KR840005951A - 반도체 보호회로 - Google Patents

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KR840005951A
KR840005951A KR1019830004069A KR830004069A KR840005951A KR 840005951 A KR840005951 A KR 840005951A KR 1019830004069 A KR1019830004069 A KR 1019830004069A KR 830004069 A KR830004069 A KR 830004069A KR 840005951 A KR840005951 A KR 840005951A
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알버트 하워드 레오폴드
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글렌 에이취. 브르스틀
알 씨 에이 코포레이션
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 보호회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면은 텔레비젼 수상기에 대한 부분도.

Claims (7)

  1. 고전압 과도현상이 나타나는 출력단자와, 고전압 과도현상으로 인한 전기적 스트레스에 의해 손상되기 쉬운 반도체 장치를 포함하는 신호처리 시스템에서 제1전도성 트랜지스터는 상기 출력단자에 연결되는 저임피던스의 제2전극을 상기 반도체 장치에 연결시킨 입력 제1전극과, 상기 동작 전위에 연결된 제3전극을 구비하며 상기 제2전극이 상기 제1트랜지스터의 주전류 도전 선로를 결정하여 상게 제1트랜지스터가 상기 반도체 장치에서 상기 출력단자로 신호를 연결하기 위해 정상적으로 동작하는 신호처리 시스템으로서, 어떤 전도형을 갖는 비전도성 제2트랜지스터는 상기 제1트랜지스터(44)의 상기 제1전극(베이스)과 연결된 제1전극(베이스)과, 상기 제1트랜지스터(44)의 상기 제2전극(에미터)와 상기 출력단자(21)에 연결된 저임피던스의 제2전극(에미터)와 제2동작 전위(접지)에 연결된 제3전극(콜렉터)를 구비한 상기 제1트랜지스터의 전도형과 반대이고 상기 제2전극(에미터)는 상기 제2트랜지스터(45)의 주 전류 도전 선로를 결정하며 상기 제2트랜지스터는 과도 전류를 상기 제2트랜지스터(45)의 상기 주 전류선도를 경유하여 상기 제2동작전위(접지)로 전환하기위해 제1극성을 구비한 상기 출력단자(21)에 나타나는 과도현상에 응답하여 도전성이며, 상기 제1트랜지스터는 반대 극성을 갖는 고전압 과도현상과 연관된 전류과도 현상을 상기 제1트랜지스터(44)의 상기 주 전류 선로를 경유하여 상기 제1동작 전위(+Vcc)로 전환하기 위하여 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 보호회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 트랜지스터의 상기 제1전극(베이스)과 상기 제2전극(에미터)은 접합부에 바이어스 전압을 나타내는 반도체 접합을 규정하고, 상기 제2트랜지스터(45)의 상기 제1전극(베이스)과 상기 제2전극(에미터)은 반도체 접합을 규정하며 반도체 접합의 바이어스는 상기 제2트랜지스터(45)를 비전도형으로 유지하기 위하여 상기 제1트랜지스터(44)의 상기 반도체 접합에 발생되는 바이어스 전압에 의해 설립되는 것을 특징으로 하는 반도체 보호회로.
  3. 제1항 혹은 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2트랜지스터의 제1, 제2 및 제3전극을 각각 베이스 에미터 콜렉터 전극인 것을 특징으로 하는 반도체 보호회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1트랜지스터(44)는 음극성의 고전압 과도현상과 관련된 과도전류를 전환하기 위한 트랜지스터이며, 상기 제2트랜지스터(45)는 양극성의 고전압 과도현상과 관련된 과도전류를 전환하기 위한 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체 보호회로.
  5. 상기 출력 단자로부터 신호를 수신하기 위한 수단을 구비한 것으로서 제1항에 청구된 바와같이 신호처리 시스템에 있어서, 상기 제1트랜지스터(44)에 대한 에미터 부하 임피던스(51)는 상기 출력단자(21)와 이용수단(24), (30)사이에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 보호회로.
  6. 텔레비젼 수상기를 포함하는 시스템으로서 제1항에 청구된 바와같은 신호처리 시스템에 있어서, 영상재생 키네스코프(30)는 키네스코프의 아크현상과 관련된 고전압 과도현상을 일으키기 쉽고, 동작 전압원(35)은 상기 키네스코프(30)용의 높은 동작 전압을 포함하며, 키네스코프 구동증폭기(24)는 상기 출력 단자(21)에 나타난 신호의 증폭된 버션(version)을 상기 키네스코프(30)에 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 보호회로.
  7. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019830004069A 1982-08-30 1983-08-30 반도체 보호회로 KR910009429B1 (ko)

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US412899 1999-10-05

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