JPS5843451A - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents
ポジ型感光性樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS5843451A JPS5843451A JP14213781A JP14213781A JPS5843451A JP S5843451 A JPS5843451 A JP S5843451A JP 14213781 A JP14213781 A JP 14213781A JP 14213781 A JP14213781 A JP 14213781A JP S5843451 A JPS5843451 A JP S5843451A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- compound
- copolymer
- acid
- resin composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポジ型感光性樹脂組成物に関する。
さらに詳述すれば製品ロット間のバラツキが少なく、か
つ高感度のポジ型感光性樹脂組成物に関する。
つ高感度のポジ型感光性樹脂組成物に関する。
近年の電子または電気機器に用いられる集積回路の発達
には目覚しい−ものがあり、種々の機器に集積回路が使
用されている。これF1県検回路作製のためのリソグラ
フィー技術が飛曜的に向上し、集積回路の集積度が上っ
た結果、多くの機能を1つの集積回路に持たせることが
可能となったためである。 □ 集積回路作製のため現在主に3jI化ポリイソプレンに
光架橋剤ビスアジド化合物を添加してなるネガ型ホトレ
ジストが使用されている。このタイプのホトレジストは
光照射によりビスアジド化合物が分解してナイトレンが
生じ、これが環化ポリイソプレンを架橋させるため有機
溶剤・に溶解しに〈〈々る現象を利用しているが、解像
度に限界があり、実装24mの高集積度の集積回路を作
製するために用いるととi困難である。
には目覚しい−ものがあり、種々の機器に集積回路が使
用されている。これF1県検回路作製のためのリソグラ
フィー技術が飛曜的に向上し、集積回路の集積度が上っ
た結果、多くの機能を1つの集積回路に持たせることが
可能となったためである。 □ 集積回路作製のため現在主に3jI化ポリイソプレンに
光架橋剤ビスアジド化合物を添加してなるネガ型ホトレ
ジストが使用されている。このタイプのホトレジストは
光照射によりビスアジド化合物が分解してナイトレンが
生じ、これが環化ポリイソプレンを架橋させるため有機
溶剤・に溶解しに〈〈々る現象を利用しているが、解像
度に限界があり、実装24mの高集積度の集積回路を作
製するために用いるととi困難である。
一方、フェノール・ノボラック樹脂にキノンジアジド化
合物を混合してなるポジ型ホトレジストはアルカリ水溶
液に可溶表フェノール・ノボラック樹脂にア・ルカリ永
溶液不溶のキノンジアジド化合物を添加し極めてアルカ
リ水゛溶液への溶解性を小さくしたもの□であり、この
ホトレジストに紫外線を照射すると、キノンジアジド゛
化合物がケテンを経てカルボン酸となるため、露光部の
アルカリ水溶液への溶解性が著しく高くなって速やかに
現像され、高解像度を実現することができる。即ち、ポ
ジ型ホトレジストが高解僚性である理由は紫外線照射前
後で親油性から親水性へホトレジストの性質が極めて大
きな変化を示すことによっている。
合物を混合してなるポジ型ホトレジストはアルカリ水溶
液に可溶表フェノール・ノボラック樹脂にア・ルカリ永
溶液不溶のキノンジアジド化合物を添加し極めてアルカ
リ水゛溶液への溶解性を小さくしたもの□であり、この
ホトレジストに紫外線を照射すると、キノンジアジド゛
化合物がケテンを経てカルボン酸となるため、露光部の
アルカリ水溶液への溶解性が著しく高くなって速やかに
現像され、高解像度を実現することができる。即ち、ポ
ジ型ホトレジストが高解僚性である理由は紫外線照射前
後で親油性から親水性へホトレジストの性質が極めて大
きな変化を示すことによっている。
ポジ型ホトレジストの素材がフェノール・ノボラック樹
脂であることから、このホトレジスト畔いくつかの大き
な欠点を有している。それはホトレジストの製品ロット
間のパラッキカ大きいこと、ホトレジスト膜を作製し、
マスクを密着させた時に起るホトレジスト膜の割れなど
である。フェノール−ノボラック樹脂は、原料であるフ
ェノール類とアルデヒド類と!酸性触媒下で加熱し、付
加縮合尽応で生成するポリマー”t’アル。原料として
フェノールとホルムアル7゛1°t−1eJ11 Lt
h**ソ、、、、、暫“7゛7′ドが6生成するメチロ
ールカチオンがフェノールのオルトもしくはパラ位に反
応し、モノメチロールフェノールとなる。これがフェノ
ールのやttリォル)−17’tはパラ位の水素と縮合
することKより2核体が生成する。この反応を繰り返す
ことKよりフェノール・ノボラック樹脂が生成するの〒
あるが、フェノールの場合オルトまたはパラ位が反応点
となる3官能のため、反応が進行し、2核体、3核体、
多核体となるに従って、多種類の構造をもつポリマーが
生成する。このように多官能性七ツマ−を重合すること
になるフェノール−ノボラック樹脂の製造法整でti各
原料仕込み量や反応条件の微妙な違いが生成するフェノ
ール・ノボラック樹脂の構造を変え、それを使用して製
造するポジ型ホトレジストの性能を左右することKnる
。
脂であることから、このホトレジスト畔いくつかの大き
な欠点を有している。それはホトレジストの製品ロット
間のパラッキカ大きいこと、ホトレジスト膜を作製し、
マスクを密着させた時に起るホトレジスト膜の割れなど
である。フェノール−ノボラック樹脂は、原料であるフ
ェノール類とアルデヒド類と!酸性触媒下で加熱し、付
加縮合尽応で生成するポリマー”t’アル。原料として
フェノールとホルムアル7゛1°t−1eJ11 Lt
h**ソ、、、、、暫“7゛7′ドが6生成するメチロ
ールカチオンがフェノールのオルトもしくはパラ位に反
応し、モノメチロールフェノールとなる。これがフェノ
ールのやttリォル)−17’tはパラ位の水素と縮合
することKより2核体が生成する。この反応を繰り返す
ことKよりフェノール・ノボラック樹脂が生成するの〒
あるが、フェノールの場合オルトまたはパラ位が反応点
となる3官能のため、反応が進行し、2核体、3核体、
多核体となるに従って、多種類の構造をもつポリマーが
