JPH02171751A - マスク - Google Patents

マスク

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Publication number
JPH02171751A
JPH02171751A JP63326493A JP32649388A JPH02171751A JP H02171751 A JPH02171751 A JP H02171751A JP 63326493 A JP63326493 A JP 63326493A JP 32649388 A JP32649388 A JP 32649388A JP H02171751 A JPH02171751 A JP H02171751A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
mask
light
reflected
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63326493A
Other languages
English (en)
Inventor
Ichiro Hagino
萩野 一郎
Satoru Akutagawa
哲 芥川
Shinichi Nomura
野村 心一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyushu Fujitsu Electronics Ltd, Fujitsu Ltd filed Critical Kyushu Fujitsu Electronics Ltd
Priority to JP63326493A priority Critical patent/JPH02171751A/ja
Publication of JPH02171751A publication Critical patent/JPH02171751A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 パターンからの反射光が露光に供されるマスクに関し、 必要とされるマスクの使用枚数の削減を図ることを可能
とすることを目的とし、 基板の片方の面に、それよりの反射光が露光に供される
一のパターンを有し、上記[1の反対側の面に、上記−
のパターンとはパターンを異にし、それよりの反射光が
露光に供される別のパターンを有して構成する。
(産業上の利用分野〕 本発明はパターンからの反射光が露光に供されるマスク
に関する。
〔従来の技術〕
マスクの露光方法の一つとしてパターンからの反射光を
利用した方法がある。
この露光方法に使用するマスクは、基板の片方の面にの
みパターンを有する構成である。
(発明が解決しようとする課題) このため、パターン毎にマスクが必要となり、準備づる
マスクの枚数が多くなってしまう。
本発明は必要とされるマスクの使用枚数の削減を図るこ
とを可能とするマスクを提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、基板の片方の面に、それよりの反射光が露光
に供される−のパターンを有し、上記基板の反対側の面
に、上記−のパターンとはパターンを異にし、それより
の反射光が露光に供される別のパターンを有してなる構
成としたものである。
〔作用〕
同一のマスクを使用し、表裏反転することによって、別
々のパターンを感光対象物に転写することが可能となる
〔実施例〕
第3図は本発明の第1実施例のマスク1を示す。
2はマスク基板であり、片方の面2aに、第4図(A)
に示すパターン3を有し、反対側の面2bに、第4図(
B)に示すパターン4を有する構成である。
パターン3とパターン4とは異なるものである。
マスク基板2は、厚さtが2#程度の一般的に使用され
ているものである。露光は後述するように反射光を利用
して行うものであるため、マスク基板2の透過特性は問
題とはならず、内部に透過率が異なる脈理、気胞が存在
していてもよい。
第1図及び第2図は上記マスク1を使用した露光の状態
を示す。
第1図は面2aのパターン3を露光するときの状態を示
し、第2図は面2bのパターン4を露光するときの状態
を示す。
第1図及び第2図中、10は光源、11はハーフミラ−
112はマスクホルダ、13はレンズ系である。14は
ウェハ15に感光材料膜16が形成された感光対象物で
ある。
第1図においては、マスク1はパターン3を上側とした
向きでマスクボルダ12にセットしである。
レンズ系13は、マスク1のうちの上側の而2aに焦点
が合うように調整しである。
光源10より発せられ、ハーフミラ−11を透過し、マ
スク1に到った光線17のうち、パターン3を照射する
光線17aは、パターン3で良好に反射して戻り、ハー
フミラ−11で反射して符号17a!で示すように感光
対像物14を照射し、パターン3が感光対象物14上に
転写される。
マスク1のうちパターン3の無い部分を照射した光線1
7bは基板2により吸収され、反射は殆ど無い。
これにより感光対象物14にはパターン3が露光される
また基板2による光の吸収が少ない場合には、基板2を
透過して第1図中下面のパターン4に到った光線は、パ
ターン4の基板2側の面で反射され、ハーフミラ−11
側に戻り、ここで反射して感光対象物14に向かうこと
になる。しかし、パターン4は合焦位δよりずれており
、パターン4における反射光の強さは弱く、感光材料膜
16上での強度は、感光材料膜16を感光させるに必要
な強度よりも十分に弱い。このため、この光によっては
、感光材料膜16の感光は起さf1パターン4は転写さ
れない。
このように、パターン4は転写されないのであるから、
基板2の内部に脈理があったり、気胞が存在したとして
も問題とはならない。
パターン4を転写する場合にも、上記のマスク1を使用
する。
この場合には、第2図に示すように、パターン4を上側
とした向きでマスク1をマスクボルダ12にセットする
レンズ系13は、マスク1のうち」−側の面2bに焦点
が合うように調整しである。
光源10よりの光線17のうち、パターン4を照射する
光線17cはパターン4で良好に反射し、感光対象物1
4Aを照射する。
パターン4の無い部分を照射した光線17dは基板2に
殆ど吸収され、また下面のパターン3は合焦位置から外
れており、パターン3からの反射光の強さは弱い。この
