JPS5853696Y2 - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、薄膜作製技術を用いて形成される誘導型薄膜
磁気ヘッドに関する。

薄膜磁気ヘッドは、微細な形状に容易に作製できるので
磁気記録における高密度記録再生用ヘッドとして注目さ
れており、特に高トラツク密度記録再生用の狭トラツク
磁気ヘッドを得るのに有効である。

しかし、非常にトラック巾の狭い狭トラツク磁気ヘッド
を得るために、磁極を形成する高透磁率磁性膜のトラッ
ク巾をヨーク長に比べて小さくすると、形状異方性によ
り上記磁性膜内の磁化がトラック巾と直角方向に向き易
くなる。

このため磁気記憶媒体からの再生信号磁界又は書き込み
電流から生じる書き込み信号磁界に応答する時の前記磁
性膜内の磁化機構は磁壁の移動によるものが主となり、
その結果、再生及び書き込み時の前記磁性膜の磁化の応
答速度は低下する。

これは高周波数領域での磁気ヘッドの効率低下を招く。

又前記トラック巾と直角方向の磁化により磁極を形成す
る前記磁性膜の磁気記憶媒体対向面に磁荷が現われ、と
の磁荷か、ら生じる磁界で磁気記憶媒体に記憶された磁
気信号を減磁する、いわゆる再生減磁の問題が生じる。

従って、従来のままでは高性能の狭トラツク薄膜磁気ヘ
ッドを形成するのは困難であった。

本考案の目的は、高性能な狭トラツク薄膜磁気ヘッドを
提供することであり、その特徴とするところは、狭トラ
ツク薄膜磁気ヘッドの磁極を構成する高透磁率磁性膜を
その磁化容易軸がトラック巾方向になるように形成し、
かつこの狭トラツク薄膜磁気ヘッドの近傍の適当な位置
に配置された永久磁石小片から生じる磁界によりこの狭
トラツク薄膜磁気ヘッドのトラック巾方向に直流バイア
ス磁界を加えることによって、前記高透磁率磁性膜内の
磁化をトラック巾方向に向かせることである。

すなわち、本考案による磁気ヘッドの基本構成は、少く
とも一層がその磁化容易軸がトラック巾方向になるよう
に形成された高透磁率強磁性薄膜から成る狭トラツク薄
膜磁気ヘッドと、その近傍に配置された永久磁石小片と
より成る。

次に本考案を図面を用いて説明する。

第１図ａは、本考案の第一の実施例を模式的に示したも
のであり、第１図すは、特に狭トラツク薄膜磁気ヘッド
の部分を解り易い様に拡大して示したものである。

基板２上に形成されたトラック巾Ｗが磁極を形成する高
透磁率磁性膜３，４の磁路長、即ちヨーク長しよりも短
い狭トラツク薄膜磁気ヘッド１の側面に、あらかじめＸ
軸方向１３に磁化しである永久磁石小片１２が配置され
、さらにこれらが磁気記憶媒体１１に垂直に近接してお
かれる。

ここで前記磁性膜３，４は、トラック巾方向が容易軸方
向となる様にトラック巾方向に一定磁界を印加した状態
で形成される。

しかしこのままでは、磁性膜３，４内の磁化は、形状異
方性による分散を生じ易い。

そこで永久磁石小片１２によってバイアス磁界９がトラ
ック巾方向１０に加えられることにより、異方性分散が
おさえられその結果無信号時における磁性膜３，４内の
磁化はトラック巾方向１０に向けられる。

（以下この状態をバイアスされたと呼ぶ。

）この様に狭トラツク薄膜磁気ヘッドのトラック巾方向
に直流磁界を印加することを特徴とする公知技術として
特公昭５３−４１４５２号公報に記載の磁気記録再生装
置があるが、本発明はこれとは本質的に異なるものであ
る。

すなわち特公昭５３−１１４５２号の装置では磁極を形
成する磁性膜は、トラック巾と直角方向が容易軸となる
様に形成されており、これにトラック巾方向の直流磁界
を印加して容易軸方向の交流信号磁界の検出を行ってい
る。

