JP3089853B2 - 半導体感圧素子 - Google Patents

半導体感圧素子

Info

Publication number
JP3089853B2
JP3089853B2 JP04250290A JP25029092A JP3089853B2 JP 3089853 B2 JP3089853 B2 JP 3089853B2 JP 04250290 A JP04250290 A JP 04250290A JP 25029092 A JP25029092 A JP 25029092A JP 3089853 B2 JP3089853 B2 JP 3089853B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
semiconductor
sensitive element
sensitive
container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP04250290A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06102121A (ja
Inventor
利明 酒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP04250290A priority Critical patent/JP3089853B2/ja
Publication of JPH06102121A publication Critical patent/JPH06102121A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3089853B2 publication Critical patent/JP3089853B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ダイヤフラム部
に不純物拡散により形成した感圧ゲージのピエゾ抵抗効
果を利用した半導体感圧素子に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体感圧素子は、金属ダイヤフラム型
あるいはフローティング可変抵抗型の感圧素子に比して
外形が小さくでき、低コスト化が可能であるという特徴
をもち、自動車のエンジン制御プラントにおける圧力の
自動監視など、各種ガス圧力計測に用いられる。そし
て、半導体感圧素子のセンサ部と、その出力信号を増幅
し、また温度補償するための信号処理回路とを別個にす
ると、構造が複雑となること、また外付けの信号処理回
路は腐食性ガスなどのある外部環境の悪い所では使えな
いという問題があり、信号処理回路を感圧ゲージ部と同
一チップに集積することが進められている。そして、こ
の半導体チップをガラスなどの台座と静電接合により気
密接合し、その台座を金属ステム上に固着し、その金属
ステムと金属キャップを気密溶接封止して内部を圧力基
準室とするキャンパッケージ型半導体感圧素子は高い信
頼性を有している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】キャンパッケージは気
密性の点で信頼性が高いが、もし外力その他によりパッ
ケージが破損して気密が破壊されると感圧素子としての
機能が果たせなくなる。またセンサチップが破壊してパ
ッケージを突き破り、外部に飛散するおそれもある。
【0004】本発明の目的は、上述の問題を解決し、パ
ッケージの破損による気密性劣化が防止され、さらに万
一気密性劣化が起きたときには、それを検知できる自己
診断(ダイアグノーシス) 機能をもつ半導体感圧素子を
提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の半導体感圧素子は、ダイヤフラム部に感
圧ゲージが形成された半導体素体を収容する金属底板と
この金属底板と気密に結合された金属蓋体とからなる内
部容器と、外部容器蓋部が弾性体を介して外部容器基部
に加圧されて気密に結合された外部容器と、この外部容
器中に前記内部容器が収容されたものとする。そして、
半導体素体に感圧ゲージの信号処理回路が集積されたこ
とでよい。また、内部容器の底板に絶縁されて気密に貫
通する端子導体がその底板とその下の外部容器基部との
間に介在する絶縁性支持体に埋め込まれたU字状導体を
介して外部容器蓋部を貫通して上方に引き出される外部
端子に接続されたことが有効である。さらに、そのU字
状導体の両端に、接続される導体が差込まれる凹形端子
を有することでよい。そして、外部容器蓋部が外部容器
基部周辺で突出する円筒体のカーリングにより基部に加
圧されることでよい。また、外部容器の下面中央に固定
用ねじ部を有し、そのねじ部の中心軸に半導体素体のダ
イヤフラム部の一面に達する導圧路に連通する導圧孔が
形成されたことでよい。そして、内部容器は弾性体を介
して絶縁性支持体に加圧され固定されることでよい。ま
た、弾性体に圧着する少なくとも外部容器蓋部および絶
縁支持体のいずれかの当接面が凸形状であることが有効
である。別の本発明の半導体感圧素子は、ダイヤフラム
部に感圧ゲージが形成された半導体素体上に導電性ガス
検出用のセンサが設けられたものとする。そして、導電
性ガス検出用のセンサが、半導体素体に形成された拡散
抵抗の両端の電極間の抵抗値の変化により半導体素体上
の雰囲気中の導電性ガスの存在を検出するものであるこ
とが有効である。
【0006】
【作用】感圧機能をもつ半導体素体を二重の容器に収容
することにより、外力による内部容器の破損の防止、素
体の破壊の時の安全性の確保および二重構造による気密
性の向上が達せられる。また、内部容器の金属蓋部に絶
縁されて気密に貫通する端子導体の形成は困難なので、
内部容器底板を貫通する端子導体を、内部容器の絶縁性
