JPS5852634A - ネガ型微細パターン形成方法 - Google Patents
ネガ型微細パターン形成方法Info
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- JPS5852634A JPS5852634A JP15052381A JP15052381A JPS5852634A JP S5852634 A JPS5852634 A JP S5852634A JP 15052381 A JP15052381 A JP 15052381A JP 15052381 A JP15052381 A JP 15052381A JP S5852634 A JPS5852634 A JP S5852634A
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- methyl
- methacrylate
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
- G03F7/012—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0125—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binder or the macromolecular additives other than the macromolecular azides
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は微細パターン形成用組成物に関し、特にトラン
ジスタをはじめ、ＩＣ，ＬＳＩ、超ＬＳＩの製造に適し
たネガ型微細パターン形成用組成物に関する。
ジスタをはじめ、ＩＣ，ＬＳＩ、超ＬＳＩの製造に適し
たネガ型微細パターン形成用組成物に関する。
半導体工業における電子デバイス、特にトランジスタを
けじめ、ＩＣ−Ｌ Ｓ Ｉ 、超ＬＳＩの製造は数多く
の加ニステップを経なければならない。
けじめ、ＩＣ−Ｌ Ｓ Ｉ 、超ＬＳＩの製造は数多く
の加ニステップを経なければならない。
ホトリソグラフィもその中の一つである。通常行なわれ
ているホトリングラフィ工程は紫外線照射技術、現像技
術、エツチング技術等に適合するように設計されたホト
レジストをシリコンウェハー上に数百Ｉ１ｍ程度の厚さ
を有する酸化シリコン、窒化シリコンあるいはポリシリ
コン上に数μｍの厚さに均一に塗布し、所要のパターニ
ング用マスクを介して紫外線照射し、ホトレジストの指
定現像液で現像し、裸出した下地部分をエツチングしホ
トレジストを剥離し、エツチングにより裸出したシリコ
ン表面から不純物を拡散注入させる。かかるホｌ−ＩＪ
ングラフィ工工程数数回り返し、多層化して、さらに電
極および配線を形成し半導体デバイスが得られる。
ているホトリングラフィ工程は紫外線照射技術、現像技
術、エツチング技術等に適合するように設計されたホト
レジストをシリコンウェハー上に数百Ｉ１ｍ程度の厚さ
を有する酸化シリコン、窒化シリコンあるいはポリシリ
コン上に数μｍの厚さに均一に塗布し、所要のパターニ
ング用マスクを介して紫外線照射し、ホトレジストの指
定現像液で現像し、裸出した下地部分をエツチングしホ
トレジストを剥離し、エツチングにより裸出したシリコ
ン表面から不純物を拡散注入させる。かかるホｌ−ＩＪ
ングラフィ工工程数数回り返し、多層化して、さらに電
極および配線を形成し半導体デバイスが得られる。
半導体工業で常用されて因るホトレジストは電磁波また
は粒子線を選択的にホトレジストに照射することにより
架橋反応するネガ型と分解可溶化するポジ型の２種があ
る。そして現像液と称する有機溶剤またはアルカリ水溶
液と接することにより前記のネガ型ホトレジストにおい
ては非照射部が、捷たポジ型ホトレジストにおいては照
射部がそれぞれ選択的に現像液に溶解除去さ′ｈ、て所
