JPS586617Y2 - 半田こて - Google Patents

半田こて

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JPS586617Y2
JPS586617Y2 JP1980186341U JP18634180U JPS586617Y2 JP S586617 Y2 JPS586617 Y2 JP S586617Y2 JP 1980186341 U JP1980186341 U JP 1980186341U JP 18634180 U JP18634180 U JP 18634180U JP S586617 Y2 JPS586617 Y2 JP S586617Y2
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JP
Japan
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semiconductor
heat
soldering iron
electrode
insulating material
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JP1980186341U
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JPS57111464U (ja
Inventor
国光降夫
水田実
正木康司
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太洋電機産業株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、正の温度係数を有するサーミスタいわゆる
PTCサーミスタなどの発熱型の半導体を熱源とした半
田こてに関するものである。
従来、いわゆる電気半田こてには第1図に示す構造もの
が知られている。
図中、符号1はこて部材であり、発熱板2,2に挾さ1
れている。
発熱板2,2には豆ガイ管3・・・により絶縁されてい
るリード線4,4が接線されている。
符号5,5は金属製のケースであり、上記こて部材1お
よび発熱板2,2を固定、支持するものである。
渣た、符号6は相手である。
上記こて部材1は、熱伝導性の高い銅で構成されている
また、発熱板2゜2は雲母薄板2aにニクロム線2bを
巻きつけ、その上に、さらに雲母筋を被覆してなるもの
である。
そして、ケース5は、こて部材1と発熱板2゜2の固定
、支持卦よび放熱を兼ねるために銅などの熱伝導性の良
い金属により構成されている。
ところで、上記従来の電気半田こてには、半田づけに適
する温度よシ犬巾に高い温度に1で温度が上昇してしま
うという欠点がある。
その結果、半田は酸化して機械強度が低下し、表面のつ
やもなくなり、また、半田づけの対象であるプリント基
板、ICなどを破損してし1うことかつる。
また、必要以上に高温とするため、こて先の劣化が激し
いという欠点があった。
さらに、必要以上の発熱があるため、余分な電力を費や
してし1うし、放熱部分を設ける必要があり、かつ、こ
の放熱部分を大きく設けなければならないという様々な
欠点が生じてくる。
そこで上記従来の電気半田こての欠点を解消するものと
して、正の温度係数を有するサーミスタ(以下、PTC
サーミスタと称す)などの発熱型の半導体が、この半導
体に電圧を印加すると、発熱し、一定温度をこえる時に
抵抗が急激に高くなるという性質を利用して、上記発熱
型の半導体を熱源とする半田こてが考え出されている(
特公昭46−31579)。
なか、この発明では、板状の発熱型の半導体にその厚さ
方向に電流を流すようにし、熱の放出中を電流の方向に
対し直角をなす方向に温度勾配が生ずるように上記半導
体をこて先に対し配置することによって、効率よく熱を
こて先に供給するとしてかり、この点を特徴としている
ところで上記発熱型の半導体において、熱を効率的に発
生させるためには、上記半導体に電極を接続する際、電
極と半導体間の接触面積釦よび密度をできるだけ大きく
することが必要な訳である。
