JPS5855139B2 - ホウコウゾクフホウワカルボンサンアミドユウドウタイノセイゾウホウホウ - Google Patents
ホウコウゾクフホウワカルボンサンアミドユウドウタイノセイゾウホウホウInfo
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- JPS5855139B2 JPS5855139B2 JP15855575A JP15855575A JPS5855139B2 JP S5855139 B2 JPS5855139 B2 JP S5855139B2 JP 15855575 A JP15855575 A JP 15855575A JP 15855575 A JP15855575 A JP 15855575A JP S5855139 B2 JPS5855139 B2 JP S5855139B2
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- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、医薬として有用な芳香族不飽和カルボン酸ア
ミド誘導体を効率よく製造する方法に関するものである
。
ミド誘導体を効率よく製造する方法に関するものである
。
本発明者らは、先に経口投与により顕著な薬効を発揮し
うる抗アレルギー剤を開発すべく種々研５ 究を重ねた
結果、一般式 （式中のＲ１とＲ２はそれぞれ水素原子又は低級アルキ
ル基、Ｘはハロゲン原子、水酸基、低級アルキル基、低
級アシルオキシ基又は低級アルコキシル基、ｎはＯ又は
１〜３の整数であり、Ｘの中の２個が隣接した低級アル
コキシル基である場合には、両者が連結して環を形成す
ることができる；で表わされる芳香族不飽和カルボン酸
アミド誘導体がその目的に適合することを見出し、その
製造方法としてケイ皮酸の反応性官能的誘導体とアント
ラニル酸とを反応させる方法を提案した（特公昭５６−
４０７１０号公報）。
うる抗アレルギー剤を開発すべく種々研５ 究を重ねた
結果、一般式 （式中のＲ１とＲ２はそれぞれ水素原子又は低級アルキ
ル基、Ｘはハロゲン原子、水酸基、低級アルキル基、低
級アシルオキシ基又は低級アルコキシル基、ｎはＯ又は
１〜３の整数であり、Ｘの中の２個が隣接した低級アル
コキシル基である場合には、両者が連結して環を形成す
ることができる；で表わされる芳香族不飽和カルボン酸
アミド誘導体がその目的に適合することを見出し、その
製造方法としてケイ皮酸の反応性官能的誘導体とアント
ラニル酸とを反応させる方法を提案した（特公昭５６−
４０７１０号公報）。
しかしながら、この方法は副生物を伴うため製品の純度
が低く、また純度を向上させるためにはさらに余分の精
製操作を必要とするなどの欠点があった。
が低く、また純度を向上させるためにはさらに余分の精
製操作を必要とするなどの欠点があった。
そこで、この製造方法をより改良すべく、さらに研究を
重ねた結果本発明をなすに至ったのである。
重ねた結果本発明をなすに至ったのである。
すなわち、本発明に従えば、一般式
（式中のＲ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは前記と同じ意味をもつ
） で表わされる芳香族不飽和カルボン酸の反応性官台闘内
謁道伏シ 才 のアントラニルとを反応させて、 一般式 （式中のＲ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは前記と同じ意味をもつ
） で表わされるベンゾオキサジノン誘導体を形成させたの
ち、これを加水分解処理して開環することにより、高収
率で純度の高い目的化合物を得ることができる。
） で表わされる芳香族不飽和カルボン酸の反応性官台闘内
謁道伏シ 才 のアントラニルとを反応させて、 一般式 （式中のＲ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは前記と同じ意味をもつ
） で表わされるベンゾオキサジノン誘導体を形成させたの
ち、これを加水分解処理して開環することにより、高収
率で純度の高い目的化合物を得ることができる。
本発明方法で用いられる一般式刊の芳香族不飽和カルボ
ン酸は、公知の化合物であり公知方法に従って容易に製
造することができる。
ン酸は、公知の化合物であり公知方法に従って容易に製
造することができる。
この化合物にはシス体、トランス体の異性体が存在する
が、本発明ではそのいずれも用いることができる。
が、本発明ではそのいずれも用いることができる。
このような芳香族不飽和カルボン酸の例としては、２−
１３−又は４−メチルケイ皮酸、２−１３−又は４−エ
