JPS5873708A - タンタル粉末の製造方法 - Google Patents
タンタル粉末の製造方法Info
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- JPS5873708A JPS5873708A JP57116698A JP11669882A JPS5873708A JP S5873708 A JPS5873708 A JP S5873708A JP 57116698 A JP57116698 A JP 57116698A JP 11669882 A JP11669882 A JP 11669882A JP S5873708 A JPS5873708 A JP S5873708A
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- tantalum
- phosphorus
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- salt
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B34/00—Obtaining refractory metals
- C22B34/20—Obtaining niobium, tantalum or vanadium
- C22B34/24—Obtaining niobium or tantalum
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
- B22F9/20—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from solid metal compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はタンタル粉末および、特に改良された静電容量
のアノ−「圧することのできるタンタル粉末を製造する
方法に関する。
のアノ−「圧することのできるタンタル粉末を製造する
方法に関する。
電解コンデ、ンサーの電極調製のためにタンタル粉末を
用いることは良く知られている。そのような電極はタン
タル粉末をプレスして均質な圧密体を形成し、その圧密
体を焼結して結果的に焼結生成物上に誘電薄膜を形成す
ることによって作られる。
用いることは良く知られている。そのような電極はタン
タル粉末をプレスして均質な圧密体を形成し、その圧密
体を焼結して結果的に焼結生成物上に誘電薄膜を形成す
ることによって作られる。
そのようなコンデンサーではできるだけ高い比容量OV
/77をもつことが望まれる。米国特許第5.418,
106号明細書は、電極に作られた際プレスおよび焼結
されたアノードにおいて高められた比容量を与えるタン
タルとして粉砕できる凝集したメンタル粉末を発表して
いる。この特許の中で述べられた凝集タンク茅粉末はま
た従来の粉末に比較して改良された流動嚇性を持ってい
る。
/77をもつことが望まれる。米国特許第5.418,
106号明細書は、電極に作られた際プレスおよび焼結
されたアノードにおいて高められた比容量を与えるタン
タルとして粉砕できる凝集したメンタル粉末を発表して
いる。この特許の中で述べられた凝集タンク茅粉末はま
た従来の粉末に比較して改良された流動嚇性を持ってい
る。
米国特許第3,825.802号明細書は、タンタルに
リンを含むいくつかの「ドーパント」のいずれかを添加
することにより、比容量も含め、タンタルコンデンサー
のいろいろの性質において改良したことを開示している
。開示されたr−パントの範囲は・0.47から2.7
1原子パーセントであり、リンについでは約800から
4.600 ppmに等しい。比容量(好ましい種類で
ある窒素について)の改良はアノ−rが1900℃で焼
結される際に約2憾(範囲の最低端で)から約6.51
6(最高端で)の範囲にある。
リンを含むいくつかの「ドーパント」のいずれかを添加
することにより、比容量も含め、タンタルコンデンサー
のいろいろの性質において改良したことを開示している
。開示されたr−パントの範囲は・0.47から2.7
1原子パーセントであり、リンについでは約800から
4.600 ppmに等しい。比容量(好ましい種類で
ある窒素について)の改良はアノ−rが1900℃で焼
結される際に約2憾(範囲の最低端で)から約6.51
6(最高端で)の範囲にある。
スタンレー―ニス・フライ(5tanle7 B、 F
r7 )に対し1977年2月22日に発行され、−緒
に譲渡された米国特許!E4.009.007号明細書
は、少量のリン含有物質を添加したタンタル粉末が改良
された容量値を持つアノードを生ずるということを開示
している。
r7 )に対し1977年2月22日に発行され、−緒
に譲渡された米国特許!E4.009.007号明細書
は、少量のリン含有物質を添加したタンタル粉末が改良
された容量値を持つアノードを生ずるということを開示
している。
フライの特許は(第1コラム、57〜62斤の、[タン
タル粉末、う中に偶然の不純物としてリンが存在すると
きはy−鉱石から持込まれるにせよあるいは通常のタン
タル粉未調整に使用される化学薬品中の不純物として導
入されるにせよ、本発明の結果は得られない」と述べて
いる。
タル粉末、う中に偶然の不純物としてリンが存在すると
きはy−鉱石から持込まれるにせよあるいは通常のタン
タル粉未調整に使用される化学薬品中の不純物として導
入されるにせよ、本発明の結果は得られない」と述べて
いる。
上記叙述の基礎は、何らのリンが添加されないタンタル
粉末の中では分析で少量のリン含量を示すものと実質的
にリンの含有を示さないものの間で何の意味のある比容
量の相違も認められなかったという事実であった。
粉末の中では分析で少量のリン含量を示すものと実質的
にリンの含有を示さないものの間で何の意味のある比容
量の相違も認められなかったという事実であった。
改良された静電容量のアノ−Vをつくるこ々のできるタ
ンタル粉末は、少量のリン含有物質をタンタルを含むタ
ンタル粉末の先駆体に加えることにより調製されうると
いうことが分った。
ンタル粉末は、少量のリン含有物質をタンタルを含むタ
ンタル粉末の先駆体に加えることにより調製されうると
いうことが分った。
タンタル鉱石のような、タンタル含有物質からの金属タ
ンタルの従来の調製において、7ツ化水素酸溶液中でタ
ンタル有価物および他の物質を溶解するために鉱石はま
ずフッ化水素酸で処理される。フッ化水素酸溶液はそれ
から、夾雑物を除去し、タンタル有価物をラフィネート
に残すために液−液溶媒抽出過Sにおいてメチルイソブ
チルケトンにより抽出される。水溶性ラフィネートにフ
ッ化カリを添加するとメンタル有価物がフッ化タンタル
カリ(IC2TalF?) 塩としてそれから沈澱し
てくることになる。次いで後者の塩は液体ナトリウムに
より、望ましくは1979年4月178にカル’ax−
xフ・レラート(0arlos IF、R@rat
)に対し発行された米国特許m4,149.876号明
細書中に明らかにされた方法により還元される。
ンタルの従来の調製において、7ツ化水素酸溶液中でタ