生成する。このように多官能性七ツマ−を重合すること
になるフェノール−ノボラック樹脂の製造法整でti各
原料仕込み量や反応条件の微妙な違いが生成するフェノ
ール・ノボラック樹脂の構造を変え、それを使用して製
造するポジ型ホトレジストの性能を左右することKnる
。
また、フェノール・ノボラック樹脂は種類によりかなり
触車が異なるが概して高融点を示す。
触車が異なるが概して高融点を示す。
高融点である午とは、これを素材としたホトレジスト膜
が非−、)k硬く、フェノール・ノボラッ′“□1・・
。
が非−、)k硬く、フェノール・ノボラッ′“□1・・
。
り樹脂骨格から考えて脆いことを意味し、例えばシリコ
ンウェハーに塗布形成されたホトレジスト膜にマスクを
真空密着するとひび割れが生じ、製作する集積回路の歩
留りを低下させる欠点に繋がる。
ンウェハーに塗布形成されたホトレジスト膜にマスクを
真空密着するとひび割れが生じ、製作する集積回路の歩
留りを低下させる欠点に繋がる。
本発明者らはかかる欠点を改良するために鋭意研究を重
ねた結果、モノオレフィン系不飽和化合物トα、β−エ
チレン性不飽和カルボン酸トからなる特定範囲の数平均
分子量をもつポリマーに1,2−キノンジアジド化合物
を含有させてポジ型感光性樹脂組成物にす、ると、上記
フェノール・ノボラック樹脂を素材とするホトレジスト
の欠点を解決しうろこ、とを見出し本発明に達した。
ねた結果、モノオレフィン系不飽和化合物トα、β−エ
チレン性不飽和カルボン酸トからなる特定範囲の数平均
分子量をもつポリマーに1,2−キノンジアジド化合物
を含有させてポジ型感光性樹脂組成物にす、ると、上記
フェノール・ノボラック樹脂を素材とするホトレジスト
の欠点を解決しうろこ、とを見出し本発明に達した。
すなわち、本発明の要旨は、モノオレフィン系不飽和化
合物とα、β−エチレン性不−飽和カルボン酸とを共重
合してなる、数平均分子量が50゜〜io、oooのポ
リマーと、1.2−キノンジアジド化合物を含有するこ
とを特徴とする感光性樹脂組成物にある。
合物とα、β−エチレン性不−飽和カルボン酸とを共重
合してなる、数平均分子量が50゜〜io、oooのポ
リマーと、1.2−キノンジアジド化合物を含有するこ
とを特徴とする感光性樹脂組成物にある。
本発明で用いられるモノオレフィン系不飽和化合物とα
、β−エチレン性不飽和カルボン酸とを共重合してなる
ポリマーは、主に溶液ラジカル重合法によって合成され
る。このモノオレフィン系不飽和化合−とα、β−エチ
レン性不飽和カルボン酸とをこれらとこれらから生成し
°たポリマーを溶解させる溶媒に溶解し、ラジカル重合
開始剤を添加したのち、一定条件下で重合してポリマー
を得るのであるが、付加重合型のモノマーであるモノオ
レフィン系不飽和化合物およびα、β−エチレン性不飽
和カルボン酸は先”述したフェノール・ノボラック樹脂
の原料とi異なり単官能性モノマーである。従って、特
殊な条件をとらない限り重合して得轟るポリマ□−は線
状高分子である1合成し九ポリマーは極めて特殊表重合
を行なえば、単分散に近い分子量分布を持つポリマーと
することができるが、一般的に行なわれる溶液ラジカル
重合で合成したものではある程度ポリマーが分子量分布
を持つことは避けられない。しかし、フェノール・ノボ
ラック樹脂とは違い単官能性モノマーを重合させるので
あるから、常に同じ分子量分布を持たせることは可能で
ある。従って、これから作られるポジ型ホトレジストの
性能の均一性をフェノール・ノボラック樹脂系のそれよ
り極めて高くすることができる。
、β−エチレン性不飽和カルボン酸とを共重合してなる
ポリマーは、主に溶液ラジカル重合法によって合成され
る。このモノオレフィン系不飽和化合−とα、β−エチ
レン性不飽和カルボン酸とをこれらとこれらから生成し
°たポリマーを溶解させる溶媒に溶解し、ラジカル重合
開始剤を添加したのち、一定条件下で重合してポリマー
を得るのであるが、付加重合型のモノマーであるモノオ
レフィン系不飽和化合物およびα、β−エチレン性不飽
和カルボン酸は先”述したフェノール・ノボラック樹脂
の原料とi異なり単官能性モノマーである。従って、特
殊な条件をとらない限り重合して得轟るポリマ□−は線
状高分子である1合成し九ポリマーは極めて特殊表重合
を行なえば、単分散に近い分子量分布を持つポリマーと
することができるが、一般的に行なわれる溶液ラジカル
重合で合成したものではある程度ポリマーが分子量分布
を持つことは避けられない。しかし、フェノール・ノボ
ラック樹脂とは違い単官能性モノマーを重合させるので
あるから、常に同じ分子量分布を持たせることは可能で
ある。従って、これから作られるポジ型ホトレジストの
性能の均一性をフェノール・ノボラック樹脂系のそれよ
り極めて高くすることができる。
本発明で用いられるポリマーのアルカリ溶解性をコント
ロールする因子は主にα、β−、エチレン性不飽和カル
ボン酸含量であるが、同じα、β−エチレン性不飽和カ
ルボン酸含量を持つポリマーの場合、分子量の高いもの
程アルカリ水溶液への溶解速度が低下し、これが感度低
下に繋がる。本発明者らはポリマーの分子ノ量の感度依
存性について検討した結果、感光性樹脂組成物にした場
合の感度を高くするKはポリマーの数平均分子量を50
0〜10,000特に好ましくは500〜5,000
Kすれは良いことを見出した。
ロールする因子は主にα、β−、エチレン性不飽和カル
ボン酸含量であるが、同じα、β−エチレン性不飽和カ
ルボン酸含量を持つポリマーの場合、分子量の高いもの
程アルカリ水溶液への溶解速度が低下し、これが感度低
下に繋がる。本発明者らはポリマーの分子ノ量の感度依
存性について検討した結果、感光性樹脂組成物にした場
合の感度を高くするKはポリマーの数平均分子量を50
0〜10,000特に好ましくは500〜5,000
Kすれは良いことを見出した。
また、本発明の感光性樹脂組成部の製品ロツ) 1si
o′″′−1″−? # Ilj t−”8 :、、、
tilali # 、L * # K % ffi成分
布の狭いポリマーを することが好ましいことをも見
出した。即ち、モノオレフィン系不飽和化合物とα、β
−エチレン性不飽和カルボン酸とを共重合してなる数平
均分子量50G−10,000のポリマーと1.2−キ
ノンジ了シト化合物を含有する組成物において、該共重
合体が、重合反応中の複数の任意の時点における各共重
合成分の共重合量(共重合組成)の標準偏差が3以下好
ましくは2以下であるようにして製造した組成分布の狭
い共重合体を使用することにより、製品ロフト間め均一
性や感度を更に改良することができる。
