JPS5857381A - N6,9−ジ置換アデニン誘導体の製造法 - Google Patents
N6,9−ジ置換アデニン誘導体の製造法Info
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- JPS5857381A JPS5857381A JP56153878A JP15387881A JPS5857381A JP S5857381 A JPS5857381 A JP S5857381A JP 56153878 A JP56153878 A JP 56153878A JP 15387881 A JP15387881 A JP 15387881A JP S5857381 A JPS5857381 A JP S5857381A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(但し式中Rは水素、炭素数が1−4の低級アルキル基
、及び炭素数が5〜7のアラアルキル基を。
、及び炭素数が5〜7のアラアルキル基を。
(但し式中Xは埴素、臭素を、Y、Zは水素、繊素、臭
素、フッ素を示す)で示されるハロゲン化ベンジルを反
応させることによって、高収率でかつ選択性良(N’、
9−ジ直侯アデニ/を製造する方法に関する。
素、フッ素を示す)で示されるハロゲン化ベンジルを反
応させることによって、高収率でかつ選択性良(N’、
9−ジ直侯アデニ/を製造する方法に関する。
N、9−ジ置換アデニンは植物成畏調整剤、抗ビールス
剤及び抗コクシジウム剤として有用な仕合物膵である。
剤及び抗コクシジウム剤として有用な仕合物膵である。
特に最近抗コクシジウム剤としての効果が注目さnて米
でいる。この用途に使用すの混入を極g1量扶体的には
l 00 pplIl以下におさえる必要があるとされ
ている。
でいる。この用途に使用すの混入を極g1量扶体的には
l 00 pplIl以下におさえる必要があるとされ
ている。
N、9−ジ置換アデニンの公知の製造法は工程が非常に
復雑であったり、 ie用原料が非常に高価テアったり
して工業的に採用し難い□その中で特開昭54−8f1
292号及び特開昭54−182595号に記載されて
いる方法が工程の簡便さの点で注目さルる。しかし収率
がいずれも60%程度で低位であり、また当然−生する
はずの3位置換体につイテノ記載が全くなく8位置換体
の分離工程を含めると恐らくか−なり収率は低下してし
まうことが予想さnる。かかる背景から発明者はN′、
9−ジUItpAアデニンの製造方法について鋭意検討
した結米水発明に到達することが出来た。
復雑であったり、 ie用原料が非常に高価テアったり
して工業的に採用し難い□その中で特開昭54−8f1
292号及び特開昭54−182595号に記載されて
いる方法が工程の簡便さの点で注目さルる。しかし収率
がいずれも60%程度で低位であり、また当然−生する
はずの3位置換体につイテノ記載が全くなく8位置換体
の分離工程を含めると恐らくか−なり収率は低下してし
まうことが予想さnる。かかる背景から発明者はN′、
9−ジUItpAアデニンの製造方法について鋭意検討
した結米水発明に到達することが出来た。
本発明の骨子は
(1) N’−1を換アデニンの金属塩と・・ロゲン
化ベンジルとを反応させること ω) 実質的にN’−48アデニンの金@塩を醇かさす
ハロゲン化ベンジルを良く溶かす溶媒中で。
化ベンジルとを反応させること ω) 実質的にN’−48アデニンの金@塩を醇かさす
ハロゲン化ベンジルを良く溶かす溶媒中で。
一般的に相間移動触媒と呼ばれる触媒を共存させて反応
させること である。すなわち一般式[1) (式中R,fL’、M、及びnは前記と同、を義)で示
されるN6−置換アデニンの金属塩を出発原料にするこ
とに依って8位置換体の生成を抑え9位tili換体の
選択性を増し、相聞移動触媒を反応に共存させることK
よって、主反応の反応速1#を速め副反応を防止し反応
率を向上させかつ9位置換体の選択性をも向上させるこ
とが出来る。