支持体中にあるU字状導体により上方に方向反転し、外
部容器蓋部から上方へ外部端子導体を引き出すことによ
り、外部回路との接続が容易になる。さらに、半導体素
体上に、例えば大気中の水蒸気のような導電性ガスの接
触により抵抗の変化する拡散抵抗のようなガスセンサを
設けることにより、気密性の劣化によるガスの侵入を検
知する自己診断機能が確保される。
【0007】
【実施例】図1は本発明の絶対圧型半導体感圧素子にお
ける一実施例を示す。ダイヤフラム部に感圧ゲージが形
成されている感圧チップ1は静電接合によりガラズ台座
2の上に固着され、そのガラス台座ははんだ3によって
金属ステム4にろう付けされている。この金属ステム4
は金属キャップ5に溶接されて気密容器を形成する。ス
テム4にガラス6によってシールされて貫通する端子7
は、感圧チップ1の出力端子と導線8により接続されて
いる。そして、このステム4はゴム板9を介して樹脂支
持体10に加圧、固定される。加圧は、支持体10周縁で突
出する円筒体11の三角形断面を有する頭部によって行わ
れる。さらに、樹脂支持体10はねじ部12を有する金属台
座13の上に置かれ、ソケット16を有する樹脂製の外部容
器蓋部15によりゴム板14を介して加圧される。加圧は、
台座13の周縁近くで突出する円筒体17の上部をカーリン
グすることにより行われる。樹脂支持体10にはU字状導
体18が埋込まれている。このU字状導体18の両端には凹
形端子19、20が形成され、凹形端子19に内部容器の金属
ステム4を貫通する端子7を、凹形端子20には途中に応
力を吸収する可撓部を有する外部出力端子21を差込むこ
とにより、はんだ付等洗浄を要する作業を必要とするこ
となく接続ができる。外部出力端子21の上部は予め蓋部
15に埋込まれており、上端はソケット16の中で外部に引
き出されている。台座13と蓋部15からなる外部容器の外
部および台座の中心軸に開けられた導圧孔22との間の気
密封止は、ゴム板14に圧着する蓋部15および支持体10の
当接面に凸部23、24を形成することにより確保される。
同様の凸部は、金属ステム4のゴム板9との当接面に形
成してもよい。この素子の取付時などに加わる外力は、
プラスチックからなる支持体10と蓋部15との係合部のみ
にかかり、キャンパッケージ4、5には伝わらない。ま
た上下方向の応力は、二重のゴム板9、14が緩和する。
なお、金属台座13にねじ部12を有するのでエンジン制御
プラントへの実装が簡単にできる。
【0008】この半導体感圧素子は、導圧孔22により
測定圧を導入すると、圧力はゴム板の14の穴、支持体
10の穴、ゴム板9の穴、金属ステム4の穴、台座2の
穴、からなる導圧路を経由して感圧チップ1に伝えら
れ、金属ステム4と金属キャップ5により形成されるキ
ャンパッケージ内の圧力基準室25の圧力との差に応じ
た信号を出力する。キャンパッケージの気密劣化の場合
は、圧力基準室25の圧力を大気より低く設定すること
によって、外部から侵入した空気中の水蒸気が感圧チッ
プ1の上で結露する。そこで、図2に示すような拡散抵
抗31を感圧チップ1の表面層に形成し、Al導体32
によりジグザグ状に接続する。図3はその断面図で、3
3はパッシベーション膜を示している。水滴の付着によ
り、34あるいは35の部分にリークが起こり、抵抗値
が低下する。図4はこのような変化による自己診断機能
の等価回路で、感圧ゲージ41の出力信号は演算増幅器
42を介してVout端子から取出される。一方、拡散
抵抗31と基準抵抗43とにより電源電圧を分圧すれ
ば、拡散抵抗31の抵抗値の低下はコンパレータ44に
よって自己診断出力として端子45から取出される。さ
らに大きな気密性の変化があれば、出力信号も大きく変
化することがわかっており、この出力を常時モニタする
ことによって、電源オンなどの初期レベルとの比較をマ
イコンなどで処理し対応ができる。感圧チップ1に集積
されたIC回路の不動作故障などは、出力が下限飽和
0.2V以下、上限飽和4.9V以上などで常時モニタ
することができる。
【0009】図5は本発明の相対圧型半導体感圧素子に
おける一実施例を示す。この場合は、キャンパッケージ
の内部空間25を大気に開放するために、金属蓋体51に孔
部26を、外部容器蓋部15に孔部27を設けてある。この孔
部27は孔部26より低い位置にあり、外部からの水分がキ
ャンパッケージ内部空間25に浸入しにくくしてある。ま
たチップ1および接続導線8に保護用ポッティング樹脂
28が塗布されている。この素子においても、チップ1に
拡散抵抗31を形成することにより、導圧孔22から導入さ
れる測定ガスが気密性劣化のためキャンパッケージ内部
空間25に侵入したことを検知するのに役立つ。
【0010】
【発明の効果】本発明によれば、容器を二重にすること
により、気密性、防爆性の向上が達せられ、U字状導体
の利用により外部出力端子の容器上方への引出しが容易
になり、またガスセンサの内蔵により自己診断機能が備
えられるので、信頼性の高い半導体感圧素子を得ること
ができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の絶対圧型半導体感圧素子の
断面図
【図2】本発明の別の実施例に用いられるガスセンサの
平面図
【図3】図2のガスセンサの断面図
【図4】図2のガスセンサを用いた半導体感圧素子の等
価回路図
【図5】本発明のさらに別の実施例の相対圧型半導体感
圧素子の断面図
【符号の説明】
1 感圧チップ 4 金属ステム 5 金属キャップ 6 ガラス 7 端子 9 ゴム板 10 樹脂支持体 11 円筒体 12 ねじ部 13 金属台座 14 ゴム板 15 外部容器蓋部 17 円筒体 18 U字状導体 19 凹形端子 20 凹形端子 21 外部出力端子 22 導圧孔 23 凸部 24 凸部 31 拡散抵抗 32 Al導体

