JPS5873173A - 半導体レ−ザ素子の保護装置 - Google Patents
半導体レ−ザ素子の保護装置Info
- Publication number
- JPS5873173A JPS5873173A JP17135581A JP17135581A JPS5873173A JP S5873173 A JPS5873173 A JP S5873173A JP 17135581 A JP17135581 A JP 17135581A JP 17135581 A JP17135581 A JP 17135581A JP S5873173 A JPS5873173 A JP S5873173A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- semiconductor laser
- voltage
- laser element
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体レーザ素子の光出力を光検出器で検出
してレーザ素子駆動回路へフィードバックし、そ扛によ
ってレーザ素子の駆動電流を制御してレーザ素子の光出
力を一定化する半導体レーザ装置特に電源投入時のレー
ザ素子の保護装置に関する。
してレーザ素子駆動回路へフィードバックし、そ扛によ
ってレーザ素子の駆動電流を制御してレーザ素子の光出
力を一定化する半導体レーザ装置特に電源投入時のレー
ザ素子の保護装置に関する。
従来、この種の半導体レーザ装置においては、電源投入
時に半導体レーザ素子に過電流が流ｎ、て寿命を縮めた
り破損せしめる事故を防止するため、例えば第１図に示
すように、半導体レーザ素子としての半導体レーザタイ
オードＬＤＫ直列インダクタンスを挿入していた。第１
図において、ｌはレーザタイオードＬＤの光出力を受光
しこ′ｎを光電変換する光検出器、２はこの光検出器ｌ
がらの信号を基準電圧Ｖ４と比較しその差を出力する誤
差増幅器である。誤差増幅器２の出力はオペアンプＯＰ
の非反転入力端子に入力さ扛、該オペアンプの出方端子
は駆動トランジスタＴｒのベースに接続さ扛ており、該
トランジスタのコレクタはインダクタンスＬ及びレーザ
ダイオードＬＤ−ｉ通して電源Ｖに接続さｌｒＬまたエ
ミッタは抵抗Ｒを介して接地さ扛ている。オペアンプＯ
Ｐの反転入力端子にはトランジスタＴｒのニックの電圧
がフィードバックさｎている。つまり、オペアンプＯＰ
の正転入力に誤差増幅器２からＶｐなる電圧信１号が印
加さ扛ると、反転入力端子の電位もＶｐになるまで上昇
しトランジスタＴｒのエミッタ電流をＶｐ／Ｒとする。
時に半導体レーザ素子に過電流が流ｎ、て寿命を縮めた
り破損せしめる事故を防止するため、例えば第１図に示
すように、半導体レーザ素子としての半導体レーザタイ
オードＬＤＫ直列インダクタンスを挿入していた。第１
図において、ｌはレーザタイオードＬＤの光出力を受光
しこ′ｎを光電変換する光検出器、２はこの光検出器ｌ
がらの信号を基準電圧Ｖ４と比較しその差を出力する誤
差増幅器である。誤差増幅器２の出力はオペアンプＯＰ
の非反転入力端子に入力さ扛、該オペアンプの出方端子
は駆動トランジスタＴｒのベースに接続さ扛ており、該
トランジスタのコレクタはインダクタンスＬ及びレーザ
ダイオードＬＤ−ｉ通して電源Ｖに接続さｌｒＬまたエ
ミッタは抵抗Ｒを介して接地さ扛ている。オペアンプＯ
Ｐの反転入力端子にはトランジスタＴｒのニックの電圧
がフィードバックさｎている。つまり、オペアンプＯＰ
の正転入力に誤差増幅器２からＶｐなる電圧信１号が印
加さ扛ると、反転入力端子の電位もＶｐになるまで上昇
しトランジスタＴｒのエミッタ電流をＶｐ／Ｒとする。
ような定電流回路を構成している。光検出器１がレーザ
タイオードＷの光出力を検出し、誤差増幅器において基
準電圧Ｖｆとの差が出力さ【、その差がゼロとなるよう
に全体として制御動作し、レーザの出力は所定値に維持
さする。
タイオードＷの光出力を検出し、誤差増幅器において基
準電圧Ｖｆとの差が出力さ【、その差がゼロとなるよう
に全体として制御動作し、レーザの出力は所定値に維持
さする。
この装置において、電源の投入を行なうと、各回路部分
の立上り時間が一様でない為に、制御回路としての正常
な動作がなさ【ず、そのためレーザダイオードＬＤに流