させること である。すなわち一般式[1) (式中R,fL’、M、及びnは前記と同、を義)で示
されるN6−置換アデニンの金属塩を出発原料にするこ
とに依って8位置換体の生成を抑え9位tili換体の
選択性を増し、相聞移動触媒を反応に共存させることK
よって、主反応の反応速1#を速め副反応を防止し反応
率を向上させかつ9位置換体の選択性をも向上させるこ
とが出来る。
9位置換体 8位置換体はこれらに代る
相間移動触媒を探票しポリエチレングリコール及びジエ
チレングリコールそれ自体あるいはそnらのアルキルエ
ーテルがこの反応に有効であることを見い出した。
相間移動触媒を探票しポリエチレングリコール及びジエ
チレングリコールそれ自体あるいはそnらのアルキルエ
ーテルがこの反応に有効であることを見い出した。
類似の反応として米国特許4,100,159号に記載
されている反応がある。該特許はアデニンの金属基トν
ハロベンジルハライドを軍く質的にアデニンの金属塩を
溶解せずジハロベンジルハライドは溶解する溶媒を用い
て相間移動触媒の存在下反応させる9−(ジハロベンジ
ル)アデニンの製造法を開示したものである。ここに用
いられている相間移動触媒は四級アンモニウム塩及びホ
スホニウム聰のみでポリエチレングリコール及びジエチ
レングリコール系の触媒は何ら記載されていない。
されている反応がある。該特許はアデニンの金属基トν
ハロベンジルハライドを軍く質的にアデニンの金属塩を
溶解せずジハロベンジルハライドは溶解する溶媒を用い
て相間移動触媒の存在下反応させる9−(ジハロベンジ
ル)アデニンの製造法を開示したものである。ここに用
いられている相間移動触媒は四級アンモニウム塩及びホ
スホニウム聰のみでポリエチレングリコール及びジエチ
レングリコール系の触媒は何ら記載されていない。
本発明を更に詳しく説明する。前記一般式(1’)で示
されるN6−直換アデニンの金属塩でN’−[f遺アデ
ニンとしては具体的にN6−メチル、エチル。
されるN6−直換アデニンの金属塩でN’−[f遺アデ
ニンとしては具体的にN6−メチル、エチル。
)ごJ
バ、金属としてはリチウム、ナトリウム、カリウム等の
アルカリ金属及びマグネシウム、カルシウム、バリウム
等のアルカリ土類金属が挙げられる・N −@侠アデニ
ンを金属塩にする方法は特に限定する必要はないがN6
−tIIL侠アデニンを当量の金属水酸化物の水浴液に
溶解し減圧下水を蒸発させて調製する方法が最も簡便で
ある。史に簡便な方法は反応の前にN6−置換アデニン
と金属水酸化物の濃水溶液を反応溶媒中で混合しそのま
ま反応に供する方法である。その他の調製法として水素
化ナトリウム等の金属水素化物、ナトリウムメチラート
等の金椙アルコラード、ナトリウムアミド等の金網アミ
ドを用いることも出来る。前記一般式(n)で示される
ハロゲン化ベンジルとしては、ベンジルクロリド、ペン
ジルプロミ)”、 2.6−シクロルベンジルクロリ
ド、2,6−シクロルペンジルブロミ)’、2−10ル
ー6−フルオルベンジルクロリド、及U2−クロル−6
−フルオルベンジルプロに用いる必要はないが、目的の
反応を阻害しない限抄過剰に用いてもかまわない。
アルカリ金属及びマグネシウム、カルシウム、バリウム
等のアルカリ土類金属が挙げられる・N −@侠アデニ
ンを金属塩にする方法は特に限定する必要はないがN6
−tIIL侠アデニンを当量の金属水酸化物の水浴液に
溶解し減圧下水を蒸発させて調製する方法が最も簡便で
ある。史に簡便な方法は反応の前にN6−置換アデニン
と金属水酸化物の濃水溶液を反応溶媒中で混合しそのま
ま反応に供する方法である。その他の調製法として水素
化ナトリウム等の金属水素化物、ナトリウムメチラート
等の金椙アルコラード、ナトリウムアミド等の金網アミ
ドを用いることも出来る。前記一般式(n)で示される
ハロゲン化ベンジルとしては、ベンジルクロリド、ペン
ジルプロミ)”、 2.6−シクロルベンジルクロリ
ド、2,6−シクロルペンジルブロミ)’、2−10ル
ー6−フルオルベンジルクロリド、及U2−クロル−6
−フルオルベンジルプロに用いる必要はないが、目的の
