JPS5866345A - マイクロ波ｉｃとその製造法 - Google Patents
マイクロ波ｉｃとその製造法Info
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- JPS5866345A JPS5866345A JP16505581A JP16505581A JPS5866345A JP S5866345 A JPS5866345 A JP S5866345A JP 16505581 A JP16505581 A JP 16505581A JP 16505581 A JP16505581 A JP 16505581A JP S5866345 A JPS5866345 A JP S5866345A
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- JP
- Japan
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- circuit
- hole
- substrate
- integrated circuit
- circulator
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は各種マイクロ波機器の構成に使用される非可逆
回路を含むマイクロ波ｒｃの、改良とその製造方法に関
す。
回路を含むマイクロ波ｒｃの、改良とその製造方法に関
す。
この種マイクロ波ＩＣはアルミナ、サファイア等の誘電
体基板上にマイクロ波回路パターンが、裏面に地気パタ
ーンを形成されて構成されるが、サーキユレータ、アイ
ソレータの如きフェライト基板上に作成される非可逆回
路を備えるマイクロ波ＩＣの場合は夫々の回路パターン
を構成する基板の相違のため、夫々別個に形成され、共
通の金属板上で組み合せた構成が広く使用されている。
体基板上にマイクロ波回路パターンが、裏面に地気パタ
ーンを形成されて構成されるが、サーキユレータ、アイ
ソレータの如きフェライト基板上に作成される非可逆回
路を備えるマイクロ波ＩＣの場合は夫々の回路パターン
を構成する基板の相違のため、夫々別個に形成され、共
通の金属板上で組み合せた構成が広く使用されている。
第１図はこの櫨非可ｔＩｍ！１１＃ｉとしてサーキユレ
ータを含むマイクロ波ＩＣの一例を平面図（イ）とＡ−
Ａ側噺面図（ロ）で示すもので、金属基板ｌ上に、共に
下面に地気パターン２．２° ２″を備えるアルミナ基
板３、フェライト基板４、アルミナ基板５が例えば半田
付けで固定されており、アルミナ基＠３上には通常のマ
イクロ波回路ストリップ６がフェライト基板４上にはサ
ーキエレータ回路パターン７が、アルミナ基板５上には
ダミーロード・パターン８が形成されている。パターン
７上に例えばエポキシ樹脂の接着材で永久磁石９が取り
つけられ、各基板上のストリップパターンは金リボン１
０．１０’ 、１０”の熱圧着で所要の接続がなされて
いる。
ータを含むマイクロ波ＩＣの一例を平面図（イ）とＡ−
Ａ側噺面図（ロ）で示すもので、金属基板ｌ上に、共に
下面に地気パターン２．２° ２″を備えるアルミナ基
板３、フェライト基板４、アルミナ基板５が例えば半田
付けで固定されており、アルミナ基＠３上には通常のマ
イクロ波回路ストリップ６がフェライト基板４上にはサ
ーキエレータ回路パターン７が、アルミナ基板５上には
ダミーロード・パターン８が形成されている。パターン
７上に例えばエポキシ樹脂の接着材で永久磁石９が取り
つけられ、各基板上のストリップパターンは金リボン１
０．１０’ 、１０”の熱圧着で所要の接続がなされて
いる。
この様な従来の構成では夫々別個に生産する工程に加え
、基板相互間に存在する避けることのできない間隙（図
では誇張表示されている。）１１．１１”、の存在のた
めの損失の生じるのを防ぐことができず、又金リボンの
熱圧着の作業工程を必要とする。 この欠点を除去せん
と第２図に理解に便なるよう分解した要部側断面図に示
すように、誘電体基板３の該当位置に掴鉢状の貫通孔１
２を穿ち、非可逆回路用のフェライト基板４゛の形状を
該貫通孔形状と同一となして嵌めこみ、恰も一個の基板
の如く構成して後、底面に地気パターン１３を表面に夫
々マイクロ波パターン６、非可逆回路パターン７、ダミ
ーロードパターン８を形成させると同時に相互の接続を
も完了させる方法が案出されたが、福鉢状の貫通孔１２
の内面と一致する外形のフェライト基板４゛を生産する
ことは共に硬脆材料のため頗る困難で、歩留り悪く、両
者間の間隙による損失もあり、又パターン形成による相
互接続もとかく信頼性を欠いていた。
、基板相互間に存在する避けることのできない間隙（図
では誇張表示されている。）１１．１１”、の存在のた
めの損失の生じるのを防ぐことができず、又金リボンの
