JPS5864278A - 非酸化物セラミツクスの製造法 - Google Patents
非酸化物セラミツクスの製造法Info
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- JPS5864278A JPS5864278A JP56163279A JP16327981A JPS5864278A JP S5864278 A JPS5864278 A JP S5864278A JP 56163279 A JP56163279 A JP 56163279A JP 16327981 A JP16327981 A JP 16327981A JP S5864278 A JPS5864278 A JP S5864278A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発−は高温強直が^く、高密度を有する非酸化物す
なわち電化物中炭化物のセラミックス焼結体の製造法に
@するものである。
なわち電化物中炭化物のセラミックス焼結体の製造法に
@するものである。
轍近、セラミックス材料%に耐熱性材料としてのセラミ
ックスの開発が盛んに行なわれてお9、なかでも高温に
おいて安定な耐熱性物質である共!N軸合性化合物、4
1に窒化珪素(5IIN4 )、炭化珪素(SiC)が
非常圧すぐれた材料であることが知られている。
ックスの開発が盛んに行なわれてお9、なかでも高温に
おいて安定な耐熱性物質である共!N軸合性化合物、4
1に窒化珪素(5IIN4 )、炭化珪素(SiC)が
非常圧すぐれた材料であることが知られている。
一般にセラミックスは、原料セラミックス粉末を成形焼
結して使用されるものであるが、別IN4、SiCなど
の場合は、一般の酸化物セラミックスと異なり、S焼結
性物質である丸め、率醜組成たとえば5IIN4粉末の
みを焼結しても緻密な焼結体を得ることは内部である。
結して使用されるものであるが、別IN4、SiCなど
の場合は、一般の酸化物セラミックスと異なり、S焼結
性物質である丸め、率醜組成たとえば5IIN4粉末の
みを焼結しても緻密な焼結体を得ることは内部である。
このためSi、N4粉末などの場合には、Mgo 。
At、0.、Y、0.、CaO2、BeOなどの酸化物
粉末を焼結助剤として添加して焼結することが行われて
いる。
粉末を焼結助剤として添加して焼結することが行われて
いる。
しかして、このような焼結助剤を加えたセラミックス粉
末を使用して通常行われているプレス成形tして真空あ
るいは常圧で加熱焼結する方法は、焼結コストが低く工
業的に有用であるが、Si3N2の場合焼結しても微孔
はそのまま残存するので、この方法では尚密度な焼結体
を得ることができないO これ九対し、^漏下で加圧しながら焼結するホットプレ
ス法によれば、よ)緻密な焼結体を得ることがで寝るが
、この焼結体ti−温においてIj1度低下が生ずる欠
点があ)、また焼結コストも−くなる。
末を使用して通常行われているプレス成形tして真空あ
るいは常圧で加熱焼結する方法は、焼結コストが低く工
業的に有用であるが、Si3N2の場合焼結しても微孔
はそのまま残存するので、この方法では尚密度な焼結体
を得ることができないO これ九対し、^漏下で加圧しながら焼結するホットプレ
ス法によれば、よ)緻密な焼結体を得ることがで寝るが
、この焼結体ti−温においてIj1度低下が生ずる欠
点があ)、また焼結コストも−くなる。
この^温における**低下は、焼結助剤の添加によ31
5ilN4の粉末界IQKm融点物質が生成することK
よる−のであると考えられ、焼鮎助舜1に使用する場合
扛不可避である。