ため、パターン4以外の部分からの反射光によっては感
光対象物14Aは感光されない。
これにより、感光対象物14Aには、パターン4だけが
転写される。
この場合にも、基板2の内部の脈理、気胞は前記と同様
に問題とはならない。
このように、上記のマスク1は、これ−枚で、従来の二
枚のマスクと同じ機能を有することになり、必要とされ
るマスクの枚数は半減し、マスクのための費用を削減す
ることが出来る。
次に本発明のマスクの別の実施例について、第5図乃至
第7図を参照して説明する。各図中、第Nに示す構成部
分と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する
。共に裏面パターンよりの反射を抑制する構成としたも
のである。
第5図は本発明の第2実施例のマスク20を示す。
21.22は、酸化クロム層であり、パターン3.4の
下地膜としてマスク基板2上に形成しである。この酸化
クロム層21.22は反射率が低い。
パターン3を転写する場合には、酸化クロム層22が反
射光17eを弱める。パターン4を転写する場合には、
酸化クロム層21が反射光17「を弱める。
第6図は本発明の第3実施例のマスク30を示す。
このマスク30は、符号31で示すマスク基板31を、
着色ガラス等の低透過率の材質製としたものである。
パターン3を転写する場合には、パターン4の裏面で反
射してマスク基板31より出る反射光17aは極く弱い
ものとなる。また、パターン4を転写する場合には、パ
ターン3の裏面で反射してマスク基板31より出る反射
光17hも掻く弱いものとなる。
第7図は本発明の第4実施例のマスク40を示す。
このマスク40は、マスク基板2の面2a。
2bに、パターン3,4を除いて、光の透過率の低いフ
ィルタ膜41.42が形成しである。
パターン3を転写する場合の、パターン4の裏面で反射
してフィルタ1!41を透過して出る反射光171.及
びパターン4を転写する場合の、パターン3の裏面で反
射してフィルタ膜42を透過して出る反射光17jは極
く弱いものとなる。
第5図、第6図、第7図のマスク20.30゜40を使
用すれば、感光対象物14.14A上における転写しよ
うとするパターンからの反射光の強度と上記パターン以
外の部分からの反射光の強度との差が大となり、その万
感光材料に許容される感光特性の幅が広くなり、感光材
料の選定が容易となる。
なお、本発明はマスクに限らず、レチクルにも同じく適
用することが出来、請求項中の「マスク」はレチクルも
包含するものである。
〔発明の効果〕
以上説明した様に、本発明によれば、−枚のマスクで従
来のマスクの二枚分の機能を有するものであり、IC製
造に必要とされるマスクの数量を従来の半分に削減する
ことが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例のマスクの−の使用状態を
示す図、 第2図は本発明の第1実施例のマスクの別の使用状態を
示す図、 第3図は本発明の第1実施例のマスクを示す斜視図、 第4図は第3図のマスクの表面、裏面のパターンを示す
図、 第5図は本発明の第2実施例のマスクを示す図、第6図
は本発明の第3実施例のマスクを示す図、第7図は本発
明の第4実施例のマスクを示す図である。 図において、 1.20.30.40はマスク、 2はマスク基板、 2aは片方の面、 2bは反対側の面、 3.4はパターン、 10は光源、 11はハーフミラ− 12はマスクホルダ、 13はレンズ系、 14は感光対象物 17a、17cはパターンからの反射光を示す。 第2図 本た胡の茅4大方し仲1のマス2の−の4尺坪U入掲玄
ホす2第1図 1マス2 参俗蛸ハ竿1大施タ1−マス2【ホオ図第3図 (A)           (B) $−s囮のマスクの表面、IEflのぺ?−ンS示す図
第4

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 基板(2)の片方の面(2a)に、それよりの反射光(
    17a)が露光に供される一のパターン(3)を有し、 上記基板(2)の反対側の面(2b)に、上記一のパタ
    ーン(3)とはパターンを異にし、それよりの反射光(
    17c)が露光に供される別のパターン(4)を有して
    なる構成のマスク。
JP63326493A 1988-12-24 1988-12-24 マスク Pending JPH02171751A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63326493A JPH02171751A (ja) 1988-12-24 1988-12-24 マスク

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63326493A JPH02171751A (ja) 1988-12-24 1988-12-24 マスク

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02171751A true JPH02171751A (ja) 1990-07-03

Family

ID=18188441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63326493A Pending JPH02171751A (ja) 1988-12-24 1988-12-24 マスク

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JP (1) JPH02171751A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06163361A (ja) * 1992-11-25 1994-06-10 Shodenryoku Kosoku Tsushin Kenkyusho:Kk 光リソグラフィー縮小投影露光方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06163361A (ja) * 1992-11-25 1994-06-10 Shodenryoku Kosoku Tsushin Kenkyusho:Kk 光リソグラフィー縮小投影露光方法

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