熱圧着の作業工程を必要とする。 この欠点を除去せん
と第２図に理解に便なるよう分解した要部側断面図に示
すように、誘電体基板３の該当位置に掴鉢状の貫通孔１
２を穿ち、非可逆回路用のフェライト基板４゛の形状を
該貫通孔形状と同一となして嵌めこみ、恰も一個の基板
の如く構成して後、底面に地気パターン１３を表面に夫
々マイクロ波パターン６、非可逆回路パターン７、ダミ
ーロードパターン８を形成させると同時に相互の接続を
も完了させる方法が案出されたが、福鉢状の貫通孔１２
の内面と一致する外形のフェライト基板４゛を生産する
ことは共に硬脆材料のため頗る困難で、歩留り悪く、両
者間の間隙による損失もあり、又パターン形成による相
互接続もとかく信頼性を欠いていた。
本発明は従来のこの種欠点を除去した新規なマイクロ波
ＩＣ，およびその製造方法を提供するものである。
ＩＣ，およびその製造方法を提供するものである。
本発明においてはこの目的は誘電体基板の非可逆回路を
設ける位置に端面を斜面とする穴を設け、該位置の上に
紋穴を蔽って端面を斜面とする台形のフェライト基板を
載置接合し、所定の配線パターンを形成すると同時に非
可逆回路とその他の回路との相互接続を行う構成をなす
ことによって達成される。
設ける位置に端面を斜面とする穴を設け、該位置の上に
紋穴を蔽って端面を斜面とする台形のフェライト基板を
載置接合し、所定の配線パターンを形成すると同時に非
可逆回路とその他の回路との相互接続を行う構成をなす
ことによって達成される。
誘電体基板に設けられる穴の形状と、フェライト基板の
形状は共に斜面を端面とするように構成すればよく、厳
密に同一形状にする必要がない故に歩留りの悪化を来す
こともない。フェライト基板が誘電体基板上に載置され
た形状となるため、表面は平面でなくなるが、フェライ
ト基板、誘電体基板共に薄く、且つ斜面形成のため、両
面のメタライズも従来の蒸着≠でも可能であり、特にス
テップカバレージ特性（側面付着特性）の優れたスパッ
タリング、あるいはイオンブレーティング、又はＣＶＤ
法によってより効果的に実施できる。
形状は共に斜面を端面とするように構成すればよく、厳
密に同一形状にする必要がない故に歩留りの悪化を来す
こともない。フェライト基板が誘電体基板上に載置され
た形状となるため、表面は平面でなくなるが、フェライ
ト基板、誘電体基板共に薄く、且つ斜面形成のため、両
面のメタライズも従来の蒸着≠でも可能であり、特にス
テップカバレージ特性（側面付着特性）の優れたスパッ
タリング、あるいはイオンブレーティング、又はＣＶＤ
法によってより効果的に実施できる。
かくて著しく生産工程を短縮し、且つ信頼性の高イ？イ
クｄ波ＩＣが得られる。
クｄ波ＩＣが得られる。
以下図面に示す本発明の実施例によって本発明の要旨を
具体的に説明する。全図を通じ同」符号は同一対象物を
示す。
具体的に説明する。全図を通じ同」符号は同一対象物を
示す。
第３図（イ）〜（ニ）はその生産工程順に側断面図（イ
）〜（１，Ｘ）および゛平面図（ニ）で示し、第４図は
完成したマイクロ波ＩＣの斜視図（イ）、およびサーキ
エレータ一部分の側断面図（ロ）を示す。
）〜（１，Ｘ）および゛平面図（ニ）で示し、第４図は
完成したマイクロ波ＩＣの斜視図（イ）、およびサーキ
エレータ一部分の側断面図（ロ）を示す。
アルミナ基板３のサーキエレーターの設けられるべき位
置には第３図（イ）に示す如く逆襦鉢状の穴１４があけ
られ、この上に断面梯形の円錐形フェライト基板４″が
載置され、同図（ロ）に示す如く溶融ガラス、あるいは
エポキシ系樹脂の接着材で底面周辺に沿うて接合固着さ
れ、次いで同図（ハ）に示す如く表裏全面にスパッタリ
ングによってメタライズ層１５．１３が穴１４の内面、
フェライト基板４″の底面を含めて施される。
置には第３図（イ）に示す如く逆襦鉢状の穴１４があけ
られ、この上に断面梯形の円錐形フェライト基板４″が
載置され、同図（ロ）に示す如く溶融ガラス、あるいは
エポキシ系樹脂の接着材で底面周辺に沿うて接合固着さ
れ、次いで同図（ハ）に示す如く表裏全面にスパッタリ
ングによってメタライズ層１５．１３が穴１４の内面、
フェライト基板４″の底面を含めて施される。
続いて同図（ニ）に示す如く、全表面に一個のパターン
マスクを使用して、す〜キュレーター回路パターン７、
ダミーロードパターン８、その他ツバターン６゛ （図
示の場合フィルター）および夫々の相互接続がフォトエ
ツチング方法で形成され、最後に第４図に示す如く、パ
ターン７上にサーキエレーターの信号回転方向磁界を負
荷する磁石９が要すれば底部対向位置に穴１４の窪みを
利用して磁石９の磁界方向改善のための補正磁性材１６
をエポキシ系樹脂の接着材で貼着固定して完成する。
マスクを使用して、す〜キュレーター回路パターン７、