望のパターンが得られる。かかるイ、ガ型ホトレジスト
の市販品としてＯＭＲ（東京応化工業社製）、ＫＭＲ（
イーストマンコダック社ｈ ）、ｗａｙｃｏａｔ； （
ハントケミカル社製）などが良く知られてしるが超微細
パターンを得るための解像力には頌しい。例工ｆｆライ
ンアンドスズース解像カテスト・ξターンを用いた解像
力テストでも従来品は１５μｍが限界とされている。近
年に至っては半導体の微細化が進み超ＬＳＩ時代となっ
て１．０／１ｍ以下の解像力が時代のなりゆきから要求
されるようになってきた・ 本発明は上述の如き従来の問題点に鑑み、これを有効に
解決すべくなされたものであり、その目的とするところ
は超微細パターン形成に適したネガ型ホトレジスト組成
物を提供することにある。
は粒子線を選択的にホトレジストに照射することにより
架橋反応するネガ型と分解可溶化するポジ型の２種があ
る。そして現像液と称する有機溶剤またはアルカリ水溶
液と接することにより前記のネガ型ホトレジストにおい
ては非照射部が、捷たポジ型ホトレジストにおいては照
射部がそれぞれ選択的に現像液に溶解除去さ′ｈ、て所
望のパターンが得られる。かかるイ、ガ型ホトレジスト
の市販品としてＯＭＲ（東京応化工業社製）、ＫＭＲ（
イーストマンコダック社ｈ ）、ｗａｙｃｏａｔ； （
ハントケミカル社製）などが良く知られてしるが超微細
パターンを得るための解像力には頌しい。例工ｆｆライ
ンアンドスズース解像カテスト・ξターンを用いた解像
力テストでも従来品は１５μｍが限界とされている。近
年に至っては半導体の微細化が進み超ＬＳＩ時代となっ
て１．０／１ｍ以下の解像力が時代のなりゆきから要求
されるようになってきた・ 本発明は上述の如き従来の問題点に鑑み、これを有効に
解決すべくなされたものであり、その目的とするところ
は超微細パターン形成に適したネガ型ホトレジスト組成
物を提供することにある。
本発明者らは上記要望に応えるべく鋭意研究を重ねた結
果、直鎖状重合体と紫外ｍ波長域に強い吸＋（！２をも
つアジド化合物とからなる感′ｙｔ、性組成物がその目
的を達成し得ることを見出ｌ〜、その知見に基づｂて本
発明をなすに至った。すなわち本発明は直鎖状重合体と
紫外線波長域、特に３００〜４５０ ｎｍの波長の照射
を受けて活性化し、直鎖状重合体にグラノドするアント
゛化合物とからなるイ・ガ型ａ細パターン形成用感光性
組成物に関するものである。
果、直鎖状重合体と紫外ｍ波長域に強い吸＋（！２をも
つアジド化合物とからなる感′ｙｔ、性組成物がその目
的を達成し得ることを見出ｌ〜、その知見に基づｂて本
発明をなすに至った。すなわち本発明は直鎖状重合体と
紫外線波長域、特に３００〜４５０ ｎｍの波長の照射
を受けて活性化し、直鎖状重合体にグラノドするアント
゛化合物とからなるイ・ガ型ａ細パターン形成用感光性
組成物に関するものである。
本発明の感光性組成物の一成分である直鎖状重合体とし
てｄｌ、メチルインゾロはニルケトン、メチルビニルケ
トン、メチルメタクリレ−１・、ブチルメタクリレ−１
・、グリシジルメタクリレートを単量体成分とした単独
重合偉才たは該単量体成分を少なくとも一種言む共重合
体を挙げることができる。本発明に使用されるポリマー
としては、上記の重合体のうち分子量が数カ〜２００万
の範囲のものが好１１．＜、＋ａ万〜１００万の範囲が
特に好捷しい。分子量が」二記上限を超えた場合にはス
ピンナーを用いて塗布すると飛散した感光性塗布液中の
重合体が線片状となって塗布基体上の空間に析出し塗膜
に何着するので好捷しくなく、捷だ」−記下限未満の場
合には側プラズマ性が劣り好捷しくない。
てｄｌ、メチルインゾロはニルケトン、メチルビニルケ
トン、メチルメタクリレ−１・、ブチルメタクリレ−１
・、グリシジルメタクリレートを単量体成分とした単独
重合偉才たは該単量体成分を少なくとも一種言む共重合
体を挙げることができる。本発明に使用されるポリマー