チルケイ皮酸、２−１３−又は４−プロピルケイ皮酸、
２−１３−又は４−アセトキシケイ皮酸、２−１３−又
は４−メトキシケイ皮酸、２−１３−又は４−エトキシ
ケイ皮酸、２．３−又は４−プロポキシケイ皮酸、２−
３−又は４−ブトキシケイ皮酸、２・４−又は２・５−
又は３・４−ジメチルケイ皮酸、２・４−ジエチルケイ
皮酸、２・３−又は２・４−又は２・５−又は２・６−
又は３・４−又は３・５−・／ヒドロキシケイ皮酸、２
・３−又は２・４−又は２・５−又は２・６−又は３・
４−又３・５−ジアセトキシケイ皮酸、２・３−又は２
・４−又は２・５−又は２・６−又は３・４−又は３・
５−ジメトキシケイ皮酸、２・３−又は２・４−又は２
・５−又は２・６−又は３・４−又は３・５−ジェトキ
シケイ皮酸、２・３−又は２・４−又は３・４−ジプロ
ポキシケイ皮酸、２−ヒドロキシ−３−メトキシケイ皮
酸、３−ヒドロキシ−４−メトキシケイ皮酸、４−ヒド
ロキシ−３−メトキシケイ皮酸、２−アセトキシ−３−
メトキシケイ皮酸、３−アセトキシ−４−メトキシケイ
皮酸、４−アセトキシ−３−メトキシケイ皮酸、２−エ
トキシ−３−メトキシケイ皮酸、３−エトキシ−４−メ
トキシケイ皮酸、４−エトキシ−３−メトキシケイ皮酸
、３−メトキシ−２−プロポキシケイ皮酸、４−メトキ
シ−３−プロポキシケイ皮酸、３・４−メチレンジオキ
シケイ皮酸、２・３・４−又は２・４・５−又は３・４
・５−トリメトキシケイ皮酸、４−イソプロピルケイ皮
酸、４−インフチルヶイ皮酸、４−二級ブチルケイ皮酸
、４−三級ブチルケイ皮酸、４−シクロへキシルケイ皮
酸、２−３−又は４−イソプロポキシケイ皮酸、２−１
３−又は４−イソブトキシケイ皮酸、２３−又は４−二
級ブトキシケイ皮酸、２−イソフロホキシー３−メトキ
シケイ皮酸、３−インプロポキシ−４−メトキシケイ皮
酸、４−イソノ冶ポキシー３−メトキシケイ皮酸、２−
インブトキシ−３−メトキシケイ皮酸、３−インブトキ
シ−４−メトキシグイ皮酸、４−イソブトキシ−３−メ
トキシケイ皮酸、３−二級ブトキシ−４−メトキシケイ
皮酸、４−二級ブトキシ−３−メトキシケイ皮酸、３・
４−テトラメチレンジオキシケイ皮酸、２・３−及び３
・４−トリメチレンジオキシケイ皮酸、２−１３−又は
４−フルオルグイ皮酸、２−１３−又は４−クロルケイ
皮酸、２−３又は４−ブロムケイ皮酸、２・４−又は２
・６又は３・４−ジクロルケイ皮酸なと及び上記ケイ皮
酸と同様の核置換基を有するα−又はβ−低級アルキル
置換ケイ皮酸などをあげることができる。
１３−又は４−メチルケイ皮酸、２−１３−又は４−エ
チルケイ皮酸、２−１３−又は４−プロピルケイ皮酸、
２−１３−又は４−アセトキシケイ皮酸、２−１３−又
は４−メトキシケイ皮酸、２−１３−又は４−エトキシ
ケイ皮酸、２．３−又は４−プロポキシケイ皮酸、２−
３−又は４−ブトキシケイ皮酸、２・４−又は２・５−
又は３・４−ジメチルケイ皮酸、２・４−ジエチルケイ
皮酸、２・３−又は２・４−又は２・５−又は２・６−
又は３・４−又は３・５−・／ヒドロキシケイ皮酸、２
・３−又は２・４−又は２・５−又は２・６−又は３・
４−又３・５−ジアセトキシケイ皮酸、２・３−又は２
・４−又は２・５−又は２・６−又は３・４−又は３・
５−ジメトキシケイ皮酸、２・３−又は２・４−又は２
・５−又は２・６−又は３・４−又は３・５−ジェトキ
シケイ皮酸、２・３−又は２・４−又は３・４−ジプロ
ポキシケイ皮酸、２−ヒドロキシ−３−メトキシケイ皮
酸、３−ヒドロキシ−４−メトキシケイ皮酸、４−ヒド
ロキシ−３−メトキシケイ皮酸、２−アセトキシ−３−
メトキシケイ皮酸、３−アセトキシ−４−メトキシケイ
皮酸、４−アセトキシ−３−メトキシケイ皮酸、２−エ
トキシ−３−メトキシケイ皮酸、３−エトキシ−４−メ
トキシケイ皮酸、４−エトキシ−３−メトキシケイ皮酸
、３−メトキシ−２−プロポキシケイ皮酸、４−メトキ
シ−３−プロポキシケイ皮酸、３・４−メチレンジオキ
シケイ皮酸、２・３・４−又は２・４・５−又は３・４
・５−トリメトキシケイ皮酸、４−イソプロピルケイ皮
酸、４−インフチルヶイ皮酸、４−二級ブチルケイ皮酸
、４−三級ブチルケイ皮酸、４−シクロへキシルケイ皮
酸、２−３−又は４−イソプロポキシケイ皮酸、２−１
３−又は４−イソブトキシケイ皮酸、２３−又は４−二
級ブトキシケイ皮酸、２−イソフロホキシー３−メトキ
シケイ皮酸、３−インプロポキシ−４−メトキシケイ皮
酸、４−イソノ冶ポキシー３−メトキシケイ皮酸、２−
インブトキシ−３−メトキシケイ皮酸、３−インブトキ
シ−４−メトキシグイ皮酸、４−イソブトキシ−３−メ
トキシケイ皮酸、３−二級ブトキシ−４−メトキシケイ
