JPS5857381A - N6,9−ジ置換アデニン誘導体の製造法 - Google Patents

N6,9−ジ置換アデニン誘導体の製造法

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JPS5857381A
JPS5857381A JP56153878A JP15387881A JPS5857381A JP S5857381 A JPS5857381 A JP S5857381A JP 56153878 A JP56153878 A JP 56153878A JP 15387881 A JP15387881 A JP 15387881A JP S5857381 A JPS5857381 A JP S5857381A
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JP
Japan
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carbon atoms
adenine
formula
general formula
alkyl group
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Application number
JP56153878A
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English (en)
Inventor
Yoshiro Nagatsu
長津 芳郎
Hideo Isozaki
磯崎 秀生
Toru Shiroshita
城下 亨
Jiro Suzuki
次郎 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kohjin Holdings Co Ltd
Kojin Co Ltd
Original Assignee
Kohjin Holdings Co Ltd
Kojin Co Ltd
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

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  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (但し式中Rは水素、炭素数が1−4の低級アルキル基
、及び炭素数が5〜7のアラアルキル基を。
(但し式中Xは埴素、臭素を、Y、Zは水素、繊素、臭
素、フッ素を示す)で示されるハロゲン化ベンジルを反
応させることによって、高収率でかつ選択性良(N’、
9−ジ直侯アデニ/を製造する方法に関する。
N、9−ジ置換アデニンは植物成畏調整剤、抗ビールス
剤及び抗コクシジウム剤として有用な仕合物膵である。
特に最近抗コクシジウム剤としての効果が注目さnて米
でいる。この用途に使用すの混入を極g1量扶体的には
l 00 pplIl以下におさえる必要があるとされ
ている。
N、9−ジ置換アデニンの公知の製造法は工程が非常に
復雑であったり、 ie用原料が非常に高価テアったり
して工業的に採用し難い□その中で特開昭54−8f1
292号及び特開昭54−182595号に記載されて
いる方法が工程の簡便さの点で注目さルる。しかし収率
がいずれも60%程度で低位であり、また当然−生する
はずの3位置換体につイテノ記載が全くなく8位置換体
の分離工程を含めると恐らくか−なり収率は低下してし
まうことが予想さnる。かかる背景から発明者はN′、
9−ジUItpAアデニンの製造方法について鋭意検討
した結米水発明に到達することが出来た。
本発明の骨子は (1)  N’−1を換アデニンの金属塩と・・ロゲン
化ベンジルとを反応させること ω) 実質的にN’−48アデニンの金@塩を醇かさす
ハロゲン化ベンジルを良く溶かす溶媒中で。
一般的に相間移動触媒と呼ばれる触媒を共存させて反応
させること である。すなわち一般式[1) (式中R,fL’、M、及びnは前記と同、を義)で示
されるN6−置換アデニンの金属塩を出発原料にするこ
とに依って8位置換体の生成を抑え9位tili換体の
選択性を増し、相聞移動触媒を反応に共存させることK
よって、主反応の反応速1#を速め副反応を防止し反応
率を向上させかつ9位置換体の選択性をも向上させるこ
とが出来る。
9位置換体        8位置換体はこれらに代る
相間移動触媒を探票しポリエチレングリコール及びジエ
チレングリコールそれ自体あるいはそnらのアルキルエ
ーテルがこの反応に有効であることを見い出した。
類似の反応として米国特許4,100,159号に記載
されている反応がある。該特許はアデニンの金属基トν
ハロベンジルハライドを軍く質的にアデニンの金属塩を
溶解せずジハロベンジルハライドは溶解する溶媒を用い
て相間移動触媒の存在下反応させる9−(ジハロベンジ
ル)アデニンの製造法を開示したものである。ここに用
いられている相間移動触媒は四級アンモニウム塩及びホ
スホニウム聰のみでポリエチレングリコール及びジエチ
レングリコール系の触媒は何ら記載されていない。
本発明を更に詳しく説明する。前記一般式(1’)で示
