JPS5843451A - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents

ポジ型感光性樹脂組成物

Info

Publication number
JPS5843451A
JPS5843451A JP14213781A JP14213781A JPS5843451A JP S5843451 A JPS5843451 A JP S5843451A JP 14213781 A JP14213781 A JP 14213781A JP 14213781 A JP14213781 A JP 14213781A JP S5843451 A JPS5843451 A JP S5843451A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polymer
compound
copolymer
acid
resin composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14213781A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukihiro Hosaka
幸宏 保坂
Yoichi Kamoshita
鴨志田 洋一
Yoshiyuki Harita
榛田 善行
Toko Harada
原田 都弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd, Japan Synthetic Rubber Co Ltd filed Critical Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP14213781A priority Critical patent/JPS5843451A/ja
Publication of JPS5843451A publication Critical patent/JPS5843451A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はポジ型感光性樹脂組成物に関する。
さらに詳述すれば製品ロット間のバラツキが少なく、か
つ高感度のポジ型感光性樹脂組成物に関する。
近年の電子または電気機器に用いられる集積回路の発達
には目覚しい−ものがあり、種々の機器に集積回路が使
用されている。これF1県検回路作製のためのリソグラ
フィー技術が飛曜的に向上し、集積回路の集積度が上っ
た結果、多くの機能を1つの集積回路に持たせることが
可能となったためである。      □ 集積回路作製のため現在主に3jI化ポリイソプレンに
光架橋剤ビスアジド化合物を添加してなるネガ型ホトレ
ジストが使用されている。このタイプのホトレジストは
光照射によりビスアジド化合物が分解してナイトレンが
生じ、これが環化ポリイソプレンを架橋させるため有機
溶剤・に溶解しに〈〈々る現象を利用しているが、解像
度に限界があり、実装24mの高集積度の集積回路を作
製するために用いるととi困難である。
一方、フェノール・ノボラック樹脂にキノンジアジド化
合物を混合してなるポジ型ホトレジストはアルカリ水溶
液に可溶表フェノール・ノボラック樹脂にア・ルカリ永
溶液不溶のキノンジアジド化合物を添加し極めてアルカ
リ水゛溶液への溶解性を小さくしたもの□であり、この
ホトレジストに紫外線を照射すると、キノンジアジド゛
化合物がケテンを経てカルボン酸となるため、露光部の
アルカリ水溶液への溶解性が著しく高くなって速やかに
現像され、高解像度を実現することができる。即ち、ポ
ジ型ホトレジストが高解僚性である理由は紫外線照射前
後で親油性から親水性へホトレジストの性質が極めて大
きな変化を示すことによっている。
ポジ型ホトレジストの素材がフェノール・ノボラック樹
脂であることから、このホトレジスト畔いくつかの大き
な欠点を有している。それはホトレジストの製品ロット
間のパラッキカ大きいこと、ホトレジスト膜を作製し、
マスクを密着させた時に起るホトレジスト膜の割れなど
である。フェノール−ノボラック樹脂は、原料であるフ
ェノール類とアルデヒド類と!酸性触媒下で加熱し、付
加縮合尽応で生成するポリマー”t’アル。原料として
フェノールとホルムアル7゛1°t−1eJ11 Lt
h**ソ、、、、、暫“7゛7′ドが6生成するメチロ
ールカチオンがフェノールのオルトもしくはパラ位に反
応し、モノメチロールフェノールとなる。これがフェノ
ールのやttリォル)−17’tはパラ位の水素と縮合
することKより2核体が生成する。この反応を繰り返す
ことKよりフェノール・ノボラック樹脂が生成するの〒
あるが、フェノールの場合オルトまたはパラ位が反応点
となる3官能のため、反応が進行し、2核体、3核体、
多核体となるに従って、多種類の構造をもつポリマーが
生成する。このように多官能性七ツマ−を重合すること
になるフェノール−ノボラック樹脂の製造法整でti各
原料仕込み量や反応条件の微妙な違いが生成するフェノ
ール・ノボラック樹脂の構造を変え、それを使用して製
造するポジ型ホトレジストの性能を左右することKnる
また、フェノール・ノボラック樹脂は種類によりかなり
触車が異なるが概して高融点を示す。