皮酸、４−二級ブトキシ−３−メトキシケイ皮酸、３・
４−テトラメチレンジオキシケイ皮酸、２・３−及び３
・４−トリメチレンジオキシケイ皮酸、２−１３−又は
４−フルオルグイ皮酸、２−１３−又は４−クロルケイ
皮酸、２−３又は４−ブロムケイ皮酸、２・４−又は２
・６又は３・４−ジクロルケイ皮酸なと及び上記ケイ皮
酸と同様の核置換基を有するα−又はβ−低級アルキル
置換ケイ皮酸などをあげることができる。
これらの芳香族不飽和カルボン酸は、酸ハロゲン化物、
酸無水物、混合酸無水物などの反応性官能的誘導体とし
て反応に用いられる。
酸無水物、混合酸無水物などの反応性官能的誘導体とし
て反応に用いられる。
酸ハロゲン化物は一般式（ｎ）の芳香族不飽和カルボン
酸誘導体を無溶媒又は不活性有機溶媒中、酸ハロゲン化
剤例えば塩化チオニルと２〜３時間加熱することにより
得ることができる。
酸誘導体を無溶媒又は不活性有機溶媒中、酸ハロゲン化
剤例えば塩化チオニルと２〜３時間加熱することにより
得ることができる。
また混合酸無水物は一般式（Ｉ］）の芳香族不飽和カル
ボン酸誘導体をベンゼンスルホン酸クロリド又はクロル
炭酸エチルなどと反応させることにより得ることができ
る。
ボン酸誘導体をベンゼンスルホン酸クロリド又はクロル
炭酸エチルなどと反応させることにより得ることができ
る。
また、本発明のもう一方の出発原料であるアントラニル
も公知の化合物であり、公知方法に従って容易に製造す
ることができる。
も公知の化合物であり、公知方法に従って容易に製造す
ることができる。
本発明方法における一般刃用の芳香族不飽和カルボン酸
の反応性官能的誘導体とアントラニルとの縮合反応は、
両者を無溶媒もしくは不活性有機溶媒中において、必要
に応じ酸結合剤の存在下で反応させることにより行うこ
とができる。
の反応性官能的誘導体とアントラニルとの縮合反応は、
両者を無溶媒もしくは不活性有機溶媒中において、必要
に応じ酸結合剤の存在下で反応させることにより行うこ
とができる。
この場合、有ａＦＪとしてはベンゼン、トルエン、キシ
レン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アセトン、メ
チルエチルケトン、ピリジンなどが適当である。
レン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アセトン、メ
チルエチルケトン、ピリジンなどが適当である。
酸結合剤としてはピリジン、トリエチルアミンなどの有
機第三級塩基などをあげることができる。
機第三級塩基などをあげることができる。
また核に水酸基をもつ芳香族カルボン酸はアセチル基等
で保護してから反応させるのが好ましい。
で保護してから反応させるのが好ましい。
縮合反応により形成された一般式囚のベンゾオキサジノ
ン誘導体は新規化合物であり、本発明方法においては特
に単離精製する必要はなくそのまま次の工程の反応に供
することができる。
ン誘導体は新規化合物であり、本発明方法においては特
に単離精製する必要はなくそのまま次の工程の反応に供
することができる。
例えば前工程の反応を無溶媒で行ったならば反応終了後
、反応物に適量の含水アルコール又は水を加え必要なら
ば酸又はアルカリを加え室温であるいは加温して加水分
解することにより一般ｑＩ ）の芳香族不飽和カルボン
酸アミド誘導体に導くことができる。
、反応物に適量の含水アルコール又は水を加え必要なら
ば酸又はアルカリを加え室温であるいは加温して加水分
解することにより一般ｑＩ ）の芳香族不飽和カルボン
酸アミド誘導体に導くことができる。
本発明方法を好適に実施するには、一般式（Ｉ］）の化
合物の反応性官能的誘導体とアントラニルとを５〜２０
培量のトルエン中１〜１０時間加温する。
合物の反応性官能的誘導体とアントラニルとを５〜２０
培量のトルエン中１〜１０時間加温する。
反応終了後反応液を減圧下で濃縮すると固化する。
これを適当な溶媒から再結晶すると一般式（Ｙｖ）のベ
ンゾオキサジノン誘導体が得られる。
ンゾオキサジノン誘導体が得られる。
このものを１０〜５０倍量のエチルアルコールに溶解し
、これに当量ないし多少過剰の水酸化す］・リウム水溶
液を加え室温でかきまぜる。
、これに当量ないし多少過剰の水酸化す］・リウム水溶
液を加え室温でかきまぜる。
反応液を濃縮すると固化する。
これを適当な溶媒より再結晶すると一般式（Ｉ）の化合
物のナトリウム塩が得られる。
物のナトリウム塩が得られる。
ナトリウム塩を水に溶解し次いで塩酸で酸性にすると結
晶が析出する。
晶が析出する。
析出した結晶をろ取し適当な溶媒より再結晶すると一般
式（Ｉ）の化合物が得られる。
式（Ｉ）の化合物が得られる。
