SU1285545A1

SU1285545A1 - Способ изготовлени мультискана

Info

Publication number: SU1285545A1
Application number: SU853871120A
Authority: SU
Inventors: Карина Фридриховна Берковская; Наталья Валериановна Кириллова; Борис Георгиевич Подласкин; Владимир Маркович Столовицкий; Владислав Ливерьевич Суханов
Original assignee: Ордена Ленина физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе
Priority date: 1985-03-25
Filing date: 1985-03-25
Publication date: 1987-01-23

Description

1C

СХ)

ел

1 12

Изобретение относитс к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовлени кремниевых фоточувствительных преобразователей - мультисканов.

Цель изобретени - повьшение разрешающей способности мультискана и выхода годных после создани изолирующих областей.

На чертеже изображена структурна схема мультискана.

Мультискан содержит диэлектрическую подложку 1, изолирующие области 2, изолирующий слой 3, участки дискретного базового сло 4, токо- отвод щий слой 5, делительные слои 6 и 7, контакты 8 - 10.

Пример.. В качестве исходного материала выбирают л-Si с удельным сопротивлением 7,5 Ом-см. Пластины ориентируют в плоскости (110), их исходна толщина составл ет 600 мкм. Пластины рельефно вертикально про

травливают в участках изолирующих областей на глубину 8 мкм. Расположе- «ием изолирующих областей 2 закладываетс шаг элементарных чеек (10 мкм). Рельеф окисл ют, наращивают слой окисла толщиной 1 мкм. Затем

производ т осаждение поликремни при . Йосле этого производ т прецизионную шлифовку пластины со стороны , противоположной нанесенному рельефу . Предусмотрены специальные репер- ные изолирующие области, которые протравливают на глубину 12 мкм. С помощью этих реперов шлифовку останавливают за 4 мкм до выхода на дно изолирующих областей: сигналом к прекращению шлифовки вл етс выход на дно реперных областей.

Лицевую сторону пластины отмывают и окисл ют в атмосфере сухого кислорода в присутствии хлорсодержащих веществ , что обеспечивает фиксированиБЙ зар д на поверхности 10 см и плот- Iность поверхностных состо ний 10 °см эВ . Затем вскрывают окна в окисле под токоотвод щие 5 и делиo

54

5

S

5

30

35

5 . 2

тельные 6 и 7 слон. Прово/1 т диффузию бора на глубину 4 мкм с тем, чтобы граница диффузионной области располагалась на 2 мкм глубже, чем дно изолирующих областей 2. Таким образом , границы р-п-переходов выход т к слою окисла, покрывающему рельеф изолирующих областей 2. Далее нанос т по всей поверхности слой алюмини , фотогравировкой оставл ют слои металла только в местах расположени контактов к токоотвод щему слою 8 и к делительным сло м 9 и 10.

В соответствии с заданной формой мультискана, а именно с его длиной 18 мм и шириной 270 мкм, осуществл ют локальное вскрытие дна изолирующих областей 2. Дл этого между трко- отвод щим слоем 5 и обоими делительными сло ми 6 и 7 вытравливают канавки на глубину 4 мкм. Задана ширина апертуры мультискана - его фотоприемной площадки - 250 мкм, причем на делительные и токоотвод щий слои приг ходитс 210 мкм, на п-базовый слой мкм. Ширину канавок выбирают по 10 мкм с тем, чтобы гарантировать удаление п-базового сло 4 по всей длине мультискана вдоль слоев 5 - 7. Таким образом достигаетс электрическа изол ци элементарных чеек в карманах; разрешающа способность мультискана , тем самым, поднимаетс до величины, лимитируемой размерами элементарной чейки. Получен шаг структуры 10 мкм, т.е. достигнуто разрешение 100 ЛИН/ММ при 100%-ной модул ции видеосигнала. Действительно формируетс отдельный сигнал от каждой .элементарной чейки; при сканировании структуры лучом света с диаметром 1,5 мкм на изолирующих област х, ширина которых колеблетс в пределах. 1-2 мкм, происходит полное экранирование о Электрические зав зки .между элементарными чейками менее 0,1%.

Таким образом, имеет место повьште- ние разрешающей способности,по сравнению с известным в 3 раза.

Claims

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МУЛЬТИСКАНА, включающий создание изолирующих областей в кремниевой пластине п(р)-типа проводимости, вскрытие дна изолирующих областей, формирование областей р(п)-типа проводимости, создание резистивных областей, объединяющих (р)п-области в изолированных карманах, о т л и ч ающийс я тем, что, с целью повышения разрешающей способности мультискана и выхода годных после создания изолирующих областей,с противоположной стороны пластины удаляют слой материала, не вскрывая дно изолирующих областей, осуществляют формирование р(п) и резистивных областей путем диффузии примеси на глубину, перекрывающую дно изолирующих областей, а вскрытие дна изолирующих областей _tосуществляют локально после нанесения контактов.

SU „1285545

1 1285545