o′″′−1″−? # Ilj t−”8 :、、、
tilali # 、L * # K % ffi成分
布の狭いポリマーを することが好ましいことをも見
出した。即ち、モノオレフィン系不飽和化合物とα、β
−エチレン性不飽和カルボン酸とを共重合してなる数平
均分子量50G−10,000のポリマーと1.2−キ
ノンジ了シト化合物を含有する組成物において、該共重
合体が、重合反応中の複数の任意の時点における各共重
合成分の共重合量(共重合組成)の標準偏差が3以下好
ましくは2以下であるようにして製造した組成分布の狭
い共重合体を使用することにより、製品ロフト間め均一
性や感度を更に改良することができる。
“本発明に使用されるポリマーを構成するモノオレフィ
ン系不飽和化合物としては、例えばメチルメタクリラー
ト、エチルメタクリラート、n−プチルメタクリラー)
、5ee−ブチルメタクリラート、t−ブチルメタクリ
ラートなどのメタクリル′酸アルキルエステル、メチル
アクリラート、イソプ=:ビルアクリラートなどのアク
リル酸アルキル藁5ステル、シクロヘキシルメタクリラ
ート、2−メチルシクロヘキシルメタクリラートなどの
メータクリル酸穣状アルキルエステル、シクロヘキシル
アクリラート、2−メチルシクロヘキシルアクリラート
などのアクリル酸環状アルキルエステル、フェニルメタ
クリラート、ベンジルメタクリラートなどのメタクリル
酸アリールエステル、フェニルアクリラート、ベンジル
アクリラートなどのアクーリル酸アリールエステル、マ
レイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエ
チルなどのジカルボン酸のジエステル類、2−とドロキ
シエチルメタクリラート、2−ヒドロキシプロピルメタ
クリラートなどのメタクリル酸ヒドロキシナルキルエス
テル類、スチレン、α−メチルスチレン、0−メチルス
チレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、ビ
ニルトルエン、p−メトキシスチレン、アクリロニトリ
ル、メタクリロニトリル、塩化ビニル、塩化ビニリデン
、ア夛すルアミド、メタクリルアミド、酢酸ビニルなど
を用いること邦ケきる。
ン系不飽和化合物としては、例えばメチルメタクリラー
ト、エチルメタクリラート、n−プチルメタクリラー)
、5ee−ブチルメタクリラート、t−ブチルメタクリ
ラートなどのメタクリル′酸アルキルエステル、メチル
アクリラート、イソプ=:ビルアクリラートなどのアク
リル酸アルキル藁5ステル、シクロヘキシルメタクリラ
ート、2−メチルシクロヘキシルメタクリラートなどの
メータクリル酸穣状アルキルエステル、シクロヘキシル
アクリラート、2−メチルシクロヘキシルアクリラート
などのアクリル酸環状アルキルエステル、フェニルメタ
クリラート、ベンジルメタクリラートなどのメタクリル
酸アリールエステル、フェニルアクリラート、ベンジル
アクリラートなどのアクーリル酸アリールエステル、マ
レイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエ
チルなどのジカルボン酸のジエステル類、2−とドロキ
シエチルメタクリラート、2−ヒドロキシプロピルメタ
クリラートなどのメタクリル酸ヒドロキシナルキルエス
テル類、スチレン、α−メチルスチレン、0−メチルス
チレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、ビ
ニルトルエン、p−メトキシスチレン、アクリロニトリ
ル、メタクリロニトリル、塩化ビニル、塩化ビニリデン
、ア夛すルアミド、メタクリルアミド、酢酸ビニルなど
を用いること邦ケきる。
これらの化合物は一類また社二種以上を混合して使用す
ることができる。モノオレフィン系不飽和化合物が緒特
性に与える影−を考慮するとその好ましい共重合量゛は
、ω〜%モル嘔、特に好ましくは75〜95モル憾であ
る。モノオレフィン系不飽和化合物の共重合量がωモル
憾未満では、ポリマーの他の成分即ちα、β−エチレン
性不飽和カルボン酸含量が増加するので、レジストの機
械的物性やアルカリ現俸性のコントロールが難かしく、
%モル嗟を超えると、相対的にα、β−エチレン性不飽
和カルボン酸含量が減少し、アルカリ水溶液に対するポ
リマーの溶解度が減するので好壕しく危い。 。
ることができる。モノオレフィン系不飽和化合物が緒特
性に与える影−を考慮するとその好ましい共重合量゛は
、ω〜%モル嘔、特に好ましくは75〜95モル憾であ
る。モノオレフィン系不飽和化合物の共重合量がωモル
憾未満では、ポリマーの他の成分即ちα、β−エチレン
性不飽和カルボン酸含量が増加するので、レジストの機
械的物性やアルカリ現俸性のコントロールが難かしく、
%モル嗟を超えると、相対的にα、β−エチレン性不飽
和カルボン酸含量が減少し、アルカリ水溶液に対するポ
リマーの溶解度が減するので好壕しく危い。 。
α、β−エチレン性不飽和カルボン酸としては、例えば
アクリル酸、メ)クリル酸、クロトン酸擾どのモノカル
ボン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコ
ン酸、イタコン酸などのジカルボン酸、無水マレイン酸
、無水イタコン酸などの酸無水物、マレイン酸モノエチ
ル、フマル酸モノエチル、イタコン酸モノエチル表トの
ジカルボン酸のモノエステル類表どを挙げることができ
る。
アクリル酸、メ)クリル酸、クロトン酸擾どのモノカル
ボン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコ
ン酸、イタコン酸などのジカルボン酸、無水マレイン酸
、無水イタコン酸などの酸無水物、マレイン酸モノエチ
ル、フマル酸モノエチル、イタコン酸モノエチル表トの
ジカルボン酸のモノエステル類表どを挙げることができ
る。
本発明に使用されるポリマーは主に通常の溶液ラジカル
重合法で合成されるが、±を土宜重ラジカル重合理論に
よれ ば生成ポリマーの重合度の逆数はラジカル開始剤、連鎖
移動剤濃度、生長速度に比例し、モノマー濃度に逆比例
する。したがって、本発明に使用−される数平均分子量
が500〜10.00(l特に好ましくは500〜5,
000のポリマーを得るには上記各成分の添加量や重合
時の温度を適度にコントロールすればよい。数平均分子
量が500未満ではアルカリ水溶液に、対する溶解度が
大きくなり過ぎたり、ポリマーのガラス転移温度が低下
し、うまく皮膜を形成できないなどの問題が生じる。
重合法で合成されるが、±を土宜重ラジカル重合理論に