一般刃Ｉ）の化合物のカルボキシル基は常法に従い医薬
品として許容される塩とすることができる。
品として許容される塩とすることができる。
例えば一般式（５）の化合物のアルカリ金属、アルカリ
土類金属塩は一般式（ト）のベンゾオキサジノン誘導体
をそれらの水酸化物で加水分解することにより得ること
ができる。
土類金属塩は一般式（ト）のベンゾオキサジノン誘導体
をそれらの水酸化物で加水分解することにより得ること
ができる。
本発明によって得られる芳香族不飽和カルボン酸アミド
誘導体はアレルギーに起因する疾患に対して広く使用す
ることができる。
誘導体はアレルギーに起因する疾患に対して広く使用す
ることができる。
次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
なお各実施例中における生成物の融点はいずれも未補正
である。
である。
実施例 １
３・４−ジメトキシケイ皮酸２．０８ ｆを３０ｍ１の
ベンゼンに懸濁し、これに３ｍｌの塩化チオニルを加え
２時間還流する。
ベンゼンに懸濁し、これに３ｍｌの塩化チオニルを加え
２時間還流する。
反応物を減圧下で濃縮し、残留物をトルエン４０ｍ１に
溶解する。
溶解する。
これにアントラニル１．２１を加え８時間還流する。
反応物を濃縮し残留物をトルエンから再結晶すると２（
３′・４′−ジメトキシスチリル）−３・１−ベンゾオ
キサジン−４−オン２，１りが得られる。
３′・４′−ジメトキシスチリル）−３・１−ベンゾオ
キサジン−４−オン２，１りが得られる。
融点 １６０〜１６１’Ｃ
赤外線吸収スペクトル （ＫＢｒ）
ｖｃｏ １７５０（１１７７１’
元素分析値
Ｃｌ８Ｈ１５０４Ｎとして
２−（３’・４′−ジメトキシスチリル）−３・１ベン
ゾオキサジン−４−オン１ｆをエチルアルコール２０ｍ
１に懸濁し、これに１０％水酸化ナトリウム水溶液１０
ｍ１を加え、室温で１０時間かきまぜる。
ゾオキサジン−４−オン１ｆをエチルアルコール２０ｍ
１に懸濁し、これに１０％水酸化ナトリウム水溶液１０
ｍ１を加え、室温で１０時間かきまぜる。
反応液を減圧下で濃縮し残留物を水より再結晶するとＮ
−（３’・４′−ジメトキシシンナモイル）アントラニ
ル酸のナトリウム塩ｏ、 ｓ ｙ カ得られる。
−（３’・４′−ジメトキシシンナモイル）アントラニ
ル酸のナトリウム塩ｏ、 ｓ ｙ カ得られる。
ナトリウム塩を水に加温して溶解し塩酸で酸性にすると
結晶が析出する。
結晶が析出する。
析出した結晶をアルコールと水の混合物より再結晶する
とＮ−（３′・４′−ジメトキシシンナモイル）アント
ラニル酸０．６ｔが得られる。
とＮ−（３′・４′−ジメトキシシンナモイル）アント
ラニル酸０．６ｔが得られる。
融点 ２１１〜２１３℃
赤外線吸収スペクトル （ＫＢｒ）
シｃｏ：１６９５．１６５５ｃｍ
元素分析値
Ｃｌ８Ｈ１□０５Ｎとして
Ｃ％ Ｎ％ Ｎ％
理論値 ６６．０５ ５．２４ ４．２８実測値 ６５
．７９ ５，２３ ４．３７核磁気共鳴スペクトル（９
０ＭＨｚ、ｄ６−ＤＭＳＯ）δ ３．８２．３．８７（
Ｓ、Ｓ、６Ｈ，メトキシ水素） ６．６５〜８８（ｍ１９Ｈ１オレフイン水素、芳香環水
素） 実施例 ２ ３・４−ジメトキシケイ皮酸１ｔｉｆをベンゼン３０ｍ
１に懸濁しこれに塩化チオニル３ｍｌを加え２時間還流
する。
．７９ ５，２３ ４．３７核磁気共鳴スペクトル（９
０ＭＨｚ、ｄ６−ＤＭＳＯ）δ ３．８２．３．８７（
Ｓ、Ｓ、６Ｈ，メトキシ水素） ６．６５〜８８（ｍ１９Ｈ１オレフイン水素、芳香環水
素） 実施例 ２ ３・４−ジメトキシケイ皮酸１ｔｉｆをベンゼン３０ｍ
１に懸濁しこれに塩化チオニル３ｍｌを加え２時間還流
する。
反応液を減圧下で濃縮し残留分にアントラニル０．６ｆ
を加え６５〜７０℃で１０分間加熱する。
を加え６５〜７０℃で１０分間加熱する。
反応液は固化する。これをトルエンより再結晶すると２
−（３’・４′−ジメトキシスチリル）−３・ｌ−ベン
ゾオキサジン）−４−オン１．１１が得られる。
−（３’・４′−ジメトキシスチリル）−３・ｌ−ベン
ゾオキサジン）−４−オン１．１１が得られる。
これをエチルアルコール３０ｒｄに懸濁し１０％水酸化
ナトリウム水溶液１０ｍ１を加え、室温で１０時間かき
まぜる。
ナトリウム水溶液１０ｍ１を加え、室温で１０時間かき
まぜる。
反応液を濃縮し、残留物を水に加温して溶解し、これを
塩酸で酸性にすると結晶が析出する。
塩酸で酸性にすると結晶が析出する。
析出した結晶をアルコールと水の混合物より再結晶する
とＮ−（３′・４′−ジメトキシシンナモイル）アント
ラニル酸０．９Ｐを得る。
とＮ−（３′・４′−ジメトキシシンナモイル）アント
ラニル酸０．９Ｐを得る。