高融点である午とは、これを素材としたホトレジスト膜
が非−、)k硬く、フェノール・ノボラッ′“□1・・
り樹脂骨格から考えて脆いことを意味し、例えばシリコ
ンウェハーに塗布形成されたホトレジスト膜にマスクを
真空密着するとひび割れが生じ、製作する集積回路の歩
留りを低下させる欠点に繋がる。
本発明者らはかかる欠点を改良するために鋭意研究を重
ねた結果、モノオレフィン系不飽和化合物トα、β−エ
チレン性不飽和カルボン酸トからなる特定範囲の数平均
分子量をもつポリマーに1,2−キノンジアジド化合物
を含有させてポジ型感光性樹脂組成物にす、ると、上記
フェノール・ノボラック樹脂を素材とするホトレジスト
の欠点を解決しうろこ、とを見出し本発明に達した。
すなわち、本発明の要旨は、モノオレフィン系不飽和化
合物とα、β−エチレン性不−飽和カルボン酸とを共重
合してなる、数平均分子量が50゜〜io、oooのポ
リマーと、1.2−キノンジアジド化合物を含有するこ
とを特徴とする感光性樹脂組成物にある。
本発明で用いられるモノオレフィン系不飽和化合物とα
、β−エチレン性不飽和カルボン酸とを共重合してなる
ポリマーは、主に溶液ラジカル重合法によって合成され
る。このモノオレフィン系不飽和化合−とα、β−エチ
レン性不飽和カルボン酸とをこれらとこれらから生成し
°たポリマーを溶解させる溶媒に溶解し、ラジカル重合
開始剤を添加したのち、一定条件下で重合してポリマー
を得るのであるが、付加重合型のモノマーであるモノオ
レフィン系不飽和化合物およびα、β−エチレン性不飽
和カルボン酸は先”述したフェノール・ノボラック樹脂
の原料とi異なり単官能性モノマーである。従って、特
殊な条件をとらない限り重合して得轟るポリマ□−は線
状高分子である1合成し九ポリマーは極めて特殊表重合
を行なえば、単分散に近い分子量分布を持つポリマーと
することができるが、一般的に行なわれる溶液ラジカル
重合で合成したものではある程度ポリマーが分子量分布
を持つことは避けられない。しかし、フェノール・ノボ
ラック樹脂とは違い単官能性モノマーを重合させるので
あるから、常に同じ分子量分布を持たせることは可能で
ある。従って、これから作られるポジ型ホトレジストの
性能の均一性をフェノール・ノボラック樹脂系のそれよ
り極めて高くすることができる。
本発明で用いられるポリマーのアルカリ溶解性をコント
ロールする因子は主にα、β−、エチレン性不飽和カル
ボン酸含量であるが、同じα、β−エチレン性不飽和カ
ルボン酸含量を持つポリマーの場合、分子量の高いもの
程アルカリ水溶液への溶解速度が低下し、これが感度低
下に繋がる。本発明者らはポリマーの分子ノ量の感度依
存性について検討した結果、感光性樹脂組成物にした場
合の感度を高くするKはポリマーの数平均分子量を50
0〜10,000特に好ましくは500〜5,000 
Kすれは良いことを見出した。
また、本発明の感光性樹脂組成部の製品ロツ) 1si
o′″′−1″−? # Ilj t−”8 :、、、
tilali # 、L * # K % ffi成分
布の狭いポリマーを  することが好ましいことをも見
出した。即ち、モノオレフィン系不飽和化合物とα、β
−エチレン性不飽和カルボン酸とを共重合してなる数平
均分子量50G−10,000のポリマーと1.2−キ
ノンジ了シト化合物を含有する組成物において、該共重
合体が、重合反応中の複数の任意の時点における各共重
合成分の共重合量(共重合組成)の標準偏差が3以下好
ましくは2以下であるようにして製造した組成分布の狭
い共重合体を使用することにより、製品ロフト間め均一
性や感度を更に改良することができる。
“本発明に使用されるポリマーを構成するモノオレフィ
ン系不飽和化合物としては、例えばメチルメタクリラー
ト、エチルメタクリラート、n−プチルメタクリラー)
、5ee−ブチルメタクリラート、t−ブチルメタクリ
ラートなどのメタクリル′酸アルキルエステル、メチル
アクリラート、イソプ=:ビルアクリラートなどのアク
リル酸アルキル藁5ステル、シクロヘキシルメタクリラ
ート、2−メチルシクロヘキシルメタクリラートなどの
メータクリル酸穣状アルキルエステル、シクロヘキシル
アクリラート、2−メチルシクロヘキシルアクリラート
などのアクリル酸環状アルキルエステル、フェニルメタ
クリラート、ベンジルメタクリラートなどのメタクリル
酸アリールエステル、フェニルアクリラート、ベンジル
アクリラートなどのアクーリル酸アリールエステル、マ
レイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエ
チルなどのジカルボン酸のジエステル類、2−とドロキ
シエチルメタクリラート、2−ヒドロキシプロピルメタ
クリラートなどのメタクリル酸ヒドロキシナルキルエス
テル類、スチレン、α−メチルスチレン、0−メチルス
チレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、ビ
ニルトルエン、p−メトキシスチレン、アクリロニトリ
ル、メタクリロニトリル、塩化ビニル、塩化ビニリデン
、ア夛すルアミド、メタクリルアミド、酢酸ビニルなど
を用いること邦ケきる。
これらの化合物は一類また社二種以上を混合して使用す