反応を阻害しない限抄過剰に用いてもかまわない。
反応速度1反応率、及び9−1百僕体の!因択率を向上
させる目的で2反応に触媒として相間移動触媒を添加す
ることが好ましい。使用さnる相間移動触媒は一般式[
IV] 警 R8 (式中R1,R2+及びR8は炭素数、が1−18のア
ルキル基、抄。は炭素数1〜10のアルキル基及びアラ
アルキル基を、Xは水酸基及びハロゲン基を示す)で示
ざnる四級アンモニウム塙、一般式〔V〕R,0(CH
2CH,0)nR,(V〕(式中R5は水素及び炭素数
が1〜4のアルキル基を、nはO以外の整数を示す)で
示されるポリエチレングリコール及びそのアルキルエー
テル、及−1q←般式〔v1〕 一1j÷7 (Ra OCHt CHt)t O[%
’l)(式中R11は水素及び炭素数が1一番のアルキ
ル基を示す)で示されるジエチレングリコール及びその
アルキルエーテルが挙げられる。また一般的に相聞移動
触媒として用いらnるホスホニウム塩及びクラウンエー
テルも勿論便用出来るが工業的見地からすれば8U 8
m特にそのうちでもポリエチレングリコール糸が好ま
しい□ 相間移動触媒の使用量は反応に供せられるN6−置換ア
デニン及びハロゲン化ベンジルの種類に依って異なるが
概ねN4 v換アデニンに対して1〜20モル係好まし
くは5〜15モルチである。
させる目的で2反応に触媒として相間移動触媒を添加す
ることが好ましい。使用さnる相間移動触媒は一般式[
IV] 警 R8 (式中R1,R2+及びR8は炭素数、が1−18のア
ルキル基、抄。は炭素数1〜10のアルキル基及びアラ
アルキル基を、Xは水酸基及びハロゲン基を示す)で示
ざnる四級アンモニウム塙、一般式〔V〕R,0(CH
2CH,0)nR,(V〕(式中R5は水素及び炭素数
が1〜4のアルキル基を、nはO以外の整数を示す)で
示されるポリエチレングリコール及びそのアルキルエー
テル、及−1q←般式〔v1〕 一1j÷7 (Ra OCHt CHt)t O[%
’l)(式中R11は水素及び炭素数が1一番のアルキ
ル基を示す)で示されるジエチレングリコール及びその
アルキルエーテルが挙げられる。また一般的に相聞移動
触媒として用いらnるホスホニウム塩及びクラウンエー
テルも勿論便用出来るが工業的見地からすれば8U 8
m特にそのうちでもポリエチレングリコール糸が好ま
しい□ 相間移動触媒の使用量は反応に供せられるN6−置換ア
デニン及びハロゲン化ベンジルの種類に依って異なるが
概ねN4 v換アデニンに対して1〜20モル係好まし
くは5〜15モルチである。
相間移動触媒として特に好ましい種は四級アンモニウム
塩では次式のトリオクチルメチルアンモニウムクロリド
、 (n−C8H,、)、NCH,C+”またポリ
エチレングリコールではその分子量が500〜2000
のものである。
塩では次式のトリオクチルメチルアンモニウムクロリド
、 (n−C8H,、)、NCH,C+”またポリ
エチレングリコールではその分子量が500〜2000
のものである。
溶媒は聞甲される相間移動触媒の種類と余り関係なく実
質的にN6−置換アデニンの金属を溶解せレハロゲン化
ベンジルは溶解する溶媒であれば良く、具体的にはn−
ヘキサン、アセトン、メチルエチルケトン、イソブチル
ケトン、ヘキサメチルホスホリルアミド、トルエン等が
挙げられる。また一般式〔V〕のポリエチレングリコー
ルa及び一般式〔Vθのジエチレングリコール類は相間
移動触媒としてだけでなく溶媒としても使うことが出来
る。このように相間移動触媒と溶媒の両方の役目を果す
例はほとんど仰られていない。
質的にN6−置換アデニンの金属を溶解せレハロゲン化
ベンジルは溶解する溶媒であれば良く、具体的にはn−
ヘキサン、アセトン、メチルエチルケトン、イソブチル
ケトン、ヘキサメチルホスホリルアミド、トルエン等が
挙げられる。また一般式〔V〕のポリエチレングリコー
ルa及び一般式〔Vθのジエチレングリコール類は相間
移動触媒としてだけでなく溶媒としても使うことが出来
る。このように相間移動触媒と溶媒の両方の役目を果す
例はほとんど仰られていない。