融点 ２１１〜２１３℃
水晶の赤外線吸収スペクトル及び核磁気共鳴スペクトル
は実施例１で得られたものと一致する。
は実施例１で得られたものと一致する。
元素分析値
Ｃｌ８Ｈ１７０５Ｎ
Ｃ％ Ｎ％ Ｎ％
理論値 ６６．０５ ５．２４ ４．２８実測値 ６５
．８４ ５．１６ ４．１３実施例 ３ ３・４−ジメトキシ−β−メチルケイ皮酸１１グをベン
ゼン３０ｍ１に懸濁しこれに塩化チオニル３ｍｌを加え
２時間還流する。
．８４ ５．１６ ４．１３実施例 ３ ３・４−ジメトキシ−β−メチルケイ皮酸１１グをベン
ゼン３０ｍ１に懸濁しこれに塩化チオニル３ｍｌを加え
２時間還流する。
反応液を減圧下で濃縮し残留物をトルエン３０ｍ１に溶
解する。
解する。
これにアントラニル０．６ｆを加え９時間還流する。
反応液を濃縮し残留物をトルエンより再結晶すると、２
−（３’・４′−ジメトキシ−β−メチルスチリル：３
・１−ベンゾオキサジン−４−オン１．０１が得られる
。
−（３’・４′−ジメトキシ−β−メチルスチリル：３
・１−ベンゾオキサジン−４−オン１．０１が得られる
。
融点 １２７〜１３０℃
赤外線吸収スペクトル
ｖｃｏ： １７４０ｃｍ ’
元素分析値
Ｃ１９Ｈ１□０４Ｎとして
Ｃ％ Ｎ％ Ｎ％
理論値 ７０．５７５，３０ ４．３３
測定値 ７０，３３ ５，２３ ４．２６２−（３’・
４′−ジメトキシ−β−メチルスチリル）−３・１−ベ
ンゾオキサジン−４−オン０８１に５％水酸化ナトリウ
ム水溶液５０ＴＬｌを加え１時間加温した後、塩酸を加
えて酸性にすると結晶が析出する。
４′−ジメトキシ−β−メチルスチリル）−３・１−ベ
ンゾオキサジン−４−オン０８１に５％水酸化ナトリウ
ム水溶液５０ＴＬｌを加え１時間加温した後、塩酸を加
えて酸性にすると結晶が析出する。
析出結晶を含水アルコールより再結晶するとＮ−（３’
・４′−ジメトキシ−β−メチルシンナモイル）−アン
トラニル酸０．６１が得られる。
・４′−ジメトキシ−β−メチルシンナモイル）−アン
トラニル酸０．６１が得られる。
融点 １７５〜１７７℃
赤外線吸収スペクトル （ＫＢｒ）
ｖｃｏ： １６９５ １６６０ｃｒＩｌ ’元素分析値
Ｃｌ０Ｈ１９０５Ｎとして
０％ Ｎ％ Ｎ％
理論値 ６６．８５ ５，６１ ４．１０実測値 ６６
．７０ ５，６０ ３．９２核磁気共鳴スペクト＃（９
０ＭＨｚ ｄ６−ＤＭＳＯ）δ ２．５６、（ｂｒｏａ
ｄ Ｓ、３Ｈ，メチル水素）３．８１．３．８７ （Ｓ
、 ５１６Ｈ，メトキシ水素） ６．３２ （ｂｒｏａｄ Ｓ、 Ｉ Ｈ，オレフィン
水素）６．９〜８．６５ （ｍ、 ７Ｈ１芳香環水素）
１１．１２（Ｓ、ＩＨ１カルボン酸水素）実施例 ４ ３・４−ジメトキシケイ皮酸１．１ ｆｔをピリジン３
０ｍ１に溶解しこれに水冷下ベンゼンスルホン酸クロリ
ド０．８８ ？を加え２時間かきまぜる。
．７０ ５，６０ ３．９２核磁気共鳴スペクト＃（９
０ＭＨｚ ｄ６−ＤＭＳＯ）δ ２．５６、（ｂｒｏａ
ｄ Ｓ、３Ｈ，メチル水素）３．８１．３．８７ （Ｓ
、 ５１６Ｈ，メトキシ水素） ６．３２ （ｂｒｏａｄ Ｓ、 Ｉ Ｈ，オレフィン
水素）６．９〜８．６５ （ｍ、 ７Ｈ１芳香環水素）
１１．１２（Ｓ、ＩＨ１カルボン酸水素）実施例 ４ ３・４−ジメトキシケイ皮酸１．１ ｆｔをピリジン３
０ｍ１に溶解しこれに水冷下ベンゼンスルホン酸クロリ
ド０．８８ ？を加え２時間かきまぜる。
これにアントラニル０．６Ｓ’を加え１００℃で７時間
加熱する。
加熱する。
反応液を減圧下で濃縮し残留物をトルエンより再結晶す
ると、２−（３’・４′−ジメトキシスチリル）−３・
１−ベンゾオキサジン−４−オン１．０Ｐが得られる。
ると、２−（３’・４′−ジメトキシスチリル）−３・
１−ベンゾオキサジン−４−オン１．０Ｐが得られる。
これを実施例２と同様な操作で加水分解すると、Ｎ−（
３’・４′−ジメトキシシンナモイル）アントラニル酸
０．８ Ｐが得られる。
３’・４′−ジメトキシシンナモイル）アントラニル酸
０．８ Ｐが得られる。
融点 ２１１〜２１３℃
本品の赤外線吸収スペクトル及び核磁気共鳴スペクトル
は実施例１で得られたものと一致する。
は実施例１で得られたものと一致する。
実施例 ５
３・４−ジメトキシケイ皮酸無水物２．Ｏｆとアントラ
ニル０．６ｆｆを１６０〜１７０℃で８時間加熱する。
ニル０．６ｆｆを１６０〜１７０℃で８時間加熱する。
反応混合物を少量のベンゼンで処理して不溶物をろ去し
、ろ液を減圧下で濃縮する。
、ろ液を減圧下で濃縮する。
残留物をトルエンで再結晶すると、２−（３’・４′−
ジメトキシスチリル）−３・１−ベンゾオキサジン−４
−オン０．９ Ｐが得られる。
ジメトキシスチリル）−３・１−ベンゾオキサジン−４