されるN6−直換アデニンの金属塩でN’−[f遺アデ
ニンとしては具体的にN6−メチル、エチル。
)ごJ バ、金属としてはリチウム、ナトリウム、カリウム等の
アルカリ金属及びマグネシウム、カルシウム、バリウム
等のアルカリ土類金属が挙げられる・N −@侠アデニ
ンを金属塩にする方法は特に限定する必要はないがN6
−tIIL侠アデニンを当量の金属水酸化物の水浴液に
溶解し減圧下水を蒸発させて調製する方法が最も簡便で
ある。史に簡便な方法は反応の前にN6−置換アデニン
と金属水酸化物の濃水溶液を反応溶媒中で混合しそのま
ま反応に供する方法である。その他の調製法として水素
化ナトリウム等の金属水素化物、ナトリウムメチラート
等の金椙アルコラード、ナトリウムアミド等の金網アミ
ドを用いることも出来る。前記一般式(n)で示される
ハロゲン化ベンジルとしては、ベンジルクロリド、ペン
ジルプロミ)”、  2.6−シクロルベンジルクロリ
ド、2,6−シクロルペンジルブロミ)’、2−10ル
ー6−フルオルベンジルクロリド、及U2−クロル−6
−フルオルベンジルプロに用いる必要はないが、目的の
反応を阻害しない限抄過剰に用いてもかまわない。
反応速度1反応率、及び9−1百僕体の!因択率を向上
させる目的で2反応に触媒として相間移動触媒を添加す
ることが好ましい。使用さnる相間移動触媒は一般式[
IV] 警 R8 (式中R1,R2+及びR8は炭素数、が1−18のア
ルキル基、抄。は炭素数1〜10のアルキル基及びアラ
アルキル基を、Xは水酸基及びハロゲン基を示す)で示
ざnる四級アンモニウム塙、一般式〔V〕R,0(CH
2CH,0)nR,(V〕(式中R5は水素及び炭素数
が1〜4のアルキル基を、nはO以外の整数を示す)で
示されるポリエチレングリコール及びそのアルキルエー
テル、及−1q←般式〔v1〕 一1j÷7  (Ra OCHt CHt)t O[%
’l)(式中R11は水素及び炭素数が1一番のアルキ
ル基を示す)で示されるジエチレングリコール及びその
アルキルエーテルが挙げられる。また一般的に相聞移動
触媒として用いらnるホスホニウム塩及びクラウンエー
テルも勿論便用出来るが工業的見地からすれば8U 8
 m特にそのうちでもポリエチレングリコール糸が好ま
しい□ 相間移動触媒の使用量は反応に供せられるN6−置換ア
デニン及びハロゲン化ベンジルの種類に依って異なるが
概ねN4 v換アデニンに対して1〜20モル係好まし
くは5〜15モルチである。
相間移動触媒として特に好ましい種は四級アンモニウム
塩では次式のトリオクチルメチルアンモニウムクロリド
、   (n−C8H,、)、NCH,C+”またポリ
エチレングリコールではその分子量が500〜2000
のものである。
溶媒は聞甲される相間移動触媒の種類と余り関係なく実
質的にN6−置換アデニンの金属を溶解せレハロゲン化
ベンジルは溶解する溶媒であれば良く、具体的にはn−
ヘキサン、アセトン、メチルエチルケトン、イソブチル
ケトン、ヘキサメチルホスホリルアミド、トルエン等が
挙げられる。また一般式〔V〕のポリエチレングリコー
ルa及び一般式〔Vθのジエチレングリコール類は相間
移動触媒としてだけでなく溶媒としても使うことが出来
る。このように相間移動触媒と溶媒の両方の役目を果す
例はほとんど仰られていない。
ポリエチレングリコール類反びジエチレングリコール類
を用いた場合は反応温度の設定が自由であることに特徴
がある。
反応で生成したN6,9−ジ置換アデニンは例えばポリ
エチレングリコール(平均分子量600)を用いた場合
、他のケトン系あるいは無極性の溶媒を使用した場合と
異なりポリエチレングリコールにかなり溶解し反応の進
行を観察することが出来る。
反応後ポリエチレングリコール類及びジエチレングリコ
ール類は蒸発に依って生成したジII!1侯アf\ ≧ゲニンと分離することが出来ない。そのため大量・止 °の水の中に反応物を注入し水に難溶性の目的物を結晶
として析出させ分離することが出来る。
反応温度は使用する溶媒及び相間移動触媒の種類に依っ
て異なるが室温から150°Cの間で選択される。特に
溶媒の沸点が50〜150℃の間にあれば還流下で反応
を行うのが好ましい。反応時間は特に限定する必要はな
いが生成物と未反応物N6−置換アデニンとの分離は一
般にかなり内鑵であるため出来る限り未反応物を残さな
い時間が設定される。通常は2〜50時間程度である。
原料となるN6−置換アデニンは公仰の方法例えば6−
クロルプリンあるい#i6−メチルメルカプトプリン等
と相当するアミンとの反応で容易に製造することが出来
る。また本発明者等はアデニンを相当するアミンと反応
させることによって高収率でN6−置換アデニンを製造
する方法を見い出し特許出願中である。
次に実施例を示し本発明を具体的に説明する。
尚、9位及び8位It換体の組成比の決定はカチオ実施
例 l N6−メチルアデニン6.5 F (0,0485モル
)と50%水酸什ナトリウム8.59 (0,0485
モル)をアセトン100−に加え1.5時間加熱還流し
た0その後2−クロル−6−フルオルベンジルクロリド
?、8f(0,0485モル)及び相間移動触媒として
90 % ) IJオクチルメチルアンモニウムクロリ
ド1.17 ? (0,0026モル)をアセトン17
