JPH01233815A - 電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野Ｊ 本発明は、相互に近接する複数の主電極及び外部接続用
の取出し電極を有する電子部品の製造方法に関し、特に
上記主電極間のマイグレーシランの発生を抑制できると
ともに、製造工程を削減して生産性を向上できるように
した製造方法に関する０本発明は、例えばガラス基板の
表面に、インターディジタル型の人、出カドランスデュ
ーサ及び取出し電極を形成してなる表面波素子に最適で
あるので、以下この表面波素子を例にとって説明する。

〔従来の技術〕

一般に、テレビジラン受像機のＶＩＦフィルタとして採
用される弾性表面波素子の一例として、第４図に示す構
造のものがある。この表面波素子１は、ガラス基板２０
表面に、Ａ１″ｉ極膜からなるインターディジタル型の
入カドランスデューサ３を形成し、該入カドランスデュ
ーサ３と所定の間隔をあけて出力１ランスデユーサ４を
形成するとともに、上記人、出カドランスデューサ３．
４にそれぞれ取出し電極５．６を接続形成して構成され
ている。

ところで、上記表面波素子１の各トランスデュ−サ３，
４は、重み付は電極３ａ、３ｂ又は４ａ。

４ｂを、例えば数μｍごとの間隔で形成して構成されて
いるから、隣合う重み付は電極３ａ、３ｂ同士及び４ａ
、４ｂ同士は非常に近接した状態となる。そのため、電
圧が印加されるとマイグレーションを起こしｒＲ不良が
発生するという問題がある。

そこで、上記重み付は電ｔｆ＋３ａ、３ｂ、４ａ。

４ｂの表面に酸化膜を形成してマイグレーションを防止
するようにした製造方法が考えられる。この方法は、第
３図に示すように、ガラス基板２の上面の全面に蒸着に
よりＡ１膜を形成し、ｉｆ　Ａ　１膜の上面の上記人、
出カドランスデューサ及び取出し電極部分にレジスト膜
７を形成した後Ａ７膜膜のエツチング処理を施す（第３
図（８））。次に、上記人、出カドランスデューサ３．
４及び取出し電８ｉ５．６の上面のレジスト膜７を剥離
除去した後、大気中で２００″ｔ’Ｘ　３　ｈ　ｒの表
面酸化処理を施し、上記ＡＩ電極の表面に酸化膜８を生
成させる（第３図（ｂｌ）、そして、これの上面にスパ
ッタリングによりＺｎＯ膜９を形成する（第３図（Ｃ）
）。これにより、各重み付は電極３ａ、３ｂ、４ａ、４
ｂは酸化膜８で覆われていることから、マイグレーショ
ンの発生を大幅に低減できる。

ところで、上記マイグレーションの防止方法では、酸化
膜８が取出し電極５．６の上面にも形成されることとな
り、該取出し電極５．６にそのままの表面状態で外部端
子としての金属端子やボンディングワイヤを接続した場
合、導通性が悪化して接続不良を起こし易いという懸念
がある。上記導通性を確保するためには、レジスト膜７
をｆＪｌ　離除去した後、酸化処理を行う前に、上記取
出し電極５．６部分に酸化防止膜をコーティングし、こ
の状態で酸化処理した後に該酸化防止膜を除去し、しか
る後外部端子を接続すればよいと考えられる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら上記製造方法では、取出し電極に酸化防止
膜をコーティングし、酸化処理した後、該酸化防止膜を
除去し、しかる後外部端子を接続するという余分な製造
工程が増えることから、生産性が低いという問題点が生
じる。

本発明の目的は、相互に近接した主電極間に生じるマイ
グレーションを防止できるとともに取出し電極と端子と
の接続性を確保でき、しかも酸化防止膜のコーティング
処理工程を省略して生産性を向上できる電子部品の製造
方法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、基板表面に形成されたＡｌ１ＩＩＩの上面に
、互いに近接した複数の主電極、及び咳主電極に連なる
取出し電極に対応した形状の酸化防止可能なレジスト膜
を形成した後、エツチング処理を施し、この状態で酸化
処理を施して各電極の側面に酸化膜を生成させた後、上
記主電極及び取出し電極の上面のレジスト膜を＃Ｉ離除
去するとともに、該取出し電極に外部端子を接続するこ
とを特徴とする電子部品の製造方法である。