ることができる。モノオレフィン系不飽和化合物が緒特
性に与える影−を考慮するとその好ましい共重合量゛は
、ω〜%モル嘔、特に好ましくは75〜95モル憾であ
る。モノオレフィン系不飽和化合物の共重合量がωモル
憾未満では、ポリマーの他の成分即ちα、β−エチレン
性不飽和カルボン酸含量が増加するので、レジストの機
械的物性やアルカリ現俸性のコントロールが難かしく、
%モル嗟を超えると、相対的にα、β−エチレン性不飽
和カルボン酸含量が減少し、アルカリ水溶液に対するポ
リマーの溶解度が減するので好壕しく危い。   。
α、β−エチレン性不飽和カルボン酸としては、例えば
アクリル酸、メ)クリル酸、クロトン酸擾どのモノカル
ボン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコ
ン酸、イタコン酸などのジカルボン酸、無水マレイン酸
、無水イタコン酸などの酸無水物、マレイン酸モノエチ
ル、フマル酸モノエチル、イタコン酸モノエチル表トの
ジカルボン酸のモノエステル類表どを挙げることができ
る。
本発明に使用されるポリマーは主に通常の溶液ラジカル
重合法で合成されるが、±を土宜重ラジカル重合理論に
よれ ば生成ポリマーの重合度の逆数はラジカル開始剤、連鎖
移動剤濃度、生長速度に比例し、モノマー濃度に逆比例
する。したがって、本発明に使用−される数平均分子量
が500〜10.00(l特に好ましくは500〜5,
000のポリマーを得るには上記各成分の添加量や重合
時の温度を適度にコントロールすればよい。数平均分子
量が500未満ではアルカリ水溶液に、対する溶解度が
大きくなり過ぎたり、ポリマーのガラス転移温度が低下
し、うまく皮膜を形成できないなどの問題が生じる。
数平均分子量が10,000を超えるとアルカリ水溶液
への溶解度が減少し、現像速度低下からくる感度の低下
を招来する。  、′ 溶液ラジカル重合法で用いられる溶媒は後述の感光性樹
脂組成物作製に使用される各溶媒の□□ 他、メタノール、エタノ−”ル、n−”jロバ/ −ル
などのアルコール類やテトラヒドロフラン、ジオキサ7
などのエーテル類などが好適に使用される。目的に応じ
て数種類の溶媒を混合使用してもよい。%に好適に使用
されるのはアルコール類である。重合触媒は通常のラジ
カル重合開始剤が使用〒き、例えば2,2′−アゾビス
イソブチロニトリル、2,2′−アゾビス−(2,4−
ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス−(4
−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)などの
アゾ化合物、ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペル
オキシド、t−プチルペルオキシビパレー)、1.1−
ビス−(t−ブ・チルペルオキシ)レクロヘキサンなど
の有機過酸化物及び過酸化水素などである。過酸化物を
ラジカル重合開始剤<*mする場合−還元剤を組み合せ
てレドックス型の開始剤としてもよい。連鎖移動−とし
てan→°、アミルメルカプタン、t−アミルメルカプ
タ/、、n−へキシルメルカプタン、“−へ“′″′二
、、、、、、:2 p y・°−′−″″ブタン、t−
ノー メルカプタン、n−ドデシルメルカプタン、t−
ドデシルメルカプタンなどのメルカプタン類、四塩化炭
素、四臭化炭素などのハロゲン化炭化水素類が好適に使
用される。
本発明□で使用される1、2−キノンジ′アジド化合物
は、例えば1.2−ベンゾキノンジアジドスルホン酸エ
ステル、1,2−す7)キノンジ了シトスルホン゛酸エ
ステル、1.2−ペンゾキ”ノンジアジドスルホン酸ア
ミド、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド
などであり、公知の1.2−キノンジアジトイ゛ヒ金物
をそのまま使用することができる。さらに具体的にはJ
、Kosar著’Light−8ensitive S
7S75te” 339〜352. (1965)、J
ohn Wil@y & 5ons社(New Yor
k)やW、S、DeForest著’Photores
ist″so、 (1975)、Me Gray−H4
11,Inc 、 (New York)r(記載され
ている1、2−キノンジアジド化合物を挙げることがで
きる。
即チ、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸
フェニルエステル、1,2.1’、2’−ジー。(ベン
ゾキノンジアジド−4−スルホニル)−ジヒドロキシビ
フェニル、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−(N−
エチル−N−β−ナフチル)−スルホンアミド、1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸シクロヘキシ
ルエステル、1− (1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホニル) −3,5−ジメチルピラゾール、1
.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸−4“−
