IT8322643A1 - Circuito per la protezione di un dispositivo di uscita, nei confronti dell'alta tensione - Google Patents
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Description
" Circuito per la protezione di un dispositivo
di uscita,nei confronti dell'alta tensione "
RIASSUNTO
Un circuito di protezione (44, 45) ? collegato fra un dispositivo semiconduttore (40) di elaborazione di segnali, a bassa tensione, soggetto a dan_ ni per la presenza di transitori ad alta tensione, ed un terminale di uscita dei segnali (21) in corri_ spondenza del quale pu? verificarsi la presenza dei transitori ad alta tensione. Il circuito di protezione comprende un primo transistore (44) disposto come un ripetitore di emettitore per condurre normalmente i segnali dal dispositivo semiconduttore (40) al terminale di uscita (21) ed un secondo transistore (45) presentante una conduttivit?
di tipo opposto. Gli elettrodi di base e di emettitore del primo transistore (44) sono direttamente collegati agli elettrodi di base e di emettitore del secondo transistore (45), rispettivamente, in modo tale che il secondo transistore (45) risulti normalmente allo stato di non conduzione. Le cor_ renti transitorie associate ai transitori negativi ad alta tensione,in corrispondenza del terminale di uscita (21) vengono deviate verso un punto a poten_ ziale operativo (+V ), attraverso il primo transistore 44. Il secondo transistore (45) viene commutato allo stato di conduzione in risposta ai transitori positivi, ad alta tensione, in corri_ spondenza del terminale di uscita (21), per deviare le correnti transitorie associate, ad un punto presentante un secondo potenziale operativo, rappresentato dalla massa circuitale.
DESCRIZIONE DELL'INVENZIONE
La presente invenzione si riferisce ad un circuito per la protezione di un dispositivo semiconduttore per l'elaborazione dei segnali di uscita, dai danni derivanti da sollecitazioni elettriche provocate da transitori ad alta tensione, di polarit? positiva, o di polarit? negativa.
I transitori ad alta tensione, in grado di danneggiare un dispositivo semiconduttore costituito, ad esempio, da un transistore, possono venire sviluppati in vari modi. In un ricevitore televisivo, includente un cinescopio per la riproduzione delle immagini, a titolo di esempio illustrativo, questi transitori possono venire prodotti quando si verifica la formazione di archi all'interno del cinescopio alimentato da una ten_ sione di valore elevato. I transitori possono presentare un'ampiezza, una polarit?, ed una durata sufficienti a danneggiare o distruggere i transistori inclusi nei circuiti di elaborazione dei segnali del ricevitore, ad esempio per effetto del superamento della tensione inversa di rottura o di "breakdown"' dei transistori, provocando la .circolazione di correnti,in corrispondenza delle giunzioni, di livello eccessivamente elevato. Questo effetto viene osservato, tipicamente, quando i transitori ad alta tensione vengono indotti in corrispondenza di punti circuitali, o terminali ai quali sono collegati dei transistori e risulta particolarmente fastidioso in un sistema comprendente un circuito integrato contenente circuiti transistorizzati per l'elaborazione di segnali di basso livello, di tipo sensibile. Le correnti eccessive, indotte dai tran__ sitori, possono distruggere le giunzioni a semiconduttore dei transistori e possono provocare una degradazione permanente delle caratteristiche di guadagno di corrente di un transistore.
Deve essere rilevato che ? possibile l'utiliz_ zazione di vari complessi di protezione per la ^oppressione degli effetti dei transitori ad alta tensione .
