechst Celanese Corporation Process for the preparation of photosensitive compositions containing a mixed ester o-quinone photosensitizer

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4732836A (en) * 1986-05-02 1988-03-22 Hoechst Celanese Corporation Novel mixed ester O-quinone photosensitizers
US4732837A (en) * 1986-05-02 1988-03-22 Hoechst Celanese Corporation Novel mixed ester O-quinone photosensitizers
US4902785A (en) * 1986-05-02 1990-02-20 Hoechst Celanese Corporation Phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acidic halide substituents
US5035976A (en) * 1986-05-02 1991-07-30 Hoechst Celanese Corporation Photosensitive article having phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acid halide substituents
US5162510A (en) * 1986-05-02 1992-11-10 Hoechst Celanese Corporation Process for the preparation of photosensitive compositions containing a mixed ester o-quinone photosensitizer

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