としては、上記の重合体のうち分子量が数カ〜２００万
の範囲のものが好１１．＜、＋ａ万〜１００万の範囲が
特に好捷しい。分子量が」二記上限を超えた場合にはス
ピンナーを用いて塗布すると飛散した感光性塗布液中の
重合体が線片状となって塗布基体上の空間に析出し塗膜
に何着するので好捷しくなく、捷だ」−記下限未満の場
合には側プラズマ性が劣り好捷しくない。
本発明の組成物に用いられる紫外線波長域にｈＶ光して
重合体にグラフトするアジド化合物の例として、１−ア
ンドピレン、１．８−ジアジドナフタレン、４，４′−
ジアジドスチルベン、４，４′−ジアジド゛ブフルコン
、４，４′−ジアジドベンザルアセトン、２，６−ジ（
４′−アジド′ベンザル）−シクロヘキサノン、２，６
−ジ（４′−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキ
サノンが好脣しい。アジド化合物の含有量は重合体に対
し５〜５０重量％の範囲が好ましく、特に１５〜３０重
情％の範囲が好ましい。上記含有量が５重量％未満では
感光強度が小さく、虚弱な画像しか得られず好ましくな
い。また５０ｉ１７−量％を超えれば添加したアジド化
合物が被膜形成塗布液中、捷たけウェハー上に塗布した
塗膜表面に析出し正確な微細・ξターンを形成すること
ができなくなるので好ましくない。
重合体にグラフトするアジド化合物の例として、１−ア
ンドピレン、１．８−ジアジドナフタレン、４，４′−
ジアジドスチルベン、４，４′−ジアジド゛ブフルコン
、４，４′−ジアジドベンザルアセトン、２，６−ジ（
４′−アジド′ベンザル）−シクロヘキサノン、２，６
−ジ（４′−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキ
サノンが好脣しい。アジド化合物の含有量は重合体に対
し５〜５０重量％の範囲が好ましく、特に１５〜３０重
情％の範囲が好ましい。上記含有量が５重量％未満では
感光強度が小さく、虚弱な画像しか得られず好ましくな
い。また５０ｉ１７−量％を超えれば添加したアジド化
合物が被膜形成塗布液中、捷たけウェハー上に塗布した
塗膜表面に析出し正確な微細・ξターンを形成すること
ができなくなるので好ましくない。
本発明の感光性組成物を用いて＃細パターン ５−
を形成するには、この感光性組成物を溶媒例えば、シク
ロヘキサノン、メチルｎ−ブチルケトン、メチルｎ−ブ
チルケトン、エチルｎ−ブチルケトン、メチルセロソル
ブアセテート、エチルセロソルブアセテート、トルエン
、キンレン、１−ニトロプロパン、２−ニトロプロパン
、１．１，２．２−テトラクロロエタン、Ｎ 、Ｎ−ジ
メチルホルムアミド等に溶解し被膜形成塗布液とし、そ
れをシリコンウェハーなどの支持体上に塗布する。
ロヘキサノン、メチルｎ−ブチルケトン、メチルｎ−ブ
チルケトン、エチルｎ−ブチルケトン、メチルセロソル
ブアセテート、エチルセロソルブアセテート、トルエン
、キンレン、１−ニトロプロパン、２−ニトロプロパン
、１．１，２．２−テトラクロロエタン、Ｎ 、Ｎ−ジ
メチルホルムアミド等に溶解し被膜形成塗布液とし、そ
れをシリコンウェハーなどの支持体上に塗布する。
このようにして感光層を設けた支持体にネガマスクを介
して紫外線露光すると、露光部分は現像液に対して不溶
化し、未露光部分は可溶の−ま１残るので現像処理によ
り未露光部分が除去されて画像が形成される。
して紫外線露光すると、露光部分は現像液に対して不溶
化し、未露光部分は可溶の−ま１残るので現像処理によ
り未露光部分が除去されて画像が形成される。
本発明の感光性組成物を用いると、従来のネガ型ホトレ
ジストと比べれば現像時に現像液による膨潤現象が生ず
ることなく、高解像力のある画１象全得ることができる
。
ジストと比べれば現像時に現像液による膨潤現象が生ず
ることなく、高解像力のある画１象全得ることができる
。
次に実施例を挙げて本発明を具体的に説明す−〇 −
