JPS5853522B2 - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents

弾性表面波素子の製造方法

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JPS5853522B2
JPS5853522B2 JP8897279A JP8897279A JPS5853522B2 JP S5853522 B2 JPS5853522 B2 JP S5853522B2 JP 8897279 A JP8897279 A JP 8897279A JP 8897279 A JP8897279 A JP 8897279A JP S5853522 B2 JPS5853522 B2 JP S5853522B2
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JP
Japan
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electrode terminal
transducer
acoustic wave
surface acoustic
manufacturing
Prior art date
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Expired
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JP8897279A
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English (en)
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JPS5613818A (en
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久夫 岩本
昇 若月
正明 小野
成生 丹治
嘉朗 藤原
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5853522B2 publication Critical patent/JPS5853522B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は弾性表面波素子の圧電基板チップを製造する方
法の改善に関する。
圧電基板上に少なくとも一対の入カドランスジューサと
出カドランスジューサを対向して形成し、前記入カドラ
ンスジューサに信号電圧を印加して弾性波を発生させ、
該弾性波を人力した前記出カドランスジューサがそれを
電気信号lこ変換して出力する弾性表面波素子は、超高
周波超音波技術・圧電単結晶育成加工技術及び微細パタ
ーン作成技術の展開により、通信工学的な立場から注目
されている。
第1図に、代表的弾性表面波素子の一つである弾性表面
波フィルタの基本的主要構造を示す。
図において、圧電材からなる基板1の表面には、導体か
らなる一対のすだれ状入カドランスジューサ2とすだれ
秋田カドランスジューサ3と、前記入カドランスジュー
サ2及び3に対応するところの導体からなる電極端子4
と、前記入出カドランスジューサ2及び3を前記電極端
子4に接続する導体5を形成したフィルタチップ6は、
絶縁材からなる容器基板7に搭載される。
容器基板7には、フィルタチップ6の電極端子4にそれ
ぞれ対応する複数の導体バッド8が形成してあり、該導
体バラ+゛8には外部リード端子9を固着すると共に、
導体ワイヤ10を介して、電極端子4と接続されている
然る後、図示しない容器カバーを容器基板7に固着して
、フィルタチップ6が容器内に封入される。
このようなフィルタチップ6は、通常数量程度の大きさ
であり、直径数の程度の圧電材からなるウェーハより複
数個を同時作製している。
その主要工程は、従来、捷ず圧電ウェー・・上にアルミ
ニウム等のトランスジューサ形成材からなる膜を被着し
、ついで前記トランスジューサ形成材膜をホトリソグラ
フィによって選択的に除去して入出カドランスジューサ
2と3及び接続導体5を形成し、金や銅等の電極端子形
成材をリフト・オフ法又はマスク蒸着法等によって選択
的に被着して電極端子4を形成していた。
そのため、電極端子4を形成する際には、予め充分な洗
滌工程を経るに掛わらず、前工程における微視的汚染の
残ることがあり、該残余汚染は電極端子4の密着性を損
う欠点があった。
本発明の目的は上記欠点を除去することであり、この目
的は、圧電基板上にトランスジューサ形成材を被膜する
工程、前記トランスジューサ形成膜上に電極端子形成材
を所要間隔の縞状に被膜する工程、露出する前記トラン
スジューサ形成膜を選択的に除去してトランスジューサ
を形成する工程、前記電極端子形成膜を選択的に除去し
て電極端子を形成する工程を順次含むことを特徴とする
弾性表面波素子の製造方法を提供して達成される。
以下、図面を用いて本発明の一実施例を説明する。
第2図〜第5図は、本発明による方法を用いて第1図に
示すフィルタチップ6を作製する主要工程を示す。
ただし、第2図と第3図のa図及び第4図及び第5図は
、各工程処理を施した圧電材ウェーハの平面図であり1
第2図と第3図のb図は、それぞれのa図の断面図であ
る。
1ず、第2図において、圧電材例えばニオブ酸リチウム
(LiTa08)の単結晶を焼鈍、分極操作の後に切断
、研摩してなるウェーハ11の上面には、例えば導電性
に優れた軽金属であるアルミニウムからなる入出カドラ
ンスジューサ形成膜12を被着する。
ついで第3図において、入出カドランスジューサ形成J
[12の上には、例えばニッケルクローム又はクローム
の蒸着膜に金又は銅の蒸着膜を積層してなる電極端子形
成膜13を、所要幅と所要間隔の縞状に被着する。
ただし、前記所要幅は、第1図の電極端子4の上下方向
幅と同じ又はやや広い幅とし、前記所要間隔は、第1図
の入出カドランスジューサ2及び3の上下方向幅と、導
体5を形成するための幅と、ウェーハ11をフィルタチ
ップ6に切断するための幅を加算した値と同程度の寸法
とする。
ついで第4図において、トランスジューサ形成膜12の
露出部分をホトリングラフィによって選択的に除去し、
第1図に示す如く、互に入り組んだすだれ状の入出カド
ランスジューサ2及び3並びに接続導体5を形成する。
ついで第5図に訃いて、電極端子形成膜13をホトリソ
グラフィによって選択的に除去し、前工程で形成された
接続導体5の一端に接続す電極端子4を形成する。
然る後、第5図に一点鎖線14で示す如く、ウェーハ1
1を切断して、複数のフィルタチップ6を得る。
以上説明したように、本発明による弾性表面波素子の製
造方法は、1ず必要な被膜工程を連続して実施した後、
その選択的除去工程を連続して遂次実施するため、被膜
間の密着性が向上して製品の信頼度を高めたと共に、工
程間流れが単純化し、所要パターンを形成するためのマ
スク合せが容易になった経済効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は弾性表面波フィルタの構造概要図、第2図〜第
5図は本発明の一実施例における弾性表面波フィルタチ
ップの主要工程説明図。 1・・・・・・圧電基板、2・・・・・・入カドランス
ジューサ、3・・・・・・出カドランスジューサ、4・
・・・・・電極端子、5・・・・・・接続導体、6・・
・・・・フィルタチップ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 圧電基板上に少なぐとも一対の入カドランスジュー
    サ出カドトランスジューサ及び前記入出カドランスジュ
    ーサに導体接続した電極端子を形成してなる弾性表面波
    素子において、前記圧電基板上にトランスジューサ形成
    材を被膜する工程、前記トランスジューサ形成膜上に電
    極端子形成材を所要間隔の縞状に被膜する工程、露出す
    る前記トランスジューサ形成材膜を選択的に除去して前
    記トランスジューサ及び前記導体を形成する工程、前記
    電極端子形成膜を選択的に除去して前囮電極端子を形成
    する工程を順次含むことを特徴とする弾性表面波素子の
    製造方法。
JP8897279A 1979-07-13 1979-07-13 弾性表面波素子の製造方法 Expired JPS5853522B2 (ja)

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JPS5613818A JPS5613818A (en) 1981-02-10
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DE3687783D1 (de) * 1985-12-05 1993-03-25 Siemens Ag Oberflaechenwellenbauelement.

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