よれ ば生成ポリマーの重合度の逆数はラジカル開始剤、連鎖
移動剤濃度、生長速度に比例し、モノマー濃度に逆比例
する。したがって、本発明に使用−される数平均分子量
が500〜10.00(l特に好ましくは500〜5,
000のポリマーを得るには上記各成分の添加量や重合
時の温度を適度にコントロールすればよい。数平均分子
量が500未満ではアルカリ水溶液に、対する溶解度が
大きくなり過ぎたり、ポリマーのガラス転移温度が低下
し、うまく皮膜を形成できないなどの問題が生じる。
数平均分子量が10,000を超えるとアルカリ水溶液
への溶解度が減少し、現像速度低下からくる感度の低下
を招来する。 、′ 溶液ラジカル重合法で用いられる溶媒は後述の感光性樹
脂組成物作製に使用される各溶媒の□□ 他、メタノール、エタノ−”ル、n−”jロバ/ −ル
などのアルコール類やテトラヒドロフラン、ジオキサ7
などのエーテル類などが好適に使用される。目的に応じ
て数種類の溶媒を混合使用してもよい。%に好適に使用
されるのはアルコール類である。重合触媒は通常のラジ
カル重合開始剤が使用〒き、例えば2,2′−アゾビス
イソブチロニトリル、2,2′−アゾビス−(2,4−
ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス−(4
−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)などの
アゾ化合物、ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペル
オキシド、t−プチルペルオキシビパレー)、1.1−
ビス−(t−ブ・チルペルオキシ)レクロヘキサンなど
の有機過酸化物及び過酸化水素などである。過酸化物を
ラジカル重合開始剤<*mする場合−還元剤を組み合せ
てレドックス型の開始剤としてもよい。連鎖移動−とし
てan→°、アミルメルカプタン、t−アミルメルカプ
タ/、、n−へキシルメルカプタン、“−へ“′″′二
、、、、、、:2 p y・°−′−″″ブタン、t−
ノー メルカプタン、n−ドデシルメルカプタン、t−
ドデシルメルカプタンなどのメルカプタン類、四塩化炭
素、四臭化炭素などのハロゲン化炭化水素類が好適に使
用される。
への溶解度が減少し、現像速度低下からくる感度の低下
を招来する。 、′ 溶液ラジカル重合法で用いられる溶媒は後述の感光性樹
脂組成物作製に使用される各溶媒の□□ 他、メタノール、エタノ−”ル、n−”jロバ/ −ル
などのアルコール類やテトラヒドロフラン、ジオキサ7
などのエーテル類などが好適に使用される。目的に応じ
て数種類の溶媒を混合使用してもよい。%に好適に使用
されるのはアルコール類である。重合触媒は通常のラジ
カル重合開始剤が使用〒き、例えば2,2′−アゾビス
イソブチロニトリル、2,2′−アゾビス−(2,4−
ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス−(4
−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)などの
アゾ化合物、ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペル
オキシド、t−プチルペルオキシビパレー)、1.1−
ビス−(t−ブ・チルペルオキシ)レクロヘキサンなど
の有機過酸化物及び過酸化水素などである。過酸化物を
ラジカル重合開始剤<*mする場合−還元剤を組み合せ
てレドックス型の開始剤としてもよい。連鎖移動−とし
てan→°、アミルメルカプタン、t−アミルメルカプ
タ/、、n−へキシルメルカプタン、“−へ“′″′二
、、、、、、:2 p y・°−′−″″ブタン、t−
ノー メルカプタン、n−ドデシルメルカプタン、t−
ドデシルメルカプタンなどのメルカプタン類、四塩化炭
素、四臭化炭素などのハロゲン化炭化水素類が好適に使
用される。
本発明□で使用される1、2−キノンジ′アジド化合物
は、例えば1.2−ベンゾキノンジアジドスルホン酸エ
ステル、1,2−す7)キノンジ了シトスルホン゛酸エ
ステル、1.2−ペンゾキ”ノンジアジドスルホン酸ア
ミド、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド
などであり、公知の1.2−キノンジアジトイ゛ヒ金物
をそのまま使用することができる。さらに具体的にはJ
、Kosar著’Light−8ensitive S
7S75te” 339〜352. (1965)、J
ohn Wil@y & 5ons社(New Yor
k)やW、S、DeForest著’Photores
ist″so、 (1975)、Me Gray−H4
11,Inc 、 (New York)r(記載され
ている1、2−キノンジアジド化合物を挙げることがで
きる。
は、例えば1.2−ベンゾキノンジアジドスルホン酸エ
ステル、1,2−す7)キノンジ了シトスルホン゛酸エ
ステル、1.2−ペンゾキ”ノンジアジドスルホン酸ア
ミド、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド
などであり、公知の1.2−キノンジアジトイ゛ヒ金物
をそのまま使用することができる。さらに具体的にはJ
、Kosar著’Light−8ensitive S
7S75te” 339〜352. (1965)、J
ohn Wil@y & 5ons社(New Yor
k)やW、S、DeForest著’Photores
ist″so、 (1975)、Me Gray−H4
11,Inc 、 (New York)r(記載され
ている1、2−キノンジアジド化合物を挙げることがで
きる。
即チ、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸
フェニルエステル、1,2.1’、2’−ジー。(ベン
ゾキノンジアジド−4−スルホニル)−ジヒドロキシビ
フェニル、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−(N−
エチル−N−β−ナフチル)−スルホンアミド、1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸シクロヘキシ
ルエステル、1− (1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホニル) −3,5−ジメチルピラゾール、1