る。
実施例 １
分子＃２１万の７１”リメチルイソゾロベニルケトン（
ＰＭＩＰＫ） １０１１４−細部に対し２，６−ジ（４
′−アジド゛ベンザル）−４−メチルシクロへキサノン
１２重Ｍ部添加し、シクロへキザノン約９０車量部に溶
解して樹脂濃度が約１０％の感光性組成物を作り、０４
５μｍのポアサイズのフィルターを用いて沖過した。こ
の組成物を約５０ＤＯＡＯ熱酸化膜を影成した３インチ
ウニ・・−に３０００〜３５００ｒｐｍで６０秒間スピ
ンコーティングし、９０℃に保持した温風乾・噸腑を用
いて空気中で２０分間乾燥して約１μｍの厚さをもつ同
化膜を得／ヒ。この後キャノン社製マスクアライナ−Ｐ
Ｔ、Ａ３２０Ｆ全用いて最小線幅０．５ ａｍのパター
ンをもつ石英製解像力テスト用マスクを介しコンタクト
露光法により真空中で３５０〜４５０ｎｎ＋の波長の紫
外線を照射した。
ＰＭＩＰＫ） １０１１４−細部に対し２，６−ジ（４
′−アジド゛ベンザル）−４−メチルシクロへキサノン
１２重Ｍ部添加し、シクロへキザノン約９０車量部に溶
解して樹脂濃度が約１０％の感光性組成物を作り、０４
５μｍのポアサイズのフィルターを用いて沖過した。こ
の組成物を約５０ＤＯＡＯ熱酸化膜を影成した３インチ
ウニ・・−に３０００〜３５００ｒｐｍで６０秒間スピ
ンコーティングし、９０℃に保持した温風乾・噸腑を用
いて空気中で２０分間乾燥して約１μｍの厚さをもつ同
化膜を得／ヒ。この後キャノン社製マスクアライナ−Ｐ
Ｔ、Ａ３２０Ｆ全用いて最小線幅０．５ ａｍのパター
ンをもつ石英製解像力テスト用マスクを介しコンタクト
露光法により真空中で３５０〜４５０ｎｎ＋の波長の紫
外線を照射した。
このようにして露光した試料を１４０℃に保持した温風
乾燥器を用いて空気中で６０分間・・−ドベイクを行な
った。次いで東京応化社製プラズマエツチング装置ＯＡ
ＰＭ ３００により酸素ガスをエツチング用ガスとして
プラズマ処理を行々つた。電極は同軸型、平行平板型の
２種を用いた・エツチング処理は０．０５ Ｔｏｒｒ
ｉで処理室内を減圧したのち、酸素ガスを流入し、室内
圧を０２〜２ Ｔｏｒｒ、 Ｒｙ出力を５０〜３５０Ｗ
の範囲で任意に設定し、ウェハーテーブル温度を１００
℃に設定し、使用周波数は１３．５６ ＭＨｚであった
。平行平板型電極を用いた場合、プラズマ処理条件によ
り塗布膜厚１μｍの場合５０秒〜２分３０秒程度プラズ
マ雰囲気にさらすことにより現像が行なわれる。同軸型
電極の場合は、平行平板型電極の場合の約３倍程度の時
間が必要である。このように現像時間は電極の違いに大
きく依存するため、未露光部のエツチング速度１は異な
る。
乾燥器を用いて空気中で６０分間・・−ドベイクを行な
った。次いで東京応化社製プラズマエツチング装置ＯＡ
ＰＭ ３００により酸素ガスをエツチング用ガスとして
プラズマ処理を行々つた。電極は同軸型、平行平板型の
２種を用いた・エツチング処理は０．０５ Ｔｏｒｒ
ｉで処理室内を減圧したのち、酸素ガスを流入し、室内
圧を０２〜２ Ｔｏｒｒ、 Ｒｙ出力を５０〜３５０Ｗ
の範囲で任意に設定し、ウェハーテーブル温度を１００
℃に設定し、使用周波数は１３．５６ ＭＨｚであった
。平行平板型電極を用いた場合、プラズマ処理条件によ
り塗布膜厚１μｍの場合５０秒〜２分３０秒程度プラズ
マ雰囲気にさらすことにより現像が行なわれる。同軸型
電極の場合は、平行平板型電極の場合の約３倍程度の時
間が必要である。このように現像時間は電極の違いに大
きく依存するため、未露光部のエツチング速度１は異な
る。
通常平行平板型電極の方がエツチング速度は速いため、
現像終了寸でに要する時間は知力。
現像終了寸でに要する時間は知力。
現像終了後はイ・ガ型画像が得られる。解像度は０．５
１１ｍであり、従来のネガ型ホトレジストを湿式現汀し
て得られるものより旨い解像力を示１−／ね。第１図は
本実施例におｄる特性曲線の出力依存性奮示［７たもの
で、出力が３００Ｗ以下では露光時間が１０秒を超える