ンタル有価物および他の物質を溶解するために鉱石はま
ずフッ化水素酸で処理される。フッ化水素酸溶液はそれ
から、夾雑物を除去し、タンタル有価物をラフィネート
に残すために液−液溶媒抽出過Sにおいてメチルイソブ
チルケトンにより抽出される。水溶性ラフィネートにフ
ッ化カリを添加するとメンタル有価物がフッ化タンタル
カリ(IC2TalF?) 塩としてそれから沈澱し
てくることになる。次いで後者の塩は液体ナトリウムに
より、望ましくは1979年4月178にカル’ax−
xフ・レラート(0arlos IF、R@rat
)に対し発行された米国特許m4,149.876号明
細書中に明らかにされた方法により還元される。
鉱石の代りに、錫スラブと残渣、およびこれらの物質の
天然お゛よび人工の精鉱のような、およびまたタンタル
およびタンクル基合金およびタンタルが他の金属および
合金と結びついてよいその他の合金から成るスクラップ
金属生成物のような他のタンタル含有物質を出発材料と
して用いることができる。
天然お゛よび人工の精鉱のような、およびまたタンタル
およびタンクル基合金およびタンタルが他の金属および
合金と結びついてよいその他の合金から成るスクラップ
金属生成物のような他のタンタル含有物質を出発材料と
して用いることができる。
本発明の一つの具体例の中で、液−液溶媒抽出の後で、
およびタンタルが沈澱、結晶Jヒあるいはそこから化合
物として他の方法で回収される前あるいはそのときに、
タンタルの7ツ化水素酸溶液(ラフィネート)にリン含
有物質が添加される。
およびタンタルが沈澱、結晶Jヒあるいはそこから化合
物として他の方法で回収される前あるいはそのときに、
タンタルの7ツ化水素酸溶液(ラフィネート)にリン含
有物質が添加される。
本発明の龜う一つの具体例の中で、タンタル塩が粉末の
形状で金属タンタルに還元される前あるいはそのときに
リン含有物質が沈澱タンタル塩(K2Tal’7 )
に添加される。K2Ta?γ化合物でタンタルを回収
することは本発明の典屋である。しかしながら、リン含
有物質の添加が他のタンタル化合物の生成の隙中あるい
は後になされうるということは、当業者にとって明白で
あろう。当業において知られている方法によりつくられ
たそのような他のタンタル化合物は、タンタル水酸化物
、タンタル酸化物、タンタル鹸ナトリウム、タンタル化
合物を含む。
形状で金属タンタルに還元される前あるいはそのときに
リン含有物質が沈澱タンタル塩(K2Tal’7 )
に添加される。K2Ta?γ化合物でタンタルを回収
することは本発明の典屋である。しかしながら、リン含
有物質の添加が他のタンタル化合物の生成の隙中あるい
は後になされうるということは、当業者にとって明白で
あろう。当業において知られている方法によりつくられ
たそのような他のタンタル化合物は、タンタル水酸化物
、タンタル酸化物、タンタル鹸ナトリウム、タンタル化
合物を含む。
本発明によれば、該添加の段階ではタンタル含有溶液、
あるいはタンタル含有沈澱に添加されるリン含有物質の
量は、元素タンタル100万部当り少くも5部の元素リ
ンに等しく、還元粉末においては約2から約400 p
pm部、の元素リンを供給上のリンレベルでは平坦部に
達し、更なる比容量(grean )強度に悪影響を及
ぼし、焼結後のその性質に悪影響を及ぼす。
あるいはタンタル含有沈澱に添加されるリン含有物質の
量は、元素タンタル100万部当り少くも5部の元素リ
ンに等しく、還元粉末においては約2から約400 p
pm部、の元素リンを供給上のリンレベルでは平坦部に
達し、更なる比容量(grean )強度に悪影響を及
ぼし、焼結後のその性質に悪影響を及ぼす。
タンタル含有溶液あるいはタンタル含有沈澱に添加され
るリン含有物質のいくつかは、還元されたタンタル粉末
生成物に持ち来たされず、粉末中に初期段階で添加され
た量よりも少ないリン含量となる。還元−されたタンタ
ル粉末生成物中に望ましいレベルを与えるように添加さ
れねばならないリン含有物質の量は、リン含有物質の性
質とそれを添加する後の処理条件と忙依存する。添加さ
れる量は同じリン含有添加物と同じ処理条件とで前本っ
て試してみてから決定することができ、一般に、いくら
かのリンの損失に基づいて、好ましい最終量を達成する
ためにリン含有物質の過剰を添加することを含む。
るリン含有物質のいくつかは、還元されたタンタル粉末
生成物に持ち来たされず、粉末中に初期段階で添加され
た量よりも少ないリン含量となる。還元−されたタンタ
ル粉末生成物中に望ましいレベルを与えるように添加さ
れねばならないリン含有物質の量は、リン含有物質の性
質とそれを添加する後の処理条件と忙依存する。添加さ
れる量は同じリン含有添加物と同じ処理条件とで前本っ
て試してみてから決定することができ、一般に、いくら
かのリンの損失に基づいて、好ましい最終量を達成する
ためにリン含有物質の過剰を添加することを含む。
好ましいリン含有物質は、アンモニウム、ナトリウム、
カリウム1.←シウム、バリウムおよび鉛の各正リン酸
塩、アンモニウム1水素正リン酸塩、アンモニウム2水
素正リン酸塩、ナトリウム1水素正リン酸塩、ナトリウ
ム2水素正リン酸塩、およびカリウム2水素正リン酸塩
のような無機リン酸塩である。その他の適当なリン含有
物質はバリウムと鉛の正リン酸塩1元素リン、金属リン
化機リンの酸化物および酸、およびアルキルリン酸塩の
ような有機のリン含有物質である。
カリウム1.←シウム、バリウムおよび鉛の各正リン酸
塩、アンモニウム1水素正リン酸塩、アンモニウム2水
素正リン酸塩、ナトリウム1水素正リン酸塩、ナトリウ
ム2水素正リン酸塩、およびカリウム2水素正リン酸塩
のような無機リン酸塩である。その他の適当なリン含有
物質はバリウムと鉛の正リン酸塩1元素リン、金属リン
化機リンの酸化物および酸、およびアルキルリン酸塩の
ような有機のリン含有物質である。
金属性陽イオンを含有しないリン酸塩物質、アンモニウ
ム1水素正リン酸塩、アンモニウム2水素正リン酸塩お
よびリン酸などは、タンタル粉末KeL、a、リークお
よびそれから製造されるγノードの絶縁破壊電圧特性へ
悪影響を及ぼすかもしれない他の金属を導入しないので
特に好ましい。
ム1水素正リン酸塩、アンモニウム2水素正リン酸塩お
よびリン酸などは、タンタル粉末KeL、a、リークお
よびそれから製造されるγノードの絶縁破壊電圧特性へ
悪影響を及ぼすかもしれない他の金属を導入しないので
特に好ましい。
タンタル含有物質はタンタル化合物に添加されるとき、
−タンタル含有溶液に懸濁されるかあるいはタンタル含
有沈澱に混合される微細に分割された固体材料であって
よい。リン含有物質は水溶液としてタンタル含有溶液に
また添加されて、タンタル含有物質とともに沈澱される
、あるいは別の沈澱剤によってタンタル含有物質を求め
て沈澱されるのでもよい。
−タンタル含有溶液に懸濁されるかあるいはタンタル含
有沈澱に混合される微細に分割された固体材料であって
よい。リン含有物質は水溶液としてタンタル含有溶液に
また添加されて、タンタル含有物質とともに沈澱される
、あるいは別の沈澱剤によってタンタル含有物質を求め
て沈澱されるのでもよい。
上述したように、還元粉末製造中に加えられたリン含有
物質を含む還元されたタンタル粉末に、米国特許第4,