ポリエチレングリコール類反びジエチレングリコール類
を用いた場合は反応温度の設定が自由であることに特徴
がある。
を用いた場合は反応温度の設定が自由であることに特徴
がある。
反応で生成したN6,9−ジ置換アデニンは例えばポリ
エチレングリコール(平均分子量600)を用いた場合
、他のケトン系あるいは無極性の溶媒を使用した場合と
異なりポリエチレングリコールにかなり溶解し反応の進
行を観察することが出来る。
エチレングリコール(平均分子量600)を用いた場合
、他のケトン系あるいは無極性の溶媒を使用した場合と
異なりポリエチレングリコールにかなり溶解し反応の進
行を観察することが出来る。
反応後ポリエチレングリコール類及びジエチレングリコ
ール類は蒸発に依って生成したジII!1侯アf\ ≧ゲニンと分離することが出来ない。そのため大量・止 °の水の中に反応物を注入し水に難溶性の目的物を結晶
として析出させ分離することが出来る。
ール類は蒸発に依って生成したジII!1侯アf\ ≧ゲニンと分離することが出来ない。そのため大量・止 °の水の中に反応物を注入し水に難溶性の目的物を結晶
として析出させ分離することが出来る。
反応温度は使用する溶媒及び相間移動触媒の種類に依っ
て異なるが室温から150°Cの間で選択される。特に
溶媒の沸点が50〜150℃の間にあれば還流下で反応
を行うのが好ましい。反応時間は特に限定する必要はな
いが生成物と未反応物N6−置換アデニンとの分離は一
般にかなり内鑵であるため出来る限り未反応物を残さな
い時間が設定される。通常は2〜50時間程度である。
て異なるが室温から150°Cの間で選択される。特に
溶媒の沸点が50〜150℃の間にあれば還流下で反応
を行うのが好ましい。反応時間は特に限定する必要はな
いが生成物と未反応物N6−置換アデニンとの分離は一
般にかなり内鑵であるため出来る限り未反応物を残さな
い時間が設定される。通常は2〜50時間程度である。
原料となるN6−置換アデニンは公仰の方法例えば6−
クロルプリンあるい#i6−メチルメルカプトプリン等
と相当するアミンとの反応で容易に製造することが出来
る。また本発明者等はアデニンを相当するアミンと反応
させることによって高収率でN6−置換アデニンを製造
する方法を見い出し特許出願中である。
クロルプリンあるい#i6−メチルメルカプトプリン等
と相当するアミンとの反応で容易に製造することが出来
る。また本発明者等はアデニンを相当するアミンと反応
させることによって高収率でN6−置換アデニンを製造
する方法を見い出し特許出願中である。
次に実施例を示し本発明を具体的に説明する。
尚、9位及び8位It換体の組成比の決定はカチオ実施
例 l N6−メチルアデニン6.5 F (0,0485モル
)と50%水酸什ナトリウム8.59 (0,0485
モル)をアセトン100−に加え1.5時間加熱還流し
た0その後2−クロル−6−フルオルベンジルクロリド
?、8f(0,0485モル)及び相間移動触媒として
90 % ) IJオクチルメチルアンモニウムクロリ
ド1.17 ? (0,0026モル)をアセトン17
111!に溶解した液を添加し6時間加熱速流した。反
応後アセトンを留去し、粉末状残渣を取り出し70℃で
15時間乾燥して9−(2−クロル−6−フルオルベン
ジル)−N′−メチルアデニンの粗結晶12.41を得
た0HPLCによる純度は79.4%であった。8位置
換体の含有率は20.6係であった。
例 l N6−メチルアデニン6.5 F (0,0485モル
)と50%水酸什ナトリウム8.59 (0,0485
モル)をアセトン100−に加え1.5時間加熱還流し
た0その後2−クロル−6−フルオルベンジルクロリド
?、8f(0,0485モル)及び相間移動触媒として
90 % ) IJオクチルメチルアンモニウムクロリ
ド1.17 ? (0,0026モル)をアセトン17
111!に溶解した液を添加し6時間加熱速流した。反
応後アセトンを留去し、粉末状残渣を取り出し70℃で
15時間乾燥して9−(2−クロル−6−フルオルベン
ジル)−N′−メチルアデニンの粗結晶12.41を得