ここで、上記接触面積は、板状の半導体の側面部分であ
り、このp面部分より大きくすることはできないので、
もう一方の効率的に半導体を発熱させる因子である接触
密度を太きくしなければならない。
この半導体と電極との接触密度を最大にするには、半導
体に電極を溶着するのが一番よい訳であるが、上記半導
体は、この半導体に不均一に熱を加えると、亀裂が生じ
たりして破損してし1うという難点を有しているので、
電極を溶着することはできないし、化学メッキにて電極
を溶着する場合でも、後からリード線を溶接しなければ
ならず、リード線を溶接する際、上記したように、不均
一に熱が加わることにより、やはり半導体を破損してし
まうので、化学メッキによる溶着も適さない。
このように、半導体と電極との接触密度を高めるのに、
半導体に電極に溶着することができないので、他の方法
にて接触密度の向上を図らなければならない。
また、上記半導体の作動温度の上限は、せいぜい300
℃前後のものなので、温度の低下をきたさないように、
断熱保温処置を施こきなければならないし、半田こての
こて先に熱を効率よく伝えるために、こて部材と半導体
との接触をできるだけ密にしなければならない。
以上述べたように、PTCサーミスタなどの発熱型半導
体を熱源とした半田こてを実用に供するには様々の解決
すべき問題がある・。
そして、この解決すべき問題は、前記の発明に釦いては
、実際に解決されて釦らず、前記発明に係る加熱装置(
半田とて)は、実用に供することができないという欠点
を有している。
この考案は、上記の事情に鑑みてなされたもので、その
目的は、半田づけに最適な温度を維持することができ、
広い動作電圧を有し、経済的な半田こてを提供すること
にあり、PTCサーミスタなどの発熱型の半導体からな
る熱源と、この半導体を挾むように電極を配置し、上記
電極によって挾まれた半導体を上記電極と一体的に絶縁
物で被覆し、この絶縁物で一体的に被覆した半導体と電
極をこて部材の嵌合部または係止部に嵌合または係止し
、さらに上記こて部材の周面を絶縁断熱材で被覆し、筒
体に圧入、嵌合することによ、って、上記半導体と電極
との接触密度釦よび上記絶縁物を介した半導体とこて部
材との接触密度を増大させたものである。
以下、この考案を図面を参照して説明する。
第2図ないし第4図は、この考案の一実施例を示す図で
ある。
図中、符号10は、PTCサーミスタなどの発熱型の半
導体であり、第3図イに示すように、直方体型の薄板で
ある。
上記半導体10の両側面(6つの側面のうち最大の面積
をもつ)には、電極11が配置、圧接されている。
この電極11には、第3図口に示すように、絶縁パイプ
11aに被覆されたリード線11bが接続されている。
上記半導体10と電極11は、第3図へに示すようなフ
ィルム状のマイカ12によシ一体的に被覆されている。
このマイカ12により一体的に被覆された半導体10と
電極11は、さらにポリイミドフィルム13によって被
覆されている。
このポリイミドフィルム13は、第3図二に示すように
、フィルム状のものを円筒状に巻いた後、その一端をヒ
ートシールしてなる。
このようにして、フィルム状のマイカ12あ−よびポリ
イミドフィルム13により一体的に被覆、絶縁された半
導体10釦よび電極11は、第3図ホに示すようにこて
部材14の嵌合部14aに圧入嵌合されている。
上記こて部材14の周面はマイカ薄板15によシ被覆さ
れている。
このマイカ薄板15は、第3図へに示すように、はぼ円
筒状をなすように底形されている。
上記マイカ薄板15によって被覆されたこて部材14は
、筒体16に圧入嵌合されている。
この筒体16は、第3図トに示すように、円筒形をなし
てかり、この円筒形の一端の開口部16aは、絞られて
、小さくなって卦り、こて先14bを係止する。
この筒体16による圧着はたいへん重要で問題のある所
で、この圧着をあ1り強くしても半導体10が破損した
9、耐久性が悪くなったりしてし1うし、逆に圧着が弱
いと筒体16内の各部材間の接触密度が小さくなシ、伝
熱効率が小さくなってし會い、こて先14bを所定温度
(240〜270°C)に保つことができない。