.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸−4“−
ヒドロキシジフェニル−4“−アゾーβ−ナフト下ルエ
ステル、N、N−ジー(1,2−ナフトキノンジアジド
”−5−スルホニル)−アニリン、2′−(1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホニルオキシ)−1−ヒ
ドロキシ−アントラキノン、1.2−ナフトキノンジア
ジド−5ニスルホン酸゛−2t4− ジヒドロキシベン
ゾ7エ゛ノンニス 〜チル、1.2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸−2,3,4−)リヒドロキシベ
ンゾフェノンエステル、1.2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸クロリド2モルと4,4′−ジアミノ
ベ/シフエノン1モルの縮合物、1.2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸クロリド2モにト4.4’−
−)ヒドロキシ−1,1′−ジフェニルスルホン1モル
の縮合物、1.2− ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸クロリド1−1ニルとブルブロガリン1モルの
縮合物、1,2−ナフトキノンジアジド−5−(N−ジ
ヒドロアビエチル)−スルホンアミド々どを例示するこ
とができる。
フェニルエステル、1,2.1’、2’−ジー。(ベン
ゾキノンジアジド−4−スルホニル)−ジヒドロキシビ
フェニル、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−(N−
エチル−N−β−ナフチル)−スルホンアミド、1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸シクロヘキシ
ルエステル、1− (1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホニル) −3,5−ジメチルピラゾール、1
.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸−4“−
ヒドロキシジフェニル−4“−アゾーβ−ナフト下ルエ
ステル、N、N−ジー(1,2−ナフトキノンジアジド
”−5−スルホニル)−アニリン、2′−(1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホニルオキシ)−1−ヒ
ドロキシ−アントラキノン、1.2−ナフトキノンジア
ジド−5ニスルホン酸゛−2t4− ジヒドロキシベン
ゾ7エ゛ノンニス 〜チル、1.2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸−2,3,4−)リヒドロキシベ
ンゾフェノンエステル、1.2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸クロリド2モルと4,4′−ジアミノ
ベ/シフエノン1モルの縮合物、1.2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸クロリド2モにト4.4’−
−)ヒドロキシ−1,1′−ジフェニルスルホン1モル
の縮合物、1.2− ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸クロリド1−1ニルとブルブロガリン1モルの
縮合物、1,2−ナフトキノンジアジド−5−(N−ジ
ヒドロアビエチル)−スルホンアミド々どを例示するこ
とができる。
また特公昭37−1953、同37−3627、同37
−1310a同40−26126、同40−3801、
同45−5604、同45−27345、同51−13
013、特開昭48−96575、同48−63802
、同48−63803などに記載された1、2−キノン
ジアジド化合物をも挙げることができる。
−1310a同40−26126、同40−3801、
同45−5604、同45−27345、同51−13
013、特開昭48−96575、同48−63802
、同48−63803などに記載された1、2−キノン
ジアジド化合物をも挙げることができる。
これら1.2−キノンジアジド化合物の添加量は好まし
くはポリマー100重量部に対して5〜100重量部で
あや、特に好ましくは10〜50重量部である。5重量
部未満であ兎と、光を吸収して生成するカルボン酸量が
少がいので、光照射前後のアルカリ水溶液に対する溶解
度に差をつけることができず、パターニン′)夛が困難
となる。100重量部を超えると、短詩−1:停光照射
では添加した1、2−キノンジアジド化合物の大半が未
だそのままの形で残存するため、アルカリ水溶液への不
溶化効果が高過ぎて現像することが困難となる。また、
かような低分子化合物を多量に添加すると、皮膜形成能
や機械的物性が低下する。
くはポリマー100重量部に対して5〜100重量部で
あや、特に好ましくは10〜50重量部である。5重量
部未満であ兎と、光を吸収して生成するカルボン酸量が
少がいので、光照射前後のアルカリ水溶液に対する溶解
度に差をつけることができず、パターニン′)夛が困難
となる。100重量部を超えると、短詩−1:停光照射
では添加した1、2−キノンジアジド化合物の大半が未
だそのままの形で残存するため、アルカリ水溶液への不
溶化効果が高過ぎて現像することが困難となる。また、
かような低分子化合物を多量に添加すると、皮膜形成能
や機械的物性が低下する。
さらに各1.2一キノンジアジド化食物の種類によって
、アルカリ不溶化効果、露光によって生成するカルボン
酸のアルカリ水溶液の溶解度、感光性樹脂組成物膜形成
能、感光性樹脂組成物膜の基板に対する接着性などを変
えることができる。
、アルカリ不溶化効果、露光によって生成するカルボン
酸のアルカリ水溶液の溶解度、感光性樹脂組成物膜形成
能、感光性樹脂組成物膜の基板に対する接着性などを変
えることができる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は゛上記ポリマーと1
.2−キノンジアジド化合物を溶解する溶媒に溶かして
作るが、例えば溶媒として、エチレングリコ5ルiツメ
チルエーテル、エチレンクリコールモノエチルエーテル
などのクリコールエーテル類、メチルセロソルブアセテ
ート、メチルセロソルブアセテートなどセロソルブエス