た0HPLCによる純度は79.4%であった。8位置
換体の含有率は20.6係であった。
実施例 2.8.4
実施例1のうち相間移動触媒として、各種の四−アンモ
ニウム塩を用いた場合の結果をまとめて表1に示す。
ニウム塩を用いた場合の結果をまとめて表1に示す。
表1
実施例 5
実施例1のうち2−クロル−6−フルオルベンジルクロ
リドの代りに2.6−シクロルペンジルクロリド8.5
f(0,0485モル)を用い次以外は実施例1と同様
に操作して9− (2,6−ジクロルベンジル)−N6
−メチルアデニンの粗結晶を116゜072得た。
リドの代りに2.6−シクロルペンジルクロリド8.5
f(0,0485モル)を用い次以外は実施例1と同様
に操作して9− (2,6−ジクロルベンジル)−N6
−メチルアデニンの粗結晶を116゜072得た。
HP L Cによる純度は61.7%であった。8位置
換体含有率は822%。
換体含有率は822%。
実施例 6
実m例1のうち2−クロル−6−フルオルペン−モル)
を用いた以外は実施例1と同様に操作して9−ベンジル
−N6−メチルアデニ/の粗結晶を11.8tl得た。
を用いた以外は実施例1と同様に操作して9−ベンジル
−N6−メチルアデニ/の粗結晶を11.8tl得た。
F(PLOによる細骨は41.7係であった0
実施例 7.8.9
N−メチルアデニンの代りに各種のN4 a換アデニン
を用いて実施例1と同様に操作して得られた結果を表2
に示す。
を用いて実施例1と同様に操作して得られた結果を表2
に示す。
表2
実施例 1O
N6−メチルアデニン6.5f(0,0485モル)そ
のM濁QK2−クロル−6−フルオルベンジルクロリド
7.8 f (0,0485モル)とポリエチレングリ
コール(平均分子量600) 2.QB (00048
5モル)をアセトン20−に溶かした溶液を加え6時間
加熱した。アセトンを蒸発し粉末状残渣を取り出し70
℃で20時間乾燥して9−(2−クロル−6−フルオル
ベンジル)−N6−メチルアデニンの粗結晶15.?
9 tを得た。HPLCによる純度は67.5チであっ
た。3位置換体含有率は6.7%であった。
のM濁QK2−クロル−6−フルオルベンジルクロリド
7.8 f (0,0485モル)とポリエチレングリ
コール(平均分子量600) 2.QB (00048
5モル)をアセトン20−に溶かした溶液を加え6時間
加熱した。アセトンを蒸発し粉末状残渣を取り出し70
℃で20時間乾燥して9−(2−クロル−6−フルオル
ベンジル)−N6−メチルアデニンの粗結晶15.?
9 tを得た。HPLCによる純度は67.5チであっ
た。3位置換体含有率は6.7%であった。
実施例 11−16
平均分子量の異なるポリエチレングリコール及びそのジ
アルキルエーテルを用いた場合及びジエチレングリコー
ル系を用いた場合で実施例IOと同様に操作した場合の
結果を1とめて表8に示す。
アルキルエーテルを用いた場合及びジエチレングリコー
ル系を用いた場合で実施例IOと同様に操作した場合の
結果を1とめて表8に示す。
表3
実施例 17
N6−メチルアデニン4of(純度92.6%)を水4
0−に加え次いで48チ水酸化ナトリウム2o、Byを
加え、N6−メチルアデニンの結晶を加熱溶解させた。
0−に加え次いで48チ水酸化ナトリウム2o、Byを
加え、N6−メチルアデニンの結晶を加熱溶解させた。
減圧下水を蒸発させ残渣を75℃で16時間真空乾燥し
た。
た。
得られたN6−メチルアデニンナトリウム塩の水分率F
i6.14%(カール・フィシャー法)であった。
i6.14%(カール・フィシャー法)であった。
このN6−メチルアデニンナトリウム塩q、+yをポリ
エチレングリコール(平均分子[600)120−に懸
濁し2−クロル−6−フルオルベンシルクし十分分散さ
せた後沈殿物をP取した。
エチレングリコール(平均分子[600)120−に懸
濁し2−クロル−6−フルオルベンシルクし十分分散さ
せた後沈殿物をP取した。
70℃で15時間乾燥させて粗製の9−(2−クロル−
6−フルオルベンジル)−N6−メチルアデニン12.