111!に溶解した液を添加し6時間加熱速流した。反
応後アセトンを留去し、粉末状残渣を取り出し70℃で
15時間乾燥して9−(2−クロル−6−フルオルベン
ジル)−N′−メチルアデニンの粗結晶12.41を得
た0HPLCによる純度は79.4%であった。8位置
換体の含有率は20.6係であった。
実施例 2.8.4 実施例1のうち相間移動触媒として、各種の四−アンモ
ニウム塩を用いた場合の結果をまとめて表1に示す。
表1 実施例 5 実施例1のうち2−クロル−6−フルオルベンジルクロ
リドの代りに2.6−シクロルペンジルクロリド8.5
f(0,0485モル)を用い次以外は実施例1と同様
に操作して9− (2,6−ジクロルベンジル)−N6
−メチルアデニンの粗結晶を116゜072得た。
HP L Cによる純度は61.7%であった。8位置
換体含有率は822%。
実施例 6 実m例1のうち2−クロル−6−フルオルペン−モル)
を用いた以外は実施例1と同様に操作して9−ベンジル
−N6−メチルアデニ/の粗結晶を11.8tl得た。
F(PLOによる細骨は41.7係であった0 実施例 7.8.9 N−メチルアデニンの代りに各種のN4 a換アデニン
を用いて実施例1と同様に操作して得られた結果を表2
に示す。
表2 実施例 1O N6−メチルアデニン6.5f(0,0485モル)そ
のM濁QK2−クロル−6−フルオルベンジルクロリド
7.8 f (0,0485モル)とポリエチレングリ
コール(平均分子量600) 2.QB (00048
5モル)をアセトン20−に溶かした溶液を加え6時間
加熱した。アセトンを蒸発し粉末状残渣を取り出し70
℃で20時間乾燥して9−(2−クロル−6−フルオル
ベンジル)−N6−メチルアデニンの粗結晶15.? 
9 tを得た。HPLCによる純度は67.5チであっ
た。3位置換体含有率は6.7%であった。
実施例 11−16 平均分子量の異なるポリエチレングリコール及びそのジ
アルキルエーテルを用いた場合及びジエチレングリコー
ル系を用いた場合で実施例IOと同様に操作した場合の
結果を1とめて表8に示す。
表3 実施例 17 N6−メチルアデニン4of(純度92.6%)を水4
0−に加え次いで48チ水酸化ナトリウム2o、Byを
加え、N6−メチルアデニンの結晶を加熱溶解させた。
減圧下水を蒸発させ残渣を75℃で16時間真空乾燥し
た。
得られたN6−メチルアデニンナトリウム塩の水分率F
i6.14%(カール・フィシャー法)であった。
このN6−メチルアデニンナトリウム塩q、+yをポリ
エチレングリコール(平均分子[600)120−に懸
濁し2−クロル−6−フルオルベンシルクし十分分散さ
せた後沈殿物をP取した。
70℃で15時間乾燥させて粗製の9−(2−クロル−
6−フルオルベンジル)−N6−メチルアデニン12.
.4tを得た。HPLCによる純度は86.9優であ′
つたo8位置換体の含有率に11.4優であった。
実施例 18 溶媒にポリエチレングリコール(平均分子[600)の
代りにジエチレングリコールジメチルエ。
−チルを使った以外は実施例17と同様に操作し一’C
m?Jの9− C2−クロル−6−フルオルベンジル)
−N6−メチルアデニン12.lfを得た。純度は51
.1%であり、8位vIIt、遺体の含有率は8.7%
であった。
実施例 19 N6−メチルアデニンナトリウム7.42をアセトン1
00−に懸濁させ、2−クロル−6−フルオルベンジル
クロリド7.8F、ポリエチレンクIJコ後アセトンを
蒸発し残渣を取り出し70℃で15時間乾燥し、粗製の
9−(2−クロル−6−フルオルベンジル)−N6−メ
チ−ルアゲニン15.5fl得た0純度は75.1チ、
3位置換体の含有率は6.0俤であった。
実施例 20 50係水酸化ナトリウムの代りに50%水酸化カリウム
を使った以外は実施例1Oと同様に操作して粗製09−
(2−10ルー6−フルオルベンジル)r、i4−メチ
ルアデニン18.2Fを得た。
純度は55.9%であり、8位置換体の含有率は8.8
係であった。
実施例 21 N6−メチルアデニン6.5f及び水酸化バリウム8水
塩7.46fを水1005m/に加熱して溶解後濃縮乾
固した。得られた残渣を80℃で16時間乾燥した。こ
のN6−メチルアデニンバリウム項、2−クロル−6−
フルオルベンジルクロリド?、82流した。後アセトン
を蒸発し残渣を70℃で15時間乾燥した〇 粗製+7)9−(2−クロル−6−フルオルベンジル>
 −N4−メチルアデニン22.6fを得た0純度は5
0.2優であり、8位置換体の含有率F14.6%であ
った。
特許出願人  株式会社 興人

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)一般式〔1〕 (但し式中には水素、炭素数が1−4の低級アルキル基
    、及び炭素数が5〜7のアラアルキル基を、R′は炭素
    数が1−4の低級アルキル基、及び炭素数が5〜7のア
    ラアルキル基を、Mはアルカリ金礪、アルカリ土類金属
    等の金属、nは0以外の1i数を示す)で示されるN6
    −置換アデニンの金属塩と一般式〔1l)(但し式中X
    は塩素、臭素を、Y、Zは水素。 塩素、臭素、フッ素を示す)で示されるハロゲン化ベン
