JPS587179B2 - 半導体歪ゲ−ジ式圧力センサ - Google Patents
半導体歪ゲ−ジ式圧力センサInfo
- Publication number
- JPS587179B2 JPS587179B2 JP49117125A JP11712574A JPS587179B2 JP S587179 B2 JPS587179 B2 JP S587179B2 JP 49117125 A JP49117125 A JP 49117125A JP 11712574 A JP11712574 A JP 11712574A JP S587179 B2 JPS587179 B2 JP S587179B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- strain gauge
- pressure sensor
- semiconductor chip
- electrode
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体歪ゲージ式圧力センサに係り、特に高湿
雰囲気中で使用するに好適な耐湿構造を備えた半導体歪
ゲージ式圧力センサに関する。
雰囲気中で使用するに好適な耐湿構造を備えた半導体歪
ゲージ式圧力センサに関する。
従来の半導体拡散抵抗歪ゲージ式圧力センサは高湿雰囲
気中で使用される事を考慮して歪ゲージ、パターン及び
電極表面が直接大気に触れない様にしなければならない
。
気中で使用される事を考慮して歪ゲージ、パターン及び
電極表面が直接大気に触れない様にしなければならない
。
そのため一般のトランジスタと同様に真空封止するか、
絶縁油および金属ダイヤフラムによって大気からしゃ断
し、これらのものを介して圧力を受ける方法をとってい
た。
絶縁油および金属ダイヤフラムによって大気からしゃ断
し、これらのものを介して圧力を受ける方法をとってい
た。
ところが前者は半導体チップの片側の面が必ず真空とな
るため、相対圧センサとして使用できなかったり、絶対
圧センサとして構成した場合、基準圧力が真空となるた
め、使用状態において完全に真空状態が保持される事を
要求されるが、基準圧力室から外部へ電気信号を引き出
すだめのリード端子が設けなければならず、リード端子
が基準圧力室を貫通する部分の真空封止の信頼性が大き
な問題となると同時に、真空封止作業が高価につくとい
う欠点を有する。
るため、相対圧センサとして使用できなかったり、絶対
圧センサとして構成した場合、基準圧力が真空となるた
め、使用状態において完全に真空状態が保持される事を
要求されるが、基準圧力室から外部へ電気信号を引き出
すだめのリード端子が設けなければならず、リード端子
が基準圧力室を貫通する部分の真空封止の信頼性が大き
な問題となると同時に、真空封止作業が高価につくとい
う欠点を有する。
一方後者も、絶油の封止構造および金属ダイヤフラムが
高価であるという欠点を持っていた。
高価であるという欠点を持っていた。
そのため、半導体歪ゲージ式圧力センサは小型軽量、高
応答性といった他の方式の圧力センサにはない特徴を有
しながらも高価であるために計測器以外には使用されな
かった。
応答性といった他の方式の圧力センサにはない特徴を有
しながらも高価であるために計測器以外には使用されな
かった。
本発明の目的は、簡単な耐湿構造を採用する事によシ安
価な半導体歪ゲージ式圧力センサを提供するにある。
価な半導体歪ゲージ式圧力センサを提供するにある。
以下本発明を図面に示す実施例に基づき説明すると1は
検知用圧力を導入するための導圧管で主にガラス材が用
いられる。
検知用圧力を導入するための導圧管で主にガラス材が用
いられる。
2は前記導圧管の端面中央部に気密に接合された半導体
チップでその上面には歪ゲージを構成する抵抗を拡散形
成し、更に外部との電気的接続をとるため蒸着により形
成されたアルミニウム電極を備えている。
チップでその上面には歪ゲージを構成する抵抗を拡散形
成し、更に外部との電気的接続をとるため蒸着により形
成されたアルミニウム電極を備えている。
電極とリード端子3とは金細線4によりワイヤボンデン
グ接続している。
グ接続している。
5は絶縁台で前記導圧管1の外周に嵌着され、リード端
子3を保持している。
子3を保持している。
6は前記絶縁台5に嵌合されたケースで半導体チツプ2
を保護する。
を保護する。
7はゲル状の軟質シリコンレジンで半導体チツプ2の電
極が形成された面の表面を包み込むように覆っている。
極が形成された面の表面を包み込むように覆っている。
このように簡単な耐湿構造をとっているにも拘らず、8
0℃、相対湿度95%の雰囲気中で第2図に示す結線に
おいて、電源電圧を8V印加通電した高温高湿試験で1
000時間経過後の出力電圧e0の変化はほとんど零で
あり優れた耐久性を有することが確認された。
0℃、相対湿度95%の雰囲気中で第2図に示す結線に
おいて、電源電圧を8V印加通電した高温高湿試験で1
000時間経過後の出力電圧e0の変化はほとんど零で
あり優れた耐久性を有することが確認された。
一方、圧力に対する出力電圧特性も第3図に示す如く導
圧管1に与える圧力が0〜700mmHgの範囲で完全
