JPS5858337U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5858337U
JPS5858337U JP15384881U JP15384881U JPS5858337U JP S5858337 U JPS5858337 U JP S5858337U JP 15384881 U JP15384881 U JP 15384881U JP 15384881 U JP15384881 U JP 15384881U JP S5858337 U JPS5858337 U JP S5858337U
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JP
Japan
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buffer plate
recess
semiconductor device
semiconductor element
semiconductor
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Application number
JP15384881U
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English (en)
Inventor
滝口　理朗
Original Assignee
日本電気株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の断面図、第２図は第１図の
半導体素子周辺近傍の部分拡大断面図、第３図は本考案
の一実施例の断面図、第４図は第３図の半導体素子周辺
近傍の部分拡大断面図である。 １・・・・・・半導体素子、１ａ・・・・・・半導体基
板、１ｂ・・・・・・熱緩衝板、２，１２・・・・・・
スタッド、３・・・・・・主電極引出しリード、４・・
・・・・絶縁リング、５，６・・・・・・絶縁板、７・
・・・・・金属板、８・・・・・・皿ばね、９・・・・
・・電極板、１３・・・・・・段部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ＰＮ接合を有する半導体基板の一面に緩衝板がろう付け
    された半導体素子の前記緩衝板側をスタッドの凹所底面
    上に載置し、主電極リードを重ねて圧接により前記半導
    体素子を前記凹所底面上に保持せしめた半導体装置にお
    いて、前記スタッド凹所周壁の底面部内径を、前記半導
    体素子の緩衝板がほぼ隙間なしにはまる大きさとし、さ
    らに前記緩衝板の上面より僅かに低い高さの位置で拡げ
    られ、ここに段部が形成されていることを特徴とする半
    導体装置。
JP15384881U 1981-10-16 1981-10-16 半導体装置 Pending JPS5858337U (ja)

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JP15384881U JPS5858337U (ja) 1981-10-16 1981-10-16 半導体装置

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JP15384881U JPS5858337U (ja) 1981-10-16 1981-10-16 半導体装置

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JPS5858337U true JPS5858337U (ja) 1983-04-20

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ID=29946448

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