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ダイヤフラム部に感圧ゲージが形成された
    半導体素体を収容する金属底板とこの金属底板と気密に
    結合された金属蓋体とからなる内部容器と、外部容器蓋
    部の当接面が弾性体を介して外部容器基部に加圧されて
    気密に結合された外部容器と、この外部容器中に前記内
    部容器が収容されたことを特徴とする半導体感圧素子。
  2. 【請求項2】前記半導体素体に感圧ゲージの信号処理回
    路が集積されたことを特徴とする請求項1記載の半導体
    感圧素子。
  3. 【請求項3】前記内部容器の底板に絶縁されて気密に貫
    通する端子導体がその底板とその下の前記外部容器基部
    との間に介在する絶縁性支持体に埋め込まれたU字状導
    体を介して前記外部容器蓋部を貫通して上方に引き出さ
    れる外部端子に接続されたことを特徴とする請求項1あ
    るいは2記載の半導体感圧素子。
  4. 【請求項4】前記U字状導体の両端に、接続される導体
    が差込まれる凹形端子を有することを特徴とする請求項
    3記載の半導体感圧素子。
  5. 【請求項5】前記外部容器蓋部が前記外部容器基部周辺
    で突出する円筒体のカーリングにより基部に加圧される
    ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の
    半導体感圧素子。
  6. 【請求項6】前記外部容器の下面中央に固定用ねじ部を
    有し、そのねじ部の中心軸に前記半導体素体のダイヤフ
    ラム部の一面に達する導圧路に連通する導圧孔が形成さ
    れたことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記
    載の半導体感圧素子。
  7. 【請求項7】前記内部容器は弾性体を介して絶縁性支持
    体に加圧され固定されることを特徴とする請求項1ない
    し6のいずれかに記載の半導体感圧素子。
  8. 【請求項8】前記弾性体に圧着する少なくとも前記外部
    容器蓋部および絶縁支持体のいずれかの当接面が凸形状
    であることを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに
    記載の半導体感圧素子。
  9. 【請求項9】ダイヤフラム部に感圧ゲージが形成された
    半導体素体上に導電性ガス検出用のセンサが設けられた
    ことを特徴とする半導体感圧素子。
  10. 【請求項10】前記導電性ガス検出用のセンサが、半導
    体素体に形成され拡散抵抗の両端の電極間の抵抗値の変
    化により半導体素体上の雰囲気中の導電性ガスの存在を
    検出するものであることを特徴とする請求項9に記載の
    半導体感圧素子。
JP04250290A 1992-09-21 1992-09-21 半導体感圧素子 Expired - Fee Related JP3089853B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04250290A JP3089853B2 (ja) 1992-09-21 1992-09-21 半導体感圧素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04250290A JP3089853B2 (ja) 1992-09-21 1992-09-21 半導体感圧素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06102121A JPH06102121A (ja) 1994-04-15
JP3089853B2 true JP3089853B2 (ja) 2000-09-18