と残膜は７０％程度である。
１１ｍであり、従来のネガ型ホトレジストを湿式現汀し
て得られるものより旨い解像力を示１−／ね。第１図は
本実施例におｄる特性曲線の出力依存性奮示［７たもの
で、出力が３００Ｗ以下では露光時間が１０秒を超える
と残膜は７０％程度である。
現１象を終了したあと、酸素ガスをＣＦ、４：０２ ＝
９５：５なる組成のガスに切換え、シリコンのドライエ
ツチングを行なった。Ｑ、 Ｑ ５ Ｔｏｒｒまで減圧
し、ガスを流入して０．３ Ｔｏｒｒに設定した。テー
ブル温度ｉｊ： １００℃、出力は１５０Ｗで電極間隔
３０刷の平行平板型電極を用いた。５分間処理を行なっ
てレジストパターンに忠実なエツチングノミターンが得
られた。レジストの剥離は再度０２ガスに切換えてプラ
ズマ処理を行なうことによって行なうことができた。
９５：５なる組成のガスに切換え、シリコンのドライエ
ツチングを行なった。Ｑ、 Ｑ ５ Ｔｏｒｒまで減圧
し、ガスを流入して０．３ Ｔｏｒｒに設定した。テー
ブル温度ｉｊ： １００℃、出力は１５０Ｗで電極間隔
３０刷の平行平板型電極を用いた。５分間処理を行なっ
てレジストパターンに忠実なエツチングノミターンが得
られた。レジストの剥離は再度０２ガスに切換えてプラ
ズマ処理を行なうことによって行なうことができた。
実施例 ２
実施例１で用いた感光性組成物を使用して実施例１と同
様にして塗布、乾燥し、２〜１５秒間〜秒間行光い、こ
れを湿式法により現像した。
様にして塗布、乾燥し、２〜１５秒間〜秒間行光い、こ
れを湿式法により現像した。
現像液はシクロヘキサノンと２−二トロブロバ ９−
ン２成分系有機溶液で組成比が１００；２０のものを用
いた。
いた。
現像温度は２５℃で１００秒間浸漬した後、リンス液と
して酢酸ブチルを用い２５℃で３０〜６０秒間浸漬した
。この後窒素ガスプローあるいはスピンナーにより乾燥
させた。得られたレジストパターンはネガ型画像で１μ
ｍのラインアント゛スは−スを容易に解像した。また０
５８ｍのノングルラインも容易に解像した。
して酢酸ブチルを用い２５℃で３０〜６０秒間浸漬した
。この後窒素ガスプローあるいはスピンナーにより乾燥
させた。得られたレジストパターンはネガ型画像で１μ
ｍのラインアント゛スは−スを容易に解像した。また０
５８ｍのノングルラインも容易に解像した。
従来ネガ型レジストでは現像液のしろ込みによるｔ＃潤
が解像力を著しく低下させるため、３５゜ｎｍ以上の波
長の紫外線を露光源とした場合には解像力は１５μｍ程
度が限界であり、ｌｔｍのラインアンドスズースを解１
象することは困難であると経験的に言われてきた。しか
し本発明のレジストでは現像液のしみ込みによるレジス
トの膨潤は従来のネガレジストと比較してその度合は極
めて小さいため、湿式法による現１象でも高い解像力を
もつことができるようになった。
が解像力を著しく低下させるため、３５゜ｎｍ以上の波
長の紫外線を露光源とした場合には解像力は１５μｍ程
度が限界であり、ｌｔｍのラインアンドスズースを解１
象することは困難であると経験的に言われてきた。しか
し本発明のレジストでは現像液のしみ込みによるレジス
トの膨潤は従来のネガレジストと比較してその度合は極
めて小さいため、湿式法による現１象でも高い解像力を
もつことができるようになった。
第２図は実施例２における冷加したアンド化１０−
金物の１により特性曲線はどのように変化するかを示し
たものである。感度も従来と比較して著しい低下は見ら
れず、また残膜率も９０％をこえ１００％近くまで得ら
れることがわかる。
たものである。感度も従来と比較して著しい低下は見ら
れず、また残膜率も９０％をこえ１００％近くまで得ら
れることがわかる。
実施例 ３
実施例１と同様にして分子量２１万のＰＭＩＰＫ１０］
ｉ量部に対し４，４′−ジアジトノコル３フ４１．５重
量部添加し、１−ニトロプロパン約９０重量部に溶解し
た。これ’ｉ０．４５μｍのポアサイズのフィルター全