.4tを得た。HPLCによる純度は86.9優であ′
つたo8位置換体の含有率に11.4優であった。
6−フルオルベンジル)−N6−メチルアデニン12.
.4tを得た。HPLCによる純度は86.9優であ′
つたo8位置換体の含有率に11.4優であった。
実施例 18
溶媒にポリエチレングリコール(平均分子[600)の
代りにジエチレングリコールジメチルエ。
代りにジエチレングリコールジメチルエ。
−チルを使った以外は実施例17と同様に操作し一’C
m?Jの9− C2−クロル−6−フルオルベンジル)
−N6−メチルアデニン12.lfを得た。純度は51
.1%であり、8位vIIt、遺体の含有率は8.7%
であった。
m?Jの9− C2−クロル−6−フルオルベンジル)
−N6−メチルアデニン12.lfを得た。純度は51
.1%であり、8位vIIt、遺体の含有率は8.7%
であった。
実施例 19
N6−メチルアデニンナトリウム7.42をアセトン1
00−に懸濁させ、2−クロル−6−フルオルベンジル
クロリド7.8F、ポリエチレンクIJコ後アセトンを
蒸発し残渣を取り出し70℃で15時間乾燥し、粗製の
9−(2−クロル−6−フルオルベンジル)−N6−メ
チ−ルアゲニン15.5fl得た0純度は75.1チ、
3位置換体の含有率は6.0俤であった。
00−に懸濁させ、2−クロル−6−フルオルベンジル
クロリド7.8F、ポリエチレンクIJコ後アセトンを
蒸発し残渣を取り出し70℃で15時間乾燥し、粗製の
9−(2−クロル−6−フルオルベンジル)−N6−メ
チ−ルアゲニン15.5fl得た0純度は75.1チ、
3位置換体の含有率は6.0俤であった。
実施例 20
50係水酸化ナトリウムの代りに50%水酸化カリウム
を使った以外は実施例1Oと同様に操作して粗製09−
(2−10ルー6−フルオルベンジル)r、i4−メチ
ルアデニン18.2Fを得た。
を使った以外は実施例1Oと同様に操作して粗製09−
(2−10ルー6−フルオルベンジル)r、i4−メチ
ルアデニン18.2Fを得た。
純度は55.9%であり、8位置換体の含有率は8.8
係であった。
係であった。
実施例 21
N6−メチルアデニン6.5f及び水酸化バリウム8水
塩7.46fを水1005m/に加熱して溶解後濃縮乾
固した。得られた残渣を80℃で16時間乾燥した。こ
のN6−メチルアデニンバリウム項、2−クロル−6−
フルオルベンジルクロリド?、82流した。後アセトン
を蒸発し残渣を70℃で15時間乾燥した〇 粗製+7)9−(2−クロル−6−フルオルベンジル>
−N4−メチルアデニン22.6fを得た0純度は5
0.2優であり、8位置換体の含有率F14.6%であ
った。
塩7.46fを水1005m/に加熱して溶解後濃縮乾
固した。得られた残渣を80℃で16時間乾燥した。こ
のN6−メチルアデニンバリウム項、2−クロル−6−
フルオルベンジルクロリド?、82流した。後アセトン
を蒸発し残渣を70℃で15時間乾燥した〇 粗製+7)9−(2−クロル−6−フルオルベンジル>
−N4−メチルアデニン22.6fを得た0純度は5
0.2優であり、8位置換体の含有率F14.6%であ
った。
特許出願人 株式会社 興人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)一般式〔1〕 (但し式中には水素、炭素数が1−4の低級アルキル基
、及び炭素数が5〜7のアラアルキル基を、R′は炭素
数が1−4の低級アルキル基、及び炭素数が5〜7のア
ラアルキル基を、Mはアルカリ金礪、アルカリ土類金属
等の金属、nは0以外の1i数を示す)で示されるN6
−置換アデニンの金属塩と一般式〔1l)(但し式中X
は塩素、臭素を、Y、Zは水素。 塩素、臭素、フッ素を示す)で示されるハロゲン化ベン
ジルを反応させることを特徴とするN6,9−ジ置換ア
デニンの製造法。 1 (但し式中Rは水素、炭素数が1−4の低級アルキル基
、及び炭素数が5〜7のアラアルキル基を、Rは炭素数
が1−4の低級アルキル基、及び炭素数が5〜7のアラ
アルキル基を示す)で示されるN4 を換アデニンと水
酸化アルカリ等の強アルカリ溶液を反応させて−E式〔
I〕で示さnるN’−4%アデニンの金mWを生成させ
、その金!f4=を単離することなく一般式(It)で
示さnるハロゲン化ベンジル誘導体と反応させることを
特徴とするN4゜9−ジ直懐アデニンの製造法。 (3) 相間s#jJJ触媒を反応系に俺加すること
を特1、2微とする特許請求範囲第1項または第2項の
N′、9−ジ置換アデニンの製造法〇 (4)相関移動触媒が一般式(IVI R。 ル。 (但し式中R,、R2,及びR5は炭素数が1−18の
アルキル基、R4q炭素数が1−10のアルキル基及び
アラアルキル基を、Xは水酸基及びハロゲノ基を示す)
で示される四級アンモニウム塩である特許請求の範囲第
8項のN′。 (但し式中R1は水素及び炭素数が1−4のアルキル基
を、nは0以外のe数を示す)で示されるポリエチレン