ダミーロードパターン８、その他ツバターン６゛ （図
示の場合フィルター）および夫々の相互接続がフォトエ
ツチング方法で形成され、最後に第４図に示す如く、パ
ターン７上にサーキエレーターの信号回転方向磁界を負
荷する磁石９が要すれば底部対向位置に穴１４の窪みを
利用して磁石９の磁界方向改善のための補正磁性材１６
をエポキシ系樹脂の接着材で貼着固定して完成する。
元より本発明は図示実施例に限定されるものでなく、例
えば円錐状のフェライト基板４″穴１４の形状は端面が
斜面であれば、他の形状と選択することができる等「特
許請求の範囲」内において適宜変形実施し得る。
えば円錐状のフェライト基板４″穴１４の形状は端面が
斜面であれば、他の形状と選択することができる等「特
許請求の範囲」内において適宜変形実施し得る。
第１図は従来のマイクロ波ＩＣの一例を平面図（イ）と
側断面図（ロ）で、第２図は他の一例を分解した要部側
断面図で示し、１３図は本発明の実施例の生産工程を工
程順に示し、第４図はその完成品の斜視図（イ）と要部
側断面図（ロ）で示す。 図において３．５はアルミナ基板、４．４°、４″はフ
ェライト基板、６．７．８は夫々ストリップパターン、
９は磁石、１４はアルミナ基板の端面を斜面とした穴を
示す。 第 １ 図 第 ２図
側断面図（ロ）で、第２図は他の一例を分解した要部側
断面図で示し、１３図は本発明の実施例の生産工程を工
程順に示し、第４図はその完成品の斜視図（イ）と要部
側断面図（ロ）で示す。 図において３．５はアルミナ基板、４．４°、４″はフ
ェライト基板、６．７．８は夫々ストリップパターン、
９は磁石、１４はアルミナ基板の端面を斜面とした穴を
示す。 第 １ 図 第 ２図
Claims (2)
- （１）表面に回路パターンを裏面に地気パターンを備え
る誘電体基板の非可逆回路を構成させる位置に端面を斜
面とする穴が設けられ、該位置の上に紋穴を蔽って端面
を斜面とする台形のフェライト基板が接合されて非可逆
回路を構成することを特徴とする非可逆回路を含むマイ
クロ波ＩＣ。 - （２）誘電体基板上にフェライト基板を接合後表面に非
可逆回路と他の回路のパターン、および相互の接続が同
時に形成されることを特徴とするマイクロ波ＩＣの製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16505581A JPS5866345A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | マイクロ波ｉｃとその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16505581A JPS5866345A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | マイクロ波ｉｃとその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866345A true JPS5866345A (ja) | 1983-04-20 |
Family
ID=15804980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16505581A Pending JPS5866345A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | マイクロ波ｉｃとその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866345A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008029172A1 (en) * | 2006-09-08 | 2008-03-13 | The University Of Manchester | Circulator elements and method and apparatus of evaluating circulator elements |
-
1981
- 1981-10-16 JP JP16505581A patent/JPS5866345A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008029172A1 (en) * | 2006-09-08 | 2008-03-13 | The University Of Manchester | Circulator elements and method and apparatus of evaluating circulator elements |
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