ヒドロキシジフェニル−4“−アゾーβ−ナフト下ルエ
ステル、N、N−ジー(1,2−ナフトキノンジアジド
”−5−スルホニル)−アニリン、2′−(1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホニルオキシ)−1−ヒ
ドロキシ−アントラキノン、1.2−ナフトキノンジア
ジド−5ニスルホン酸゛−2t4− ジヒドロキシベン
ゾ7エ゛ノンニス 〜チル、1.2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸−2,3,4−)リヒドロキシベ
ンゾフェノンエステル、1.2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸クロリド2モルと4,4′−ジアミノ
ベ/シフエノン1モルの縮合物、1.2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸クロリド2モにト4.4’−
−)ヒドロキシ−1,1′−ジフェニルスルホン1モル
の縮合物、1.2−  ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸クロリド1−1ニルとブルブロガリン1モルの
縮合物、1,2−ナフトキノンジアジド−5−(N−ジ
ヒドロアビエチル)−スルホンアミド々どを例示するこ
とができる。
また特公昭37−1953、同37−3627、同37
−1310a同40−26126、同40−3801、
同45−5604、同45−27345、同51−13
013、特開昭48−96575、同48−63802
、同48−63803などに記載された1、2−キノン
ジアジド化合物をも挙げることができる。
これら1.2−キノンジアジド化合物の添加量は好まし
くはポリマー100重量部に対して5〜100重量部で
あや、特に好ましくは10〜50重量部である。5重量
部未満であ兎と、光を吸収して生成するカルボン酸量が
少がいので、光照射前後のアルカリ水溶液に対する溶解
度に差をつけることができず、パターニン′)夛が困難
となる。100重量部を超えると、短詩−1:停光照射
では添加した1、2−キノンジアジド化合物の大半が未
だそのままの形で残存するため、アルカリ水溶液への不
溶化効果が高過ぎて現像することが困難となる。また、
かような低分子化合物を多量に添加すると、皮膜形成能
や機械的物性が低下する。
さらに各1.2一キノンジアジド化食物の種類によって
、アルカリ不溶化効果、露光によって生成するカルボン
酸のアルカリ水溶液の溶解度、感光性樹脂組成物膜形成
能、感光性樹脂組成物膜の基板に対する接着性などを変
えることができる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は゛上記ポリマーと1
.2−キノンジアジド化合物を溶解する溶媒に溶かして
作るが、例えば溶媒として、エチレングリコ5ルiツメ
チルエーテル、エチレンクリコールモノエチルエーテル
などのクリコールエーテル類、メチルセロソルブアセテ
ート、メチルセロソルブアセテートなどセロソルブエス
テル類、ト?ン、キシレンなど芳香族炭化水素類、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノ\ ンなどケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステ
ル類を挙げることができる。これら溶媒は構成要素の溶
解度の他に、基板に感光性樹、 脂組成物を塗布した後
の溶媒蒸発速度、塗布膜の表面形状に与える”影−を考
慮して、数種類混合して使用すること本できる。
さらに必要に応じて、この感光性樹脂組成物に保存安定
剤、色素、顔料などをi加することも可能であるみまた
、シリコシ酸化膜などの基板との接着力をd上させるた
め、ヘキサメチルジシラザンやクロロメチルシラランな
どを予じめ基板に塗布することもできる。
本発明庁ポジ型感光性樹脂組成物の現像液には、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸
ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水など
の無機アルカリ類、゛エチルアミン、n−プロピルアミ
ンなどの第一、アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プ
ロピルアミンなどの第三アミン類、トリエチルアミン、
メチルジエチルアミン々どの第三アミン類、ジメチルエ
タノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルコー
ルアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、
テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級ア
ンモニウム塩等アルカリ類の水溶液、ビロール、ピペリ
ジン、1.8−ジアザビシクロ(5,4,0) −7−
ランチセン、1,5−ジアザビシクロ(4,3,’0 
) −5−ノナンなどの環状アミン類の水溶液が使用さ
