JPS5867696A - セパロスポリン誘導体の製造方法 - Google Patents
セパロスポリン誘導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5867696A JPS5867696A JP57005307A JP530782A JPS5867696A JP S5867696 A JPS5867696 A JP S5867696A JP 57005307 A JP57005307 A JP 57005307A JP 530782 A JP530782 A JP 530782A JP S5867696 A JPS5867696 A JP S5867696A
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- Japan
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- following structural
- acid
- ethyl
- methyl
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D501/00—Heterocyclic compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cephalosporin Compounds (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は次の構造式(T)で示されているセ・シロスポ
リン誘導体の新しい製造方法に関したものである。
リン誘導体の新しい製造方法に関したものである。
LiUUMLノ■3
式中Rは水素、水酸基であり、Mけ水素、ナトーリウー
ム、カルリューム、カルシニーム等無機塩であるか又は
炭素水1−4のアルキルアミンである。
ム、カルリューム、カルシニーム等無機塩であるか又は
炭素水1−4のアルキルアミンである。
本発明の目的は白耳義特許第828,692号、仏蘭西
特許第2.2 f39.927号、独逸特許第2.51
9.400号、日本特許公開公報昭52−IQ 6.8
83号に依り、既に公知された羊パロスポリン誘導体で
あり、これ等の製造方法は次の通りである。
特許第2.2 f39.927号、独逸特許第2.51
9.400号、日本特許公開公報昭52−IQ 6.8
83号に依り、既に公知された羊パロスポリン誘導体で
あり、これ等の製造方法は次の通りである。
D(−)−α−(4−エチル−2,3−ダイオクン−1
−ピベラチノ力ルポニルアミノ)ベニル酢酸を有機溶媒
の中でエチルクロロカボネイトと反応させて酸無水物を
製造し7−アミノ−3−〔5−(1−メチル−1,2,
3,4−テトラゾニール)チ芽メチル〕−△3−セパム
ー4−カシレボクシル酸を有機溶媒の中でアシル化反応
させるので75.5チ収率の目的物を製造した0本発明
の要旨を簡単に説明すると、公知の方法に依り次の構造
式(It)のD(−)−α−(4−エチル−2,3−デ
ィオクンーl−ピ錬うチノ力ルポニルアミノ)ベニル(
又ニハイドロクシベニル)酢酸を製造し次の構造式(1
)のN−ハイドロクシ酸アミドと反応させ次の構造式(
Iv)の酸無水物を製造する。
−ピベラチノ力ルポニルアミノ)ベニル酢酸を有機溶媒
の中でエチルクロロカボネイトと反応させて酸無水物を
製造し7−アミノ−3−〔5−(1−メチル−1,2,
3,4−テトラゾニール)チ芽メチル〕−△3−セパム
ー4−カシレボクシル酸を有機溶媒の中でアシル化反応
させるので75.5チ収率の目的物を製造した0本発明
の要旨を簡単に説明すると、公知の方法に依り次の構造
式(It)のD(−)−α−(4−エチル−2,3−デ
ィオクンーl−ピ錬うチノ力ルポニルアミノ)ベニル(
又ニハイドロクシベニル)酢酸を製造し次の構造式(1
)のN−ハイドロクシ酸アミドと反応させ次の構造式(
Iv)の酸無水物を製造する。
この際触媒は次の構造式α′)のディサイクロへクシル
カルボティイミドを使用するので酸無水物(IV) ’
に高収率でたやすく製造し、次の構造式(〜・0の7−
アミノ−3−〔5二(1−メチル−1,2,3,4−テ
トラゾニール)チオメチル〕−△3−セパムー4−カル
ボクシル酸と反応させることによって良好な収率にて上
記構造式(Dの目的物を製造する。
カルボティイミドを使用するので酸無水物(IV) ’
に高収率でたやすく製造し、次の構造式(〜・0の7−