−オン０．９ Ｐが得られる。
これを実施例２と同様な操作で加水分解すると、Ｎ−（
３’・４′−ジメトキシシンナモイル）アントラニル酸
ｏ、７ｙが得られる。
３’・４′−ジメトキシシンナモイル）アントラニル酸
ｏ、７ｙが得られる。
融点 ２１１〜２１３℃
本品の赤外線吸収スペクトル及び核磁気共鳴スペクトル
は実施例１で得られたものと一致する。
は実施例１で得られたものと一致する。
実施例 ６
４−アセトキン−３−メトキシケイ皮酸２．３６１を３
０ｍ１のベンゼンに懸濁し、これに塩化チオニル３ｍｌ
を加え２時間還流する。
０ｍ１のベンゼンに懸濁し、これに塩化チオニル３ｍｌ
を加え２時間還流する。
反応物を減圧下で濃縮し、残留物をトルエン４０１１Ｌ
ｌに溶解する。
ｌに溶解する。
これにアントラニル１．２１を加え８時間還流する。
反応混合物を減圧下で濃縮し残留物をトルエンから再結
晶すると、２−（４パ−アセトキシ−３メトキシスチリ
ル）−３・１−ベンゾオキサジン−４−オン２２テが得
られる。
晶すると、２−（４パ−アセトキシ−３メトキシスチリ
ル）−３・１−ベンゾオキサジン−４−オン２２テが得
られる。
融点 １８５〜１８７℃
赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ）
ｖｃｏ： １７５０ｃｍ ’
元素分析値
Ｃ１９Ｈ１５０５Ｎとして
０％ Ｎ％ Ｎ％
理論値 ６７．６５ ４．４８ ４．１５実測値 ６７
．７９ ４，４５ ４．０６２−（４’−アセトキシ−
３′−メトキシスチリル）３・１−ベンゾオキサジン−
４−オン２グを５０％含水アルコール１００ＴＩｌｌに
懸濁し、これに濃塩酸数滴を加えて２０分還流する。
．７９ ４，４５ ４．０６２−（４’−アセトキシ−
３′−メトキシスチリル）３・１−ベンゾオキサジン−
４−オン２グを５０％含水アルコール１００ＴＩｌｌに
懸濁し、これに濃塩酸数滴を加えて２０分還流する。
冷却後析出する結晶をろ取し、含水アルコールより再結
晶すると、Ｎ−（４’−アセトキシ−３′−メトキシシ
ンナモイル）アントラニル酸１．６Ｐが得られる。
晶すると、Ｎ−（４’−アセトキシ−３′−メトキシシ
ンナモイル）アントラニル酸１．６Ｐが得られる。
融点 ２１３〜２１５℃
赤外線吸収スペクトルＣＫＢ ｒ）
シｃｏ：１７６５．１６９０．１６７０ｃｒＩｌ ’元
素分析値 Ｃ１９Ｈ１□０６Ｎとして ０％ Ｎ％ Ｎ％ 理論値 ６４，２２ ４．８２ ３．９４実測値 ６４
，１３ ５，０１ ３．９０核磁気共鳴スペクトル（９
０ＭＨｚ、ｄ６−ＤＭＳＯ）δ ２．１８（Ｓ、３Ｈ１
アセチル水素）３．７６（８１３Ｈ、メトキシ水素） ６．７〜８．７（ｍ、９Ｈ，オレフィン水素、芳香環水
素） １１．２１ （Ｓ、 ＩＨ，カルボン酸水素）Ｎ−（
４’−アセトキシ−３′−メトキシシンナモイル）アン
トラニル酸１５１を５０ｍ１．のアルコールに懸濁し１
０％水酸化ナトリウム水溶液１０ｍ１を加えて６０〜７
０℃で１時間加温する。
素分析値 Ｃ１９Ｈ１□０６Ｎとして ０％ Ｎ％ Ｎ％ 理論値 ６４，２２ ４．８２ ３．９４実測値 ６４
，１３ ５，０１ ３．９０核磁気共鳴スペクトル（９
０ＭＨｚ、ｄ６−ＤＭＳＯ）δ ２．１８（Ｓ、３Ｈ１
アセチル水素）３．７６（８１３Ｈ、メトキシ水素） ６．７〜８．７（ｍ、９Ｈ，オレフィン水素、芳香環水
素） １１．２１ （Ｓ、 ＩＨ，カルボン酸水素）Ｎ−（
４’−アセトキシ−３′−メトキシシンナモイル）アン
トラニル酸１５１を５０ｍ１．のアルコールに懸濁し１
０％水酸化ナトリウム水溶液１０ｍ１を加えて６０〜７
０℃で１時間加温する。
反応液を減圧下で濃縮し残留物を水に加温して溶解し塩
酸で酸性にすると結晶が析出する。
酸で酸性にすると結晶が析出する。
析出した結晶を含水アルコールより再結晶すると、Ｎ−
（４’ヒドロキシ−３′−メトキシシンナモイル）アン
トラニル酸１．０１が得られる。
（４’ヒドロキシ−３′−メトキシシンナモイル）アン
トラニル酸１．０１が得られる。
融点 ２３０〜２３２℃
赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ）
シｃｏ：１６９５．１６６５ｃｒＩＬ
元素分析値
Ｃｌ７Ｈ］５０５Ｎとして
０％ Ｎ％ Ｎ％
理論値 ６５，１７ ４，８３ ４．４７実測値 ６５
，１３ ４，９５ ４．４１核磁気共鳴スペクトル（９
０ＭＨｚ、ｄ ６−ＤＭＳＯ）δ ３．９０（Ｓ、３Ｈ
、メトキシ水素）６．５５〜８．８ （ｍ、 ９ Ｈ
，オレフィン水素、芳香環水素） １１．２６（Ｓ、ＩＨ１カルボン酸水素）実施例 ７ ２ テ実流側１で得られた２−（３’・４′−ジメトキシス
チリル）−３・１−ベンゾオキサジン−４−オン１．０
