JPS5872478A - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
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- JPS5872478A JPS5872478A JP56171421A JP17142181A JPS5872478A JP S5872478 A JPS5872478 A JP S5872478A JP 56171421 A JP56171421 A JP 56171421A JP 17142181 A JP17142181 A JP 17142181A JP S5872478 A JPS5872478 A JP S5872478A
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- JP
- Japan
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- layer
- wear
- heating resistor
- thermal head
- thickness
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、サーマルヘッドに係り、特に長寿命のサーマ
ルヘッドに関する。
ルヘッドに関する。
従来、サーマルヘッドは、第１図の構造をしていた。そ
して、第１図のサーマルヘッドは、以下（ａ）〜（ｅ）
の工程を経て製造していた０（ａ） セラミック基板
１上にグレーズガラス層２を設ける。
して、第１図のサーマルヘッドは、以下（ａ）〜（ｅ）
の工程を経て製造していた０（ａ） セラミック基板
１上にグレーズガラス層２を設ける。
（ｂ） その上に５ｔ−Ｃｒなどの薄膜抵抗を蒸着法
で設ける。
で設ける。
（ｃ） 薄膜抵抗上にレジストを塗布してから所望の
パターンとなるようレジストを選択的に除去する。
パターンとなるようレジストを選択的に除去する。
（ｄ） エツチング液（例えば弗酸、硝酸の混液）で
選択的にエツチングして発熱抵抗体ろとする０ （ｅ） 発熱抵抗体３が完全に被覆されるように耐摩
耗層４を設ける。
選択的にエツチングして発熱抵抗体ろとする０ （ｅ） 発熱抵抗体３が完全に被覆されるように耐摩
耗層４を設ける。
そして、５ｔ−Ｃｒ薄膜抵抗を選択的にエツチングする
場合、薄膜抵抗の厚さが１５００Ｘのときはグレーズガ
ラス層は１００（］Ａ〜３０００Ａ程度エツチングされ
、段差部５が形成される。そして、この段差部には・、
耐摩耗層１発熱抵抗体、グレーズガラス層の熱膨張係数
の差に帰因する応力が集中し、発熱抵抗体、グレーズガ
ラス層が破壊し、断線に至る欠点があった。
場合、薄膜抵抗の厚さが１５００Ｘのときはグレーズガ
ラス層は１００（］Ａ〜３０００Ａ程度エツチングされ
、段差部５が形成される。そして、この段差部には・、
耐摩耗層１発熱抵抗体、グレーズガラス層の熱膨張係数
の差に帰因する応力が集中し、発熱抵抗体、グレーズガ
ラス層が破壊し、断線に至る欠点があった。
これを避けるためには、（ａ）エツチング時間ｔ−短縮
する、伽）第２図に示すように、グレーズガラス層２と
発熱抵抗体３間に耐エツチング層６を設ける、ことが考
えられる。
する、伽）第２図に示すように、グレーズガラス層２と
発熱抵抗体３間に耐エツチング層６を設ける、ことが考
えられる。
しかし、上記（ａ）の方法では、薄膜抵抗層の一部が未
分離のまま残り、発熱素子間でショ トを起こし、上記
色）の方法では製造工数が増す欠点があった。
分離のまま残り、発熱素子間でショ トを起こし、上記
色）の方法では製造工数が増す欠点があった。
本発明は、上記した従来技術の欠点をなくし安価で長寿
命のサーマルヘッドを提供するにある０ 上記目的は、少なくとも発熱抵抗体の下に存在するガラ
ス層と、耐摩耗層の熱膨張係数を同程度のものとするこ
とで達成させる。この場合発熱抵抗体をシリコン系とす
ると、熱膨張係数がガラス層、耐摩耗層のそれに近ずく
ので一層良い０ なお、基板は、セラミック基板上にグレーズガラス層を
設けたもの、ガラス基板などを用いる０ 次に、本発明を第３図を用いて詳細に説明する。６０μ
ｍのグレーズ層２を具備したセラミック基板（１）上に
直接シリコン−クロム系の薄膜３を１５００Ａ程度形成
する。ボトレジス塗布・露光・現像後、弗酸と硝酸の割
合を１：３０にした混合エツチング液で１０秒間エツチ
ングする。エツチング終了後、レジストを除去し、耐摩
耗層４としてシリコンカーバイド層を３μｍの厚さに形
成する。
命のサーマルヘッドを提供するにある０ 上記目的は、少なくとも発熱抵抗体の下に存在するガラ
ス層と、耐摩耗層の熱膨張係数を同程度のものとするこ
とで達成させる。この場合発熱抵抗体をシリコン系とす
ると、熱膨張係数がガラス層、耐摩耗層のそれに近ずく
ので一層良い０ なお、基板は、セラミック基板上にグレーズガラス層を
設けたもの、ガラス基板などを用いる０ 次に、本発明を第３図を用いて詳細に説明する。６０μ
ｍのグレーズ層２を具備したセラミック基板（１）上に
直接シリコン−クロム系の薄膜３を１５００Ａ程度形成
する。ボトレジス塗布・露光・現像後、弗酸と硝酸の割
合を１：３０にした混合エツチング液で１０秒間エツチ
ングする。エツチング終了後、レジストを除去し、耐摩
耗層４としてシリコンカーバイド層を３μｍの厚さに形
成する。
シリコンカーバイドの熱膨張係数は５．５Ｘ１０−６ｄ
ｅｇ−’ 程度であり、一般に使用されるグレーズドセ
ラミック基板のグレーズガラスの熱膨張係数は５．８
