JPS5860743A - 転写用マスク - Google Patents

転写用マスク

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Publication number
JPS5860743A
JPS5860743A JP56160637A JP16063781A JPS5860743A JP S5860743 A JPS5860743 A JP S5860743A JP 56160637 A JP56160637 A JP 56160637A JP 16063781 A JP16063781 A JP 16063781A JP S5860743 A JPS5860743 A JP S5860743A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
patterns
mask
pattern
transfer
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56160637A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Osada
長田 芳裕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP56160637A priority Critical patent/JPS5860743A/ja
Publication of JPS5860743A publication Critical patent/JPS5860743A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/52Reflectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体集積回路などの製造に用いるマスクに
関するものである。
第1図Aは従来のマスクの構造の一例を示す平面図、第
1図Bはその正面図である。図において、(11は石英
ガラスなどの透明材からなるプレート、(2a)、 (
2b)および(2C)はクロムなどの紫外線を透過しな
い材料でプレート(1)の一方の面上に形成されたパタ
ーン、(3)はこのようにして構成されたマスクである
第2図は投影露光式パターン転写装置によって、上記マ
スクのパターンを半導体ウェーハ(以下単に「ウェーハ
」という。)上に転写する原理を示す系統図で、(4)
は半導体基体、(5)は半導体基体(4)上に盪布され
た紫外線感光剤、(6)はこのようにして構成されたウ
ェーハ、(71、(8) 、 +9)および(loJは
光学ミラー、(ll)はマスク固定具である。図示のよ
うな配置構成において、破線矢印で示すように、マスク
(3)の裏面から紫外線を投射すると、マスク(3)の
クロムパターン(2)は鏡面反転されてウェーハ(6)
上に転写される。
一方、光学ミラー001の代りに光学ルーフミラーを用
いた投影露光式パターン転写装置ではマスク(3)のり
日ムパターンが反転されずに、そのままウェーハ(6)
上に転写される。
したがって、上記2種類の良形露光式パターン転写装置
を併用して集積回路を製造するような場合、通常のクロ
ムパターンを有するマスクと、これを鏡面反転させたク
ロムパターンを有するマスクとの2種類のマスクを準備
しなければならなかった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、1
拙類のマスクで上記いずれの種類のパターン転写装置に
も使用できるマスクを提供することを目的としている。
゛ 第3図はこの発明の一実施例を示す正面図で、第1図の
従来例と同一パターンに対応するものである。(1)I
ri、投影露光式パターン転写装置の焦点深度より大き
い厚さを有する石英ガラスプレート、(2a)、 (2
b)および(2c)は第1図のものと同様のクロムパタ
ーン、(12a)、 (12b)および(12c)は石
英ガラスプレート(りの他方の面に上記クロムパターン
(2a)、 (2b)および(2C)と対応した位置に
形成されたクロムパターンである。
さて、この実施例マスクのパターンを第2図に示したパ
ターン転写装置を用いてウェーハ上に転写する場合には
クロムパターン(2a)、 (2’b)および(2C)
側がマスク固定具(11)に接するようにマスクを装着
して、紫外線照射を行なえば、クロムパターン(2a)
、 (2b)および(2C)は鏡面反転されてウェーへ
上に転写される。このとき、クロムパターン(12a)
、 (12b)および(ユ2c)はパターン転写装置の
焦点深度外にあるので、クロムパターン(2a)。
(2b)および(2C)の転写には妨げにならない。次
に、第2図の光学ミラー(10)の代りに光学ルーフミ
ラーを用いたパターン転写装置を用いる場合ては、クロ
ムパターン(ユ2a)、 (1zb)および(12c)
側がマスク保持具間に接するようにマスクを装着して紫
外線照射全行なえば、クロムパターン(ユ2a)、 (
12b)′&よび(12c)はそのままウエーノ・上に
転写される。そして、このときウエーノ・上に転写され
るノくターンは、前述のクロムパターン(2a)、 (
2,b)および(2C)が鏡面反転されてウエーノ・上
に転写されたパターンと同一のパターンである。   
 。
以上説明したように、この発明になるマスクでは透明基
板の両面にその基板に関して面対称の不透明パターンを
形成したので、そのまま転写するパターン転写装置にも
、鏡面反転させて転写するパターン転写装置にも使用し
て所望のパターン転写ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図Aは従来のマスクの構造の一例を示す平面図、第
1図Bはその正面図、第2図は投影露光式パターン転写
装置によるパターン転写の原理を示す系統図、第3図は
この発明の一実施例を示す正面図である。 図において、fi+はプレート(基板)、(2a)、 
(2b)、 (2c)、 (12a)、 (12’b)
、 (12c)はクロムパターン(不透明膜)である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す0 代理人  葛 野 信 −(外1名 第1図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)転写ビームに対して透明な物質からなり投影露光
    式パターン転写装置の焦点深度より大きい厚さを有する
    基板の両面に上記転写ビームに対して不透明な物質から
    なシ、上記基板に関して面対称のパターンを有する膜が
    形成されてなることを特徴とする転写用マスク。
  2. (2)基板が石英ガラスからなり、膜がクロムからなシ
    転写ビームに光を用いることを特徴とする特許請求の範
    囲第1.!jI記載の転写用マスク。
JP56160637A 1981-10-06 1981-10-06 転写用マスク Pending JPS5860743A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56160637A JPS5860743A (ja) 1981-10-06 1981-10-06 転写用マスク

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JP56160637A JPS5860743A (ja) 1981-10-06 1981-10-06 転写用マスク

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Publication Number Publication Date
JPS5860743A true JPS5860743A (ja) 1983-04-11

Family

ID=15719230

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JP56160637A Pending JPS5860743A (ja) 1981-10-06 1981-10-06 転写用マスク

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