ここで、本発明のＡｌ１１１ｉ極には、純ＡＩ！、電極
及びＡＩにＣｕ、Ｔｉ、Ｓｉ等の添加物を含有した電極
が含まれる。

〔作用〕

本発明に係る電子部品の製造方法によれば、主電極及び
取出し電極の上面に酸化防止可能なレジスト膜を残した
状態で、酸化処理を行って上記主ａｉ、取出し電極の側
面のみに酸化膜を生成させ、しかる後上記レジスト膜を
剥離除去して、上記取出し電極に外部端子を接続するよ
うにしたので、つまりレジスト膜を従来の酸化防止膜と
して利用することにより取出し電極の上面に酸化膜が形
成されないようにしたので、従来の酸化防止膜をコーテ
ィングする工程及びこれを除去する工程が省略でき、こ
の分だけ生産性を向上できる。

また、本発明の製造方法では、主電極の側面のみに酸化
膜が形成されることとなるが、実験の結果、従来の主電
極の上面をも酸化させた場合と比べてマイグレーション
抑制効果はほとんど変わらないことが判明している。こ
れは以下の理由によるものと考えられる。即ち、マイグ
レーションは、電極同士を近接させて配置することによ
り生じるものであるが、近接配設した場合、電極の側面
同士は実際に互いに近距離で対向するものの、上面同士
は相当の距離がおいており、しかも対向していない、従
って、主電極の上面に酸化膜がない状態で近接配置して
も、この上面はマイグレーションの発生にはほとんど影
響はないものと考えられる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図について説明する；第１図は
本発明の一実施例による表面波素子の製造方法を説明す
るための図であり、この図は第４図に示す表面波素子の
入カドランスデューサ部分を表面波の進行方向に切断し
た状態に対応している。

■　まず、ガラス基板１１の上面の全面に蒸着によりＡ
Ｉ膜１２を形成する。そして、このＡＩ膜１２の上面に
、入９出力トランスデエーサ及び取出し電極の各パター
ン形状に応じたマスクを載置し、このマスクの上面から
酸化防止可能なレジスト液を塗布してレジスト［１３を
形成する（第１図１ａｌ）。

■　次に、上記ガラス基板１１をエツチング液に浸漬す
る。すると、Ａ１膜１２の上記レジスト膜１３を除く部
分が除去され、入力トランスデエーサの重み付は電極１
４及びこれに接続された取出し電極１５が形成される。

■　上記レジスト１１１３が残っている状態で、ガラス
基板１１を大気中で２００℃×３ｈ「の酸化処理を施し
、各重み付は電極１４．取出し電極１５の側面に酸化膜
１６を生成させる（第１図（ｂｌ）。

■　次に、上記ガラス基板１１をレジスト除去液中に浸
漬して、上記重み付は電極１４及び取出し電極１５上面
のレジスト膜１３を剥離除去する。

さらに、上記取出し電極１５の上面にバンプ蒸着などを
行ったのちに端子１７を半田付は接続、あるいはワイヤ
をボンディングする（第１図（Ｃ１）。

■　そして、上記ガラス基板１１の上面に、スパッタリ
ングによりＺｎＯ膜１８を形成する。これにより本実施
例の表面波素子ｌＯが製造されることとなる。

このように本実施例の製造方法によれば、レジスト膜１
３を残した状態で、つまりレジスト膜１３を従来の酸化
防止膜として利用することにより、上記各電極１４．１
５の側面のみに酸化膜１６を生成させ、しかる後上記レ
ジスト膜１３を除去するとともに、上記取出し電極１５
に端子１７を半田付けしたので、従来の酸化防止膜をコ
ーティングする工程及びこれを除去する工程が省略でき
るから、それだけ生産性を向上できる。