グリコールである特許請求の範囲第8項のN′、9−ジ
ii1僕アデニノの製造法。 (6)相関移動触媒が一般式〔v1〕 (R60CH,CH,)tO(VD (但し式中FL6は水素及び炭素数が1−4のアルキル
基を示す)で示されるジエチレングリコール及ヒそのア
ルキルエーテルである特許請求の範囲第8項のN、9−
ジ置換アデニンの製造法。 (7)一般式〔■〕 R,0(CH,CH,O)r+R,[V](式甲鴫は前
記と同意義)で示されるポリエチレングリコール及びそ
のアルキルエーテルを相間移動触媒ならびに反応浴媒と
して用いることを特徴とする特許請求の範囲第1項また
は第2頃のN′、9−ジ置換アデニンの製造法0 (8)一般式〔ν1〕 ()taOeH,CJ’h)io[:VI](式中R6
は前記の同意義)で示されるジエチレングリコール及び
そのアルキルエーテルを相間移動PII11媒ならびに
反応爵媒として用いることを特徴とする特許請求の範囲
第1項またけ第2項のN、9〜ジ置換アデニンの製造法
。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56153878A JPS5857381A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | N6,9−ジ置換アデニン誘導体の製造法 |
US06/419,317 US4900826A (en) | 1981-09-24 | 1982-09-17 | Process for preparing N6,9-disubstituted adenine |
DE19823234917 DE3234917A1 (de) | 1981-09-24 | 1982-09-21 | Verfahren zur herstellung von n(pfeil hoch)6(pfeil hoch),9-disubstituierten adeninen |
GB08227129A GB2109370B (en) | 1981-09-24 | 1982-09-23 | Process for preparing n6,9-disubstituted adenines |
ES515903A ES8403486A1 (es) | 1981-09-24 | 1982-09-23 | "un procedimiento para preparar una adenina n6,9-disustituida". |
DK423282A DK151259C (da) | 1981-09-24 | 1982-09-23 | Fremgangsmaade til fremstilling af n6,9-disubstituerede adeniner |
CH5636/82A CH655113A5 (de) | 1981-09-24 | 1982-09-23 | Verfahren zur herstellung von n6,9-disubstituierten adeninen. |
NL8203718A NL8203718A (nl) | 1981-09-24 | 1982-09-24 | Werkwijze voor het bereiden van n6,9-digesubstitueerde adeninen. |
FR8216167A FR2513254B1 (fr) | 1981-09-24 | 1982-09-24 | Procede pour la preparation d'adenines n6,9-disubstituees |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56153878A JPS5857381A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | N6,9−ジ置換アデニン誘導体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5857381A true JPS5857381A (ja) | 1983-04-05 |
Family
ID=15572078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56153878A Pending JPS5857381A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-30 | N6,9−ジ置換アデニン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5857381A (ja) |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56153878A patent/JPS5857381A/ja active Pending
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