Ｘ １０−’ｄｅｇ−’程度、クロム−シリコンのそれ
は５ Ｘ １０−’ｄｅｇ−”と殆んど同じである。
ｅｇ−’ 程度であり、一般に使用されるグレーズドセ
ラミック基板のグレーズガラスの熱膨張係数は５．８
Ｘ １０−’ｄｅｇ−’程度、クロム−シリコンのそれ
は５ Ｘ １０−’ｄｅｇ−”と殆んど同じである。
この抵抗体に、パルス幅１ｍ５ｅＣ、パルス間隔１０ｍ
５ｅｃ、印加電力密度３５Ｗ／ｍｍ２のパルス電圧を印
加して耐パルス性による寿命実験を行なった結果、１億
パルス印加後においても抵抗体の破断は発生せずかつグ
レーズガラス部、抵抗体部耐摩耗層部いずれにもクラッ
クは発生しなかった。
５ｅｃ、印加電力密度３５Ｗ／ｍｍ２のパルス電圧を印
加して耐パルス性による寿命実験を行なった結果、１億
パルス印加後においても抵抗体の破断は発生せずかつグ
レーズガラス部、抵抗体部耐摩耗層部いずれにもクラッ
クは発生しなかった。
さらに、発熱抵抗体間の溝の深さが２５００〜４ｓｏｏ
Ｘ程度となり、この上に形成する保護層の表面にも溝を
生じ、発熱抵抗体で生じた熱が効率良く感熱紙へ伝わる
ので、良い画質を得ることができた。
Ｘ程度となり、この上に形成する保護層の表面にも溝を
生じ、発熱抵抗体で生じた熱が効率良く感熱紙へ伝わる
ので、良い画質を得ることができた。
以上述べた方法で作製した感熱記録ヘッドは従来技術、
例えば弗酸と硝酸との混合液とアルカリ液を用いてエツ
チング量を制御する方法や五酸化タンタル等から成る耐
エツチング層を設ける方法に比べ、製造工程が１〜２工
程少なくなるため、コスト低減が達成できる。
例えば弗酸と硝酸との混合液とアルカリ液を用いてエツ
チング量を制御する方法や五酸化タンタル等から成る耐
エツチング層を設ける方法に比べ、製造工程が１〜２工
程少なくなるため、コスト低減が達成できる。
また、熱膨張係数がガラス層、発熱抵抗体と耐摩耗層と
で同程度であるため熱応力の発生が抑えら゛れ、発熱抵
抗体の破損を避けることができ、感熱記録ヘッドの寿命
は従来技術で得られるものと同等であった、 その上、本発明を用いると発熱素子間の溝が深くなり、
これに伴い保護層にも比較的大きな溝が生じ、発熱素子
からの熱が効率よく感熱紙へ伝わる等の効果がある。
で同程度であるため熱応力の発生が抑えら゛れ、発熱抵
抗体の破損を避けることができ、感熱記録ヘッドの寿命
は従来技術で得られるものと同等であった、 その上、本発明を用いると発熱素子間の溝が深くなり、
これに伴い保護層にも比較的大きな溝が生じ、発熱素子
からの熱が効率よく感熱紙へ伝わる等の効果がある。
第１図〜第３図は、サーマルヘッドの断面図である。
２・・・グレーズガラス層
３・・・発熱抵抗体
４・・・耐摩耗層
５・・・段差部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 グレーズガラス層を設けた基板もしくはガラス基
板、このいずれかの基板のガラス面上に設けた発熱抵抗
体、この発熱抵抗体とガラス面が被覆されるように設け
られた耐摩耗層ヨリするサーマルヘッドにおいて、耐摩
耗層がグレーズガラス層、ガラス基板の熱膨張係数と同
程度のものであることを特徴とするサーマルヘッド０ ２、 発熱抵抗体が、シリコン系のものであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のサーマルヘッド０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56171421A JPS5872478A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56171421A JPS5872478A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | サ−マルヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5872478A true JPS5872478A (ja) | 1983-04-30 |
Family
ID=15922816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56171421A Pending JPS5872478A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5872478A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6070701A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-22 | 日東電工株式会社 | チツプ抵抗体 |
| JPS60101147U (ja) * | 1983-12-14 | 1985-07-10 | ロ−ム株式会社 | 熱印字ヘツド |
-
1981
- 1981-10-28 JP JP56171421A patent/JPS5872478A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6070701A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-22 | 日東電工株式会社 | チツプ抵抗体 |
| JPS60101147U (ja) * | 1983-12-14 | 1985-07-10 | ロ−ム株式会社 | 熱印字ヘツド |
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