この装置は確かに高速応答という特徴を有する。

しかし無信号時には、磁極を構成する磁性膜内の磁化（
通常は複数の磁区より成る）はトラック巾方向に向いて
いないため、トラック巾と直角方向の磁化成分が存在し
、これにより磁極を形成する前記磁性膜の磁気記録媒体
対向面に磁荷が現われ、との磁荷から生じる磁界で前記
媒体上の信号磁化を減磁する、いわゆる再生減磁の問題
が生じる。

また再生時には前記複数の磁区の境界に存在する磁壁が
移動するが、この時バルクハウゼンノイズを生じ易いと
いう欠点をもっている。

一方、本考案では磁極を形成する磁性膜は、トラック巾
方向が容易軸となる様に形成されてトリ、この磁性膜形
成時に生じる形状異方性による分散をトラック巾方向の
直流磁界印加によりなくし、その結果無信号時には磁極
を構成する磁性膜内の磁化はトラック巾方向に向けられ
ている。

従って、無信号時には磁極を構成する磁性膜内にトラッ
ク巾と直角方向の磁化成分がないため、上述の様な再生
減磁の問題は生じない。

又、困難軸方向信号磁界印加による、磁化の回転モード
で動作するため高速応答である。

この様に、本考案と特公昭５３−１１４５２号公報記載
の磁気記録再生装置との相違は明らかである。

なおトラック巾方向を容易軸とする磁気ヘッドはジエイ
・ピー・ラザリとアイ・メルニクによる６集積磁気記録
ヘツドアイ・イー・イー・イートランサクション・オン
・マグネティクス、ｐｐ６０１−６０３．９月、１９７
０年もしくはジエイ・ピー・ラザリとアイ・メルニクに
よる”集積磁気記録ヘッドアイ・イー・イー・イートラ
ンサクションズ・オン・マグネティクス、Ｖｏｌ−ＭＡ
Ｇ ７ 、ＡＩ 、ＰＰ１４６−１５０゜３月、１９
７１年に記載されているが、形状異方性による分散を少
くするため磁性膜と非磁性膜を交互に多数積み重ねた配
置をとっているため極めて高度な技術を要する上に良品
率が悪いという欠点があった。

本考案ではそれを外部から永久磁石小片の発する磁界に
よってトラック巾方向に磁化をそろえさせ、分散を少く
しているものであり、極めて容易にしかも良品率も高く
製作できるという利点をもっている。

本考案をさらに具体的にするために、材料、形状及び構
成についての１例を示す。

狭トラツク薄膜磁気ヘッドの磁極を形成する磁性膜３，
４としては、厚さ数ミクロン、トラック巾数十ミクロン
。

ヨーク長数十〜数百ミクロンのパーマロイ等の高透磁率
強磁性薄膜、書き込み信号電流を流したり、再生時の誘
導出力を検出する導電体層６としては厚さ数千オングス
トロームないし数ミクロンの金や銅やアルミニウム等、
上記磁性膜３，４と導電体６との電気的絶縁層５として
は厚さ数千オングストロームのＳｉＯや５ｉＯｚやＡｌ
２Ｏ３等、基板２としては、シリコン単結晶やガラス又
はフェライトブロック等が適する。

永久磁石小片１２としては例えばアルニコ、フェライト
、バリウムフェライト、希土類コバルト合金、ニッケル
ーコバルト−リン合金、ニッケル、リン合金もしくは酸
化クロム等またはこれらの素材の粉末を接着剤もしくは
プラスチックゴムで固めたもの等を適当な大きさに加工
したものが適し、媒体の磁化に影響を与えないで、前記
磁性膜３，４に所望の直流バイアス磁界が加わる様に薄
膜磁気ヘッドの近傍に配置される。

上述め永久磁石小片の材料及び形状は一例にすぎず、単
に永久磁石に限らず保磁力の大きな磁性材料であれば何
でも良く、その大きさ、数、及び設置位置も適宜選択さ
れる。

第２図は本考案の第２の実施例を示したもので、永久磁
石小片１２が基板２上の狭トラツク薄膜磁気ヘッド１の
後方、即ち磁気記憶媒体から遠ざかる位置に設置された
場合を示す。