テル類、ト?ン、キシレンなど芳香族炭化水素類、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノ\ ンなどケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステ
ル類を挙げることができる。これら溶媒は構成要素の溶
解度の他に、基板に感光性樹、 脂組成物を塗布した後
の溶媒蒸発速度、塗布膜の表面形状に与える”影−を考
慮して、数種類混合して使用すること本できる。
.2−キノンジアジド化合物を溶解する溶媒に溶かして
作るが、例えば溶媒として、エチレングリコ5ルiツメ
チルエーテル、エチレンクリコールモノエチルエーテル
などのクリコールエーテル類、メチルセロソルブアセテ
ート、メチルセロソルブアセテートなどセロソルブエス
テル類、ト?ン、キシレンなど芳香族炭化水素類、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノ\ ンなどケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステ
ル類を挙げることができる。これら溶媒は構成要素の溶
解度の他に、基板に感光性樹、 脂組成物を塗布した後
の溶媒蒸発速度、塗布膜の表面形状に与える”影−を考
慮して、数種類混合して使用すること本できる。
さらに必要に応じて、この感光性樹脂組成物に保存安定
剤、色素、顔料などをi加することも可能であるみまた
、シリコシ酸化膜などの基板との接着力をd上させるた
め、ヘキサメチルジシラザンやクロロメチルシラランな
どを予じめ基板に塗布することもできる。
剤、色素、顔料などをi加することも可能であるみまた
、シリコシ酸化膜などの基板との接着力をd上させるた
め、ヘキサメチルジシラザンやクロロメチルシラランな
どを予じめ基板に塗布することもできる。
本発明庁ポジ型感光性樹脂組成物の現像液には、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸
ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水など
の無機アルカリ類、゛エチルアミン、n−プロピルアミ
ンなどの第一、アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プ
ロピルアミンなどの第三アミン類、トリエチルアミン、
メチルジエチルアミン々どの第三アミン類、ジメチルエ
タノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルコー
ルアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、
テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級ア
ンモニウム塩等アルカリ類の水溶液、ビロール、ピペリ
ジン、1.8−ジアザビシクロ(5,4,0) −7−
ランチセン、1,5−ジアザビシクロ(4,3,’0
) −5−ノナンなどの環状アミン類の水溶液が使用さ
れ、金−を含有する現像液の使用が問題となる。集積回
路作製時には第四級アンモニウム塩や環状アミンの水溶
液を使用するのが好ましい。
ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸
ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水など
の無機アルカリ類、゛エチルアミン、n−プロピルアミ
ンなどの第一、アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プ
ロピルアミンなどの第三アミン類、トリエチルアミン、
メチルジエチルアミン々どの第三アミン類、ジメチルエ
タノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルコー
ルアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、
テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの第四級ア
ンモニウム塩等アルカリ類の水溶液、ビロール、ピペリ
ジン、1.8−ジアザビシクロ(5,4,0) −7−
ランチセン、1,5−ジアザビシクロ(4,3,’0
) −5−ノナンなどの環状アミン類の水溶液が使用さ
れ、金−を含有する現像液の使用が問題となる。集積回
路作製時には第四級アンモニウム塩や環状アミンの水溶
液を使用するのが好ましい。
また上記アルカリ類の水溶液にメタノール、エタノール
のようなアルコール類にどの水溶性有機溶媒や界面活性
剤を適幽量添゛加した水溶液を現像液に使用すること亀
できる。
のようなアルコール類にどの水溶性有機溶媒や界面活性
剤を適幽量添゛加した水溶液を現像液に使用すること亀
できる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、集積回路用として
特に有用であるにかりでなく、アルミニウムのような金
属支持体上に塗布してオフ苺ット印刷版用、マスク作製
用としても有用である。
特に有用であるにかりでなく、アルミニウムのような金
属支持体上に塗布してオフ苺ット印刷版用、マスク作製
用としても有用である。
次に実施例をあけて本発明をさらに具体的に説明するが
、本発明はこれらの実施例によって何ら制約されるもの
fFi々い。
、本発明はこれらの実施例によって何ら制約されるもの
fFi々い。
実施例1
tonz′yF−トクレーブ内を乾燥窒素で置換したの
チ、2.2’−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN
)1.4塾を含むメタノ、−ル53tを仕込んだ。引き
続きスチレン(ST)6.3111ip、アクリロニト
リル(Δ)5.5卒、メタクリル酸(MAA) 2,1
blt −ノニルメルカプタン1.4をを仕込んだ。
チ、2.2’−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN
)1.4塾を含むメタノ、−ル53tを仕込んだ。引き
続きスチレン(ST)6.3111ip、アクリロニト
リル(Δ)5.5卒、メタクリル酸(MAA) 2,1
blt −ノニルメルカプタン1.4をを仕込んだ。
オートクレーブを加熱し、内温を70℃に保ちながら加
持間重合反応を行なった。
持間重合反応を行なった。
反応終了後内容物の一部を抜き取り、大過剰の石油エー
