JPS5853377A - サブマ−ジア−ク溶接方法 - Google Patents
サブマ−ジア−ク溶接方法Info
- Publication number
- JPS5853377A JPS5853377A JP15214981A JP15214981A JPS5853377A JP S5853377 A JPS5853377 A JP S5853377A JP 15214981 A JP15214981 A JP 15214981A JP 15214981 A JP15214981 A JP 15214981A JP S5853377 A JPS5853377 A JP S5853377A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flux
- welding
- wire
- weld metal
- steel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K9/00—Arc welding or cutting
- B23K9/18—Submerged-arc welding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Arc Welding In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は極低炭素鋼のサブマージアーク溶接方法（以下
潜弧溶接法という。）に関するものである。
潜弧溶接法という。）に関するものである。
近年、鋼材は制御圧延の進歩と同時に溶接性の向上ある
いはコスト低減を計るため、ライン・ξイブ材を含め低
Ｃ化の傾向にある。これら低Ｃ鋼溶接金属の高温割れ感
受性は一般に低いと考えられてきた。
いはコスト低減を計るため、ライン・ξイブ材を含め低
Ｃ化の傾向にある。これら低Ｃ鋼溶接金属の高温割れ感
受性は一般に低いと考えられてきた。
本出願人はさきに特願昭５５−１．３１．５７８号明細
書において、高Ｃワイヤの使用とＴｉ及びＢの添加によ
る極低炭素鋼の潜弧溶接法を提起したが、鋼の溶接にお
いては溶接時に生ずる溶接金属の高温割れに対して、一
般に溶接金属の炭素含有量を低下させることが望ましい
とされてきたにもか＼わらず、使用する鋼材の炭素含有
量が０．０６％以下のような極低炭素鋼を、既存の溶接
材料を用いて潜弧溶接を行った場合、溶接金属の炭素含
有量が充分低いにもか＼わらず、高温割れが発生し易い
知見を得た。
書において、高Ｃワイヤの使用とＴｉ及びＢの添加によ
る極低炭素鋼の潜弧溶接法を提起したが、鋼の溶接にお
いては溶接時に生ずる溶接金属の高温割れに対して、一
般に溶接金属の炭素含有量を低下させることが望ましい
とされてきたにもか＼わらず、使用する鋼材の炭素含有
量が０．０６％以下のような極低炭素鋼を、既存の溶接
材料を用いて潜弧溶接を行った場合、溶接金属の炭素含
有量が充分低いにもか＼わらず、高温割れが発生し易い
知見を得た。
即ち本発明は、極低炭素鋼の溶接金属の高温割れに対し
、適正な溶接金属炭素含有量があることを見出し、この
適正範囲を得るための極低炭素鋼の潜弧溶接法を提供す
るものである。
、適正な溶接金属炭素含有量があることを見出し、この
適正範囲を得るための極低炭素鋼の潜弧溶接法を提供す
るものである。
而して本発明の要旨は、Ｃを０００５〜００６重量％含
有する鋼を、Ｃ０，１５〜０．６０重量％を含有するワ
イヤ及びＣＯ，０５〜１．５チ含有するフラックスのい
ずれか一方捷たけ両者を用いて、少くとも１層目を潜弧
溶接することを特徴とする。
有する鋼を、Ｃ０，１５〜０．６０重量％を含有するワ
イヤ及びＣＯ，０５〜１．５チ含有するフラックスのい
ずれか一方捷たけ両者を用いて、少くとも１層目を潜弧
溶接することを特徴とする。
以下本発明を詳述する。
溶接金属の高温割れおよび低温割れ感受性と靭性の向上
のため溶接金属のＣ量は母材と同程度、もしくは低い値
に設定することが従来の定説であり、はぼＣ量が０．１
５％以下であれば、高温割れは発生しないと考えられて
おり、Ｃ量が０．１．１以下になってもこの考えが内挿
して成立するものと信じられていた。
のため溶接金属のＣ量は母材と同程度、もしくは低い値
に設定することが従来の定説であり、はぼＣ量が０．１
５％以下であれば、高温割れは発生しないと考えられて
おり、Ｃ量が０．１．１以下になってもこの考えが内挿
して成立するものと信じられていた。
ところが本発明者らの検討によると極低Ｃ鋼を従来常用
される溶接ワイヤ、フラックスを用いて潜弧溶接を行っ