5ilN4の粉末界IQKm融点物質が生成することK
よる−のであると考えられ、焼鮎助舜1に使用する場合
扛不可避である。
さらに焼結助剤の混合割合t−減少し、あるいは焼結助
薊會添加せずに高圧ガス雰囲気中で焼結し九す、鋤完成
製などで粉末に瞬間的に高圧を加えて粉砕し友のち、焼
結するなどの方法が試みられているが、何れの方法も焼
結コストが^く、また^−IJk直の低下現象が残る欠
点があり、工業的な71法としては成功していない。上
記の間亀はSiCの場合に4h同様である。
薊會添加せずに高圧ガス雰囲気中で焼結し九す、鋤完成
製などで粉末に瞬間的に高圧を加えて粉砕し友のち、焼
結するなどの方法が試みられているが、何れの方法も焼
結コストが^く、また^−IJk直の低下現象が残る欠
点があり、工業的な71法としては成功していない。上
記の間亀はSiCの場合に4h同様である。
本究明者らはs Si、N4粉末、りIc粉本等の非酸
化物セラミックス粉末について緻密で温湯強度の^い焼
結体′fr得るべく種々検討を行い、さきに非酸化−セ
ラミックス粉末成形体の焼結に先立って該成形体をH,
、GOなどの還元性ガスの減圧雰囲気下、ある%A#i
諷圧′#曲気と真空#1気の交互11以上の繰返し、あ
るいはまた上紀遡元性双スリプラズマ雰囲気下などで活
性化処理する方法を発明し、これKよって非酸化物セラ
ミックスの鹸化机象により止じている酸化層t−除去し
て1mI温特性の劣化を解消しうろことを蒐出しえ。
化物セラミックス粉末について緻密で温湯強度の^い焼
結体′fr得るべく種々検討を行い、さきに非酸化−セ
ラミックス粉末成形体の焼結に先立って該成形体をH,
、GOなどの還元性ガスの減圧雰囲気下、ある%A#i
諷圧′#曲気と真空#1気の交互11以上の繰返し、あ
るいはまた上紀遡元性双スリプラズマ雰囲気下などで活
性化処理する方法を発明し、これKよって非酸化物セラ
ミックスの鹸化机象により止じている酸化層t−除去し
て1mI温特性の劣化を解消しうろことを蒐出しえ。
しかして本発明者らはこれよりさらに焼結の進行を促進
させるべく検討を行った結果、上記した焼#h前の活性
化処理より前に非酸化物セラミックス粉末成形体を酸化
処理してやるならば駄粉末の内部まで酸化が進行し、こ
の酸化層を次の活性化処理で除去することによ)、粉末
内部のさらに活性な部分が表面となってより焼結が促進
されることを知得し、この発明に至ったものである。
させるべく検討を行った結果、上記した焼#h前の活性
化処理より前に非酸化物セラミックス粉末成形体を酸化
処理してやるならば駄粉末の内部まで酸化が進行し、こ
の酸化層を次の活性化処理で除去することによ)、粉末
内部のさらに活性な部分が表面となってより焼結が促進
されることを知得し、この発明に至ったものである。
卸ち、この究明は非酸化物セラミックス粉末をプレス成
形勢によって圧粉成形体としたのち、この成形体を焼結
炉に1a填し、該炉内を真空にして昇温を開始し、10
00〜1800℃に達したところでOlあるいはH,0
を1〜1〇−含む非酸化性ガス(例えばAr 、Haガ
ス)を炉内に導入してまず成形体の酸化処理を行い、そ
の使同温度に維持して還元性ガス(hえばCOガス)の
減圧11囲気として活性化処理を施こす。
形勢によって圧粉成形体としたのち、この成形体を焼結
炉に1a填し、該炉内を真空にして昇温を開始し、10
00〜1800℃に達したところでOlあるいはH,0
を1〜1〇−含む非酸化性ガス(例えばAr 、Haガ
ス)を炉内に導入してまず成形体の酸化処理を行い、そ
の使同温度に維持して還元性ガス(hえばCOガス)の
減圧11囲気として活性化処理を施こす。
次いでN、ガス勢の非敵化性雰H気下で1600〜!!