なる直線性を有し、シリコンゲルを塗布したために直線
性が悪くなるとか、感度が低下すると云う事は全くない
。
圧管1に与える圧力が0〜700mmHgの範囲で完全
なる直線性を有し、シリコンゲルを塗布したために直線
性が悪くなるとか、感度が低下すると云う事は全くない
。
尚、上記実施例では電極にアルミニュウムを用いている
が、半田その他の電極でも同等の効果が得られる。
が、半田その他の電極でも同等の効果が得られる。
又、半導体チツプ2の電極表面被覆材としてはシリコン
ゲルを用いたが、シリコンゲルと同等の粘性を与えるレ
ジンであれば何れでも良い。
ゲルを用いたが、シリコンゲルと同等の粘性を与えるレ
ジンであれば何れでも良い。
以上詳記した通り、本発明によれば、半導体チップの表
面をゲル状の軟質レジンで覆うのみの簡単な構造で所望
の耐湿性を達成できるので非常に安価な半導体歪ゲージ
式圧力センサが提供できる。
面をゲル状の軟質レジンで覆うのみの簡単な構造で所望
の耐湿性を達成できるので非常に安価な半導体歪ゲージ
式圧力センサが提供できる。
第1図は本発明の実施例における半導体歪ゲージ式圧力
センサの断面図、第2図は耐湿試験および圧力−出力電
圧特性測定回路図、第3図は圧力−出力電圧特性図であ
る。 1・・・導圧管、2・・・半導体チップ、3・・・リー
ド端子、7・・・シリコンレジン。
センサの断面図、第2図は耐湿試験および圧力−出力電
圧特性測定回路図、第3図は圧力−出力電圧特性図であ
る。 1・・・導圧管、2・・・半導体チップ、3・・・リー
ド端子、7・・・シリコンレジン。
Claims (1)
- 1 一面に歪ゲージを構成する拡散抵抗とこの抵抗に電
気的に接続された電極を有する半導体チップと、前記チ
ップの電極が形成された面の反対側の面に接合された導
圧管と、外部に設けたリード端子と前記電極とを電気的
に接続するボンデングワイヤと、前記半導体チップの周
りをとりかこむケースとを有するものにおいて、前記半
導体チップの拡散抵抗及び電極が形成された面をゲル状
の軟質レジンで被覆したことを特徴とする半導体歪ゲー
ジ式圧力センサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49117125A JPS587179B2 (ja) | 1974-10-14 | 1974-10-14 | 半導体歪ゲ−ジ式圧力センサ |
| SU752180553A SU691083A3 (ru) | 1974-10-14 | 1975-10-14 | Способ получени производных бис/бензамидо/-бензола или их солей |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49117125A JPS587179B2 (ja) | 1974-10-14 | 1974-10-14 | 半導体歪ゲ−ジ式圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5143980A JPS5143980A (ja) | 1976-04-15 |
| JPS587179B2 true JPS587179B2 (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14704042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49117125A Expired JPS587179B2 (ja) | 1974-10-14 | 1974-10-14 | 半導体歪ゲ−ジ式圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587179B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56154638A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-30 | Toshiba Corp | Semiconductor pressure converter |
| JPS57136132A (en) * | 1981-02-18 | 1982-08-23 | Nippon Denso Co Ltd | Semiconductor pressure transducer |
| JPS61202152A (ja) * | 1985-03-05 | 1986-09-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 湿度検出装置 |
| JPH0618278Y2 (ja) * | 1985-08-05 | 1994-05-11 | 三洋電機株式会社 | 湿度検出装置 |
-
1974
- 1974-10-14 JP JP49117125A patent/JPS587179B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5143980A (ja) | 1976-04-15 |
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