通して濾過し感光性組成物を調製した。約５００ＯＡ厚
さの熱酸化シリコン膜を形成したウェハーに３０００
ｒｐｍで３０秒間回転塗布した。これを８０℃に保たれ
た温風乾燥器を用いて空気中で２０分間乾燥し厚さ１μ
ｍの固化膜を得た。
ｉ量部に対し４，４′−ジアジトノコル３フ４１．５重
量部添加し、１−ニトロプロパン約９０重量部に溶解し
た。これ’ｉ０．４５μｍのポアサイズのフィルター全
通して濾過し感光性組成物を調製した。約５００ＯＡ厚
さの熱酸化シリコン膜を形成したウェハーに３０００
ｒｐｍで３０秒間回転塗布した。これを８０℃に保たれ
た温風乾燥器を用いて空気中で２０分間乾燥し厚さ１μ
ｍの固化膜を得た。
露光はキャノン社製マスクアライナ−ＰＬＡ５２０Ｆを
用いて最小線幅０５μｍの・ぐターンをもつ石英製マス
クを介し、コンタクト露光法により真空中で３５０〜４
５０ ｎｍの波長の紫外線を１０秒間照射した。これを
シクロヘキサノンと２−ニトロプロ・ぐンの組成比１０
Ｃｌ：２０（容量〕の２成分糸有機溶剤に２５℃で１０
０秒間浸漬した後、酢酸ブチルをリンス液として用い、
２５℃で６０秒間浸漬しスピンナーにより回転乾燥を行
なった。現像後のパターンを金属顕微鏡で観察したとこ
ろネガ画像が得られ、０５μｍのシングルラインを容易
に解像していた。実施例２と同様従来のネガレジストよ
シも高い解像力を示し、残膜率も９０％を超えていた。
用いて最小線幅０５μｍの・ぐターンをもつ石英製マス
クを介し、コンタクト露光法により真空中で３５０〜４
５０ ｎｍの波長の紫外線を１０秒間照射した。これを
シクロヘキサノンと２−ニトロプロ・ぐンの組成比１０
Ｃｌ：２０（容量〕の２成分糸有機溶剤に２５℃で１０
０秒間浸漬した後、酢酸ブチルをリンス液として用い、
２５℃で６０秒間浸漬しスピンナーにより回転乾燥を行
なった。現像後のパターンを金属顕微鏡で観察したとこ
ろネガ画像が得られ、０５μｍのシングルラインを容易
に解像していた。実施例２と同様従来のネガレジストよ
シも高い解像力を示し、残膜率も９０％を超えていた。
実施例 ４
分子量３６万のＰＭＭＡ （Ｊ ＩＪメチルメタクリレ
−”） ） １０重量部に４．４′−ジアジドベンザル
アセトン２重量部を添加し、約１００重量部のエチルセ
ロソルブアセテートに溶解し感光性組成物を調製した。
−”） ） １０重量部に４．４′−ジアジドベンザル
アセトン２重量部を添加し、約１００重量部のエチルセ
ロソルブアセテートに溶解し感光性組成物を調製した。
これを熱酸化膜を形成したシリコンウェハー上にスピン
ナーにより回転塗布し、９０℃で２０分間空気中で乾燥
し厚さ１μｍのレジスト固化膜を得た。
ナーにより回転塗布し、９０℃で２０分間空気中で乾燥
し厚さ１μｍのレジスト固化膜を得た。
実施例６と同様にして露光、現像を行なうと１μｍ＠の
ラインアントスば一スを解像するパターンが得られる。
ラインアントスば一スを解像するパターンが得られる。
この組成を用い実施例１と同様にしてプラズマを用いた
乾式現像を行なうと残膜率が約４Ｑ％程度で１ｔｔｍの
ラインアントスは−スを解像した・ξターンが得られた
。
乾式現像を行なうと残膜率が約４Ｑ％程度で１ｔｔｍの
ラインアントスは−スを解像した・ξターンが得られた
。
実施例 ５
分子量１０万０ＰＧＭＡ （ポリグリシジルメタクリレ
ート）１０重量部に２．６−ジ（４′−アジドベンザル
）−４−メチルシクロへキサノン１重量部を添加し、約
９０重量部のエチルセロソルブアセテートに溶解して感
光性組成物をつくり、前記実施例と同様の処理を行なう
と０５μｍのシングルラインを解像したパターンが得ら
れた。
ート）１０重量部に２．６−ジ（４′−アジドベンザル
）−４−メチルシクロへキサノン１重量部を添加し、約
９０重量部のエチルセロソルブアセテートに溶解して感
光性組成物をつくり、前記実施例と同様の処理を行なう
と０５μｍのシングルラインを解像したパターンが得ら
れた。