80G’CKJJ+温して1〜5時間保持して焼結を打
うものであり、これによってよりIIM密で高温強度の
^い焼結体を得ることができるのである。。
80G’CKJJ+温して1〜5時間保持して焼結を打
うものであり、これによってよりIIM密で高温強度の
^い焼結体を得ることができるのである。。
この究明において、酸化処理は0寓t 1〜10チ仙N
、ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
、ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
これは、1−以下では酸化処理の効果がなく、また10
%以上では成形体表面部が過&[酸化し、久の活性化処
理で十分活性化できないからである。
%以上では成形体表面部が過&[酸化し、久の活性化処
理で十分活性化できないからである。
また酸化JA1jjA(DlkK行う活性化処理として
は、(1) M1元性ガスの減圧雰囲気下、(2)還
元性ガスの減圧雰囲気下と真空雰囲気の交互1−以Eの
繰返し、 (3) 還元性ガスのプラズマ雰囲気下の例れでもよ
いが、その活性化処理温度は焼結温に以ドであることが
必要である。
は、(1) M1元性ガスの減圧雰囲気下、(2)還
元性ガスの減圧雰囲気下と真空雰囲気の交互1−以Eの
繰返し、 (3) 還元性ガスのプラズマ雰囲気下の例れでもよ
いが、その活性化処理温度は焼結温に以ドであることが
必要である。
還元性ガスとしてはCOガス、HよガスまたはCOガス
とH,ガスの混けが適当である。
とH,ガスの混けが適当である。
セしてこの酸化処理とてれKftic<活性化錫塩は1
回以上繰返すことが非酸化物セラミックス粉末の内部ま
で酸化を進行せしめ、次いで七の讃化層を還元させて活
性な表面部分を増大させることによって焼結の進行をよ
り促進させ、緻密なw8M体を得るうえから好ましい。
回以上繰返すことが非酸化物セラミックス粉末の内部ま
で酸化を進行せしめ、次いで七の讃化層を還元させて活
性な表面部分を増大させることによって焼結の進行をよ
り促進させ、緻密なw8M体を得るうえから好ましい。
上記のようにして酸化処理、活性化処理を何った非酸化
物セラミックス粉末成形体の焼結はN8ガスなどの非酸
化性雰囲気下、1600〜2800℃、1〜5時間で行
うのがよい。1600℃以下でFi淑穎化が十分に?T
われずまた2300℃以上になると別、N4やSiCな
どの主成分の分解反応が激しくなってやはり緻密化が十
分にはなされないためである。
物セラミックス粉末成形体の焼結はN8ガスなどの非酸
化性雰囲気下、1600〜2800℃、1〜5時間で行
うのがよい。1600℃以下でFi淑穎化が十分に?T
われずまた2300℃以上になると別、N4やSiCな
どの主成分の分解反応が激しくなってやはり緻密化が十
分にはなされないためである。
以下この発明を実施例により評細に説明する。
実施例1
α型金90囁含むSi3N、 (西独シュタルク社製ン
100tに対してM2O5f ’にボールミルで混合し
粉砕1fr打った。
100tに対してM2O5f ’にボールミルで混合し
粉砕1fr打った。
この粉末V酸素分析をしたところ5.11に菫饅でめっ
た。
た。
この粉末を2t/−の圧力で長さ40箇、−40mm、
・厚さ10■の板に成形したのち、焼結炉内に装填した
。そして炉内を真空(真空良8X10−’atm)Kし
たのち昇温をはじめ、1800℃に達したところでこの
温飯に&持して0.15 atmまで01k5−含むN
□ガスを導入し、次いで−たん真空(真!に& 5 X
10−’ atm )K してからCOガスを尋人し
、0.15 atmとして併気パルプt−a11jIl
kシた。
・厚さ10■の板に成形したのち、焼結炉内に装填した
。そして炉内を真空(真空良8X10−’atm)Kし
たのち昇温をはじめ、1800℃に達したところでこの
温飯に&持して0.15 atmまで01k5−含むN
□ガスを導入し、次いで−たん真空(真!に& 5 X
10−’ atm )K してからCOガスを尋人し
、0.15 atmとして併気パルプt−a11jIl
kシた。
そしてこの操作を81繰返した。
その後炉内t−h度真空にしたのち炉内に鍋純度(りN
、カス(純!199.999s)t−4人した。
、カス(純!199.999s)t−4人した。
でして炉内圧力をI atmにしたのち昇温し、180
0℃に2時間銖持して焼結を打った。
0℃に2時間銖持して焼結を打った。
比較として四じ成形′JI!iを1800℃の処理をせ
ずに直接焼結したもの、および1800℃でCOガスの
み尋人した&に焼結したもの會も作成し、炉を十分に冷
却後、これらの焼結体を炉から取出し、50個の試験片
に切断して酸素含有量や曲げ強さなどのテストを行った
ところ第1表の結果が優られた。
ずに直接焼結したもの、および1800℃でCOガスの
み尋人した&に焼結したもの會も作成し、炉を十分に冷
却後、これらの焼結体を炉から取出し、50個の試験片
に切断して酸素含有量や曲げ強さなどのテストを行った
ところ第1表の結果が優られた。
第 l 表
値、Jは標準偏差を示すものである。
実施例2
実施例iごνけるCOガス害入會H8ガス導入にかえた
以外會ユ何rL4実施例1と同体の味杆で随化処理、宿
性化処理tlk焼結を行ったが、実施例1と10Jじく
徐rs偏走の小さいすぐ扛た曲ri強さtπくした。