た溶接金属の高温割れ感受性がむしろ高まることを知見
し、第１図を得た。
される溶接ワイヤ、フラックスを用いて潜弧溶接を行っ
た溶接金属の高温割れ感受性がむしろ高まることを知見
し、第１図を得た。
即ち第１図は溶接金属中Ｃ量（％）とＸ線割れ率（チ）
との関係を示したが、Ｃ０，１６％超の領域Ａにおける
高温割れは従来経験されたが、Ｃ０，０６％未満の領域
Ｂにおいて高温割れの発生が明らかとなり、割れ感受□
性安定域Ｚを確認した。即ち、溶接金属の高温割れ感受
性は、従来の常識と異なり、限界Ｃ以下ではかえって割
れ感受性を高めることが明らかとなった。この理由は、
低Ｃ域ではデンドライト衝合部がδ凝固するためと考え
られ、割れ低減にＣ１、γ安定化元素であるＣ量の増加
が必要である。
との関係を示したが、Ｃ０，１６％超の領域Ａにおける
高温割れは従来経験されたが、Ｃ０，０６％未満の領域
Ｂにおいて高温割れの発生が明らかとなり、割れ感受□
性安定域Ｚを確認した。即ち、溶接金属の高温割れ感受
性は、従来の常識と異なり、限界Ｃ以下ではかえって割
れ感受性を高めることが明らかとなった。この理由は、
低Ｃ域ではデンドライト衝合部がδ凝固するためと考え
られ、割れ低減にＣ１、γ安定化元素であるＣ量の増加
が必要である。
従って本発明の対象鋼はＣ００６重量係以下で、下限は
少くとも鋼としての強度を有するとみられる。０．００
５％以上を含有する一般構造用鋼、低温用低合金鋼等の
極低炭素鋼とするがＮｉ等のγフォーマ元素を含む例え
ばステンレス鋼等は除外される。
少くとも鋼としての強度を有するとみられる。０．００
５％以上を含有する一般構造用鋼、低温用低合金鋼等の
極低炭素鋼とするがＮｉ等のγフォーマ元素を含む例え
ばステンレス鋼等は除外される。
又本発明における溶接金属Ｃｍは００６〜０６１６％の
範囲とするが、潜弧溶接における母材の希釈率を考慮し
て、Ｃ０，１５〜０６０係を含有するワイヤ及び０００
５〜１５％を含有するフラックスのいずれか一方または
両者を用いるものとする。
範囲とするが、潜弧溶接における母材の希釈率を考慮し
て、Ｃ０，１５〜０６０係を含有するワイヤ及び０００
５〜１５％を含有するフラックスのいずれか一方または
両者を用いるものとする。
フラックスにＣを添加する手段としては高Ｃ金属粉、鋳
鉄粉又Ｑま高Ｃ鉄粉、高ＣＦｅ−Ｍｎ材、高ＣＦ”ｅ−
Ｃｒ材、カーバイト（５ｉ−ＣＸＣｒ−Ｃ）、グラファ
イトを用いるとよい。
鉄粉又Ｑま高Ｃ鉄粉、高ＣＦｅ−Ｍｎ材、高ＣＦ”ｅ−
Ｃｒ材、カーバイト（５ｉ−ＣＸＣｒ−Ｃ）、グラファ
イトを用いるとよい。
フラックスは偏析防止の観点からボンド８型を採用する
のが好ましいが、Ｃ含有物の粒度、崇密度等より判断し
て偏析等の問題がないと考えられるときはメルト型フラ
ックスでもよい。
のが好ましいが、Ｃ含有物の粒度、崇密度等より判断し
て偏析等の問題がないと考えられるときはメルト型フラ
ックスでもよい。
ＣａＣ０ａの形でフラックスに添付されるＣは溶接金属
へのＣの添加に対し寄与しないので本発明のＣ量には算
入しないものとする。
へのＣの添加に対し寄与しないので本発明のＣ量には算
入しないものとする。
ワイヤとしてはソリッドワイヤが主であるがフラックス
入りワイヤも用いる事が出来る。フラックス入りワイヤ
の場合のＣ含有量は全金属粉と外皮の合計量に対する重
量％として考える。
入りワイヤも用いる事が出来る。フラックス入りワイヤ
の場合のＣ含有量は全金属粉と外皮の合計量に対する重
量％として考える。
また、Ｃ以外のワイヤ成分については、組み合わせるフ
ラックスとの関連で適宜決定する事が必要であり、基本
的には０．０１〜０．５％のＳｉ、０．１０〜３００％
の胤を含有する事が好ましい。
ラックスとの関連で適宜決定する事が必要であり、基本
的には０．０１〜０．５％のＳｉ、０．１０〜３００％
の胤を含有する事が好ましい。
即ち、Ｓｉおよび庵は脱酸性元素として溶接金属を清浄
にする他、ビード外観等の作業性も改善する元素である
。さらにこれら元素は溶接金属の結晶粒を微細化し、優
れた靭性と適正な強度を確保するのに有効な元素である
。
にする他、ビード外観等の作業性も改善する元素である
。さらにこれら元素は溶接金属の結晶粒を微細化し、優
れた靭性と適正な強度を確保するのに有効な元素である
。
ワイヤ成分としてはこれらの他に必要に応じＮｉ、Ｍｏ
、Ｃｒ等の合金元素を適宜含有する事が出来る。
、Ｃｒ等の合金元素を適宜含有する事が出来る。
又本発明の溶接法の溶接条件で開先形状は特に限定され
ないが、多層盛溶接を考慮すると、溶接金属の割れ率の
高い初層には少くとも本発明を適用し、２層目以降を従