第１図は特性曲線の出力依存性を示すグラフ、第２図は
特性曲線のアジド添加量依存性を示すグラフである。 特許出願人 東京応化工業株式会社 代理人 弁理士伊東 彰 １３− 手続補正書（方式） 昭和５７年１月３日 特許庁長官 、＠ｉ ａ］春樹殿 ／事件の表示 昭和５６年特許願第］５０５２３＋ｉ Ω発明の名称 感光性組成物 ３補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 神奈川県用崎市中原区中丸子１５０番地名
称 東京応化工業株式会社 代表者 向 井 繁 Ｗ 夕代 理 人 〒１０ ］ 住 所 東京都千代田区神田神保町２丁目・１２番地
Ｓ補正命令の日刊 図面および図面の簡単な説明の欄 り補正の内容 （１）図面（説明文字を削除Ｉ−だもの）別紙のとおり （２）図面の簡単な説明の欄 明細省第１３頁第１５行〜第１７行の「第１図はグラフ
である。」を削除１〜、代りに次の文章を加入する。 「第１図に１］へ・１１１月＜−２、６ノ（４′−アシ
ドベンザル）４−メチルシクロヘキサノン３０％（平行
平板電極 電極間隔３０謳、チャンバー内圧力（ｚ Ｔ
ｏｒｒ、７″−プル温ｒ １ｏｏ℃、使用ガス０２１０
０ ％ ）の特性曲線の出力依存性を示すグラフ、第２
図に現像液としてシクロへギザノン：２−二トロプロパ
ン＝＋００ ： ２０ （温ｉ ２５℃、現像時間１０
０秒）を使用しての特性曲線のアジド添加用依存性を示
すグラフである。」
特性曲線のアジド添加量依存性を示すグラフである。 特許出願人 東京応化工業株式会社 代理人 弁理士伊東 彰 １３− 手続補正書（方式） 昭和５７年１月３日 特許庁長官 、＠ｉ ａ］春樹殿 ／事件の表示 昭和５６年特許願第］５０５２３＋ｉ Ω発明の名称 感光性組成物 ３補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 神奈川県用崎市中原区中丸子１５０番地名
称 東京応化工業株式会社 代表者 向 井 繁 Ｗ 夕代 理 人 〒１０ ］ 住 所 東京都千代田区神田神保町２丁目・１２番地
Ｓ補正命令の日刊 図面および図面の簡単な説明の欄 り補正の内容 （１）図面（説明文字を削除Ｉ−だもの）別紙のとおり （２）図面の簡単な説明の欄 明細省第１３頁第１５行〜第１７行の「第１図はグラフ
である。」を削除１〜、代りに次の文章を加入する。 「第１図に１］へ・１１１月＜−２、６ノ（４′−アシ
ドベンザル）４−メチルシクロヘキサノン３０％（平行
平板電極 電極間隔３０謳、チャンバー内圧力（ｚ Ｔ
ｏｒｒ、７″−プル温ｒ １ｏｏ℃、使用ガス０２１０
０ ％ ）の特性曲線の出力依存性を示すグラフ、第２
図に現像液としてシクロへギザノン：２−二トロプロパ
ン＝＋００ ： ２０ （温ｉ ２５℃、現像時間１０
０秒）を使用しての特性曲線のアジド添加用依存性を示
すグラフである。」
Claims (1)
- メチルイソプロズニルケトン、メチルビニルケトン、メ
チルメタクリレート、ブチルメタクリレート捷たはグリ
シジルメタクリレートを単量体成分とした単独重合体も
しくは該単量体成分を少なくとも一種含む共重合体であ
る直鎖状重合体に紫外線波長域に強い吸収をもつアジド
化合物を５〜５０重量％含有させたことを特徴とする感
光性組成物
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15052381A JPS5852634A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | ネガ型微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15052381A JPS5852634A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | ネガ型微細パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852634A true JPS5852634A (ja) | 1983-03-28 |
| JPH023493B2 JPH023493B2 (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15498721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15052381A Granted JPS5852634A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | ネガ型微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852634A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57105191A (en) * | 1980-12-11 | 1982-06-30 | Hayashibara Biochem Lab Inc | Production of human urogastrone |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52128132A (en) * | 1976-04-20 | 1977-10-27 | Fujitsu Ltd | Positive type electron beam sensitive composition |
| JPS5638039A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-13 | Fujitsu Ltd | Positive type resist |
| JPS5744143A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Composition and method for forming micropattern |
-
1981
- 1981-09-25 JP JP15052381A patent/JPS5852634A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52128132A (en) * | 1976-04-20 | 1977-10-27 | Fujitsu Ltd | Positive type electron beam sensitive composition |
| JPS5638039A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-13 | Fujitsu Ltd | Positive type resist |
| JPS5744143A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Composition and method for forming micropattern |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57105191A (en) * | 1980-12-11 | 1982-06-30 | Hayashibara Biochem Lab Inc | Production of human urogastrone |
| JPS609795B2 (ja) * | 1980-12-11 | 1985-03-13 | 株式会社林原生物化学研究所 | ヒト上皮細胞成長因子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH023493B2 (ja) | 1990-01-23 |
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