JPS5856381A - マグネトロン・スパツタリング装置によるＴａ↓２Ｎ膜生成方法 - Google Patents

マグネトロン・スパツタリング装置によるＴａ↓２Ｎ膜生成方法

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JPS5856381A
JPS5856381A JP15458181A JP15458181A JPS5856381A JP S5856381 A JPS5856381 A JP S5856381A JP 15458181 A JP15458181 A JP 15458181A JP 15458181 A JP15458181 A JP 15458181A JP S5856381 A JPS5856381 A JP S5856381A
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60208346A (ja) * 1984-03-31 1985-10-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 透明、耐熱、難燃、耐衝撃性樹脂組成物
JPS6280656A (ja) * 1985-10-04 1987-04-14 Toppan Printing Co Ltd フオトマスクブランクおよびフオトマスク

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60208346A (ja) * 1984-03-31 1985-10-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 透明、耐熱、難燃、耐衝撃性樹脂組成物
JPS6280656A (ja) * 1985-10-04 1987-04-14 Toppan Printing Co Ltd フオトマスクブランクおよびフオトマスク

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