来法によるワイヤ及び／又はフラックスを用いて行って
も良い結果が得られ、勿論本発明の範囲を逸脱するもの
ではない。
ないが、多層盛溶接を考慮すると、溶接金属の割れ率の
高い初層には少くとも本発明を適用し、２層目以降を従
来法によるワイヤ及び／又はフラックスを用いて行って
も良い結果が得られ、勿論本発明の範囲を逸脱するもの
ではない。
以下本発明の詳細な説明する。
表１のＰＬ−Ｐ６に示す６種類の低Ｃ鋼を溶接するに際
し、表２（Ｗ１〜Ｗ６）および表３（Ｆｌ〜Ｆ８）に示
すワイヤおよびフラックスを用いた。
し、表２（Ｗ１〜Ｗ６）および表３（Ｆｌ〜Ｆ８）に示
すワイヤおよびフラックスを用いた。
表２中のワイヤＷ１．２．５および６、表３中のフラッ
クスＦ４〜Ｆ８は本発明法を実施するために特別に製造
したワイヤおよびスラックスで７ラツクスのタイプとし
ては、ボンド９型フラツクスを用いた。
クスＦ４〜Ｆ８は本発明法を実施するために特別に製造
したワイヤおよびスラックスで７ラツクスのタイプとし
ては、ボンド９型フラツクスを用いた。
表中のその他のもの、即ちＷ３．４およびＦ１〜３は従
来より用いられている通常のワイヤおよびフラックスで
ある。
来より用いられている通常のワイヤおよびフラックスで
ある。
鋼板、ワイヤおよびフラックスの組み合わせならびに溶
接要領は表４に示す通りである。表中の／Ｉ６１〜１５
は本発明例であり、扁１６〜１９は本発明の効果を明確
にするための比較例である。
接要領は表４に示す通りである。表中の／Ｉ６１〜１５
は本発明例であり、扁１６〜１９は本発明の効果を明確
にするための比較例である。
又、ＡＩ、５．８および１１は本発明で特定したワイヤ
を用い、フラックスは従来のものを用いた例であり、一
方Ａ２．４．６．９．１２．１４および１５は従来ワイ
ヤと本発明で特定したフラックスを用いた例でめる。又
、＆３．７．１０および１３はワイヤおよびフラックス
とも本発明におけるものを用いた場合である。
を用い、フラックスは従来のものを用いた例であり、一
方Ａ２．４．６．９．１２．１４および１５は従来ワイ
ヤと本発明で特定したフラックスを用いた例でめる。又
、＆３．７．１０および１３はワイヤおよびフラックス
とも本発明におけるものを用いた場合である。
開先形状および溶接条件は、表４に示した通りであるが
、Ａｌ、１４および１５は２電極溶接を用い他はｌ電極
で実施した。又、扁１４．１５は片面１層溶接で行なっ
たが、この場合の裏当法としては銅当金上に裏フラック
スを層状に散布して鋼板裏面に押し当てて行うフラック
ス−銅バッキング法を用いた。裏フラックスとしてはＣ
ａＯ−ＭｇＯ５ｉｎ２系の専用層フラックスを用いた。
、Ａｌ、１４および１５は２電極溶接を用い他はｌ電極
で実施した。又、扁１４．１５は片面１層溶接で行なっ
たが、この場合の裏当法としては銅当金上に裏フラック
スを層状に散布して鋼板裏面に押し当てて行うフラック
ス−銅バッキング法を用いた。裏フラックスとしてはＣ
ａＯ−ＭｇＯ５ｉｎ２系の専用層フラックスを用いた。
一方、両面多層溶接の場合、ＢＰ側（最初に溶接する側
Ｌ ＦＰ側（後から溶接する側）の一層目のみ本発明法
を用い、２層目以後については、従来からのワイヤおよ
びフラックス、即ちＡ ８ ； Ｗ ３ Ｘ Ｆ ３、
扁９；Ｗ３ｘＦ２、扁１０； Ｗ ４ Ｘ Ｆ ２、Ａ
ｌ １．；Ｗ３ Ｘ Ｆ Ｉ 、 Ａ １２ ；Ｗ ４
Ｘ Ｆ ２、Ａ １．３ ； Ｗ ４ Ｘ Ｆ ２を
それぞれ用いた。
Ｌ ＦＰ側（後から溶接する側）の一層目のみ本発明法
を用い、２層目以後については、従来からのワイヤおよ
びフラックス、即ちＡ ８ ； Ｗ ３ Ｘ Ｆ ３、
扁９；Ｗ３ｘＦ２、扁１０； Ｗ ４ Ｘ Ｆ ２、Ａ
ｌ １．；Ｗ３ Ｘ Ｆ Ｉ 、 Ａ １２ ；Ｗ ４
Ｘ Ｆ ２、Ａ １．３ ； Ｗ ４ Ｘ Ｆ ２を
それぞれ用いた。
なお、これらの実施例における溶接部の割れの有無の調
査はＸ線透過試験およびマクロ断面検査により実施した
。
査はＸ線透過試験およびマクロ断面検査により実施した
。
＞ ｌ Ｉ Ｉ １ ＝ 旨
□ Ｏ。
１ ： ・ □
−畳１＝・０１： 二 冗 ＝
硯
〈 郵 曜 醒 目 す
−へ □ （’１’） 寸 １０
■ ト ω〈 四 四 四 四 四
国 四 四以上の溶接はいずれも本発明法を実施し
たもので、表４の溶接結果に示ず通り適正Ｃ含有量の初
層溶接金属を得る事が出来、割れの発生もなく、又良好
な衝撃靭性が得られた。
■ ト ω〈 四 四 四 四 四
国 四 四以上の溶接はいずれも本発明法を実施し
たもので、表４の溶接結果に示ず通り適正Ｃ含有量の初