009,007号明細書に記載のように、還元の後でリ
ンをもし望むなら添加してもよい。しかしながら、本発
明の範囲内に入れるため虻は還元粉末の製造中に添加さ
れるリン含有物質は、タンタルの少くとも5ppm(元
素リンとして)部を構成しなければならない、およびタ
ンタルの100万部当り約2から約400部のリン含有
物質(元素リンとし・て)を含む粉末を生じなければな
らない。
物質を含む還元されたタンタル粉末に、米国特許第4,
009,007号明細書に記載のように、還元の後でリ
ンをもし望むなら添加してもよい。しかしながら、本発
明の範囲内に入れるため虻は還元粉末の製造中に添加さ
れるリン含有物質は、タンタルの少くとも5ppm(元
素リンとして)部を構成しなければならない、およびタ
ンタルの100万部当り約2から約400部のリン含有
物質(元素リンとし・て)を含む粉末を生じなければな
らない。
本発明により生じたυ、ン含有タンタル粉は、所望によ
り米国特許IIt3,418,106号明細書に記載の
ように凝集されてもよい、そして凝集されてもされなく
ても、プレスおよび焼結されて当業で知られた技術によ
り高い比抵抗のアノー繭形成することが意図される。
り米国特許IIt3,418,106号明細書に記載の
ように凝集されてもよい、そして凝集されてもされなく
ても、プレスおよび焼結されて当業で知られた技術によ
り高い比抵抗のアノー繭形成することが意図される。
本発明の方法に従って、化合物からタンタル粉末の製造
に先立ち、リンがそのタンタル化合物に添加されるとき
、リンがすでに作られたタンタル粉末あるいはタンタル
ハイド2イr粉末に加えられている同様[!14製され
たタンタル粉末よりも。
に先立ち、リンがそのタンタル化合物に添加されるとき
、リンがすでに作られたタンタル粉末あるいはタンタル
ハイド2イr粉末に加えられている同様[!14製され
たタンタル粉末よりも。
与えられたリンレベルでより高い比容量を、結果として
生ずる粉末が持つことがわかった。同程度の比容量の改
良に対して比較的低いリンレベルはり、O,リークを低
減する傾向があり、それゆえ有利である。
生ずる粉末が持つことがわかった。同程度の比容量の改
良に対して比較的低いリンレベルはり、O,リークを低
減する傾向があり、それゆえ有利である。
例 1
この例の述べる所は7ツ化タンタルカリ塩x2’ray
) からタンタル金属粉末を製造するためのナトリウ
ム還元処理−になされるリン添加の最終タンタル粉末に
関する結果である。この例□に関して一連のナトリウム
還元操作を行なうために用いられる装置は米国特許第4
;149.876号明細書(レラート)、同じ譲受人に
譲渡され、七の特許は参考として記載する。
) からタンタル金属粉末を製造するためのナトリウ
ム還元処理−になされるリン添加の最終タンタル粉末に
関する結果である。この例□に関して一連のナトリウム
還元操作を行なうために用いられる装置は米国特許第4
;149.876号明細書(レラート)、同じ譲受人に
譲渡され、七の特許は参考として記載する。
操作”K#L゛?°“・′ニーー4“ ′°0°0ゞと
Naα 960ポンrを反□応 器へ供給した。約10
0グラムのNa2HPO4としてリンをこの反応混合物
−\添加した。それはタンタル金属ベースで計算された
1 04]>Pmのリンの添加に明確に対応する。密閉
容器とその装入物を加熱して装入物を熔融した。攪拌機
をスタートさせ、12 Orpmの攪拌速度を液体浴を
均一化するために維持した・ナトリウムの添加は約65
0℃で、1分間に12.5〜15.5 ボンドの範囲の
供給速度で11分間、合計1501ンrの消費で始めた
。この初期期間中温度が700℃に達したとき1500
afmの空気を供給するプロワ−を用いて容器を外部
からファ反応物質を周囲温度にまで冷却し、タンタル金
属粉末は凍結物質から、尚業で知られてるように、粉砕
を浸出により回収した。
Naα 960ポンrを反□応 器へ供給した。約10
0グラムのNa2HPO4としてリンをこの反応混合物
−\添加した。それはタンタル金属ベースで計算された
1 04]>Pmのリンの添加に明確に対応する。密閉
容器とその装入物を加熱して装入物を熔融した。攪拌機
をスタートさせ、12 Orpmの攪拌速度を液体浴を
均一化するために維持した・ナトリウムの添加は約65
0℃で、1分間に12.5〜15.5 ボンドの範囲の
供給速度で11分間、合計1501ンrの消費で始めた
。この初期期間中温度が700℃に達したとき1500
afmの空気を供給するプロワ−を用いて容器を外部
からファ反応物質を周囲温度にまで冷却し、タンタル金
属粉末は凍結物質から、尚業で知られてるように、粉砕
を浸出により回収した。
タンタル粉末は、リンと残りの元素に対する質量スペク
トル分析を含む従来の操作により化学組成について分析
、・した。+80メツシユ、−SO+−■、。
トル分析を含む従来の操作により化学組成について分析
、・した。+80メツシユ、−SO+−■、。
120メツシユ、−120+200メツシユ、−200
+325メツシユおよび一325メツシュ材料の重量パ
ーセントを米国標準篩を用いる篩分は分析により測定し
た。−80メツシユ部分な組合せ、混合しおよびすべて
の他のテストに使用した。
+325メツシユおよび一325メツシュ材料の重量パ
ーセントを米国標準篩を用いる篩分は分析により測定し
た。−80メツシユ部分な組合せ、混合しおよびすべて
の他のテストに使用した。
この粉末は、A8TM 指定B53O−65、「フイ
ツシャーナデーシーデ サイズ法による耐火性の金属お
よび化合物の平均粒子径に関する標準試験方法」、に従
ってフィッシャー サブ−シーブ サイズ(ysss
) として測定した。還元されたば々島りの粉の平均
ysss は2.45ミクロン(μM)であった。以
後「スコツト密度J (8D)と呼ぶ見掛は密度は、A
8TM 表示B、212−48(1970年に再公認
された)、「金属粉の見掛は密度に関する標準試験方法
」の1!作により粉末について測定した。
ツシャーナデーシーデ サイズ法による耐火性の金属お
よび化合物の平均粒子径に関する標準試験方法」、に従
ってフィッシャー サブ−シーブ サイズ(ysss
) として測定した。還元されたば々島りの粉の平均
ysss は2.45ミクロン(μM)であった。以
後「スコツト密度J (8D)と呼ぶ見掛は密度は、A
8TM 表示B、212−48(1970年に再公認
された)、「金属粉の見掛は密度に関する標準試験方法
」の1!作により粉末について測定した。
化学分析、篩分分析、ysss および8Dデータは
下記表■のA欄に記載されている。
下記表■のA欄に記載されている。
−80メツシユ粉末の一部分は「還元されたまま」の条
件において未焼成強度および電気的特性についてテスト
した。−80メツシユ粉末の第二の部分は約10″″3
torr 絶対圧力の真空中で約1350℃(光温度)
K加熱し、その温度に1時間保持し、21時間真空下で
、そして最終的にはヘリウム下で周囲温度まで冷却し、
それから粉砕し35メツシユの篩を用いて篩分けられた
が、オーバーサイズ材料はいずれも全ての粉末が一35
メツシュであるように再粉砕および再篩分けした。