Possono venire impiegati diodi semiconduttori, collegati secondo polarit? appropriate,in corrispondenza di punti circuitali, in modo tale da allon_ tanare i transitori dai circuiti transistorizzati, di tipo sensibile, che devono venire protetti. Per questo scopo, possono venire richiesti diodi fabbricati con l'impiego di tecniche non standardizzate o di configurazioni particolari. I diodi che richiedono questi requisiti sono spesso indesiderabili,in particolare in un circuito integrato poich? questi requisiti complicano il processo di fabbri cazione dei circuiti integrati. In ogni caso, deve essere esercitata una particolare cura per garantire che i diodi possano presentare una capacit? suffi_ ciente di dissipazione della potenza per poter sopportare le sollecitazioni elettriche associa^ te ai transitori, senza che questo provochi la distruzione dei diodi e per garantire che tali diodi, da soli, o congiuntamente a qualsiasi rete associata di polarizzazione, per la determinazione del livello di soglia, non debbano alterare le carat teristiche desiderate di impedenza o la risposta nel campo delle frequenze elevate, dei circuiti elaboratori dei segnali che devono venire protetti.
E1 pure possibile l'impiego di dispositivi a resistori o ad impedenze, particolarmente proget_ tati per sopprimere i transitori ad alta tensione. Tuttavia, questi dispositivi possono risultare troppo costosi o altrimenti poco pratici da un punto di vista della progettazione, in varie applicazioni circuitali e possono alterare le caratteristiche di impedenza e la risposta, nel campo delle alte frequenze, dei circuiti elaboratori di segnali con i quali gli stessi vengono impiegati.
Un circuito attivo, per la protezione dei transis tori, pu? pure e ssere utilizzato in combinaz ione con una impedenza di rivelazione , accoppiata ad
un punto circuitale in corrispondenza del quale possono verificarsi i transi tori ad alta tensione ed al circuito che deve venire protetto .
Con questa disposiz ione, il transi store di prote_ zione serve per allontanare le correnti indotte
dai transitori, dal circuito che deve venire protet_ to quando il transistore di protezione viene atti_ vato in risposta ad una tensione corrispondente
alla soglia di conduzione, sviluppata ai capi dell ' impedenza di rivelazione . Questo comple sso ? indesiderabile quando l? stesso viene utilizzato per proteggere un circuito elaboratore di segnali, poich? l' impedenza di rivelazione altera l ' impedenza altrimenti associata al circuito protetto, di elaborazione dei segnali, mentre pu? pure atte_ nuare i segnali ad alta frequenza che si evidenziano, normalmente, in corrispondenza del punto circuitale, mediante formazione di un filtro passa-basso unitamente a qualsiasi capacit? parassita che possa verificarsi in corrispondenza del punto circuitale .
Un circuito per la protezione ilei confronti dei transitori, progettato in conformit? all' invenz ione , evita gli svantaggi precedentemente citati e risulta particolarmente adatto per la fabbricazione in un circuito integrato pure contenente il circuito che deve venire protetto. In modo pi? specifico, il circuito di protezione descritto nel corso della presente trattazione, garantisce una protezione nei confronti dei transitori ad alta tensione, sia di polarit? positiva, sia di polarit? nega_ tiva, senza alterare le caratteristiche desi_ derate di elaborazione dei segnali rappresentate, ad esempio, dalla risposta nel campo delle frequenze elevate o dall'impedenza caratteristica del circuito protetto.
Un circuito di protezione conforme con la presente invenzione, viene incluso in un sistema elaboratore di segnali comprendente un terminale di uscita dei segnali in corrispondenza del quale possono evidenziarsi transitori ad alta tensione ed un dispositivo semiconduttore suscettibile di danneggia menti per effetto delle sollecitazioni elettriche provocate dai transitori ad alta tensione. Il circuito di/protezione comprende un primo transistore, presentante un primo tipo di conduttivit? per convogliare normalmente i segnali dal dispositivo semiconduttore al terminale di uscita, attraverso una uscita di emettitore, ed un secondo transistore, ri crinalmente , non conduttivo , presentante una conduttivit? di tipo opposto . Gli elettrodi di base del primo transistore e del secondo transistore di sono collegati fra di loro, gli elettrodi/emettitore dei transistori essendo collegati fra di loro e connessi al terminale di uscita, mentre gli elettrodi di collettore dei transistori sono collegati ai rispettivi punti in corrispondenza dei quali si rende disponibile il potenziale operativo, o di lavoro. Le correnti transitorie associate ai transitori ad alta tensione, presentanti una prima polarit?,in corrispondenza del terminale di uscita, vengono allontanate, attraverso il percor_ so collettore-emettitore del primo transistore, verso l'associato punto in corrispondenza del qua_ le si rende disponibile il potenziale operativo. Il secondo transistore viene commutato allo stato di conduzione in risposta alla presenza di transitori di tensione, presentanti una polarit? di tipo opposto, in corrispondenza del tenninale di uscita, per deviare le correnti transitorie associate verso il punto associato in corrispondenza del quale ? presente il potenziale operativo, attraverso il percorso collettore-?emettitore del secondo transi_ store .