テルに落してポリマーを回収した。
テルに落してポリマーを回収した。
ポリマーを石油エーテルで良く洗浄し、団℃、15時間
加熱真空乾燥して目的とするポリマー′を得た。ポリマ
ーの共重合組成はST、/AN/MAA =32.51
5j、4/13.1モル憾であ、・訃蒸゛気圧浸透圧法
で測定し九数平均分子量は*200 であった。
加熱真空乾燥して目的とするポリマー′を得た。ポリマ
ーの共重合組成はST、/AN/MAA =32.51
5j、4/13.1モル憾であ、・訃蒸゛気圧浸透圧法
で測定し九数平均分子量は*200 であった。
このポリマー 、、、、 2ユニ、、ナフトキノンジア
ジ)’−5−スルホン酸−2,4−ジヒドロキシベンゾ
フェノンエステル6yt4yのエチルセロソルブアセテ
ートに溶解し、孔径0,454mのミリポlアフィルタ
ーでろ過して感光液を作製した。
ジ)’−5−スルホン酸−2,4−ジヒドロキシベンゾ
フェノンエステル6yt4yのエチルセロソルブアセテ
ートに溶解し、孔径0,454mのミリポlアフィルタ
ーでろ過して感光液を作製した。
ヘキサメチルジシラザン処理したシリコン酸化膜ウェハ
ー上にスピンナーで感光液を゛塗布したのち、(資)℃
、30分間オープン中でプレベークして膜厚IJgmの
ホト−レジスト膜を得た。凸版印刷(株)製テストパタ
ーンをウェハーに密着し、365鵬での光強−が5oη
背アある紫外線を6秒間照射し1.テトラ、メチルアン
モニウムヒドロキシド2,5重量嗟水溶液で加℃、0秒
間現像したところ、線巾1,04mのパターンを解像、
できた。
ー上にスピンナーで感光液を゛塗布したのち、(資)℃
、30分間オープン中でプレベークして膜厚IJgmの
ホト−レジスト膜を得た。凸版印刷(株)製テストパタ
ーンをウェハーに密着し、365鵬での光強−が5oη
背アある紫外線を6秒間照射し1.テトラ、メチルアン
モニウムヒドロキシド2,5重量嗟水溶液で加℃、0秒
間現像したところ、線巾1,04mのパターンを解像、
できた。
また、つ王バーに塗膜を形成し、プレベークしたのち、
刃先ずレジスト表面を傷つけて光学顕微鏡で観察したと
ζろ、レジストの割れ具合はシラプレー社のAZ−13
50Jのそれよりかなり良好であつ九。1.l’、l’
、!。
刃先ずレジスト表面を傷つけて光学顕微鏡で観察したと
ζろ、レジストの割れ具合はシラプレー社のAZ−13
50Jのそれよりかなり良好であつ九。1.l’、l’
、!。
同じ仕込み一部でさらに9回重合を繰り返し、各々得ら
れた4)、リマーで感光液を作製し、テストパターンを
焼きつけて評価したところ、総ての試料が上述の条件で
1.θ綿のパターンを解像しており、製品ロフト間のバ
ラツキが殆んど無いことを確認した。
れた4)、リマーで感光液を作製し、テストパターンを
焼きつけて評価したところ、総ての試料が上述の条件で
1.θ綿のパターンを解像しており、製品ロフト間のバ
ラツキが殆んど無いことを確認した。
比較例1
100tオートクレーブ内を窒素置換したのち、AIB
N を1,2塾含むメ!ノール371を仕込み、続いて
8T13.乏警、AN−11,7命、MAA4,4命仕
込んだ。70℃加時間反応させ実施例1と同じ方法にて
共重合体を得た。得られたポリマーの組成はST/AN
/MAA = 31.9154.9/13.2モル16
−t’あり、数平均分子量は35,000であった。
N を1,2塾含むメ!ノール371を仕込み、続いて
8T13.乏警、AN−11,7命、MAA4,4命仕
込んだ。70℃加時間反応させ実施例1と同じ方法にて
共重合体を得た。得られたポリマーの組成はST/AN
/MAA = 31.9154.9/13.2モル16
−t’あり、数平均分子量は35,000であった。
このポリマー2of、1.2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸−2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン
エステル6Ft80Ff)エチルセロソルブアセテート
に−解し、孔径0 、457gm のミリボッフィルタ
ーでろ過して感光液を作製した。
5−スルホン酸−2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン
エステル6Ft80Ff)エチルセロソルブアセテート
に−解し、孔径0 、457gm のミリボッフィルタ
ーでろ過して感光液を作製した。
実施例1と全く同様に評価し九ところ、現儂時間をω秒
一定すると1,0踊のパターンを解像すまためKは6秒
間の光照射が必要であった。
一定すると1,0踊のパターンを解像すまためKは6秒
間の光照射が必要であった。
実施例2〜5
AIBN、t−ノニルメルカプタン、メタノール量を適
宜かえて分子量の異なったポリマーを合、成し、実施例
1と全く同様の方法で感度を第1ずれの試料も感度が高
かった。
宜かえて分子量の異なったポリマーを合、成し、実施例
1と全く同様の方法で感度を第1ずれの試料も感度が高
かった。
2 t−HMA/ST/AN/MAA 1800
・411.5/43,5/26,7/18.33
Sυ鳩惣侃艙 蕪−,65G、2/30.0/1
9,8 4 ST/(X−MeST/MAA 4800
7錦、5/10.0/21,5 s 2−EHMA/Sル乍WしW区8000
108.0 / 51,0 / 16.0 / 25
*1) t−BMA=t−ブチルメタクリラートα−
M@8’r−α−メチルスチレン 2−EHMA−2−エチルへキシルメタクリラートMM
A瓢メタクリ橿メチル *2) 数平均分子量 *3) テトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.5
重量憾水溶液で加℃、ω秒間現像したとき、11Irr
1程度のパターンを再現しつる露光秒数。
・411.5/43,5/26,7/18.33
Sυ鳩惣侃艙 蕪−,65G、2/30.0/1
9,8 4 ST/(X−MeST/MAA 4800
7錦、5/10.0/21,5 s 2−EHMA/Sル乍WしW区8000
108.0 / 51,0 / 16.0 / 25
*1) t−BMA=t−ブチルメタクリラートα−
M@8’r−α−メチルスチレン 2−EHMA−2−エチルへキシルメタクリラートMM
A瓢メタクリ橿メチル *2) 数平均分子量 *3) テトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.5
重量憾水溶液で加℃、ω秒間現像したとき、11Irr