層溶接金属を得る事が出来、割れの発生もなく、又良好
な衝撃靭性が得られた。
一方、Ａ；１６〜１９は低Ｃ含有鋼の一層溶接に従来の
フラックスおよびワイヤを用いて行なったため溶接金属
中Ｏｃｔが不足し割れが発生した。
フラックスおよびワイヤを用いて行なったため溶接金属
中Ｏｃｔが不足し割れが発生した。
【図面の簡単な説明】
第１図はｋＩ接接金空中Ｃ量多）とＸ線割れ率（係）と
のグラフ、第２図及び第３図は開先形状の説明図である
。 ＄／回 第２図 第３面
のグラフ、第２図及び第３図は開先形状の説明図である
。 ＄／回 第２図 第３面
Claims (1)
- Ｃを０．００５〜０．０６重量％含有する鋼を、Ｃ０１
５〜０．６０重量％を含有するワイヤ及びＣ０１０５〜
１．５％含有するフラックスのいずれか一方または両者
を用いて、少くとも１層目の溶接を行うことを特徴とす
るサブマージアーク溶接方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15214981A JPS5853377A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | サブマ−ジア−ク溶接方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15214981A JPS5853377A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | サブマ−ジア−ク溶接方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5853377A true JPS5853377A (ja) | 1983-03-29 |
Family
ID=15534099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15214981A Pending JPS5853377A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | サブマ−ジア−ク溶接方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5853377A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5293462A (en) * | 1989-03-20 | 1994-03-08 | Hitachi, Ltd. | Electronic information processing method and device for modifying electronic information without losing high quality thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50131640A (ja) * | 1974-04-03 | 1975-10-17 | ||
| JPS5122383A (ja) * | 1974-08-19 | 1976-02-23 | Omron Tateisi Electronics Co | Handotaikanatsusochi |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP15214981A patent/JPS5853377A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50131640A (ja) * | 1974-04-03 | 1975-10-17 | ||
| JPS5122383A (ja) * | 1974-08-19 | 1976-02-23 | Omron Tateisi Electronics Co | Handotaikanatsusochi |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5293462A (en) * | 1989-03-20 | 1994-03-08 | Hitachi, Ltd. | Electronic information processing method and device for modifying electronic information without losing high quality thereof |
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