La pre sente invenzione risulter? pi? evidente dall ' analisi della seguente de scrizione dettagliata, la quale deve e ssere considerata in unione al disegno allegato , nell ' unica figura del quale ? sta__ ra rappre sentata una porzione di un ricevitore televisivo includente una rete incorporante un circuito di protezi one realizzato in conformit? con la pre sente invenzione .
I segnali di luminanza, provenienti da una sorgente 10 ed i segnali di crominanza, provenien_ ti da una sorgente 12, vengono alimentati ai ter_ minali separati di ingresso per i segnali, contraddistinti dai numeri di riferimento 13 e 14, rispettivamente , di un elaboratore 15 dei segnali di luminanza e di crominanza incluso in un ricevitore tel evisivo a colori . L ' elaboratore 15 costituito, ad e sempio, da un circuito integrato, combina i segnali di luminanza e di crominanza, operando in modo noto, allo scopo di sviluppare i segnali rappresentativi delle immagini a colori del rosso r, del verde e del blu b, in corri spondenza dei terminali di uscita 21, 22 e 23, rispettivamente . I segnali rappresentativi dei colori vengono opportu_ namente amplificati dagli amplificatori pilota del cinescopio, indicati in 24, 25 e 26, rispettivamente, i quali forniscono i segnali video a colori amplificati, di livello elevato, R, G e B agli elet_ frodi catodici separati, di controllo dell'intensit?, di un cinescopio a colori 30. Un alimentatore 35 in grado di sviluppare varie tensioni operative, o di lavoro, sviluppa appunto le varie tensioni operative per il cinescopio 30. Queste tensioni includono una tensione di valore elevato, dell'or_ dine di 25.000 volt, per polarizzare l'elettrodo anodico del cinescopio 30 e tensioni dell'ordine di poche centinaia di volt, per polarizzare altri elet_ frodi del cinescopio 30 rappresentati, ad esempio, dai catodi, dalla griglia schermo e dagli elettrodi di focalizzazi one .
L'elaboratore 15 include circuiti di uscita accoppiati ai terminali di uscita 21, 22 e 23 i quali possono venire danneggiati, o distrutti nel caso in cui le tensioni di valore elevato si evidenziassero su questi terminali. In un ricevi to_ re televisivo, la sorgente primaria di questa ten_ sione di livello elevato ? rappresentata dai tran_ sitori provocati dalla formazione di archi nel cinescopio. La formazione degli archi in un cinescopio pu? verificarsi fra l'elettrodo anodico ad alta ten sione ed il telaio del ricevitore , quando si procede, ad esempio, alla manutenzione del ricevitore . La f ormazione di archi del cinescopio pu? pure verificar si, in modo imprevedibile, fra l ' anodo ed uno o pi? di altri ele ttrodi, alimentati da un poten_ z iale inferiore , del cine scopio, quando il ricevi_ tore r opera normalmente . In ogni caso, la formazione di archi all ' interno del cinescopio, si traduce nella formazione di un transitorio ad alta tensione , di natura oscillatoria, con picchi di tensione di polarit? positiva, e di polarit? negativa, spesso superiori a un centinaio di volt in corrispondenza dei terminali del circuito e che presentano una durata compresa fra uno e parecchi micro secondi.