    ジルを反応させることを特徴とするN6,9−ジ置換ア
    デニンの製造法。 1 (但し式中Rは水素、炭素数が1−4の低級アルキル基
    、及び炭素数が5〜7のアラアルキル基を、Rは炭素数
    が1−4の低級アルキル基、及び炭素数が5〜7のアラ
    アルキル基を示す)で示されるN4 を換アデニンと水
    酸化アルカリ等の強アルカリ溶液を反応させて−E式〔
    I〕で示さnるN’−4%アデニンの金mWを生成させ
    、その金!f4=を単離することなく一般式(It)で
    示さnるハロゲン化ベンジル誘導体と反応させることを
    特徴とするN4゜9−ジ直懐アデニンの製造法。 (3)  相間s#jJJ触媒を反応系に俺加すること
    を特1、2微とする特許請求範囲第1項または第2項の
    N′、9−ジ置換アデニンの製造法〇 (4)相関移動触媒が一般式(IVI R。 ル。 (但し式中R,、R2,及びR5は炭素数が1−18の
    アルキル基、R4q炭素数が1−10のアルキル基及び
    アラアルキル基を、Xは水酸基及びハロゲノ基を示す)
    で示される四級アンモニウム塩である特許請求の範囲第
    8項のN′。 (但し式中R1は水素及び炭素数が1−4のアルキル基
    を、nは0以外のe数を示す)で示されるポリエチレン
    グリコールである特許請求の範囲第8項のN′、9−ジ
    ii1僕アデニノの製造法。 (6)相関移動触媒が一般式〔v1〕 (R60CH,CH,)tO(VD (但し式中FL6は水素及び炭素数が1−4のアルキル
    基を示す)で示されるジエチレングリコール及ヒそのア
    ルキルエーテルである特許請求の範囲第8項のN、9−
    ジ置換アデニンの製造法。 (7)一般式〔■〕 R,0(CH,CH,O)r+R,[V](式甲鴫は前
    記と同意義)で示されるポリエチレングリコール及びそ
    のアルキルエーテルを相間移動触媒ならびに反応浴媒と
    して用いることを特徴とする特許請求の範囲第1項また
    は第2頃のN′、9−ジ置換アデニンの製造法0 (8)一般式〔ν1〕 ()taOeH,CJ’h)io[:VI](式中R6
    は前記の同意義)で示されるジエチレングリコール及び
    そのアルキルエーテルを相間移動PII11媒ならびに
    反応爵媒として用いることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項またけ第2項のN、9〜ジ置換アデニンの製造法
JP56153878A 1981-09-24 1981-09-30 N6,9−ジ置換アデニン誘導体の製造法 Pending JPS5857381A (ja)

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JP56153878A JPS5857381A (ja) 1981-09-30 1981-09-30 N6,9−ジ置換アデニン誘導体の製造法
US06/419,317 US4900826A (en) 1981-09-24 1982-09-17 Process for preparing N6,9-disubstituted adenine
DE19823234917 DE3234917A1 (de) 1981-09-24 1982-09-21 Verfahren zur herstellung von n(pfeil hoch)6(pfeil hoch),9-disubstituierten adeninen
GB08227129A GB2109370B (en) 1981-09-24 1982-09-23 Process for preparing n6,9-disubstituted adenines
ES515903A ES8403486A1 (es) 1981-09-24 1982-09-23 "un procedimiento para preparar una adenina n6,9-disustituida".
DK423282A DK151259C (da) 1981-09-24 1982-09-23 Fremgangsmaade til fremstilling af n6,9-disubstituerede adeniner
CH5636/82A CH655113A5 (de) 1981-09-24 1982-09-23 Verfahren zur herstellung von n6,9-disubstituierten adeninen.
NL8203718A NL8203718A (nl) 1981-09-24 1982-09-24 Werkwijze voor het bereiden van n6,9-digesubstitueerde adeninen.
FR8216167A FR2513254B1 (fr) 1981-09-24 1982-09-24 Procede pour la preparation d'adenines n6,9-disubstituees

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