２を含水エチルアルコール１００ｒＩＬｌ［懸濁し、こ
れに塩酸数滴を加え、１時間還流する。
，１３ ４，９５ ４．４１核磁気共鳴スペクトル（９
０ＭＨｚ、ｄ ６−ＤＭＳＯ）δ ３．９０（Ｓ、３Ｈ
、メトキシ水素）６．５５〜８．８ （ｍ、 ９ Ｈ
，オレフィン水素、芳香環水素） １１．２６（Ｓ、ＩＨ１カルボン酸水素）実施例 ７ ２ テ実流側１で得られた２−（３’・４′−ジメトキシス
チリル）−３・１−ベンゾオキサジン−４−オン１．０
２を含水エチルアルコール１００ｒＩＬｌ［懸濁し、こ
れに塩酸数滴を加え、１時間還流する。
反応液を冷却し、析出した結晶をろ取するとＮ−（３′
・４′−ジメトキシシンナモイル）アントラニル酸０．
８ Ｐが得られる。
・４′−ジメトキシシンナモイル）アントラニル酸０．
８ Ｐが得られる。
融点 ２１１〜２１３°Ｃ
氷晶の赤外線吸収スペクトル及び核磁気共鳴スペクトル
は実施例１で得られたものと一致する。
は実施例１で得られたものと一致する。
実施例 ８
実施例１で得られた２−（３’・４′−ジメトキシスチ
リル）−３・１−ペンツオキサジン−４−オン１．０２
を含水エチルアルコール１００ｒｎｌに懸濁し、これに
ｐ−）ルエンスルホン酸０．ＩＰを加工、１時間還流す
る。
リル）−３・１−ペンツオキサジン−４−オン１．０２
を含水エチルアルコール１００ｒｎｌに懸濁し、これに
ｐ−）ルエンスルホン酸０．ＩＰを加工、１時間還流す
る。
反応液を冷却し、析出した結晶をろ取するとＮ−（３’
・４′−ジメトキシシンナモイル）アントラニル酸０．
８９が得られる。
・４′−ジメトキシシンナモイル）アントラニル酸０．
８９が得られる。
融点 ２１１〜２１３℃
氷晶の赤外線吸収スペクトルおよび核磁気共鳴スペクト
ルは実施例１で得られたものと一致する。
ルは実施例１で得られたものと一致する。
実施例 ９
実施例１と実質的に同様な方法により下記の化合物を製
造することができた。
造することができた。
参考例
本発明方法により得られたＮ−（３’・４′−ジメトキ
シシンナモイル）アントラニル酸及び従来方法←特公昭
５６−４０７１０号公報）により得られたＮ−（３’・
４′−ジメトキシシンナモイル）アントラニル酸の粗結
晶品及び再結晶品について以下に示す液体クロマトグラ
フ法に従い純度と主不純物との定量分析を行った。
シシンナモイル）アントラニル酸及び従来方法←特公昭
５６−４０７１０号公報）により得られたＮ−（３’・
４′−ジメトキシシンナモイル）アントラニル酸の粗結
晶品及び再結晶品について以下に示す液体クロマトグラ
フ法に従い純度と主不純物との定量分析を行った。
すなわち試料及び（試料の）標準品的０．０５Ｐずつを
精密に秤量し、メタノール７０ｍ１を加えて２０分間よ
く振り混ぜて溶かし、さらにメタノールを加えて正確に
１００−とし、試料溶液及び標準溶液とする。
精密に秤量し、メタノール７０ｍ１を加えて２０分間よ
く振り混ぜて溶かし、さらにメタノールを加えて正確に
１００−とし、試料溶液及び標準溶液とする。
試料溶液及び標準溶液５μｌずつを正確に、液体クロマ
トグラフに注入する。
トグラフに注入する。
ただし、溶液の調製はしや光した容器を用いて行う。
また、本発明方法における主不純物３・４−ジメトキシ
ケイ皮酸及び従来方法におげろ主不純物２−（３’・４
′−ジメトキシスチリル）−３・１−ベンゾオキサジン
−４−オンについて、同じようにして標準品に対するピ
ーク面積比を算出し、この直から含量を求めた。
ケイ皮酸及び従来方法におげろ主不純物２−（３’・４
′−ジメトキシスチリル）−３・１−ベンゾオキサジン
−４−オンについて、同じようにして標準品に対するピ
ーク面積比を算出し、この直から含量を求めた。
なお、液体クロマトグラフ法の測定条件は次のとおりで
あった。
あった。
液体クロマトグラフ装置：島原製ＬＣ−３Ａ型検出器：
島原製ＳＰＤ −２Ａ型 記録計：島原製クロマトパック、Ｃ−Ｒ２Ａ（Ｘ）型測
定波長： ２５０ｎｍ ”ｒ
七カラム： μｍ Ｂ ｏｎｄａｐａｋ Ｃ１Ｂ、４ｍ
ｍＸ３０ｃＩｒＬ ウォーターズ社製、８〜１０μ カラム温度：常温 移動相：１％酢酸・アセトニトリル混液（３：２流量：
毎分２．５ｍ１ 本発明方法で得たＮ−（２’−クロロシンナモイル）ア
ントラニル酸、Ｎ−（４’−メチルシンナモイル）アン
トラニル酸及び従来方法で得たＮ−（２′−クロロシン
ナモイル）アントラニル酸、Ｎ−（４’−メチルシンナ
モイル）アントラニル酸についても同様の定量分析を行
った。
島原製ＳＰＤ −２Ａ型 記録計：島原製クロマトパック、Ｃ−Ｒ２Ａ（Ｘ）型測
定波長： ２５０ｎｍ ”ｒ
七カラム： μｍ Ｂ ｏｎｄａｐａｋ Ｃ１Ｂ、４ｍ