以外會ユ何rL4実施例1と同体の味杆で随化処理、宿
性化処理tlk焼結を行ったが、実施例1と10Jじく
徐rs偏走の小さいすぐ扛た曲ri強さtπくした。
特許出願人 住友電気工業株式会社
同 代理人 弁理士 和 1) 昭
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 非酸化物瘉うミックス粉末成形体を咳成形体
の焼結温度以下で酸化処理し、次いで活性化処at少く
ともII!at以上繰返し打ったのも非酸化性雰囲気下
にて焼結することを特徴とする非酸化物セラミックスの
製造法。 (2)活性化処理を還元性ガスの減圧雰囲気下、焼結i
lk鼠以下で行なうことを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の非酸化物セラミックスの製造法。 (句 活性化処理を還元性ガスの減圧I#囲気と真空I
F−気の交互11!1!J以上の繰返し状態のもとて焼
結温度以下で行なうことを4I做とする物軒−求の範囲
第1項記載の非酸化物セラミックスの製造法。 (4)活性化処理を還元性ガスのグッズマ′!#囲気下
、焼結温度以下で行なうことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の非酸化物セラミツタスOl!造法。 (旬 I11元性ガスがCOおよび/またLH8である
ことを特徴とする特許請求の範囲第2項乃至・第4塊の
−ずれかの項kIc教の非酸化物セラミックスの製造法
。 (・) 非酸化物セラミックスが5ilN4であること
。 t%黴とする特許請求の範囲第1項記載の非酸化物セラ
ミックスの製造法。 (7) 非酸化物セラミックスがSiCでめることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の非酸化物セラミ
ックスの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56163279A JPS5864278A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 非酸化物セラミツクスの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56163279A JPS5864278A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 非酸化物セラミツクスの製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5864278A true JPS5864278A (ja) | 1983-04-16 |
Family
ID=15770789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56163279A Pending JPS5864278A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | 非酸化物セラミツクスの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5864278A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4719095A (en) * | 1985-02-02 | 1988-01-12 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Production of silicon ceramic powders |
JP2009263201A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-11-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | 結晶性窒化珪素及びその製造方法、並びに、それを用いた蛍光体、該蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、画像表示装置、焼結体及び顔料 |
-
1981
- 1981-10-12 JP JP56163279A patent/JPS5864278A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4719095A (en) * | 1985-02-02 | 1988-01-12 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Production of silicon ceramic powders |
JP2009263201A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-11-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | 結晶性窒化珪素及びその製造方法、並びに、それを用いた蛍光体、該蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、画像表示装置、焼結体及び顔料 |
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