JPS5870580A - 非晶質シリコン太陽電池 - Google Patents
非晶質シリコン太陽電池Info
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- JPS5870580A JPS5870580A JP56168965A JP16896581A JPS5870580A JP S5870580 A JPS5870580 A JP S5870580A JP 56168965 A JP56168965 A JP 56168965A JP 16896581 A JP16896581 A JP 16896581A JP S5870580 A JPS5870580 A JP S5870580A
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- JP
- Japan
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- amorphous silicon
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- groove
- electrode
- substrate
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Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非晶質シリコンを用いた太陽電池に関するもの
である。
である。
太陽電池や光検出器のような光起電力装置は。
従来から主として結晶シリコンが用いられてきたが、こ
れらの装置は他の電気エネルギー発生法と比較して１発
電コストが非常に大きい。その主な原因は発電部を構成
する半導体材料１例えば結晶シリコンの利用効率が低く
、また製造コストが高いことである。非晶質シリコンは
。
れらの装置は他の電気エネルギー発生法と比較して１発
電コストが非常に大きい。その主な原因は発電部を構成
する半導体材料１例えば結晶シリコンの利用効率が低く
、また製造コストが高いことである。非晶質シリコンは
。
これらの問題点を解決できる半導体材料として使用され
だしている。ｒなわち非晶質シリコンは、シランや７四
ルシランなどのシリコン化合物のグロー放電により発生
するグラズマを利用して、ガス原料より直接製造テるこ
とができ。
だしている。ｒなわち非晶質シリコンは、シランや７四
ルシランなどのシリコン化合物のグロー放電により発生
するグラズマを利用して、ガス原料より直接製造テるこ
とができ。
また製造時の温度も単結晶材料製造に比較して。
きわめて低温であるため安価且つ大量に製作することが
可能である。しかし、従来から知られている非晶質シリ
コンを用いた太陽電池においてもいくつかの問題点があ
る。
可能である。しかし、従来から知られている非晶質シリ
コンを用いた太陽電池においてもいくつかの問題点があ
る。
第１図は従来の非晶質シリコン太陽電池の一例の概略を
示す断面模式図である。図では３個の発電部ａ 、ｂ、
ｃが示されている。１１は透光性絶縁基板、１２は１０
０ＯＸ程度の膜厚の透明導電膜からなる９Ｊ１の電極％
１３は膜厚２００芙程度の２層２３ｍ、５００ＯＸ程度
の１層１ ｓ ｂ 、 １００ＯＸ程度のｎ層１３ｃの
３層からなるｐｉｎ接合が形成された非晶質シリコン層
、１４は金属からなる第２の電極である。第１の電極１
２は所定間隔をおいて配列形成され、非晶質シリコン層
１３はこの第１の電極１３の一端部に露出面を残し。
示す断面模式図である。図では３個の発電部ａ 、ｂ、
ｃが示されている。１１は透光性絶縁基板、１２は１０
０ＯＸ程度の膜厚の透明導電膜からなる９Ｊ１の電極％
１３は膜厚２００芙程度の２層２３ｍ、５００ＯＸ程度
の１層１ ｓ ｂ 、 １００ＯＸ程度のｎ層１３ｃの
３層からなるｐｉｎ接合が形成された非晶質シリコン層
、１４は金属からなる第２の電極である。第１の電極１
２は所定間隔をおいて配列形成され、非晶質シリコン層
１３はこの第１の電極１３の一端部に露出面を残し。
他端部で基板１１上に延在するように配設され。
第２の電極１４を隣接する発電部の第１の電極１２の露
出面にコンタクトさせることで複数の発電部の直列接続
を実現している。
出面にコンタクトさせることで複数の発電部の直列接続
を実現している。
ところがこの構成では、各発電部の非晶質シリコン１３
は隣接する発電部の第１の電極１２に接しており、この
ためそれぞれの発電部間の絶縁が完全でなく、隣接する
発電部相互間のリーク電流発生の原因となって太陽電池
特性な悪くする。これを解決するため、非晶質シリコン
層１３と隣接する発電部の＠１の電極１２の間に十分な
間隙を設けることが考えられるが、これは発電部を高密
度に配列する上で好ましくない。また上記間隙を微小な
ものとすると、これが第２の電極によって埋込まれない
まま残った場合に信頼性劣化の原因となる。
は隣接する発電部の第１の電極１２に接しており、この
ためそれぞれの発電部間の絶縁が完全でなく、隣接する
発電部相互間のリーク電流発生の原因となって太陽電池
特性な悪くする。これを解決するため、非晶質シリコン
層１３と隣接する発電部の＠１の電極１２の間に十分な
間隙を設けることが考えられるが、これは発電部を高密
度に配列する上で好ましくない。また上記間隙を微小な
ものとすると、これが第２の電極によって埋込まれない
まま残った場合に信頼性劣化の原因となる。
本発明は、上記した点に鑑みてなされたものであり、簡
単に隣接する発電部相互間を絶縁することができ、リー
ク電流の発生を防ぐことのできる非晶質シリコン太ＩＪ
Ｉｔ池を提供するものである。
単に隣接する発電部相互間を絶縁することができ、リー
ク電流の発生を防ぐことのできる非晶質シリコン太ＩＪ
Ｉｔ池を提供するものである。
本発明は、第１図の如き太陽電池において。
非晶質シリコン層が第１の電極上から基板上に延在する
部分で基板表面に溝または突起を設け、この溝または突
起によって非晶質シリコン層内の接合を分断することに
より、隣接する発電部間を絶縁するようにしたことを特
徴としている。
部分で基板表面に溝または突起を設け、この溝または突
起によって非晶質シリコン層内の接合を分断することに
より、隣接する発電部間を絶縁するようにしたことを特
徴としている。