件において未焼成強度および電気的特性についてテスト
した。−80メツシユ粉末の第二の部分は約10″″3
torr 絶対圧力の真空中で約1350℃(光温度)
K加熱し、その温度に1時間保持し、21時間真空下で
、そして最終的にはヘリウム下で周囲温度まで冷却し、
それから粉砕し35メツシユの篩を用いて篩分けられた
が、オーバーサイズ材料はいずれも全ての粉末が一35
メツシュであるように再粉砕および再篩分けした。
このタンタル粉末は(ぎエレントPierr・t)米国
特許第3.475.915号明細書の教えるところに従
って製造した「熱的凝集した」粉末として言及される。
特許第3.475.915号明細書の教えるところに従
って製造した「熱的凝集した」粉末として言及される。
各種類の粉末の部分は0.261インチ直径のダイスの
中でプレスした密度の関数として未焼成強度を決定する
ために4.5(熱的凝集された粉末のみ)、5.0およ
び5.5 Ii/fi’、の未焼成密度になるように1
個々に秤量した2、010±0.020グラム圧密体に
プレスした。「還元されたままの」粉末の圧密体を4,
5 l 7cm”の未焼成密度でプレスする努力は、未
焼成強度が低過ぎて取扱いに適さないという理由で不成
功であった。平坦なかなじきと基盤を備えたシャティロ
ン(0hatillOn )モデルLTOH万能引張、
圧縮およびバネ試験様のかなしきの下にその圧密体は個
々に横に並べて置き、2.0の圧縮速度の設定で粉砕し
た。圧密体を粉砕するのに必要な圧力(ポンP)は未焼
成強度として記録した。4個の圧密体を未焼成強度に関
してテストし、データの平均をとった。このテストにお
いて圧密体がム8TM I[i 178−61 Tに
従って測定したとき枠外である値を有するなら、別つア
ノ−Vをプレスし、テストした。(枠外観察あるいは枠
外値は、枠外が生ずるセットの他の試料から著しくはず
れるように見えた。)未焼成強度のデータは下記表■の
ム橢に示されている。
中でプレスした密度の関数として未焼成強度を決定する
ために4.5(熱的凝集された粉末のみ)、5.0およ
び5.5 Ii/fi’、の未焼成密度になるように1
個々に秤量した2、010±0.020グラム圧密体に
プレスした。「還元されたままの」粉末の圧密体を4,
5 l 7cm”の未焼成密度でプレスする努力は、未
焼成強度が低過ぎて取扱いに適さないという理由で不成
功であった。平坦なかなじきと基盤を備えたシャティロ
ン(0hatillOn )モデルLTOH万能引張、
圧縮およびバネ試験様のかなしきの下にその圧密体は個
々に横に並べて置き、2.0の圧縮速度の設定で粉砕し
た。圧密体を粉砕するのに必要な圧力(ポンP)は未焼
成強度として記録した。4個の圧密体を未焼成強度に関
してテストし、データの平均をとった。このテストにお
いて圧密体がム8TM I[i 178−61 Tに
従って測定したとき枠外である値を有するなら、別つア
ノ−Vをプレスし、テストした。(枠外観察あるいは枠
外値は、枠外が生ずるセットの他の試料から著しくはず
れるように見えた。)未焼成強度のデータは下記表■の
ム橢に示されている。
各種の粉末は個々に秤貴し、0.213インチ直径のダ
イスの中で、5.5および6.5 Ii/♂の未焼成強
度になるように、タンタル鉛線を埋込んだ1.0グラム
の圧密体あるいはアノードにプレスした。
イスの中で、5.5および6.5 Ii/♂の未焼成強
度になるように、タンタル鉛線を埋込んだ1.0グラム
の圧密体あるいはアノードにプレスした。
これら密度の各々にプレスされたアノ−Pの1グループ
は30分間1600℃(光温度)で、冷壁の真空焼結炉
(10″″3torr絶対圧)中で焼結した。他のグル
ープは30分間1800℃(光温度)で同様に焼結した
。
は30分間1600℃(光温度)で、冷壁の真空焼結炉
(10″″3torr絶対圧)中で焼結した。他のグル
ープは30分間1800℃(光温度)で同様に焼結した
。
直径の収縮率(100分率)を測定した。
電気的テスト操作は水中の0.1憾リン酸中で、電解質
の温度90℃のもとで、焼結されたアノードな陽極酸化
することを含んだ。アノ−rの陽極酸化は100ざルト
に達するまで35fリアンペア/グラムの電流密度で行
ない、次いで100ボルトで2時簡保持した。陽極酸化
されたアノ−Vを脱イオン水で洗浄し、次いで105℃
の清浄空気中で乾燥°された。
の温度90℃のもとで、焼結されたアノードな陽極酸化
することを含んだ。アノ−rの陽極酸化は100ざルト
に達するまで35fリアンペア/グラムの電流密度で行
ない、次いで100ボルトで2時簡保持した。陽極酸化
されたアノ−Vを脱イオン水で洗浄し、次いで105℃
の清浄空気中で乾燥°された。
直流Q−り(nob)は10IIIリン酸中で70ざル
トのテスト電圧で測定した。7ノーrはテスト溶液中ヘ
アノーrの頂部まで浸せきしてテスト電圧は2分間印加
し、その後でD(Lを測定し島DOL測定が完了した後
で、アノ−rは10憾リン酸に30〜40分間浸した。
トのテスト電圧で測定した。7ノーrはテスト溶液中ヘ
アノーrの頂部まで浸せきしてテスト電圧は2分間印加
し、その後でD(Lを測定し島DOL測定が完了した後
で、アノ−rは10憾リン酸に30〜40分間浸した。
静電容量は10′1igバリン酸中に浸せきされたアノ
−rにつき、0.5ボルトのa、C,シグナルと3ざル
トの改、C,バイアスで以ってタイプ1611Bジエネ
ラル、ラジオ、キャパシタンス、テストブリッジ(Ge
neral Radio Capacitance T
e5t Brlge )を用いて測定した。損失係数(
dissipationfactor ) を屯この
ブリッジテストから測定された。
−rにつき、0.5ボルトのa、C,シグナルと3ざル
トの改、C,バイアスで以ってタイプ1611Bジエネ
ラル、ラジオ、キャパシタンス、テストブリッジ(Ge
neral Radio Capacitance T
e5t Brlge )を用いて測定した。損失係数(
dissipationfactor ) を屯この
ブリッジテストから測定された。
「還元されたままの」粉末および熱的に凝集した粉末の
両方に関し焼結中の収縮、D OT、+、比容量(OV
/、fあるいはuf v / g)、損失係数の平均値
1を下記表■のA欄に要約する。
両方に関し焼結中の収縮、D OT、+、比容量(OV
/、fあるいはuf v / g)、損失係数の平均値
1を下記表■のA欄に要約する。
6個の更に別のアノ−rは、各々1.0±0.05グラ
ムの重量であるが、0.213インチ直径のダイス中で
6.5117CIL3 の未焼成強度になるようにプ
レスし、次KSD分間1650℃(光温度)で同様に真
空焼結した。
ムの重量であるが、0.213インチ直径のダイス中で
6.5117CIL3 の未焼成強度になるようにプ
レスし、次KSD分間1650℃(光温度)で同様に真
空焼結した。
絶縁破壊電圧テストはこれらのアノ−yにおいて、攪拌
されたエチレングリコール−水−リン酸溶液中で83±
0.2℃で電解成形により、成形電圧な誘電的絶縁破壊
が生じるまで1分間に2ボルトの速度で上昇させて、行
った。この陽極酸化電解液は83℃で350±50 o
hm−傭の比抵抗を得るように55憾の、鉄を含まない
エチレングリコール、4541の脱イオン水の溶液、お
よび十分なリン酸から成る。
されたエチレングリコール−水−リン酸溶液中で83±
0.2℃で電解成形により、成形電圧な誘電的絶縁破壊
が生じるまで1分間に2ボルトの速度で上昇させて、行
った。この陽極酸化電解液は83℃で350±50 o
hm−傭の比抵抗を得るように55憾の、鉄を含まない
エチレングリコール、4541の脱イオン水の溶液、お
よび十分なリン酸から成る。
絶縁破壊の点はアノ−rの成形電流が100ボルトでの
電流の流れ以上50ミリアンペア(m、a、)に増加す
るときあるいは振動が生じるときに生ずる。平均の絶縁
破壊電圧は標準テスト操作の中で定義された「枠外もの
」を除いた後で決定される。
電流の流れ以上50ミリアンペア(m、a、)に増加す
るときあるいは振動が生じるときに生ずる。平均の絶縁
破壊電圧は標準テスト操作の中で定義された「枠外もの
」を除いた後で決定される。
操作AK始する平均絶縁破壊電圧は下記表IVK示す。
上記のナトリウム還元処、理およびテスト方法は、特別
記された例外を除いては本書で以下に述べられている他
のタンタル粉末に関しても用いた。
記された例外を除いては本書で以下に述べられている他
のタンタル粉末に関しても用いた。
操作Bにおいて反応混合物に添加されたリンは約25グ
ラムのHa、1rPO,であり、タンタル金属ペースで
計算された2 6 ppm のリンの添加に明確に対応
した。生じた一80メツシュの還元されたままの粉末の
IF88Elは6.21ミクロン(μM)であった。
ラムのHa、1rPO,であり、タンタル金属ペースで
計算された2 6 ppm のリンの添加に明確に対応
した。生じた一80メツシュの還元されたままの粉末の
IF88Elは6.21ミクロン(μM)であった。
操作0においては条件は本質的に操作Bのそれに同等で
あった。還元されたま\の−80メツシユ粉末のyss
sは3.18 ミクロンであって、本発明の方法により
再現性が達成できることが例証された。
あった。還元されたま\の−80メツシユ粉末のyss
sは3.18 ミクロンであって、本発明の方法により
再現性が達成できることが例証された。
操作りはその中でリンの添加がなされない対照であって
、特定のナトリウム還元パラメータが2.57ミクロン
の788El ヲ4つだ一80メツシュの還元された
ま−の粉末を得るように調整した。
、特定のナトリウム還元パラメータが2.57ミクロン
の788El ヲ4つだ一80メツシュの還元された
ま−の粉末を得るように調整した。
操作りは操作Aのリン含有生成物′を、Fe2B に
より表わされたと本質的に同じ名目上の還元されたま\
の2.4ミクロンの粒子径で1寵しか屯テスト方法その
ものの範囲内で対照と比較するために準備さ瓢テストさ
れた。
より表わされたと本質的に同じ名目上の還元されたま\
の2.4ミクロンの粒子径で1寵しか屯テスト方法その
ものの範囲内で対照と比較するために準備さ瓢テストさ
れた。
操作Eもリンが添加されない対照であり、特定のナトリ
ウム還元パラメータは3.21ミクロンのysss を
もった−80メツシユの還元されたま\の粉末を得るよ
うに調整したゆこうして操作Eからの粉末は操作Bおよ
び0ニーらのリンをドープした生成物とysss に
より表わされた本のと本質的に同じ名目上の3.2ミク
ロン粒子径において比較される。
ウム還元パラメータは3.21ミクロンのysss を
もった−80メツシユの還元されたま\の粉末を得るよ
うに調整したゆこうして操作Eからの粉末は操作Bおよ
び0ニーらのリンをドープした生成物とysss に
より表わされた本のと本質的に同じ名目上の3.2ミク
ロン粒子径において比較される。
操作BからEまでの粉末について測定されたテスト結果
は操作Aに対する結果とともに表■から■までの中に記
載する。
は操作Aに対する結果とともに表■から■までの中に記
載する。
□
表 ■
(アノードゾレス密度6.5g/c@、1650°0で
60分間真空焼結した) 288 275 280 291 E 295 前記諸表中の操作A、B、および○は以後「原位置ドー
プ」として言及する。操作Aは、それはタンタル金属ぺ
°−スで104 ppmのPでr−ゾされたが、約15
ppm (19〜11の範囲、すなわち15±4 p
pm ) Pの還元されたま\のおよび熱的に凝集され
た粉末を保持したが、一方、それに対して26 ppm
Fが添加された原位置V−ノされた操作Bおよび口は
約4 ppm (7〜20 ppmの範囲)を保持した
。
60分間真空焼結した) 288 275 280 291 E 295 前記諸表中の操作A、B、および○は以後「原位置ドー
プ」として言及する。操作Aは、それはタンタル金属ぺ
°−スで104 ppmのPでr−ゾされたが、約15
ppm (19〜11の範囲、すなわち15±4 p
pm ) Pの還元されたま\のおよび熱的に凝集され
た粉末を保持したが、一方、それに対して26 ppm
Fが添加された原位置V−ノされた操作Bおよび口は
約4 ppm (7〜20 ppmの範囲)を保持した
。
熱的凝集は、従来の技術から期待されるように、−’j
l’yr、されたま\の粉末と比較して未焼成強度に実
質的改良をもたらした。
l’yr、されたま\の粉末と比較して未焼成強度に実
質的改良をもたらした。
リンの態位tt+”−ぎングはドープしない対照粉末と
比較して1600℃と1800℃の両方の焼結温度にお
いて実質的により^い容量をもたらした。操作Aにおけ
る原位置リンの比較的高いレベルは約67憾”まで高い
容量をもたらした。比較的低いリンの原位置r−プ操作
BおよびOは中間の増加分をもたらした。
比較して1600℃と1800℃の両方の焼結温度にお
いて実質的により^い容量をもたらした。操作Aにおけ
る原位置リンの比較的高いレベルは約67憾”まで高い
容量をもたらした。比較的低いリンの原位置r−プ操作
BおよびOは中間の増加分をもたらした。
1650℃で60分間焼結した原位置ドーゾ粉の絶縁破
壊電圧は、テストそれ自身の変動が約±14ざルトであ
るので、ドープしない対照粉末のそれと本質的に同じで
あった。絶縁破壊電圧はいくつかの比較的高い電圧応用
にとって重要であるが、多くの比較的低い電圧用途には
そうではない電気的パラメータである。しかしながら、
粉末に最高の可能な比容量を得ることはしばしば大変な
探究目標である。それゆえ絶縁破壊電圧の本質的に何ら
の重要な減少を伴なわずに、比容量を大きく増すことは
本発明の原位置ドープ粉末に関し諸物性の魅力ある組合
せをもたらす。
壊電圧は、テストそれ自身の変動が約±14ざルトであ
るので、ドープしない対照粉末のそれと本質的に同じで
あった。絶縁破壊電圧はいくつかの比較的高い電圧応用
にとって重要であるが、多くの比較的低い電圧用途には
そうではない電気的パラメータである。しかしながら、
粉末に最高の可能な比容量を得ることはしばしば大変な
探究目標である。それゆえ絶縁破壊電圧の本質的に何ら
の重要な減少を伴なわずに、比容量を大きく増すことは
本発明の原位置ドープ粉末に関し諸物性の魅力ある組合
せをもたらす。
例 2
この列の実証するところは、リンのドープはタンタルを
その鉱石から抽出し回収するのに用いられる化学反応の
比較的初期の点でなぼことができるということである。
その鉱石から抽出し回収するのに用いられる化学反応の
比較的初期の点でなぼことができるということである。
現在の技術状態の方法においてタンクライトおよび他の
タンタル含有鉱石、スズスラグ、およびこれらの精鉱を
含むタンタル鉱石はタンタルとニオブ(コロン♂ウム)
有価物を溶解するためにフッ化水素酸中で温浸される。
タンタル含有鉱石、スズスラグ、およびこれらの精鉱を
含むタンタル鉱石はタンタルとニオブ(コロン♂ウム)
有価物を溶解するためにフッ化水素酸中で温浸される。
それからこれらの有価物は適当に酸性にされた水溶液か
ら選択的にストリップされ、メチルイソジチルケトン(
MIBK)あるいは他の適当な有機溶媒を用いた液−液
処理において各々から分離されるqこの方法から得られ
た精製された、しかも水性流体でありタンタルラフイネ
−、トと呼ぶことができうp 7 p /、含有え□よ
、2ゾlll−、、ヶ、ッ化、ア。
ら選択的にストリップされ、メチルイソジチルケトン(
MIBK)あるいは他の適当な有機溶媒を用いた液−液
処理において各々から分離されるqこの方法から得られ
た精製された、しかも水性流体でありタンタルラフイネ
−、トと呼ぶことができうp 7 p /、含有え□よ
、2ゾlll−、、ヶ、ッ化、ア。
ルカリ、[2Ta F7、の形態で回収するために、フ
ッ化カリあるいは水酸化カリ、あるいは他の適当なカリ
ウム含有塩で処理することができる。
ッ化カリあるいは水酸化カリ、あるいは他の適当なカリ
ウム含有塩で処理することができる。
本発明の他の具体例においては、適当な化合物形態のリ
ン添加物を化学処理に選択された段階で導入することが
できる。この例はタンタル(ラフィネート)生成物流体
(液−液抽出処理後)をリンでP−ゾすることを包含す
る。リンの一部分を引続く処理工程を通じて保持して、
蛾終的に得られたナトリウム還元タンタル粉末をリンで
ドープする。
ン添加物を化学処理に選択された段階で導入することが
できる。この例はタンタル(ラフィネート)生成物流体
(液−液抽出処理後)をリンでP−ゾすることを包含す
る。リンの一部分を引続く処理工程を通じて保持して、
蛾終的に得られたナトリウム還元タンタル粉末をリンで
ドープする。
リンをドープしたに2TaII′〒は異った濃度の溶解
タンタルを含む5個の異ったタンタルラフィネートから
調製した。K2TaIF7はに3PO,添加物により沈
澱された。・ IC2T&F−1に基づきまた計算上含有されるタンタ
ル金属に基づいてに2TaF’7の化学分析から決定さ
れた得られたりての値は゛ R−10,300,65 R−2,22,48 R−5,07、,15 1(−4,18,39 R−5,15,33 例 6 前記の米国特許第4.009.007号明細書(フライ
)は約5から約4001)pmの元素リンに相当する童
の添加リン含有物質によりタンタル粉末において得るこ
とのできる改良された比容量を教示している。この米国
特許はさらに、リン含有物質をメンタル粉末あるいはタ
ンタル水素化物粉末に加える方法を教示している。
タンタルを含む5個の異ったタンタルラフィネートから
調製した。K2TaIF7はに3PO,添加物により沈
澱された。・ IC2T&F−1に基づきまた計算上含有されるタンタ
ル金属に基づいてに2TaF’7の化学分析から決定さ
れた得られたりての値は゛ R−10,300,65 R−2,22,48 R−5,07、,15 1(−4,18,39 R−5,15,33 例 6 前記の米国特許第4.009.007号明細書(フライ
)は約5から約4001)pmの元素リンに相当する童
の添加リン含有物質によりタンタル粉末において得るこ
とのできる改良された比容量を教示している。この米国
特許はさらに、リン含有物質をメンタル粉末あるいはタ
ンタル水素化物粉末に加える方法を教示している。
対照的K、本発明の原位置ドープ法においてはリン含有
物質はタンタル粉末生成の前あるいは間にタンタル処理
の比較的初期に加えられ、フライの特許におけるように
粉末がすでにできた後ではない◎ この例においては原位置ドープ粉末の特徴をフライの特
許に従ってV−ゾされた粉末と比較する。
物質はタンタル粉末生成の前あるいは間にタンタル処理
の比較的初期に加えられ、フライの特許におけるように
粉末がすでにできた後ではない◎ この例においては原位置ドープ粉末の特徴をフライの特
許に従ってV−ゾされた粉末と比較する。
これら二つの方法により達成された静電容量レベルなマ
) IJラックス験を行って合わせ、次いで比容量レベ
ルを達成するために必要な残留リン量、また粉末の他の
特性を比較する。還元されたま\のタンタル粉末とドー
プされていないタンタル粉末の2個のサンプルはFおよ
びGと名付け、これらは2.4と6.2μMのysss
を持ち、タンタル金属ペースでゼロ(対照)、5.10
.15.20.25.65および50 ppmの添加な
おこなうために9ン戚2アレモニウムでr−ノした。こ
れやの粉末を1650℃で30分間熱的に凝集し例1で
述べた方法を用いてテストした。これらのデータを表■
おjび■に示す。
) IJラックス験を行って合わせ、次いで比容量レベ
ルを達成するために必要な残留リン量、また粉末の他の
特性を比較する。還元されたま\のタンタル粉末とドー
プされていないタンタル粉末の2個のサンプルはFおよ
びGと名付け、これらは2.4と6.2μMのysss
を持ち、タンタル金属ペースでゼロ(対照)、5.10
.15.20.25.65および50 ppmの添加な
おこなうために9ン戚2アレモニウムでr−ノした。こ
れやの粉末を1650℃で30分間熱的に凝集し例1で
述べた方法を用いてテストした。これらのデータを表■
おjび■に示す。
表■には2.4μMのFe2Bを持つ還元されたま\の
C前駆体)粉末から調製された熱的に凝集した粉末に関
してデータを示す。1600℃で焼結されたアノ−げに
関して、原位置ドープ粉末の比容量は、たとえ原位置ド
ープ粉末における残留リン含櫨がフライの特許のP−ゾ
粉末における残留レベルのそれの中間であっても、フラ
イの特許によりドープされたすべての粉末よりも高かっ
た。
C前駆体)粉末から調製された熱的に凝集した粉末に関
してデータを示す。1600℃で焼結されたアノ−げに
関して、原位置ドープ粉末の比容量は、たとえ原位置ド
ープ粉末における残留リン含櫨がフライの特許のP−ゾ
粉末における残留レベルのそれの中間であっても、フラ
イの特許によりドープされたすべての粉末よりも高かっ
た。
1800℃で焼結したアノードについて同じ傾向がみる
ことができる。
ことができる。
表■には6.2μMのIl′88Bを持ついくぶん比較
的粗い還元されたままの前駆体粉末からai[された熱
的に/!Ik1された粉末に関してデータを示す。
的粗い還元されたままの前駆体粉末からai[された熱
的に/!Ik1された粉末に関してデータを示す。
1600℃あるーは1800 ’(3で焼結されたアノ
ードに関しては、4〜7 ppmオーダーの残留リンに
よるドープ粉末においては一般的に実質的、にもつと高
い残留リンレベルでのみ達成される比容量値を与える。
ードに関しては、4〜7 ppmオーダーの残留リンに