扛る電流は第２図に示すような等価回路に流ｎる電流経
過に等しくなる。即ちＬＤ、Ｌ、Ｒの直列回路にスイッ
チｓｗを閉じて直流電圧を印加したときの過渡現象と同
じ電流Ｉが流れ、その電流値はＬＤ及びＬの直流抵抗を
無視するつて上昇し、最終的にはＶ／ＴＬもの太きｆｉ
、’ｉ 流が流ｎる危険がある。通常の場合、それ以前
の例えば第３図の時刻ｔ１において各回路部公金てが立
ち上り、このためレーザタイオードＬＤに流れる電流は
減少して破線で示すようになり、従ってレーザタイオー
ドＬＤには１０なる電流値において駆動され所定出力に
制御されることになる。
の立上り時間が一様でない為に、制御回路としての正常
な動作がなさ【ず、そのためレーザダイオードＬＤに流
扛る電流は第２図に示すような等価回路に流ｎる電流経
過に等しくなる。即ちＬＤ、Ｌ、Ｒの直列回路にスイッ
チｓｗを閉じて直流電圧を印加したときの過渡現象と同
じ電流Ｉが流れ、その電流値はＬＤ及びＬの直流抵抗を
無視するつて上昇し、最終的にはＶ／ＴＬもの太きｆｉ
、’ｉ 流が流ｎる危険がある。通常の場合、それ以前
の例えば第３図の時刻ｔ１において各回路部公金てが立
ち上り、このためレーザタイオードＬＤに流れる電流は
減少して破線で示すようになり、従ってレーザタイオー
ドＬＤには１０なる電流値において駆動され所定出力に
制御されることになる。
しかし各回路部分の立上り時間は一定でなく素子によっ
てもバラツキがある為、正確な立上り時間の設定は困難
である。このため安全をみてインタフタンスＬを太きく
しなければならず、そのコイル形状が大きくなる欠点が
あった。壕だ電源投入時、レーザダイオードＬＤは導通
状態にあるのでノイズ等により過電流が流れる危険性が
あった。
てもバラツキがある為、正確な立上り時間の設定は困難
である。このため安全をみてインタフタンスＬを太きく
しなければならず、そのコイル形状が大きくなる欠点が
あった。壕だ電源投入時、レーザダイオードＬＤは導通
状態にあるのでノイズ等により過電流が流れる危険性が
あった。
本発明の目的は一上記欠点のない電源投入時のレーザ素
子の保護装置を提供することにある。以下、第４図〜第
６図を参照しながら本発明の一実施例について説明する
。
子の保護装置を提供することにある。以下、第４図〜第
６図を参照しながら本発明の一実施例について説明する
。
第４図は本発明の保護装置を具備する半導体レーザ装置
のブロック図である。従来の第１図の装着と異なる点は
、誤差増幅器２の出力端子とオペアンプＯＰの非反転入
力端子との間に設定′電圧が可変な電圧制限回路３が挿
入さ扛ていること、並びにインタフタンスＬに代ってレ
ーザタイオードＬＤと直列にスイッチ回路４が接続され
ている点である。
のブロック図である。従来の第１図の装着と異なる点は
、誤差増幅器２の出力端子とオペアンプＯＰの非反転入
力端子との間に設定′電圧が可変な電圧制限回路３が挿
入さ扛ていること、並びにインタフタンスＬに代ってレ
ーザタイオードＬＤと直列にスイッチ回路４が接続され
ている点である。
半導体レーザ装置の電源役時、スイッチ回路４はＯＦＦ
となっており、この為レーザタイ刈−ドＬＤには電流が
流れない状態にある。光検出器ｌ、誤差増幅器２及びオ
ペアンプＯＰは出力制御ループを構成しているので、レ
ーザタイオードＬＤの出力ビームが光検出器１に入射さ
れないと、誤差増幅器２の出力電位は上昇する。これに
よりオペアップＯＰの正転入力の電位も上昇し、レーザ
ダイオーＩ訪により多くの電流を流すように動作する。
となっており、この為レーザタイ刈−ドＬＤには電流が
流れない状態にある。光検出器ｌ、誤差増幅器２及びオ
ペアンプＯＰは出力制御ループを構成しているので、レ
ーザタイオードＬＤの出力ビームが光検出器１に入射さ
れないと、誤差増幅器２の出力電位は上昇する。これに
よりオペアップＯＰの正転入力の電位も上昇し、レーザ
ダイオーＩ訪により多くの電流を流すように動作する。
しかし誤差増幅器２の出力は電圧制限回路３を通してオ
ペアンプＯＰに加えられているため、同電圧制限回路３
の働きにより所定電位Ｖｐに制限される。即ちスイッチ
回路４がＯＦ’Ｆの状態下においてトランジスタＴｒの
エミッタ電位はＶｐ々る電位を保つ。そこで、電源投入
直後か・ら所定時間経過後にスイッチ回路４をＯＮせし