これらの事情をさらに詳しく説明する。上記のようにし
て各部材を筒体16内に圧入嵌合した後、半導体10を
使用状態に1で発熱させる(はぼ300℃)と、各部材
、特にこて部材14の熱膨張により筒体16内の圧力が
高まる。
この圧力は昇温前の上記筒体16の圧着力の強弱によっ
て様々な値をとる。
すなわち、圧着力を高めれば、筒体16内の遊隙がほと
んどなくなるばかりでなく、各部材への伝熱効率も高ま
り熱膨張量も多くなるので、半導体10の昇温後は、筒
体16内の圧力は相当に高くなる。
逆に圧着力が小さいと、遊隙が幾分あるばかりでなく、
各部材への伝熱効率も低下するので、半導体10の昇温
後の圧力は上昇するものの、それ程大きなものとはなら
ない。
ここで、上記したように半導体10の発熱維持温度は、
はぼ300℃であり、こて先14bの温度は240〜2
70℃にする必要がある。
そして半導体10とこて部材14との間には絶縁材(マ
イカ12、ポリイミドフィルム13)があり、また半導
体10からこて先14b昔ではある程度の距離があるの
で、300℃の温度をその11こて先14bへ伝えるこ
とは困難であり、30℃程度の熱損失は容易に生じてし
1う。
従って、伝熱効率から考慮したら、上記筒体10による
圧着力はできるだけ高くした方がよい。
一方、筒体16内の各部材の内その耐圧性が最も小さい
のは半導体10であり、この半導体10は静圧を2.4
kg/皿3近く加えたら、破損してし1う。
そこで、半導体10の破損を防止し、その耐久性を高め
るためには、筒体16による圧着力はできるだけ小さく
した方がよい。
このような相反する条件を満たすために、上記筒体16
による圧着力は、この筒体16への各部材の圧入時に上
記マイカ12、ポリイミドフィルム13釦よびマイカ薄
板15が変形、破損しない範囲で最高のものとした。
これは多くの試行、検討の結果判明したもので、このよ
うにすることによって、半導体10の発熱時、こて部材
14などの各部材の膨張によって筒体16内に生じる圧
力が、はぼ半導体10の耐圧限度圧と上記マイカ12、
ポリイミドフィルム13、マイカ薄板15の弾性変形に
よって吸収される圧力との和に相当するようになる。
つまり、ちょうどマイカ12などの絶縁材料の圧力吸収
によって半導体10の破損が防止されるようになってい
る。
これは上記各絶縁材料のかわりに高剛性の絶縁材料を使
用し同じ筒体16による圧着力で熱をかけてみると、半
導体10が破損し始めることから確認された。
このようにして各部材を圧入嵌合した筒体16は、第4
に示すように、取手1Tに取り付け、配線を施こして、
使用に供せられることになる訳である。
次に上記のように構成されたこの考案に係る半田こての
作用釦よび利点について、説明する。
この半田こての熱源として使用されているPTCサーミ
スタなどの半導体10は、温度上昇とともに抵抗が急激
に増加するという性質をもってかり、その結果、電圧を
印加しつづけても、発熱温度が自動的に一定(はぼ30
0℃)に保たへまた、たとえ電圧が変動しても、発熱温
度の変動が少なく、広い動作電圧を有している。
また、上記したように、半導体10の有する側面のうち
最大の面積を有する両側面に電極11が配置されてかり
、かつ電流の方向に対し直角方向にこて先14bが配置
されているので、効率よくこて先14bに熱が供給され
る。
さらに、マイカ薄板15により半導体10釦よびこて部
材14が一体的に被覆され、その結果断熱保温されるの
で、熱の損失が少ない。
また、半導体10と電極11が嵌合されたこて部材14
が前記したように、筒体16に発熱時に半導体10が破
損しないようにしながら最高の圧着力で圧入嵌合されて
いるので、半導体10と電極11との接触密度釦よび絶
縁物を介した半導体10とこて部材14との接触密度が
高く、熱伝導がたいへん良い。
そして、この半田こては、上記した熱効率の良さと前記
した熱源の半導体10の有する性質と相俟って、消費電
力がたいへん少なくて済む。
第5図は他の実施例を示すものである。
この図に釦いて、第1の実施例と同一符号は同一構成要
素を示−その説明は省略する。
この第2の実施例は、第1の実施例の半田こてより大き