第２図は本発明による一実施例の概略を示す断面模式図
である。これを製造工程に従って説明すると、透光性絶
縁基板１１の片面の一部Ｃ：あらかじめエツチングによ
り４００又程度の深さの溝１５を形成し、この溝１５を
形成した基板１１上の溝と溝との間に透明導電膜からな
る＠１の電極１２を形成する。そしてこの上に。
である。これを製造工程に従って説明すると、透光性絶
縁基板１１の片面の一部Ｃ：あらかじめエツチングによ
り４００又程度の深さの溝１５を形成し、この溝１５を
形成した基板１１上の溝と溝との間に透明導電膜からな
る＠１の電極１２を形成する。そしてこの上に。
非晶質シリコン層１３をグロー放電法により２層１３ａ
、を層１３ｂ、ｎ層１３Ｃの順でそれぞれ２００，５０
０，１００ＯＸの膜厚で積層し、最後に金属からなる＠
２の電極１４を形成したものである。
、を層１３ｂ、ｎ層１３Ｃの順でそれぞれ２００，５０
０，１００ＯＸの膜厚で積層し、最後に金属からなる＠
２の電極１４を形成したものである。
このような構成とすれば、２層１３ｍはあらかじめ形成
させてあった溝１５により分断されて、それぞれの発電
部相互間が完全に絶縁されることになり、リーク電流の
発生を防止できる。
させてあった溝１５により分断されて、それぞれの発電
部相互間が完全に絶縁されることになり、リーク電流の
発生を防止できる。
なお１本発明は上記実施例に限定されるものではない。
溝は透孔性絶縁基板に＠１の電極を形成した後に設けて
もよく、また溝の深さは非晶質シリコンのｐ層のみを分
断するだけでなく。
もよく、また溝の深さは非晶質シリコンのｐ層のみを分
断するだけでなく。
ｉ層、ｆｉ盾も分断するよう：；影形成てもよい。
さらに非晶質シリコン層の接合を分断する手段として、
溝の部分を光透過性物質例えば５ｉｆｔ１：より突起状
１−シてもよいし、また溝や突起を各部に複数本ずつ設
けてもよい。溝の部分の基板面を粗面とすることも有効
である。また基板に透光性でない絶縁基板を使用した場
合にも本発明は有用である。
溝の部分を光透過性物質例えば５ｉｆｔ１：より突起状
１−シてもよいし、また溝や突起を各部に複数本ずつ設
けてもよい。溝の部分の基板面を粗面とすることも有効
である。また基板に透光性でない絶縁基板を使用した場
合にも本発明は有用である。
以上説明したとおり本発明によれば、製作プロセスを複
雑化する五となく、簡単かつ確実ζ二複数の発電部相互
間を絶縁することができ、信頼性の高い非晶質シリコン
太陽電池を提供することができる。
雑化する五となく、簡単かつ確実ζ二複数の発電部相互
間を絶縁することができ、信頼性の高い非晶質シリコン
太陽電池を提供することができる。
第１図は従来の非晶質シリコン太陽電池の一例の概略を
示す断面模式図、第２図は本発明亀＝よる一実施例の非
晶質シリコン太陽電池の概略を示す断面模式図である。 １１・・・透孔性絶縁基板、１２・・・第１の電極、１
３・・・非晶質シリコン層、１４・・・第２の電極、１
５・・・溝 ３ ’＊ ｂ 、 Ｃ＠１１１１発電部。
示す断面模式図、第２図は本発明亀＝よる一実施例の非
晶質シリコン太陽電池の概略を示す断面模式図である。 １１・・・透孔性絶縁基板、１２・・・第１の電極、１
３・・・非晶質シリコン層、１４・・・第２の電極、１
５・・・溝 ３ ’＊ ｂ 、 Ｃ＠１１１１発電部。
Claims (1)
- 絶縁基板と、この基板上に所定間隔をおいて配列形成さ
れた＠１の電極と、各第１の電極上に積層され厚み方向
に所定の接合が形成された非晶質シリコン層と、各非晶
質シリコン層上に形成された！［２の電極とを備え、前
記非晶質シリコン層は、前記第１の電極の一端部に電極
の露出面を残し他端部で基板上に延在するように配設さ
れ、かつ前記第２の電極を隣接する前記Ｗｇ１の電極の
鍔出面に順次コンタクトさせて発電部を直列接続してな
る太陽電池において、前記基板の前記非晶質シリコン層
が延在する部分の表面に溝または突起を設け、この溝ま
たは突起により前記非晶質シリコン層内の接合を分断し
て隣接する発電部間を絶縁するようにしたことを特徴と
する非晶質シリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56168965A JPS5870580A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 非晶質シリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56168965A JPS5870580A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 非晶質シリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5870580A true JPS5870580A (ja) | 1983-04-27 |
Family
ID=15877844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56168965A Pending JPS5870580A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 非晶質シリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5870580A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6342180A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-23 | Toa Nenryo Kogyo Kk | 集積型光起電力装置の製造方法 |
-
1981
- 1981-10-22 JP JP56168965A patent/JPS5870580A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6342180A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-23 | Toa Nenryo Kogyo Kk | 集積型光起電力装置の製造方法 |
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