よるドープ粉末においては一般的に実質的、にもつと高
い残留リンレベルでのみ達成される比容量値を与える。
掲げ”たすべての他の電気特性はこれらの表中に掲げら
れたすべての粉末について満足すべきものであるように
思われる。
れたすべての粉末について満足すべきものであるように
思われる。
表Vおよび■の両方に含まれた未焼成強度のデータは、
フライ法によりドープされた粉末と原位置ドープ粉末と
はどんな選んだ密度でプレスしたときも同様な圧密(非
焼結)強度を持つと−うことを示している。 □ 1、、ぴ 例 4 この例は原位置リン添加を、タンタル粉末が形成された
後にさらにリンを添加することと組合せた効果につき詳
述する。
フライ法によりドープされた粉末と原位置ドープ粉末と
はどんな選んだ密度でプレスしたときも同様な圧密(非
焼結)強度を持つと−うことを示している。 □ 1、、ぴ 例 4 この例は原位置リン添加を、タンタル粉末が形成された
後にさらにリンを添加することと組合せた効果につき詳
述する。
例1の操作BおよびCからの還元されたままのタンタル
粉末サンプルに、50ppmの元素イオウな供給する童
だけ結晶形態のリンF!!2アンモニウムを添加した。
粉末サンプルに、50ppmの元素イオウな供給する童
だけ結晶形態のリンF!!2アンモニウムを添加した。
混合物は乾式混練し、次いで熱的に/#l集し、例1で
述べたように電気的特性と未焼成強度につきテストした
。データを表■に示す。その結果を表1の操作B、Oの
粉末におけるように熱的に凝集され原位置ドー、ゾのみ
の結果、および表■の欄Go−G、におけるように−一
ノのみの最終粉末の結果と比較して、組合せ方法は比較
しうる未 □焼成密度でプレスされ、1600℃ある
いは1800℃で焼岩されたアノ−げに関して比較的高
い比容量を生じた。
述べたように電気的特性と未焼成強度につきテストした
。データを表■に示す。その結果を表1の操作B、Oの
粉末におけるように熱的に凝集され原位置ドー、ゾのみ
の結果、および表■の欄Go−G、におけるように−一
ノのみの最終粉末の結果と比較して、組合せ方法は比較
しうる未 □焼成密度でプレスされ、1600℃ある
いは1800℃で焼岩されたアノ−げに関して比較的高
い比容量を生じた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 !1) (+) タンタル含有物質をフッ化水素酸
中で・浸出してメンタル有価物およびその他の物質をフ
ッ化水素酸溶液中に溶解し、偵)タンタルを液−液溶媒
抽出法において有機溶媒で該溶液を抽出することにより
他の物質から分離し、タンタルに富む溶液をそこから回
収し、(ill) 該タンタルに富む溶液を処理して
タンタル塩を沈澱させ、(1v)該タンタル塩をアルカ
リ金属により金属タンタルに還元し、(V) 金属メ
ンタルを還元段階から粉末の形状で回収するタンタル粉
末を製造する方法において、上記工程(iil)および
噌の少くも一方にリン含有物を添加し、そ−の量は、そ
の添加の工程では100万部の元素タンタルに対し少く
も5部の元素リンの量で、また最終粉末の元素タンタル
の100万部に対し約2から約400部の元素リンを供
給する量であることを特徴とする、上記方法。 (2) タンタル塩がメンタルに富む溶液から沈澱す
るに先立ち該タンタルに富む溶液に、リン含有物質を特
徴する特許請求の範囲第1項の方法。 (3) タンタル塩がタンタルに富む溶液から沈澱す
や間に、リン含有物質をタンタルに富む溶液に添加する
、特許請求の範囲fa1項の方法。 (4) リン含有物質を該タンタル塩とともに、アル
カリ金属カミ加えられている反応器中へ供給する、特許
請求の範囲第1項の方法。 (5)リン含有物質が無機のリン含有塩である、特許請
求の範回第1項の方法。 (6) リン含有塩がアルカリ金属塩である、特許請
求の範囲1/E5項の方法。 (7)塩が金属イオンを含まない、特許請求の範囲第5
項の方法。 (8) IJン含有物質の添加がタンタルへのリン含
有物質の単なる添加から成る、特許請求の範囲第1項の
方法。 (9) 付加的リン含有物質を、工程(V)に引続き
タンタル粉に添加する、特許請求の範囲第1項の方丸
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US295250 | 1981-08-24 | ||
US06/295,250 US4356028A (en) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | In situ phosphorus addition to tantalum |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5873708A true JPS5873708A (ja) | 1983-05-04 |
Family
ID=23136885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57116698A Pending JPS5873708A (ja) | 1981-08-24 | 1982-07-05 | タンタル粉末の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4356028A (ja) |
JP (1) | JPS5873708A (ja) |
DE (1) | DE3230219A1 (ja) |
FR (1) | FR2511623B1 (ja) |
GB (1) | GB2104500B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04362102A (ja) * | 1991-06-06 | 1992-12-15 | Showa Kiyabotsuto Suupaa Metal Kk | タンタル粉末の製造方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4009007A (en) * | 1975-07-14 | 1977-02-22 | Fansteel Inc. | Tantalum powder and method of making the same |
DE3140248C2 (de) * | 1981-10-09 | 1986-06-19 | Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verwendung von dotiertem Ventilmetallpulver für die Herstellung von Elektrolytkondensatoranoden |
US4441927A (en) * | 1982-11-16 | 1984-04-10 | Cabot Corporation | Tantalum powder composition |
DE3330455A1 (de) * | 1983-08-24 | 1985-03-14 | GfE Gesellschaft für Elektrometallurgie mbH, 4000 Düsseldorf | Verfahren zur herstellung von ventilmetallpulver fuer elektrolytkondensatoren und dergleichen |