Family

ID=17205711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04250290A Expired - Fee Related JP3089853B2 (ja) 1992-09-21 1992-09-21 半導体感圧素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3089853B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6422088B1 (en) 1999-09-24 2002-07-23 Denso Corporation Sensor failure or abnormality detecting system incorporated in a physical or dynamic quantity detecting apparatus
DE10255279A1 (de) * 2002-11-26 2004-06-03 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Messumformer mit Lecküberwachung
US6715360B1 (en) * 2003-02-19 2004-04-06 Fisher Controls International, Llc Gauge pressure sensor for hazardous applications
CN109353252B (zh) * 2018-12-06 2023-06-23 吉林大学 一种具有体压感知的智能汽车座椅装置和应用方法
CN110054141A (zh) * 2019-03-27 2019-07-26 西人马联合测控(泉州)科技有限公司 压力传感器及其封装方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06102121A (ja) 1994-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6393922B1 (en) Pressure sensor component with hose connection
KR101332175B1 (ko) 압력 센서 패키지와, 그 제조 방법, 및 유체 압력 결정방법
US7024937B2 (en) Isolated pressure transducer
US6176137B1 (en) Pressure sensor
US6805010B2 (en) Pressure sensor module
US6453749B1 (en) Physical sensor component
US5209120A (en) Semiconductor pressure-detecting apparatus
US5969259A (en) Side port package for micromachined fluid sensor
JP6656336B1 (ja) 温度センサ装置
US5444286A (en) Packaged semiconductor pressure sensor including lead supports within the package
US10254186B2 (en) Pressure sensor
JP3089853B2 (ja) 半導体感圧素子
US4400682A (en) Pressure sensor
JP2600863B2 (ja) 高圧用半導体式圧力センサの取付け構造
JP3840784B2 (ja) 圧力センサ
JPH01248033A (ja) 半導体式圧力センサ
JP3722191B2 (ja) 半導体圧力センサ
JP3620184B2 (ja) 圧力センサ
JP2569863B2 (ja) 半導体圧力センサ
JP4103227B2 (ja) 圧力センサ
JP3722037B2 (ja) 圧力センサ装置
CN215492216U (zh) 介质隔离式压力传感器
US11085846B2 (en) Micromechanical sensor device with integrated housing seal, micromechanical sensor assembly, and corresponding manufacturing method
JPS638523A (ja) 半導体圧力センサ
JPS587179B2 (ja) 半導体歪ゲ−ジ式圧力センサ

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080721

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees