JPS5860743A - 転写用マスク - Google Patents
転写用マスクInfo
- Publication number
- JPS5860743A JPS5860743A JP56160637A JP16063781A JPS5860743A JP S5860743 A JPS5860743 A JP S5860743A JP 56160637 A JP56160637 A JP 56160637A JP 16063781 A JP16063781 A JP 16063781A JP S5860743 A JPS5860743 A JP S5860743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- patterns
- mask
- pattern
- transfer
- wafer
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/52—Reflectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体集積回路などの製造に用いるマスクに
関するものである。
関するものである。
第1図Aは従来のマスクの構造の一例を示す平面図、第
1図Bはその正面図である。図において、(11は石英
ガラスなどの透明材からなるプレート、(2a)、 (
2b)および(2C)はクロムなどの紫外線を透過しな
い材料でプレート(1)の一方の面上に形成されたパタ
ーン、(3)はこのようにして構成されたマスクである
。
1図Bはその正面図である。図において、(11は石英
ガラスなどの透明材からなるプレート、(2a)、 (
2b)および(2C)はクロムなどの紫外線を透過しな
い材料でプレート(1)の一方の面上に形成されたパタ
ーン、(3)はこのようにして構成されたマスクである
。
第2図は投影露光式パターン転写装置によって、上記マ
スクのパターンを半導体ウェーハ(以下単に「ウェーハ
」という。)上に転写する原理を示す系統図で、(4)
は半導体基体、(5)は半導体基体(4)上に盪布され
た紫外線感光剤、(6)はこのようにして構成されたウ
ェーハ、(71、(8) 、 +9)および(loJは
光学ミラー、(ll)はマスク固定具である。図示のよ
うな配置構成において、破線矢印で示すように、マスク
(3)の裏面から紫外線を投射すると、マスク(3)の
クロムパターン(2)は鏡面反転されてウェーハ(6)
上に転写される。
スクのパターンを半導体ウェーハ(以下単に「ウェーハ
」という。)上に転写する原理を示す系統図で、(4)
は半導体基体、(5)は半導体基体(4)上に盪布され
た紫外線感光剤、(6)はこのようにして構成されたウ
ェーハ、(71、(8) 、 +9)および(loJは
光学ミラー、(ll)はマスク固定具である。図示のよ
うな配置構成において、破線矢印で示すように、マスク
(3)の裏面から紫外線を投射すると、マスク(3)の
クロムパターン(2)は鏡面反転されてウェーハ(6)
上に転写される。
一方、光学ミラー001の代りに光学ルーフミラーを用
いた投影露光式パターン転写装置ではマスク(3)のり
日ムパターンが反転されずに、そのままウェーハ(6)
上に転写される。
いた投影露光式パターン転写装置ではマスク(3)のり
日ムパターンが反転されずに、そのままウェーハ(6)
上に転写される。
したがって、上記2種類の良形露光式パターン転写装置
を併用して集積回路を製造するような場合、通常のクロ
ムパターンを有するマスクと、これを鏡面反転させたク
ロムパターンを有するマスクとの2種類のマスクを準備
しなければならなかった。
を併用して集積回路を製造するような場合、通常のクロ
ムパターンを有するマスクと、これを鏡面反転させたク
ロムパターンを有するマスクとの2種類のマスクを準備
しなければならなかった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、1
拙類のマスクで上記いずれの種類のパターン転写装置に
も使用できるマスクを提供することを目的としている。
拙類のマスクで上記いずれの種類のパターン転写装置に
も使用できるマスクを提供することを目的としている。
゛
第3図はこの発明の一実施例を示す正面図で、第1図の
従来例と同一パターンに対応するものである。(1)I
ri、投影露光式パターン転写装置の焦点深度より大き
い厚さを有する石英ガラスプレート、(2a)、 (2
b)および(2c)は第1図のものと同様のクロムパタ
ーン、(12a)、 (12b)および(12c)は石
英ガラスプレート(りの他方の面に上記クロムパターン
(2a)、 (2b)および(2C)と対応した位置に
形成されたクロムパターンである。
従来例と同一パターンに対応するものである。(1)I
ri、投影露光式パターン転写装置の焦点深度より大き
い厚さを有する石英ガラスプレート、(2a)、 (2
b)および(2c)は第1図のものと同様のクロムパタ
ーン、(12a)、 (12b)および(12c)は石
英ガラスプレート(りの他方の面に上記クロムパターン
(2a)、 (2b)および(2C)と対応した位置に
形成されたクロムパターンである。
さて、この実施例マスクのパターンを第2図に示したパ
ターン転写装置を用いてウェーハ上に転写する場合には
クロムパターン(2a)、 (2’b)および(2C)
側がマスク固定具(11)に接するようにマスクを装着
して、紫外線照射を行なえば、クロムパターン(2a)
、 (2b)および(2C)は鏡面反転されてウェーへ
上に転写される。このとき、クロムパターン(12a)
、 (12b)および(ユ2c)はパターン転写装置の
焦点深度外にあるので、クロムパターン(2a)。
ターン転写装置を用いてウェーハ上に転写する場合には
クロムパターン(2a)、 (2’b)および(2C)
側がマスク固定具(11)に接するようにマスクを装着
して、紫外線照射を行なえば、クロムパターン(2a)
、 (2b)および(2C)は鏡面反転されてウェーへ
上に転写される。このとき、クロムパターン(12a)
、 (12b)および(ユ2c)はパターン転写装置の
焦点深度外にあるので、クロムパターン(2a)。
(2b)および(2C)の転写には妨げにならない。次
に、第2図の光学ミラー(10)の代りに光学ルーフミ
ラーを用いたパターン転写装置を用いる場合ては、クロ
ムパターン(ユ2a)、 (1zb)および(12c)
側がマスク保持具間に接するようにマスクを装着して紫
外線照射全行なえば、クロムパターン(ユ2a)、 (
12b)′&よび(12c)はそのままウエーノ・上に
転写される。そして、このときウエーノ・上に転写され
るノくターンは、前述のクロムパターン(2a)、 (
2,b)および(2C)が鏡面反転されてウエーノ・上
に転写されたパターンと同一のパターンである。
。
に、第2図の光学ミラー(10)の代りに光学ルーフミ
ラーを用いたパターン転写装置を用いる場合ては、クロ
ムパターン(ユ2a)、 (1zb)および(12c)
側がマスク保持具間に接するようにマスクを装着して紫
外線照射全行なえば、クロムパターン(ユ2a)、 (
12b)′&よび(12c)はそのままウエーノ・上に
転写される。そして、このときウエーノ・上に転写され
るノくターンは、前述のクロムパターン(2a)、 (
2,b)および(2C)が鏡面反転されてウエーノ・上
に転写されたパターンと同一のパターンである。
。
以上説明したように、この発明になるマスクでは透明基
板の両面にその基板に関して面対称の不透明パターンを
形成したので、そのまま転写するパターン転写装置にも
、鏡面反転させて転写するパターン転写装置にも使用し
て所望のパターン転写ができる。
板の両面にその基板に関して面対称の不透明パターンを
形成したので、そのまま転写するパターン転写装置にも
、鏡面反転させて転写するパターン転写装置にも使用し
て所望のパターン転写ができる。
第1図Aは従来のマスクの構造の一例を示す平面図、第
1図Bはその正面図、第2図は投影露光式パターン転写
装置によるパターン転写の原理を示す系統図、第3図は
この発明の一実施例を示す正面図である。 図において、fi+はプレート(基板)、(2a)、
(2b)、 (2c)、 (12a)、 (12’b)
、 (12c)はクロムパターン(不透明膜)である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す0 代理人 葛 野 信 −(外1名 第1図
1図Bはその正面図、第2図は投影露光式パターン転写
装置によるパターン転写の原理を示す系統図、第3図は
この発明の一実施例を示す正面図である。 図において、fi+はプレート(基板)、(2a)、
(2b)、 (2c)、 (12a)、 (12’b)
、 (12c)はクロムパターン(不透明膜)である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す0 代理人 葛 野 信 −(外1名 第1図
Claims (2)
- (1)転写ビームに対して透明な物質からなり投影露光
式パターン転写装置の焦点深度より大きい厚さを有する
基板の両面に上記転写ビームに対して不透明な物質から
なシ、上記基板に関して面対称のパターンを有する膜が
形成されてなることを特徴とする転写用マスク。 - (2)基板が石英ガラスからなり、膜がクロムからなシ
転写ビームに光を用いることを特徴とする特許請求の範
囲第1.!jI記載の転写用マスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56160637A JPS5860743A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 転写用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56160637A JPS5860743A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 転写用マスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5860743A true JPS5860743A (ja) | 1983-04-11 |
Family
ID=15719230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56160637A Pending JPS5860743A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 転写用マスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5860743A (ja) |
-
1981
- 1981-10-06 JP JP56160637A patent/JPS5860743A/ja active Pending
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