れ、金−を含有する現像液の使用が問題となる。集積回
路作製時には第四級アンモニウム塩や環状アミンの水溶
液を使用するのが好ましい。
また上記アルカリ類の水溶液にメタノール、エタノール
のようなアルコール類にどの水溶性有機溶媒や界面活性
剤を適幽量添゛加した水溶液を現像液に使用すること亀
できる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、集積回路用として
特に有用であるにかりでなく、アルミニウムのような金
属支持体上に塗布してオフ苺ット印刷版用、マスク作製
用としても有用である。
次に実施例をあけて本発明をさらに具体的に説明するが
、本発明はこれらの実施例によって何ら制約されるもの
fFi々い。
実施例1 tonz′yF−トクレーブ内を乾燥窒素で置換したの
チ、2.2’−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN
)1.4塾を含むメタノ、−ル53tを仕込んだ。引き
続きスチレン(ST)6.3111ip、アクリロニト
リル(Δ)5.5卒、メタクリル酸(MAA) 2,1
 blt −ノニルメルカプタン1.4をを仕込んだ。
オートクレーブを加熱し、内温を70℃に保ちながら加
持間重合反応を行なった。
反応終了後内容物の一部を抜き取り、大過剰の石油エー
テルに落してポリマーを回収した。
ポリマーを石油エーテルで良く洗浄し、団℃、15時間
加熱真空乾燥して目的とするポリマー′を得た。ポリマ
ーの共重合組成はST、/AN/MAA =32.51
5j、4/13.1モル憾であ、・訃蒸゛気圧浸透圧法
で測定し九数平均分子量は*200  であった。
このポリマー 、、、、 2ユニ、、ナフトキノンジア
ジ)’−5−スルホン酸−2,4−ジヒドロキシベンゾ
フェノンエステル6yt4yのエチルセロソルブアセテ
ートに溶解し、孔径0,454mのミリポlアフィルタ
ーでろ過して感光液を作製した。
ヘキサメチルジシラザン処理したシリコン酸化膜ウェハ
ー上にスピンナーで感光液を゛塗布したのち、(資)℃
、30分間オープン中でプレベークして膜厚IJgmの
ホト−レジスト膜を得た。凸版印刷(株)製テストパタ
ーンをウェハーに密着し、365鵬での光強−が5oη
背アある紫外線を6秒間照射し1.テトラ、メチルアン
モニウムヒドロキシド2,5重量嗟水溶液で加℃、0秒
間現像したところ、線巾1,04mのパターンを解像、
できた。
また、つ王バーに塗膜を形成し、プレベークしたのち、
刃先ずレジスト表面を傷つけて光学顕微鏡で観察したと
ζろ、レジストの割れ具合はシラプレー社のAZ−13
50Jのそれよりかなり良好であつ九。1.l’、l’
、!。
同じ仕込み一部でさらに9回重合を繰り返し、各々得ら
れた4)、リマーで感光液を作製し、テストパターンを
焼きつけて評価したところ、総ての試料が上述の条件で
1.θ綿のパターンを解像しており、製品ロフト間のバ
ラツキが殆んど無いことを確認した。
比較例1 100tオートクレーブ内を窒素置換したのち、AIB
N を1,2塾含むメ!ノール371を仕込み、続いて
8T13.乏警、AN−11,7命、MAA4,4命仕
込んだ。70℃加時間反応させ実施例1と同じ方法にて
共重合体を得た。得られたポリマーの組成はST/AN
/MAA = 31.9154.9/13.2モル16
−t’あり、数平均分子量は35,000であった。
このポリマー2of、1.2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸−2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン
エステル6Ft80Ff)エチルセロソルブアセテート
に−解し、孔径0 、457gm のミリボッフィルタ
ーでろ過して感光液を作製した。
実施例1と全く同様に評価し九ところ、現儂時間をω秒
一定すると1,0踊のパターンを解像すまためKは6秒
間の光照射が必要であった。
実施例2〜5 AIBN、t−ノニルメルカプタン、メタノール量を適
宜かえて分子量の異なったポリマーを合、成し、実施例
1と全く同様の方法で感度を第1ずれの試料も感度が高
かった。
2   t−HMA/ST/AN/MAA  1800
・411.5/43,5/26,7/18.33   
Sυ鳩惣侃艙    蕪−,65G、2/30.0/1
9,8 4   ST/(X−MeST/MAA  4800 
  7錦、5/10.0/21,5 s    2−EHMA/Sル乍WしW区8000  
 108.0 / 51,0 / 16.0 / 25
*1)  t−BMA=t−ブチルメタクリラートα−
M@8’r−α−メチルスチレン 2−EHMA−2−エチルへキシルメタクリラートMM
A瓢メタクリ橿メチル *2)  数平均分子量 *3) テトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.5
重量憾水溶液で加℃、ω秒間現像したとき、11Irr
1程度のパターンを再現しつる露光秒数。
実施例6 too tオートクレーブ内を窒素で置換したのちAI
BN 1.41&を含むメタノール53tを仕込み、さ
らにST3.3塾、AN5.5卒、MAAI、25塾、