なサイズの半田とてであり、発熱量を多くする必要があ
り、そのために熱源としての半導体10が2つ設けられ
ている。
この2つの半導体10を係止するためにこて部材20に
係止部20a、20bが設けられている。
上記こて部材20は、係止部20a。20bにフィルム
状のマイカ12釦よびポリイミドフイルム13により一
体的に被覆された半導体10釦よび電極11が係止され
、こて部材20の周面がマイカ薄板21で被覆、断熱さ
れた後、筒体22に圧入、嵌合されている。
このように構成しても、第1実施例と同様の作用効果を
有することができる。
な卦、上記実施例では、絶縁物として、フィルム状のマ
イカ釦よびポリイミドフィルムを、絶縁断熱材として、
マイカ薄板を用いたが、同様の弾性変形力をもつ他の材
質の絶縁物卦よび断熱材を用いてもかまわない。
以上説明したように、この考案に係る半田こては、PT
Cサーミスタなどの発熱型の半導体を熱源とし、この半
導体を挾むように、電極を配置し、上記半導体と電極を
ポリイミドフィルムとマイカなどの絶縁物で一体的被覆
し、この絶縁物で一体的に被覆した半導体と電極をこて
部材の嵌合部または係止部に嵌合lたは係止し、さらに
上記とて部材の周面をマイカなどの絶縁断熱材で被覆し
、ステンレスなどの筒体に適切な圧着力をもって圧入、
嵌合する構造なので、上記半導体と電極との接触密度お
よび上記絶縁物を介した半導体とこて部材との接触密度
を増大させることができ、前記熱源としての半導体が有
する、電圧を印加しつづけても、゛発熱温度が自動的に
一定に保たれ、また、たとえ電圧が変動しても、発熱温
度の変動が少なく広い動作電圧を有し、さらに消費電力
が少なく経済的であるなどの特性をいかんなく発揮する
ことができ、こて先の温度を半田づけに最適な温度(2
40〜270℃)に保つことができ、熱源がオーバーヒ
ートしないので絶縁物の劣化が少なく高絶縁を確保でき
、電圧が変動してもこて先の温度は変動せずに済み、プ
リント基板の部品を交換する時には、鋼箔の剥離を生ず
ることなく、消費電力が少なくて済み経済的であるなど
優れた利点を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来の電気半田こてを示す分解斜視図、第2
図ないし第4図はこの考案の第一の実施例を示すもので
、第2図は、この考案に係る半田こての要部の断面図、
第3図は、各部品の斜視図、第4図は全体斜視図、第5
図は、この考案の他の実施例を示す要部の断面図である
。 10・・・発熱型の半導体、11・・・電極、12・・
・フィルム状のマイカ(絶縁物)、13・・・ポリイミ
ドフィルム(絶縁物)、14.20・・・こて部材、1
4 a ・・・嵌合部、20a、20b・・・係止部、
14b。 20c・・・こて先、15,21・・・マイカ薄板(絶
縁断熱材)、16,22・・・筒体。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 正の温度係数を有するサーミスタなどの発熱型の半導体
    と、この半導体を挾むように配置されこの半導体に電力
    を供給する電極と、前記半導体から熱の供給を受は発熱
    するこて部材とを有する半田こてに動いて、前記半導体
    によび電極が一体的に絶縁物で被覆され、前記こて部材
    に設けた嵌合部または係止部に前記絶縁物で一体的に被
    覆された半導体動よび電極が嵌合または係止され、上記
    とて部材の周面が絶縁断熱材で被覆されるとともに筒体
    に圧入嵌合され、前記半導体動よびこて部材が熱膨張す
    ることによって前記筒体内に生ずる圧力が前記半導体の
    耐圧限度圧と前記絶縁物および絶縁断熱材がその変形に
    よって吸収可能な圧力との和にほぼ等しくなるように前
    記筒体による圧着が行なわれていることを特徴とする半
    田こて。
JP1980186341U 1980-12-24 1980-12-24 半田こて Expired JPS586617Y2 (ja)

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