アミノ−3−〔5二(1−メチル−1,2,3,4−テ
トラゾニール)チオメチル〕−△3−セパムー4−カル
ボクシル酸と反応させることによって良好な収率にて上
記構造式(Dの目的物を製造する。
゛ここでN−ハイドロクシ酸アミドはN−ハイドロクシ
ツクシンアミド、N−)1イドロクシプタルアミド又U
N−ハイドロクシクルタアミドを製造する。
ツクシンアミド、N−)1イドロクシプタルアミド又U
N−ハイドロクシクルタアミドを製造する。
no−z (1)
ここでRとMlrl前述の通りであり
一般的ニヘニシリン又はセパロスポラン酸誘導体を製造
する過程でアシル化反応をさせる為酸無水物又は酸塩化
物を製造することは通常的な方法でよく知られてきた。
する過程でアシル化反応をさせる為酸無水物又は酸塩化
物を製造することは通常的な方法でよく知られてきた。
酸塩fヒ物又(rr酸無水物を製造する過程が複雑困難
である為目的物の収率を低下させる要因になっ七いた。
である為目的物の収率を低下させる要因になっ七いた。
この様な欠点を補完する為、本願発明では酸無水物製造
時生成される水をたやすく吸収し次の構造式(至)のデ
ィサイクロへクシルウレアに変る触媒を使用することに
よって定量的に酸無水物を製造し7−アミノ−5−(s
−1t−メチル−1,2,3,4−テトラゾニル)チオ
メチル〕−カーセパムー4−カルボクシル酸と反応させ
ることによって高収率による目的物を製造した。
時生成される水をたやすく吸収し次の構造式(至)のデ
ィサイクロへクシルウレアに変る触媒を使用することに
よって定量的に酸無水物を製造し7−アミノ−5−(s
−1t−メチル−1,2,3,4−テトラゾニル)チオ
メチル〕−カーセパムー4−カルボクシル酸と反応させ
ることによって高収率による目的物を製造した。
本願発明で酸無水物製造時使用された溶媒としては、テ
トラハイトロンラン、塩化メチレン、アセトン、アセト
ニトリル等が好適でテトラハイトロンランを使用する場
合が最適で反応温度20−25℃で最高の収率を得るこ
とができた。
トラハイトロンラン、塩化メチレン、アセトン、アセト
ニトリル等が好適でテトラハイトロンランを使用する場
合が最適で反応温度20−25℃で最高の収率を得るこ
とができた。
アシルfヒ反応時使用した溶媒としてはテトラハイドロ
フラン溶液、又は酢酸エチル水溶液等で反応させるのが
最も適切で反応温度は普通2〇−25”Cで反応させて
減圧下で溶媒を除去し酢酸エチルを加え、溶液のp)I
’z1.5程度に調節し酢酸エチル層を分離し水で洗滌
した後、芒硝で乾燥し、酢酸エチルを減圧下で濃縮させ
たら結晶が摘出されこの結晶をエーテルで再結晶fヒさ
せたら85%の高い収率で目的物を得る。
フラン溶液、又は酢酸エチル水溶液等で反応させるのが
最も適切で反応温度は普通2〇−25”Cで反応させて
減圧下で溶媒を除去し酢酸エチルを加え、溶液のp)I
’z1.5程度に調節し酢酸エチル層を分離し水で洗滌
した後、芒硝で乾燥し、酢酸エチルを減圧下で濃縮させ
たら結晶が摘出されこの結晶をエーテルで再結晶fヒさ
せたら85%の高い収率で目的物を得る。
実施例1
7−CD(−)−α−C4−エチル−2,3−、ディオ
ラン−1−ピペラチノ力ルポニルアミノ)−P−ハイド
ロクシベニルアセトアミド)−3,−(s−(t−メチ
ル−1,2,3,4−テトラゾニル)チオメチル〕−△
3−セバムー4−カルボクシル酸の製造: D(−)−α−(4−エチル−2,3−ディオラン−1
−ビペラチノ力ルポニルアミノ)P−ノーイドロクシペ
ニル酢酸1.449にテトラハイドロ懸 フラン20m1に茶温たせたiN−ハイドロクシンクシ
ンアミド0.5?とディサイクロヘクシルカルボディイ
ミド0.97 f加えたら清い溶液に力る。
ラン−1−ピペラチノ力ルポニルアミノ)−P−ハイド
ロクシベニルアセトアミド)−3,−(s−(t−メチ
ル−1,2,3,4−テトラゾニル)チオメチル〕−△
3−セバムー4−カルボクシル酸の製造: D(−)−α−(4−エチル−2,3−ディオラン−1
−ビペラチノ力ルポニルアミノ)P−ノーイドロクシペ
ニル酢酸1.449にテトラハイドロ懸 フラン20m1に茶温たせたiN−ハイドロクシンクシ
ンアミド0.5?とディサイクロヘクシルカルボディイ
ミド0.97 f加えたら清い溶液に力る。
室温で2時間攪拌したら多量の沈澱が生成される。沈澱
物を沖過しp液’i−5’0に維持させる。
物を沖過しp液’i−5’0に維持させる。
一方フーアミノーa−(s −(l−メチル−1゜2.