t−ノニルメルカプタン1,4tを仕込んだ。70℃で
重合を開始し、この温度を保ちながら、1時間後K 3
00P/hrの速度でST%17011/hrf)速度
でMAAの連続添加を開始した。STを10時間、ぬμ
を5時間連続添加したのち、さらKIO時間重合反応を
行なった。実施例1と同様の処理方法で得たポリマーの
組成・はSαヘル制〜い31 、9155 、0/13
 、1モル慢で数平均分子量は2200であった。
重合中途で内容物の一部を抜き取り、そのものの共重合
組成を測定し*’、b’、h共重合組成を各重合率に対
してプロットし第1図に示す。実施例1の共重合体につ
いても各重合率における共重合組成を測定し、参考とし
て結果を第2図に示す。また、各共重合成分の標準偏差
値を第2表に示すが本実施例のポリマーは組成分布の狭
いポリマーであると判断された。
この組成分布の、狭いポリマーを用いて実施例1と全く
同様に評価したとζろ、線巾1,0師のパターンを解像
するために必要な紫外線照射時間は3秒であり、感度を
向上させることができた。
第2表 共重合期間中の組成の標準偏差値ST    
   O,45,4 AN       O,46,O MAA       O,30,7
【図面の簡単な説明】
、′、: 第1図は実施−6におけるポリマーの1合率と共重合組
成の開拡を示す。第2図は実施例IKおけるポリマーの
重合率と共重合組成の関係を示す。 [01o10’−’1」墾We回m

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 、モノオレフィン系不飽和化合物とα、β−エチレ、ン
    性不飽和カルボン酸を共重合してiる数平均分子量が5
    00〜10,000のポリマーと1.2−キノンジアジ
    ド化合物を含有することを特徴とする感光性樹肩誌成物
JP14213781A 1981-09-09 1981-09-09 ポジ型感光性樹脂組成物 Pending JPS5843451A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14213781A JPS5843451A (ja) 1981-09-09 1981-09-09 ポジ型感光性樹脂組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14213781A JPS5843451A (ja) 1981-09-09 1981-09-09 ポジ型感光性樹脂組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5843451A true JPS5843451A (ja) 1983-03-14

Family

ID=15308221

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14213781A Pending JPS5843451A (ja) 1981-09-09 1981-09-09 ポジ型感光性樹脂組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5843451A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1988005928A1 (en) * 1987-02-02 1988-08-11 Nippon Paint Co., Ltd. Positive photosensitive resin composition and process for its production
US5942368A (en) * 1996-04-23 1999-08-24 Konica Corporation Pigment dispersion composition
CN100432839C (zh) * 2003-09-30 2008-11-12 东京応化工业株式会社 感光性树脂组合物以及使用其的图案形成方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5463818A (en) * 1977-09-22 1979-05-23 Hoechst Ag Photosensitive copying composition
JPS5474432A (en) * 1977-10-25 1979-06-14 Eastman Kodak Co Method of developing photosensitive quinone diazide composition
JPS561935A (en) * 1979-06-18 1981-01-10 Eastman Kodak Co Stabilized developing material composition
JPS5660432A (en) * 1979-10-23 1981-05-25 Fuji Photo Film Co Ltd Photosolubilizing composition

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5463818A (en) * 1977-09-22 1979-05-23 Hoechst Ag Photosensitive copying composition