1程度のパターンを再現しつる露光秒数。
実施例6
too tオートクレーブ内を窒素で置換したのちAI
BN 1.41&を含むメタノール53tを仕込み、さ
らにST3.3塾、AN5.5卒、MAAI、25塾、
t−ノニルメルカプタン1,4tを仕込んだ。70℃で
重合を開始し、この温度を保ちながら、1時間後K 3
00P/hrの速度でST%17011/hrf)速度
でMAAの連続添加を開始した。STを10時間、ぬμ
を5時間連続添加したのち、さらKIO時間重合反応を
行なった。実施例1と同様の処理方法で得たポリマーの
組成・はSαヘル制〜い31 、9155 、0/13
、1モル慢で数平均分子量は2200であった。
BN 1.41&を含むメタノール53tを仕込み、さ
らにST3.3塾、AN5.5卒、MAAI、25塾、
t−ノニルメルカプタン1,4tを仕込んだ。70℃で
重合を開始し、この温度を保ちながら、1時間後K 3
00P/hrの速度でST%17011/hrf)速度
でMAAの連続添加を開始した。STを10時間、ぬμ
を5時間連続添加したのち、さらKIO時間重合反応を
行なった。実施例1と同様の処理方法で得たポリマーの
組成・はSαヘル制〜い31 、9155 、0/13
、1モル慢で数平均分子量は2200であった。
重合中途で内容物の一部を抜き取り、そのものの共重合
組成を測定し*’、b’、h共重合組成を各重合率に対
してプロットし第1図に示す。実施例1の共重合体につ
いても各重合率における共重合組成を測定し、参考とし
て結果を第2図に示す。また、各共重合成分の標準偏差
値を第2表に示すが本実施例のポリマーは組成分布の狭
いポリマーであると判断された。
組成を測定し*’、b’、h共重合組成を各重合率に対
してプロットし第1図に示す。実施例1の共重合体につ
いても各重合率における共重合組成を測定し、参考とし
て結果を第2図に示す。また、各共重合成分の標準偏差
値を第2表に示すが本実施例のポリマーは組成分布の狭
いポリマーであると判断された。
この組成分布の、狭いポリマーを用いて実施例1と全く
同様に評価したとζろ、線巾1,0師のパターンを解像
するために必要な紫外線照射時間は3秒であり、感度を
向上させることができた。
同様に評価したとζろ、線巾1,0師のパターンを解像
するために必要な紫外線照射時間は3秒であり、感度を
向上させることができた。
第2表 共重合期間中の組成の標準偏差値ST
O,45,4 AN O,46,O MAA O,30,7
O,45,4 AN O,46,O MAA O,30,7
、′、:
第1図は実施−6におけるポリマーの1合率と共重合組
成の開拡を示す。第2図は実施例IKおけるポリマーの
重合率と共重合組成の関係を示す。 [01o10’−’1」墾We回m
成の開拡を示す。第2図は実施例IKおけるポリマーの
重合率と共重合組成の関係を示す。 [01o10’−’1」墾We回m
Claims (1)
- 、モノオレフィン系不飽和化合物とα、β−エチレ、ン
性不飽和カルボン酸を共重合してiる数平均分子量が5
00〜10,000のポリマーと1.2−キノンジアジ
ド化合物を含有することを特徴とする感光性樹肩誌成物
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14213781A JPS5843451A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14213781A JPS5843451A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5843451A true JPS5843451A (ja) | 1983-03-14 |
Family
ID=15308221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14213781A Pending JPS5843451A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5843451A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1988005928A1 (en) * | 1987-02-02 | 1988-08-11 | Nippon Paint Co., Ltd. | Positive photosensitive resin composition and process for its production |
US5942368A (en) * | 1996-04-23 | 1999-08-24 | Konica Corporation | Pigment dispersion composition |
CN100432839C (zh) * | 2003-09-30 | 2008-11-12 | 东京応化工业株式会社 | 感光性树脂组合物以及使用其的图案形成方法 |
Citations (4)
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JPS5463818A (en) * | 1977-09-22 | 1979-05-23 | Hoechst Ag | Photosensitive copying composition |
JPS5474432A (en) * | 1977-10-25 | 1979-06-14 | Eastman Kodak Co | Method of developing photosensitive quinone diazide composition |
JPS561935A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-10 | Eastman Kodak Co | Stabilized developing material composition |
JPS5660432A (en) * | 1979-10-23 | 1981-05-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosolubilizing composition |
-
1981
- 1981-09-09 JP JP14213781A patent/JPS5843451A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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