3.4−テトラゾニル)チオメチル〕−△3−セパムー
4−カルボクシル酸1.34 y−を水に5ml懸 に系層させた後、温度を5’0に調節しトリエチルアミ
ン1wt1f加え清く溶解させる。この溶液に上記の如
く製造した酸無水物溶液を一時に加えたら温度が10℃
に上昇し反応液が赤い色に変り時間が経つと淡い黄色に
変る。
3.4−テトラゾニル)チオメチル〕−△3−セパムー
4−カルボクシル酸1.34 y−を水に5ml懸 に系層させた後、温度を5’0に調節しトリエチルアミ
ン1wt1f加え清く溶解させる。この溶液に上記の如
く製造した酸無水物溶液を一時に加えたら温度が10℃
に上昇し反応液が赤い色に変り時間が経つと淡い黄色に
変る。
室温で25時間反応させた後、減圧下で溶媒テトラハイ
トロンランを除去した後、残有物に酢酸エチル20 m
e f加え5℃で稀塩酸によりPHを1.5に調節した
後、酢酸エチル層全分離し水柱 で2回洗滌した後、芒Tiを加えて一乾昧させた後、濾
過してF液中溶媒を減圧下で除去する。
トロンランを除去した後、残有物に酢酸エチル20 m
e f加え5℃で稀塩酸によりPHを1.5に調節した
後、酢酸エチル層全分離し水柱 で2回洗滌した後、芒Tiを加えて一乾昧させた後、濾
過してF液中溶媒を減圧下で除去する。
残有物に一苓tb 30 mlを加え結晶させたら目的
物2.21を得る。
物2.21を得る。
分析結果188−190°Cで分解された。
実施例2
7−CD(−)−α−(4−エチル2.3−ディオフソ
ー1−ビペラチノ力ルポニルアミノ)−P−ハイドロク
ンベニルアセトアミノ)−3(5−(1−メチル−1,
2,3,4−テトラゾニル)チオメチル〕−△3セパム
ー4−カポクシル酸ナトリウムの製造方法ニ ア −(D(−)−α−(4−エチル−2,3−ダイオ
クン−1−ビベラチノカルポニルアミノ〕−a−(′5
−rx−メチルー1.2.3.4−テトラゾニル)チオ
メチル〕−△3−セパムー4−カボク懸 シルi 6.3 ?を蒸溜水30 I、7eに系層させ
た後重蓄液(0,87を蒸溜水10m1に溶かした≠液
)を加え充分に溶解させた後、無菌沖過して冷凍乾燥さ
せたら目的物6.1.p’i得る。
ー1−ビペラチノ力ルポニルアミノ)−P−ハイドロク
ンベニルアセトアミノ)−3(5−(1−メチル−1,
2,3,4−テトラゾニル)チオメチル〕−△3セパム
ー4−カポクシル酸ナトリウムの製造方法ニ ア −(D(−)−α−(4−エチル−2,3−ダイオ
クン−1−ビベラチノカルポニルアミノ〕−a−(′5
−rx−メチルー1.2.3.4−テトラゾニル)チオ
メチル〕−△3−セパムー4−カボク懸 シルi 6.3 ?を蒸溜水30 I、7eに系層させ
た後重蓄液(0,87を蒸溜水10m1に溶かした≠液
)を加え充分に溶解させた後、無菌沖過して冷凍乾燥さ
せたら目的物6.1.p’i得る。
分析結果185℃で分解され比旋光度は一2186°で
あったn
あったn
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、次の構造式(II)のD −(−)−α−c4−エ
チルー2.3−ディ、オラン−1−ピペラチノカルポニ
ルアミノ)−ベニル(又はハイドロクシベニ”ル)酢酸
と次の構造式(1)のN−ハイドロクシ酸アミドとを次
の構造式(V)のディサイクロへクシル力ルポディイミ
ド触媒存在下で反応させ次の構造式(ト)の酸無水物を
製造した後、次の構造式(v+)ツアーアミノ−j−(
5−(1−メチル−1,2,3,4+、テトラゾニル)
−チオメチル〕−△3−セバムー4−カルボクシル酸と
反応させ次の構造式(1)のセパロスボリン誘導体を製
造する方法。 no −z (11) 式中Rは水素、水酸基であり、Mは水素、ナトリウーム
、カルシューム、カルシューム等無機塩か或は炭素水1
−4である低級アルキルアミンである。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019810003768A KR830001970B1 (ko) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 세파로스포린 유도체의 제조방법 |
KR3768 | 1981-10-06 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5867696A true JPS5867696A (ja) | 1983-04-22 |
Family
ID=19221908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57005307A Pending JPS5867696A (ja) | 1981-10-06 | 1982-01-16 | セパロスポリン誘導体の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5867696A (ja) |
KR (1) | KR830001970B1 (ja) |
-
1981
- 1981-10-06 KR KR1019810003768A patent/KR830001970B1/ko not_active Application Discontinuation
-
1982
- 1982-01-16 JP JP57005307A patent/JPS5867696A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR830007690A (ko) | 1983-11-04 |
KR830001970B1 (ko) | 1983-09-29 |
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