めると、これによりレーザダイオードＬＤには初期状態
においてＶｐ／Ｒなる電流が流れるが、出力制御ループ
により制御さ扛、所定出力を得るような電流値に落ち着
く。スイッチ回路４をＯＮさせてから所定時間後、つま
り正常に出力制御が働き出した状態においては、電圧制
限回路３の制限電圧Ｖｐをより高い電圧Ｖｐ ／に上昇
させれば、レーザダイオードＬＤの劣化により閾値電流
が増加しても所望の出力が得られるように制御すること
ができる。壕だ、ここで電圧制限回路３の制限電圧Ｖｐ
をレーザダイオードＬＤの破壊電流以下となるように設
定しておけば、スイッチ回路４がＯＮした時ル−ザタイ
オードの破壊は生じないで、所定出力に制御でれる。
ペアンプＯＰに加えられているため、同電圧制限回路３
の働きにより所定電位Ｖｐに制限される。即ちスイッチ
回路４がＯＦ’Ｆの状態下においてトランジスタＴｒの
エミッタ電位はＶｐ々る電位を保つ。そこで、電源投入
直後か・ら所定時間経過後にスイッチ回路４をＯＮせし
めると、これによりレーザダイオードＬＤには初期状態
においてＶｐ／Ｒなる電流が流れるが、出力制御ループ
により制御さ扛、所定出力を得るような電流値に落ち着
く。スイッチ回路４をＯＮさせてから所定時間後、つま
り正常に出力制御が働き出した状態においては、電圧制
限回路３の制限電圧Ｖｐをより高い電圧Ｖｐ ／に上昇
させれば、レーザダイオードＬＤの劣化により閾値電流
が増加しても所望の出力が得られるように制御すること
ができる。壕だ、ここで電圧制限回路３の制限電圧Ｖｐ
をレーザダイオードＬＤの破壊電流以下となるように設
定しておけば、スイッチ回路４がＯＮした時ル−ザタイ
オードの破壊は生じないで、所定出力に制御でれる。
上記のように、電源投入時、電圧制限回路３で電圧を制
限し、スイッチ回路４を遅延導通させた後に電圧制限回
路３の制限電圧をより高く設定することにより、電源投
入時の過電流を防ぐことができる。
限し、スイッチ回路４を遅延導通させた後に電圧制限回
路３の制限電圧をより高く設定することにより、電源投
入時の過電流を防ぐことができる。
第５図は第４図の具体的回路例である。光検出器ｌはフ
ォトダイオードＰＤとオペアンプＯＰＩで構成され、誤
差増幅器２はオペアンプＯＰｚで構成されている。この
オペアンプＯＰ２の出力端子は直接オペアンプＯＰの非
反転入力端子と接続されている一方、カソード側が抵抗
Ｒ４を介して接地されたタイオードＤのアノードと接続
さｔている。このタイオードＤと抵抗Ｒ４の結合点には
トランジスタＴｒ３のエミッタが接続され、該トランジ
スタのコレクタは電源Ｖと接続されている。トランジス
タＴｒ３のベースは抵抗Ｒ６及びＲ６から成る分圧器と
接続され、この分圧器の一方の抵抗Ｒ６はスイッチング
トランジスタ’ｆｒ４丁短絡し得るようになっている。
ォトダイオードＰＤとオペアンプＯＰＩで構成され、誤
差増幅器２はオペアンプＯＰｚで構成されている。この
オペアンプＯＰ２の出力端子は直接オペアンプＯＰの非
反転入力端子と接続されている一方、カソード側が抵抗
Ｒ４を介して接地されたタイオードＤのアノードと接続
さｔている。このタイオードＤと抵抗Ｒ４の結合点には
トランジスタＴｒ３のエミッタが接続され、該トランジ
スタのコレクタは電源Ｖと接続されている。トランジス
タＴｒ３のベースは抵抗Ｒ６及びＲ６から成る分圧器と
接続され、この分圧器の一方の抵抗Ｒ６はスイッチング
トランジスタ’ｆｒ４丁短絡し得るようになっている。
この実施例ではトランジスタＴｒａにはＮＰＮ型が、ま
たトランジスタＴｒ４にはＰＮＰ型が使われており、電
圧制限回路３を不製作としたいときは、トランジスタＴ
ｒ４をＯＮさせてバイアス抵抗Ｒ６をトランジスタＴｒ
４で・短絡せじめ、Ｎ′Ｉ）ＮトランジスタＴｒＳのベ
ース電位を電源電圧Ｖ迄上昇させるように々っている。
たトランジスタＴｒ４にはＰＮＰ型が使われており、電
圧制限回路３を不製作としたいときは、トランジスタＴ
ｒ４をＯＮさせてバイアス抵抗Ｒ６をトランジスタＴｒ
４で・短絡せじめ、Ｎ′Ｉ）ＮトランジスタＴｒＳのベ
ース電位を電源電圧Ｖ迄上昇させるように々っている。
スイッチ回路４はＰＮＰ型のスイッチングトランジスタ
Ｔｒ２で構成さ扛ている。
Ｔｒ２で構成さ扛ている。
さて、半導体レーザ装置の電源投入に際しては、′電圧
