JPS5853778Y2 - ミユ−テイングカイロ - Google Patents

ミユ−テイングカイロ

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JPS5853778Y2
JPS5853778Y2 JP1975093590U JP9359075U JPS5853778Y2 JP S5853778 Y2 JPS5853778 Y2 JP S5853778Y2 JP 1975093590 U JP1975093590 U JP 1975093590U JP 9359075 U JP9359075 U JP 9359075U JP S5853778 Y2 JPS5853778 Y2 JP S5853778Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switch
circuit
muting
resistor
germanium
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Expired
Application number
JP1975093590U
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English (en)
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JPS527507U (ja
Inventor
重喜 武田
Original Assignee
パイオニア株式会社
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 従来、たとえば帯域特性の異なる中間周波増幅器の電源
電圧を切り換える際、信号系に不快なパルス状の雑音が
生じた。
これを改善するために信号系を直接切夛換えることが行
われているが、たとえば切り換えスイッチ等へのリード
線の引き回しのために、回路が複雑になったり、動作が
不安定となる欠点があつ九 この考案はこのような欠点を除去できる□ニーティング
装置を提供することを第1の目的とするものであり、さ
らに動作が確実になし得るミューティング回路を提供す
ることを第2の目的とするものである。
以下図によってこの考案の一実施例を説明する。
すなわち、1,2は信号増幅器で、たとえば中間周波増
幅器で、入力端iおよび出力端02においてたがいに接
続されている。
Bは増幅器1,2の電源、S はこの電源の切り換えス
イッチで増幅器1,2の端子a 、b と選択的に
接触する切り換え接触子k を有している。
S はスイッチS と連動する電源切り換えスイッチで
、端子a 、b と選択的に接触する切り換え接触
子k を有している。
D 、Dは端子a 、b に1’
l 2
1 1接続したダイオードで、たとえばゲルマニ
ラムダ1オードである。
Rはこの両ダイオードの出力側接続点d とデー38間
に接続した抵抗、Qlは電源Bとデー38間に接続した
たとえばシリコントランジスタ等のトランジスタで、と
のエミッタは電源Bに、またコレクタは抵抗Rを介して
アースEにさらにベースはダイオードの出力側接続点d
にそれぞれ接続されている。
D 、DはトランジスタQ のコレクタと、抵抗Rの
接2 、 続点に、それぞれ直列状態に接続したダイオード、Cは
このダイオードD 、D の接続点d とア−スE間
に接続したコンデンサ、Rはダイオ−ドD の出力端と
、デー38間に接続した抵抗である。
そしてこの抵抗RbよびコンデンサCにより時定数回路
3が構成されている。
4はこの回路の出力端Oど増幅器1,2の出力端0間に
接続したスイッチング回路で、これはたとえば、シュミ
ット回路5とリードリレー6により構成されている。
次に上記構成における動作について説明する。
今、図の状態においては、スイッチS の接触子k が
端子a 側に、またスイッチS の接触子N kが端子a側にそれぞれ閉へ増幅器1が電源Bに接続さ
れている。
また電源電圧はダイオードD によって降下するカヘ
この実施例においてはゲルマニラムダ1オードを使用し
ているため、その電圧降下は約0.2V程度である。
一方トランジスタQ にはシリコントランジスタを使用
しているため、これが導通するためには、ベースーエ□
ツタ間の電圧は約0.6V以上の電圧を必要とする。
しかし上記スイッチS が図のように非切換状態になっ
ている場合にはゲルマニウムダイオードDがトランジス
タQ のベース・エミッタ間に並列接続さへ しかもダ
イオードD による電圧降下が少ないためトランジスタ
Qは非導通の状態にある。
この状態において増幅器1から増幅器2に電源電圧を切
り換える、すなわち、接触子k を端子a2からb お
よび接触子k を端子a からb へ切り換えると、一
瞬電源電圧Bが端子a tb ta tb のい
ずれにも加わらない状態がある。
このときトランジスタQは導通する。
したがって、抵抗Rに電流が流れ、コレクタ電圧が生じ
、コンデンサCが充電される。
この結果出力端Oにも電圧が生じる。
そして接触子k が端子b に、また接触子kが端子す
にそれぞれ切り換わると、トランジスタQは再び非導通
となるが、このとき抵抗Rを通してコンデンサCの放電
が始まるため、出力端Oの電圧はほぼ1/CRの時定数
で減少する。
そこでこの電位に適当なスレッシュホールド電圧を決め
ることにより、シュミット回路5が作動し、リードリレ
ー6を開き、接触子k の端子a 。
b2に対する切り換え時のクリックノイズをカットする
この考案は上述のようにゲルマニウムダイオードとシリ
コントランジスタとを巧みに組合わせたために、例えば
電源電圧が変動し、回路の動作直流電圧が変動したとし
ても、バイアス源としてのゲルマニウムダイオードによ
って常時シリコントランジスタのスレッショルド電圧以
下の値のバイアス量が確実に得られるため、電圧の変動
によってミューティング作用に誤動作を起こさせること
がなく、回路の切換え時に生ずるクリック等のノイズに
対して確実に□ニーティングを働かせることが可能であ
る。
【図面の簡単な説明】
図はこの考案の一実施例を示す回路図である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 スイッチS により電源Bに選択的に接続される複数個
    の電子回路1,2、スイッチS2に連動するスイッチS
    の切り換え端子のそれぞれに順方向に接続されたゲル
    マニウムダイオード、ゲルマニウムダイオードのそれぞ
    れのカソードと接続された抵抗、ゲルマニウムダイオー
    ドと抵抗との接続点にベースが接続さぁかつ上記スイッ
    チS の非切換時においてそのベース・エミッタ間! に上記ゲルマニウムダイオードの一つが並列接続される
    シリコントランジスタと、シリコントランジスタの出力
    端子に接続された時定数回路と、時定数回路に接続され
    たスイッチング回路とを有し、上記スイッチSの切り換
    え時、上記スイッチング回路によって上記電子回路1,
    2の出力信号系にミューティングをかけるようにしたミ
    ューティング回路。
JP1975093590U 1975-07-04 1975-07-04 ミユ−テイングカイロ Expired JPS5853778Y2 (ja)

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JPS527507U JPS527507U (ja) 1977-01-19
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6040023Y2 (ja) * 1977-06-07 1985-12-02 株式会社ケンウッド ミユ−テング回路
JPS6040022Y2 (ja) * 1977-06-07 1985-12-02 株式会社ケンウッド ミユ−テング回路
JPS5837134Y2 (ja) * 1978-02-27 1983-08-22 パイオニア株式会社 ミュ−ティング回路

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4924517A (ja) * 1972-06-29 1974-03-05

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JPS4924517A (ja) * 1972-06-29 1974-03-05

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