La probabilit? che i dispositivi circuitali a semiconduttore vengano distrutti , o danneggiati dalla presenza di transitori ad alta tensione, aumenta quando questi circuiti sono disposti nelle vicinanze delle sorgenti dell ' alta tensione, con possibilit? di transitori associati, ad alta ten_ sione . In que sto caso , i terminali di uscita dei segnali dell ' elaboratore 15 sono collegati agli amplificatori pilota 24, 25, 2o del cinescopio i quali alimentano i segnali di uscita, ad alta ten sione , a gli ele ttrodi catodici del cinescopio 30. I piloti 24, 25, 26 del cinescopio vengono tipicamente polarizzati da un alimentatore ad alta 'tensione , in grado di fornire , ad e sempio, una tensione di 230 volt, tale tensione potendo venire alimentata, a d esempio, dall ' alimentatore 35 il quale alimenta pure tensioni operative, di li_ vello elevato e di livello molto elevato per il cine scopio 30, come precedentemente de scritto .
L ' elaboratore 15 include varie reti di elaborazione dei segnali per 1 1 applicazione dei rispettivi segnali rappresentativi dei colori, ai terminali di uscita 21, 22, 23. Una porzione della rete di elaborazione dei segnali e di accoppia_ mento di usci ta associata al segnale rappresentativo del colore rosso ( r) accoppiata al termina_ le 21, ? stata rappresentata come comprendente i transistori 40, 44, 45 ed un re sistore 41, disposti in conformit? a quanto illustrato . Ai terminali di uscita per i segnali rappresentativi del verde (?) e del blu ( b ) 22 e 23 risultano associate reti analogamente di sposte, per l ' elaborazione dei segna_ li e per l ' accoppiamento di uscita.
Il transistore 40 ? rappresentato da un tran_ sistore di amplificazione dei segnali, di bassa potenza e di bassa tensione, per lo sviluppo di segna_ li amplificati ai capi del resistore di carico del collettore 41. Il transistore 40 ? suscettibile di venire danneggiato, o distrutto, se viene permessa l'applicazione, al transistore 40 in questione, di notevoli tensioni transitorie indotte, ad esempio, in corrispondenza del terminale di uscita 21, dalla formazione di archi all'interno del cine_ scopio. Questi transitori,il cui valore pu? essere maggiore di un centinaio di volt, inteso come ampiezza picco-picco, possono pure danneggiare o distruggere il resistore di carico 41 quando il tran_ sistore 40 ed il resistore 41 vengono realizzati nello stesso circuito integrato, poich? i resistori di un circuito integrato, di piccola area, non possono, tipicamente, dissipare, in modo rapido, una notevole quantit? di energia termica che pu? essere associata a correnti di notevole intensit? indotte dalla pre_ senza di fenomeni transitori.
Il transistore 40 di amplificazione dei segnali ed il resistore 41 vengono protetti dagli effetti di notevoli tensioni transitorie per mezzo del circui_ to comprendente il transistore 44, a conduttivit? di tipo NPN ed il transistore 45 a conduttivit? di tipo PNP. Il transistore 44 risulta normalmente allo stato di conduzione per scopi di elaborazione dei segnali e lo stesso ? disposto sotto forma di
un circuito a ripetitore di emettitore,per accoppiare i segnali in uscita dal transistore 40, al terminale 21, in corrispondenza di una bassa impedenza di uscita di emettitore. L'emettitore del transistore a ripetitore di emettitore 44 risulta collegato al potenziale di riferimento, rappresentato dal potenziale della massa circuitale, attraverso un resistore di carico 51 posto all'ester__ no dell'elaboratore a circuito integrato 15.