制限回路３は働かせておき、他方スイッチ回路４はＯＦ
Ｆシておく。即ち′電圧制限回路３のトランジスタＴ４
及びスイッチ回路４のトランジスタＴ２のベースＪルベ
ル電位を与えて両トランジスタをＯＦＦ’させておく。
制限回路３は働かせておき、他方スイッチ回路４はＯＦ
Ｆシておく。即ち′電圧制限回路３のトランジスタＴ４
及びスイッチ回路４のトランジスタＴ２のベースＪルベ
ル電位を与えて両トランジスタをＯＦＦ’させておく。
トランジスタＴｒｉのＯＦＦによりトランジスタＴｒ３
のベース電位は抵抗Ｒ５と効の分割比で定まる成る電圧
になり、それに対応する電位がダイオードＤのカソード
へ与えら扛る。つまり電圧制限回路３の制限電圧■ｐは
”５／ （Ｒ５＋Ｒ６）に比例したものとなる。またヌ
イソ゛チ懲４のトランジスタＴｒ２がＯＦＦであること
によりレーザダイオード■のには電流が流れない状態と
なっている。
のベース電位は抵抗Ｒ５と効の分割比で定まる成る電圧
になり、それに対応する電位がダイオードＤのカソード
へ与えら扛る。つまり電圧制限回路３の制限電圧■ｐは
”５／ （Ｒ５＋Ｒ６）に比例したものとなる。またヌ
イソ゛チ懲４のトランジスタＴｒ２がＯＦＦであること
によりレーザダイオード■のには電流が流れない状態と
なっている。
今、電源を投入すると、フォトダイ−オードＰＤにはレ
ーザダイオードＬＤからの出力ビームが入射されない為
、光検出器のオペアンプＯＰＩの出力は零となる。誤差
増幅器のオペアンスＯＰ２は、入力抵抗がＲ２、帰還抵
抗Ｒ３であるからゲインはＲ３／Ｉ（２であシ、非反転
入力端子に接続されている基準電圧Ｖｆを考慮すると、
このオペアンプＯＰ２の出力電圧はＶｆ−Ｒａ／Ｒｚと
なる。しかしこのオペアンプＯＰ２の出力端子はダイオ
ードＤを介してトランジスタＴｒ３のエミッタに接続さ
れている為、オペアンプＯＰ２の出力電圧が制限電圧Ｖ
ｐより高くなろうとすると、ターイオードＤは順方向に
）（アスされ、出力端子のインピーダンスが低下する。
ーザダイオードＬＤからの出力ビームが入射されない為
、光検出器のオペアンプＯＰＩの出力は零となる。誤差
増幅器のオペアンスＯＰ２は、入力抵抗がＲ２、帰還抵
抗Ｒ３であるからゲインはＲ３／Ｉ（２であシ、非反転
入力端子に接続されている基準電圧Ｖｆを考慮すると、
このオペアンプＯＰ２の出力電圧はＶｆ−Ｒａ／Ｒｚと
なる。しかしこのオペアンプＯＰ２の出力端子はダイオ
ードＤを介してトランジスタＴｒ３のエミッタに接続さ
れている為、オペアンプＯＰ２の出力電圧が制限電圧Ｖ
ｐより高くなろうとすると、ターイオードＤは順方向に
）（アスされ、出力端子のインピーダンスが低下する。
この為オペアンスＯＰｚは第６図に示すような入出力特
性を示す。第６図の横軸はオペアンプＯＰ２の入力電圧
そして縦軸は同オペアンプＯＰ２の出力電圧であり、こ
の図から出力電圧ｖＯは入力電圧Ｖ！に対し一定の制限
電圧Ｖｐ以上には上昇せず電圧制限されることが判る。
性を示す。第６図の横軸はオペアンプＯＰ２の入力電圧
そして縦軸は同オペアンプＯＰ２の出力電圧であり、こ
の図から出力電圧ｖＯは入力電圧Ｖ！に対し一定の制限
電圧Ｖｐ以上には上昇せず電圧制限されることが判る。
この電圧制限のなさｎている状態下において、スイッチ
回路４のトランジスタＴｒ２のベースにＬレベルの電位
を印加し、同トランジスタのエミッタ・コレクタ間を導
通させる。こ扛によりレーザターイオードＬＤには初期
状態においてＶｐ／Ｒなる電流が流れるが出力制御ルー
ズにより制御され、所定出力になる【うな電流に制御さ
ｎる。
回路４のトランジスタＴｒ２のベースにＬレベルの電位
を印加し、同トランジスタのエミッタ・コレクタ間を導
通させる。こ扛によりレーザターイオードＬＤには初期
状態においてＶｐ／Ｒなる電流が流れるが出力制御ルー
ズにより制御され、所定出力になる【うな電流に制御さ
ｎる。
次にトランジスタＴｒ４のベースを位ヲｒ、レベルとし
て同トランジスタを側する。これにより抵抗Ｉｔ６が短
路さ扛、トランジスタＴｒ３のベース電位が上昇し、タ
イオードＤのカソード側が電源電圧Ｖに固定さ扛る結束
、上記電圧制限作用が解除される。
て同トランジスタを側する。これにより抵抗Ｉｔ６が短
路さ扛、トランジスタＴｒ３のベース電位が上昇し、タ
イオードＤのカソード側が電源電圧Ｖに固定さ扛る結束
、上記電圧制限作用が解除される。