DE3336453C2 (de) * | 1983-10-06 | 1985-11-28 | Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verfahren zur Oberflächenvergrößerung von Niob und Tantal in Form von agglomerierten oder nicht agglomerierten Pulvern |
JPS60149706A (ja) * | 1984-01-18 | 1985-08-07 | Showa Kiyabotsuto Suupaa Metal Kk | タンタル粉末の製造方法 |
US4544403A (en) * | 1984-11-30 | 1985-10-01 | Fansteel Inc. | High charge, low leakage tantalum powders |
US4684399A (en) * | 1986-03-04 | 1987-08-04 | Cabot Corporation | Tantalum powder process |
JPH0897096A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Sutaruku Buitetsuku Kk | タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ |
US6165623A (en) * | 1996-11-07 | 2000-12-26 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
IL145498A (en) * | 1999-03-19 | 2005-05-17 | Cabot Corp | Making niobium and other metal powders by milling |
US6375704B1 (en) * | 1999-05-12 | 2002-04-23 | Cabot Corporation | High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes |
CN104209512B (zh) * | 2014-09-05 | 2018-01-16 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 一种中压钽粉及其制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55113807A (en) * | 1979-02-23 | 1980-09-02 | Showa K B I Kk | Production of tantalum powder |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3825802A (en) * | 1973-03-12 | 1974-07-23 | Western Electric Co | Solid capacitor |
US3829310A (en) * | 1973-04-30 | 1974-08-13 | Norton Co | High surface area valve metal powder |
US3867129A (en) * | 1974-02-05 | 1975-02-18 | Metallurgie Hoboken | Anodically oxidizable metal powder |
US4009007A (en) * | 1975-07-14 | 1977-02-22 | Fansteel Inc. | Tantalum powder and method of making the same |
US4017302A (en) * | 1976-02-04 | 1977-04-12 | Fansteel Inc. | Tantalum metal powder |
US4149876A (en) * | 1978-06-06 | 1979-04-17 | Fansteel Inc. | Process for producing tantalum and columbium powder |
DE3005207C2 (de) * | 1980-02-12 | 1986-06-12 | Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verfahren zur Herstellung eines Phosphor-dotierten Alkalimetall-Erdsäuremetall-Doppelfluorides und dessen Verwendung |
-
1981
- 1981-08-24 US US06/295,250 patent/US4356028A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-07-05 JP JP57116698A patent/JPS5873708A/ja active Pending
- 1982-08-13 DE DE19823230219 patent/DE3230219A1/de active Granted
- 1982-08-20 FR FR8214387A patent/FR2511623B1/fr not_active Expired
- 1982-08-23 GB GB08224147A patent/GB2104500B/en not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55113807A (en) * | 1979-02-23 | 1980-09-02 | Showa K B I Kk | Production of tantalum powder |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04362102A (ja) * | 1991-06-06 | 1992-12-15 | Showa Kiyabotsuto Suupaa Metal Kk | タンタル粉末の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2511623B1 (fr) | 1987-06-19 |
GB2104500A (en) | 1983-03-09 |
GB2104500B (en) | 1985-06-19 |
US4356028A (en) | 1982-10-26 |
DE3230219A1 (de) | 1983-03-03 |
DE3230219C2 (ja) | 1989-02-16 |
FR2511623A1 (fr) | 1983-02-25 |
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