また、本実施例では、重み付は電極１４の側面に酸化Ｍ
４１６が形成されているから、この重み付は電極１４同
士を近接配置した場合にもマイグレーシツンの発生を大
幅に抑制できる。この場合、重み付は電極１４の上面に
は酸化膜は形成されていないが、そのマイグレーション
抑制効果は上面にも酸化膜を形成した場合とほとんど変
わらない。

第２図は上記実施例による電極の側面のみに酸化膜を形
成した場合のマイグレーション抑制効果を説明するため
の実験結果を示す特性図である。

この実験は、上記実施例方法により製造された表面波素
子にＤＣ３００ｖを印加し、マイグレーシリンが発生す
るまでの時間を測定して行った。また、比較のために、
Ａｌ＠極に酸化処理を施していないもの、及びＡｊｌ’
ｉｉ掻の上面にも酸化処理を施したものをそれぞれ採用
して同様の方法にて測定をした０図中、○印は本実施例
の側面のみに酸化膜を形成した場合、・印は側面及び上
面に酸化膜を形成した場合、ｘ印は酸化膜処理をしてい
ない場合を示す。

第２図からも明らかなように、酸化膜処理を施していな
い場合（×印）は、いずれも３時間程度でマイグレーシ
ョンが生じている。これに対して、酸化膜処理を施した
場合（○、・印）は、いずれも４時間以上と延びている
。また、側面のみに酸化膜を形成した場合（Ｏ印）にも
、上面にも形成した場合（・印）とほとんど同程度のマ
イグレーション抑制効果が得られていることがわかる。

なお、上記実施例では、表面波素子を例にとって説明し
たが、本発明はこの表面波素子に限られるものではなく
、基板上に近接するＡＩ電極及び取出し電極を形成して
なる電子部品で、しかも上記各電極をレジストエツチン
グ法により製造する場合であればいずれにも適用できる
。また、上記実施例では基板がガラス基板である場合を
例にとって説明したが、本発明は、勿論この基板が圧電
基板である場合にも適用できる。

〔発明の効果〕

以上のように本発明に係る電子部品の製造方法によれば
、主電極及び取出し電極の上面にレジスト膜を残した状
態で酸化処理を行い、上記主電極の側面に酸化膜を形成
した後、上記レジスト膜を剥離除去して外部端子を接続
するようにしたので、マイグレーシランの防止効果を確
保しながら、製造工程を省略でき、それだけ生産性を向
上できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図ｒａｔないし第１図ｆｄ＋はそれぞれ本発明の一
実施例による表面波素子の製造方法を説明するための工
程図、第２図は本実施例の効果を確認するための実験結
果を示す特性図、第３図（ａ）ないし第３図ｉｃｌは本
発明の成立過程を説明するための製造方法を示す工程図
、第４図は一般的な表面波素子を示す平面図である。 図において、１０は表面波素子（電子部品）、１１はガ
ラス基板（基板）、１２はＡβ膜、１３はレジスト膜、
１４は重み付は電極（主電極）、１５は取出し電極、１
６は酸化膜、１７は端子（外部端子）である。 特許出願人　　株式会社　村田製作所 代理人　　　　弁理士　下　市　　努 第１図 第　　２　　図 島

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　基板の表面に、互いに近接する複数の主電極及
   び該主電極に連なる取出し電極を形成するとともに、該
   取出し電極に外部端子を接続する電子部品の製造方法に
   おいて、上記基板表面の全面にＡｌ膜を形成し、該Ａｌ
   膜の上面に、上記主電極及び取出し電極に対応した形状
   のレジスト膜を形成した後上記Ａｌ膜のエッチング処理
   を施し、この状態で酸化処理を施して上記各電極のレジ
   スト膜から露出する側面部分に酸化膜を形成した後、上
   記主電極及び取出し電極の上面のレジスト膜を剥離除去
   するとともに、該取出し電極に外部端子を接続すること
   を特徴とする電子部品の製造方法。