ｍＸ３０ｃＩｒＬ ウォーターズ社製、８〜１０μ カラム温度：常温 移動相：１％酢酸・アセトニトリル混液（３：２流量：
毎分２．５ｍ１ 本発明方法で得たＮ−（２’−クロロシンナモイル）ア
ントラニル酸、Ｎ−（４’−メチルシンナモイル）アン
トラニル酸及び従来方法で得たＮ−（２′−クロロシン
ナモイル）アントラニル酸、Ｎ−（４’−メチルシンナ
モイル）アントラニル酸についても同様の定量分析を行
った。
これらの結果をまとめて次表に示す。
この表から明らかなように、目的物の粗紡高見及び再結
高見のいずれについても、本発明方法により得られたも
のは、従来方法により得られたものよりも純度が高くな
っている。
高見のいずれについても、本発明方法により得られたも
のは、従来方法により得られたものよりも純度が高くな
っている。
また本発明方法で得られる目的物中の主不純物は再結晶
により容易に除去しうるが、従来方法で得られろ目的物
中の主不純物は再結晶によりほとんど除去されない。
により容易に除去しうるが、従来方法で得られろ目的物
中の主不純物は再結晶によりほとんど除去されない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （式中のＲ１とＲ２はそれぞれ水素原子又は低級アルキ
ル基、Ｘはハロゲン原子、水酸基、低級アルキル基、低
級アシルオキシ基又は低級アルコキシル基、ｎはＯ又は
１〜３の整数であり、Ｘの中の２個が隣接した低級アル
コキシル基である場合には、両者が連結して環を形成す
ることができる）で表わされる芳香族不飽和カルボン酸
の反応性官能的誘導体と、式 のアントラニルとを反応させて、 一般式 （式中のＲ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは前記と同じ意味をもつ
） で表わされるベンゾオキサジノン誘導体を形成させ、次
いでこれを加水分解処理して開環することを特徴とする
一般式 ５ （式中のＲ１、Ｒ２、Ｘ及びｎは前記と同じ意味を
もつ） で表わされる芳香族不飽和カルボン酸アミド誘導体又は
その塩の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15855575A JPS5855139B2 (ja) | 1975-12-31 | 1975-12-31 | ホウコウゾクフホウワカルボンサンアミドユウドウタイノセイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15855575A JPS5855139B2 (ja) | 1975-12-31 | 1975-12-31 | ホウコウゾクフホウワカルボンサンアミドユウドウタイノセイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5283429A JPS5283429A (en) | 1977-07-12 |
| JPS5855139B2 true JPS5855139B2 (ja) | 1983-12-08 |
Family
ID=15674254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15855575A Expired JPS5855139B2 (ja) | 1975-12-31 | 1975-12-31 | ホウコウゾクフホウワカルボンサンアミドユウドウタイノセイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855139B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60152454A (ja) * | 1984-01-18 | 1985-08-10 | Terumo Corp | アミド誘導体およびこれを有効成分として含有する５−リポキシゲナ−ゼ作用阻害剤 |
| JPH064584B2 (ja) * | 1984-02-29 | 1994-01-19 | 沢井製薬株式会社 | 新規アニリド誘導体 |
| CN110357789B (zh) * | 2018-04-11 | 2022-09-30 | 华东理工大学 | 作为dhodh抑制剂的n-取代丙烯酰胺衍生物及其制备和用途 |
-
1975
- 1975-12-31 JP JP15855575A patent/JPS5855139B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5283429A (en) | 1977-07-12 |
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