第３図は、本考案の第３の実施例を示したもので、永久
磁石小片１２が狭トラツク薄膜磁気ヘッド１と基板２と
の間に設置されている。

第４図は本考案の第４の実施例を示したもので、永久磁
石小片１２が、狭トラツク薄膜磁気ヘッド１の上方に設
置されている。

第５図は本考案の第５の実施例を示したもので、永久磁
石小片１２が基板２を兼ねる場合である。

第６図は本考案の第６の実施例を示したもので、永久磁
石小片１２が、スライダ１４に設置されている。

第７図は本考案の第７の実施例を示したもので永久磁石
小片１２が、スライダ１４を兼ねる場合である。

第８図は本考案の第８の実施例を示したもので、永久磁
石小片１２が磁気ヘッド支持機構のアーム１６に設置さ
れている。

以上の説明においては、本考案で有効な狭トラツク薄膜
磁気ヘッド１として半ターンのものを挙げたが、導電体
６のターン数が２以上の、いわゆるマルチターンヘッド
にも全く同様に適用可能である。

又、第１図、第２図、第４図、第６図及び第８図に示し
た実施例において第１層目の磁極は高透磁率なフェライ
ト基板等で置きかえても良い。

本考案によれば、薄膜磁気ヘッドの磁極を構成する高透
磁率磁性膜内の磁化はトラック巾方向を容易軸とするよ
うに形成され、かつその方向に簡単な手段によってバイ
アスされているため書き込み時及び再生時には、磁性膜
３，４の磁化がトラック巾方向と直交する方向に回転す
ることになり、この様な磁化の回転動作は応答速度が速
く再生時のバルクハウゼンノイズも少く、又磁気記憶媒
体１１の対向面には磁荷を生じないので、再生減磁のな
い良好なる狭トラツク薄膜磁気ヘッドを構成することが
できる。

又本考案は、比較的広いトラック巾の薄膜磁気ヘッドに
も有効に適用されることは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の第１の実施例を示すもので、ａは概略
斜視図、ｂは薄膜磁気ヘッド部の拡大斜視図である。 第２図乃至第８図はそれぞれ第２乃至第８の実施例を示
す概略斜視図である。 １・・・狭トラツク薄膜磁気ヘッド、２・・・基板、３
・・・上部磁極、４・・・下部磁極、５・・・絶縁層、
６・・・コンダクタ、７・・・電極取出端子、８，１０
・・・磁性膜内の磁化、９・・・バイアス磁界、１１・
・・磁気記憶媒体、１２・・・永久磁石小片、１３・・
・永久磁石小片の磁化方向、１４・・・スライダ、１５
・・・浮揚バネ、１６・・・ヘッドアーム。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 磁極を構成する高透磁率磁性体の少なくとも一層が
   薄膜である薄膜磁気ヘッドにおいて、前記高透磁率磁性
   膜はその磁化容易軸がトラック巾方向になるように形成
   され、かつ薄膜磁気ヘッドの近傍に設置された永久磁石
   により高透磁率磁性膜のトラック巾方向に直流バイアス
   磁界が印加されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２ 永久磁石が、薄膜磁気ヘッドが形成されている基板
   上に設置されている実用新案登録請求の範囲第１項記載
   の薄膜磁気ヘッド。 ３ 永久磁石が薄膜磁気ヘッドの上方又は下方に設置さ
   れている実用新案登録請求の範囲第１項記載の薄膜磁気
   ヘッド。 ４ 薄膜磁気ヘッドが形成されている基板が永久磁石材
   料からなる実用新案登録請求の範囲第１項記載の薄膜磁
   気ヘッド。 ５ 永久磁石がスライダ上に設置されている実用新案登
   録請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。 ６ 永久磁石がスライダを兼ねることを特徴とする実用
   新案登録請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。 ７ 永久磁石が、磁気ヘッド支持機構のアーム上に設置
   されている実用新案登録請求の範囲第１項記載の薄膜磁
   気ヘッド。 ８ 永久磁石として、アルニコ、フェライト、バリウム
   フェライト、希土類−コバルト合金、ニッケルーコバル
   ト−リン合金、ニッケルーリン合金もしくは酸化り、ロ
   ム等またはこれらの素材の粉末を接着剤もしくはプラス
   チックゴムで固めたものを用いる実用新案登録請求の範
   囲第１項から第７項までのいずれか一つに記載の薄膜磁
   気ヘッド。