このように出力制御ルーズ中に電圧制限回路を設け、電
源投入時にレーザ素子にＮ、九る過電流をレーザ素子の
破壊電流以下に設定しておき、回路が立上った状態にお
いて、レーザ素子に直列に挿入訟れでいるスイッチ回路
をＯＮとし、そして出力制御ルーズの働きで所定の出力
に至った状態（て電圧制限回路の制限電圧を解除するこ
とにより、レーザ素子に過電流が流れるのを防止しレー
ザ素子を保護するものである。従ってレーザ素子の劣化
及び破壊に対する保護が極めて有効になされる。
源投入時にレーザ素子にＮ、九る過電流をレーザ素子の
破壊電流以下に設定しておき、回路が立上った状態にお
いて、レーザ素子に直列に挿入訟れでいるスイッチ回路
をＯＮとし、そして出力制御ルーズの働きで所定の出力
に至った状態（て電圧制限回路の制限電圧を解除するこ
とにより、レーザ素子に過電流が流れるのを防止しレー
ザ素子を保護するものである。従ってレーザ素子の劣化
及び破壊に対する保護が極めて有効になされる。
第１図は従来の半導体レーザ装置のブロック図、第２図
は第１図の回路の電源投入時にレーザ累子に流れる電流
路の等価回路、第３図は第２図の等価回路に流れる電流
の変化を示す図、第４図は本発明のレーザ素子保護・装
置を含む半導体レーザ装置のブロック図、第５図は壬の
一興体的回路例、そして第６図は第５図の誤差増幅器の
入出力特性を示す図である。 ｌ・・・光検出器 ２・・・誤差増幅器 ３・・・電圧制限回路 ４・・・スイッチ回路 ＬＤ・・・レーザダイオード（半導体レーサ素子）第１
図 第２図 第３図 １１ τ
は第１図の回路の電源投入時にレーザ累子に流れる電流
路の等価回路、第３図は第２図の等価回路に流れる電流
の変化を示す図、第４図は本発明のレーザ素子保護・装
置を含む半導体レーザ装置のブロック図、第５図は壬の
一興体的回路例、そして第６図は第５図の誤差増幅器の
入出力特性を示す図である。 ｌ・・・光検出器 ２・・・誤差増幅器 ３・・・電圧制限回路 ４・・・スイッチ回路 ＬＤ・・・レーザダイオード（半導体レーサ素子）第１
図 第２図 第３図 １１ τ
Claims (1)
- 半導体レーザ素子の光出力を光検出器で検出してレーザ
素子駆動回路へフィードバックし、そ扛によって半導体
レーザ素子の駆動電流を制御して半導体レーザ素子の光
出力を一定化するようにした制御ループを有する半導体
レーザ装置において、前記制御ループ中に設定電圧が可
変の電圧制限回路を設け、また前記半導体レーザ素子と
直列にスイッチ回路を設け、半導体レーザ装置の電源投
入時には電圧制限回路の制限電圧を半導体レーザ素子に
流ｎる電流が破壊電流以下に制限さ扛る所定値に設定し
且つ前記スイッチ回路を遅延導通させた後に電圧制限回
路の制限電圧を半導体レーザ素子に流扛る電流がより増
大する方向に高く設定する回路手段を設けたことを特徴
とする半導体レーザ素子の保護装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17135581A JPS5873173A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 半導体レ−ザ素子の保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17135581A JPS5873173A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 半導体レ−ザ素子の保護装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5873173A true JPS5873173A (ja) | 1983-05-02 |
Family
ID=15921648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17135581A Pending JPS5873173A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 半導体レ−ザ素子の保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5873173A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6068683A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-04-19 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | レ−ザ保護回路 |