Il posizionamento del resistore 51 all'esterno dell'elaboratore 15 ? desiderabile allo scopo di ridurre il riscaldamento dell'elaboratore a circu?^ to integrato 15 dovuto alla potenza dissipata da det_ to resistore 51. Il resistore 51 potrebbe tuttavia venire incluso nell'elaboratore 15. Il collettore del transistore a ripetitore di emettitore 44 risulta direttamente collegato ad una sorgente di potenziale operativo, di polarit? positiva V
Gli elettrodi di base e di emettitore, a bassa impedenza, del transistore 45, a conduttivit? di tipo PNP , sono direttamente collegati agli elettrodi di base e di emettitore, a bassa impedenza, del transistore 44, a conduttivit? di tipo NPN, rispe ttivamente . Il collettore del transistore 45 ? direttamente collegato al potenziale di riferime nto di massa. Nelle normali condiz ioni operative , la tensione di polarizzazione della giunzione baseemettitore del transistore 45, a conduttivit? di tipo PNP viene direttamente stabilita dalla tensione della giunzione base-emettitore del tran_ sistore 44, normalmente conduttivo . Pertanto, nelle normali condizioni di elaborazione dei segnali , la giunzione base-emettitore del tran_ sistore 45, a conduttivit? di tipo PNP, risulta polarizzata, in senso inverso, dalla tensione sviluppata ai capi della giunzione base-emettitore, polarizzata in senso diretto , del transistore 44. Conseguentemente , il transi store 45, a conduttivit? di tipo PNP, risulta normalmente allo stato di non conduzione e non comporta quindi alcuna influenza sui segnali che vengono normalmente convogliati verso il terminale di uscita 21 attraverso il transistore di amplificazione 40 ed il transistore a ripetitore di emettitore 44.
Le correnti associate ad un transitorio ad alta tensione, ad andamento negativo, presenti sul termi_ naie 21, vengono convogliate dal transistore 44, a conduttivit? di tipo NPN il quale stabilisce un per_ corso di circolazione della corrente per allontanare queste correnti transitorie dal transistore di amplificazione dei segnali 40. le correnti transitorie indotte in questo percorso circolano dalla sorgente che fornisce il potenziale operativo V , attraverso il tratto collettore-emettitore del tran_ sistore 44 ed il terminale 21, alla sorgente che ha fornito la tensione transitoria. Il transistore 45, a conduttivit? di tipo PNP, rimane allo stato di non conduzione in risposta a questi transitori di polarit? negativa.
Un transitorio ad alta tensione, di polarit? positiva, presente sul terminale 21, provoca la polarizzazione, in senso diretto, del transistore 45 a conduttivit? di tipo PNP e, pertanto, il transistore 45, allo stato di conduzione, stabilisce un per_ corso di corrente per allontanare le correnti indotte dai transitori positivi, dal transistore di amplificazione dei segnali 40. In questo caso, le correnti indotte dai transitori vengono convogliate verso massa, attraverso il percorso emettitore-collettore del transistore 45. Inoltre, la corrente di base del transistore 45 aumenta proporzionalmente all'aumento della corrente di emettitore indotta daitransitori, di intensit? superiore, del transistore 45, provocando un aumento proporzionale della tensione di base del transistore 44 a conduttivit? di tipo HPN. Se la tensione di base del transistore 44 diventa sufficientemente elevata, da polarizzare, in
senso diretto, la giunzione base-collettore del tran_ sistore 44, si verificher? la formazione di un percorso supplementare per 1'allontanamznto della corrente indotta dalla presenza dei transitori.
Questo percorso comprende la giunzione emettitorebase del transistore 45, a conduttivit? di tipo PNP, la giunzione base-collettore, polarizzata in senso diretto, nel transistore 44 di tipo NPN e
la sorgente che fornisce la tensione V . Qualsiasi corrente convogliata in quest'ultimo percorso risulta significativamente inferiore alla corrente indotta dai transitori, convogliata verso massa, attraverso il percorso emettitore-collettore del transistore 45 a conduttivit? di tipo PNP.