JPS5474432A (en) * 1977-10-25 1979-06-14 Eastman Kodak Co Method of developing photosensitive quinone diazide composition
JPS561935A (en) * 1979-06-18 1981-01-10 Eastman Kodak Co Stabilized developing material composition
JPS5660432A (en) * 1979-10-23 1981-05-25 Fuji Photo Film Co Ltd Photosolubilizing composition

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1988005928A1 (en) * 1987-02-02 1988-08-11 Nippon Paint Co., Ltd. Positive photosensitive resin composition and process for its production
US5942368A (en) * 1996-04-23 1999-08-24 Konica Corporation Pigment dispersion composition
CN100432839C (zh) * 2003-09-30 2008-11-12 东京応化工业株式会社 感光性树脂组合物以及使用其的图案形成方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4384037A (en) Positive type photosensitive resin composition
TWI403836B (zh) 感光性樹脂組成物
KR101206780B1 (ko) 감광성 수지 조성물
TWI390350B (zh) Positive photosensitive insulating resin composition and hardened product thereof
JP3987491B2 (ja) フォトレジスト用感光性樹脂組成物
JPH06214387A (ja) 放射感応性混合物
US4696886A (en) Positive photoresist composition with m-hydroxy-α-methylstyrene homopolymer and quinonediazide compound
JP4692219B2 (ja) ポジ型感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物
JP4655882B2 (ja) ポジ型感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物
KR101342521B1 (ko) 감광성 수지 조성물
JPS63189857A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP3376222B2 (ja) 放射線感応性組成物
JPS5843451A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JPH0145613B2 (ja)
US5498514A (en) Lithographic double-coated patterning plate with undercoat levelling layer
JPS5875149A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
JP3204465B2 (ja) 半導体素子製造用レジストパターン形成材料及びそれを用いたパターン形成方法
US5200293A (en) Photoresist composition containing specific amounts of a naphthoquinone diazide sulfonyl ester of tetrahydroxy diphenyl sulfide and a polyhydroxy compound
JP2002182380A (ja) 有機el表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物、それから形成された絶縁膜、および有機el表示素子
JPH0641050A (ja) (1,2− ナフトキノン−2− ジアジド) スルフォン酸エステル、それを用いて調製した放射線感応性混合物および放射線感応性記録材料
JPS6145240A (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
CN101315521B (zh) 感光性树脂组合物
JPH0915862A (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
JPH0145614B2 (ja)
JPH11202479A (ja) ポジ型ホトレジスト用塗布組成物、及びポジ型レジストパターンの形成方法