| WO2005099053A1 (en) * | 2004-04-07 | 2005-10-20 | Thomson Licensing | Method and circuit for controlling an electronic component |
-
1981
- 1981-10-28 JP JP17135581A patent/JPS5873173A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6068683A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-04-19 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | レ−ザ保護回路 |
| JPH0348674B2 (ja) * | 1983-08-30 | 1991-07-25 | Hewlett Packard Co | |
| WO2005099053A1 (en) * | 2004-04-07 | 2005-10-20 | Thomson Licensing | Method and circuit for controlling an electronic component |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0134651B1 (ko) | 안정화 전원 회로 및 에미터 폴로워 출력 전류 제한 회로 | |
| US5099381A (en) | Enable circuit with embedded thermal turn-off | |
| US4870533A (en) | Transistor protection circuit | |
| US4792745A (en) | Dual transistor output stage | |
| US6218816B1 (en) | Power supply with control circuit for short circuit detection and excess current protection | |
| JPS5873173A (ja) | 半導体レ−ザ素子の保護装置 | |
| JPH0453123B2 (ja) | ||
| JPH0569964U (ja) | レーザダイオード発光装置の突入電流防止回路 | |
| JPH06236890A (ja) | 集積バイポーラトランジスタの飽和制御方法 | |
| JPS58112114A (ja) | 直流安定化電源回路 | |
| JPH0225284B2 (ja) | ||
| JP2854183B2 (ja) | レギュレータの過電流保護回路 | |
| JPH071808Y2 (ja) | 半導体レーザ駆動装置 | |
| US6259297B1 (en) | Protection circuit for power transistor | |
| JPS59147476A (ja) | 半導体レ−ザの保護装置 | |
| JPH0319626B2 (ja) | ||
| JP2604497B2 (ja) | 複数出力電源回路 | |
| JPS58225676A (ja) | 半導体レ−ザの出力安定化回路 | |
| JPH0445269Y2 (ja) | ||
| JPS62296213A (ja) | 定電圧回路 | |
| JP2003289172A (ja) | 半導体レーザの光出力制御回路 | |
| JPH02306678A (ja) | 半導体レーザ駆動制御装置 | |
| JP2543533B2 (ja) | レ―ザ―パワ―コントロ―ル回路 | |
| JPH02235121A (ja) | 電源回路の短絡保護回路 | |
| JPH05282055A (ja) | 安定化電源回路 |