Il circuito di protezione precedentemente descrit_ to, richiede, vantaggiosamente, l'impiego di pochi componenti e non ? necessario che i transistori 44 e
45 siano rappresentati da dispositivi di grandi di__ mensioni o di potenza elevata. Pertanto,il circuito di protezione viene vantaggiosamente impiegato in un circuito integrato con una limitata area disponi^ bile. I transistori 44 e 45 presentano, intrinsecamente, una conduzione della corrente dei tran_ sitori del tipo ad auto-limitazione quando gli stessi conducono in risposta a transitori di eievata tensione. Questa conduzione della corrente dei transitori, intrinsecamente limitata, ? attribuibile alle resistenze distribuite di collettore dei transistori 44 e 45 e permette l'impiego di transistori 44 e 45 presentanti classiche configurazioni delle giunzioni base-emettitore. Inoltre, il circuito di protezione non altera la risposta di frequenza di uscita, o l'impedenza di uscita dell'elaboratore 15 per il normale trattamento, vale a dire la normale elaborazione dei segnali. A questo proposito deve essere rilevato che il transistore a ripetitore di emettitore 44 fornisce, normalmente, segnali di uscita in corrispondenza di una impedenza di basso livello, in accordo con i requisiti di ingresso del pilota 24 del cinescopio consentendo, nel contempo, di garantire una protezione in presenza di transitori di elevata tensione, di polarit? negativa.
I transistori 44 e 45 possono essere rappresenta_ ti da dispositivi strutturati in modo tradizionale.Nel caso di transitori di elevata tensione, associati, ad esempio, alla formazione di archi all'inter_ no del cinescopio, i transitori di tensione vengono indotti, in corrispondenza del terminale di uscita 21, attraverso un'effettiva impedenza di valore elevato la quale, in combinazione con le basse impedenze di emettitore dei transistori 44 e 45 fornisce un transitorio di tensione attenuato, in misura significativa,in corrispondenza del terminale 21. Tuttavia, a questi transitori risultano tipicamente associate correnti di livello elevato, potenzialmente distruttive. Come precedentemente indicato, le ?correnti transitorie convogliate dai transistori 44 e 45 vengono limitate, come ampiezza, per mezzo delle resistenze di collettore intrinsecamente distribuite, appartenenti a que_ sti transistori. Inoltre, l'energia termica associata a queste notevoli correnti transitorie, pu? venire convogliata dai transistori 44 e 45 poich? la regione di collettore, relativamente ampia, di un transistore di tipo tradizionale favorisce la distribuzione di questa energia termica,in modo tale da eliminare la distruzione dei transistori.
Il circuito di protezione precedentemente de
Claims (1)
- RIVENDICAZIONI1. In un sistema elaboratore di segnali, comprendente un terminale di uscita, in corrispondenza del quale possono verificarsi transitori spurii ad alta tensione, ed un dispositivo semiconduttore su_ scettibile di venire danneggiato per effetto delle sollecitazioni elettriche provocate da transitori ad alta tensione,un primo transistore normalmente allo stato di conduzione, presentante un primo tipo di conduttivit?, dotato di un primo elettrodo di ingresso accoppiato a detto dispositivo semiconduttore, un secondo elettrodo, di bassa impedenza, accoppiato a detto terminale di uscita, ed un terzo elettrodo accoppia_ to ad un primo potenziale operativo, e con detto se_ condo elettrodo che determina un percorso di conduzione della corrente principale di detto primo transistore, detto primo transistore essendo normalmente operativo per accoppiare i segnali da detto dispositivo semiconduttore a detto terminale di uscita, caratterizzato dal fatto che comprende :un secondo transistore (45), normalmente non conduttivo, presentante un tipo di conduttivit? opposto a quello di detto primo transistore (44), con un primo elettrodo (base) accoppiato a detto primo elettrodo (base) di detto primo transistore (44), un secondo elettrodo (emettitore), di bassa impedenza, accoppiato a detto secondo elettrodo (emettitore) di detto primo transistore (44) e a detto terminale di uscita (21) ed un terzo elet_ trodo (collettore) accoppiato ad un secondo potenziale operativo (massa circuitale) e con detto secondo elettrodo (emettitore) determinante un percorso principale di conduzione della corrente di detto secondo transistore (45), detto fficondo tran__ sisto re (45) venendo commutato allo stato di conduzione in risposta a transitori presenti in corri__ spondenza di detto terminale di uscita (21), presentanti una prima polarit?, per allontanare le associate correnti transitorie verso detto secondo potenziale operativo (massa circuitale), attraverso det to percorso principale di conduzione della corrente di detto secondo transistore (45);detto primo transistore essendo in grado di allontanare i transitori di corrente associati a transitori ad alta tensione, di polarit? opposta, verso detto primo potenziale operativo (+V ) attraverso detto percorso principale di conduzione della corrente di detto primo transistore (44).2. Sistema elaboratore di segnali secondo la rivendicazione 1, caratterizzato dal fatto che detto primo elettrodo (base) e detto secondo elet_ trodo (emettitore) di detto primo transistore definiscono una giunzione a semiconduttore presentante, normalmente, una tensione di polarizzazione ai capi della stessa; edetto primo elettrodo (base) e detto secondo elettrodo (emettitore) di detto secondo transistore (45) definendo una giunzione a semiconduttore la cui polarizzazione viene normalmente stabilita,prevalentemente , dalla tensione di polarizzazione sviluppata ai capi di detta giunzione a semiconduttore di detto primo transistore (44), allo scopo di mantenere normalmente allo stato di non conduzione detto secondo transistore (45).Sistema elaboratore di segnali secondo la rivendicazione 1, o la rivendicazione 2, carat_ terizzato dal fatto che detto primo, detto secondo e detto terzo elettrodo di detto primo transistore e di detto secondo transistore corrispondono, ri__ spettivamente , agli elettrodi di base, di emetti^ tore e di collettore.4. Sistema elaboratore di segnali secondo la rivendicazione 3, caratterizzato dal fatto che detto primo transistore (44) ? costituito da un transistore a conduttivit? di tipo NPN per allon_ tanare le correnti transitorie associate ai transi_ tori ad alta tensione, di polarit? negativa; e dal fatto che detto secondo transistore (45) ? costituito da un transistore a conduttivit? di tipo PNP, per allontanare le correnti transitorie associate ai transitori ad alta tensione, di polarit? positiva.5<i Sistema elaboratore di segnali secondo la rivendicazione 1, presentante mezzi di utilizzazione per ricevere i segnali da detto terminale di uscita, caratterizzato dal fatto che comprende;una impedenza di carico e di emettitore (51) per detto primo transistore (44), collegata fra detto tenninale di uscita (21) e detti mezzi di utilizzazione (24, 30).6 Sistema elaboratore di segnali secondo la rivendicazione 1,in cui detto sistema comprende un ricevitore televisivo, caratterizzato dal fatto che comprende :un cinescopio (30) per la riproduzione di immagini, suscettibile di produrre transitori ad alta tensione per effetto della formazione di archi all'interno di detto cinescopio;una sorgente (35) in grado di fornire le tensioni operative, incluse le elevate tensioni operative, o di lavoro, per detto cinescopio (30); e un amplificatore pilota (24) del cinescopio, per alimentare, a detto cinescopio (30) una versio_ ne amplificata dei segnali sviluppati in corrispon_ denza di detto terminale di uscita (21).
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US4133000A (en) * | 1976-12-13 | 1979-01-02 | General Motors Corporation | Integrated circuit process compatible surge protection resistor |
DE2659044C3 (de) * | 1976-12-27 | 1981-07-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltungsanordnung zum Schutz eines gegengekoppelten zweistufigen Verstärkers gegen Überlastung und Kurzschluß |
US4106048A (en) * | 1977-04-27 | 1978-08-08 | Rca Corp. | Integrated circuit protection device comprising diode having large contact area in shunt with protected bipolar transistor |
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US4282556A (en) * | 1979-05-21 | 1981-08-04 | Rca Corporation | Input protection device for insulated gate field effect transistor |
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