JPS584981A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS584981A JPS584981A JP11106082A JP11106082A JPS584981A JP S584981 A JPS584981 A JP S584981A JP 11106082 A JP11106082 A JP 11106082A JP 11106082 A JP11106082 A JP 11106082A JP S584981 A JPS584981 A JP S584981A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
こＯ発＠は、電極の引出しに４１黴のある半導体装置に
関するものである。
関するものである。
従来の一体構造の半導体集積囲路装置において例えばダ
イオードの逆方向降伏電圧が利用されるいわゆるゼナー
ダイオードのＰＮ＊舎上を引出電極金属が横切る場合に
１電極金属によりその直下の８１ ８１０＊０界画近傍
に機械的ストレスが与えられる８そＯ結果、逆方向降伏
電圧が時間と共に高い方に次ｊｌＫ変動して行く稿象が
観察される・通常その変動分は１０〜１００ｍＶと小さ
く、大抵の場合には問題とならないが、ダイオードの順
方向電圧、抵抗等を利用してゼナーダイオード電圧の温
度係数を零近くに押えねばならない場合ＫＦｉその経時
変動分が１０〜１００ｍＶでも問題となってくる〇 この発明の目的はＰＮ接合が電極金属の影響を受けない
半導体装置を提供するにある。
イオードの逆方向降伏電圧が利用されるいわゆるゼナー
ダイオードのＰＮ＊舎上を引出電極金属が横切る場合に
１電極金属によりその直下の８１ ８１０＊０界画近傍
に機械的ストレスが与えられる８そＯ結果、逆方向降伏
電圧が時間と共に高い方に次ｊｌＫ変動して行く稿象が
観察される・通常その変動分は１０〜１００ｍＶと小さ
く、大抵の場合には問題とならないが、ダイオードの順
方向電圧、抵抗等を利用してゼナーダイオード電圧の温
度係数を零近くに押えねばならない場合ＫＦｉその経時
変動分が１０〜１００ｍＶでも問題となってくる〇 この発明の目的はＰＮ接合が電極金属の影響を受けない
半導体装置を提供するにある。
この発＠によれば例えばゼナー電圧の経時変動の小さな
ゼナーダイオードが得られ、またトランジスタのエミッ
タベースに適用することによ）、雑音特性、＝レタタ低
電流領域における電流増幅率等が改善される０ζＯ発＠
をゼナーダイオードに適用すれば、ｍ１ＯＰ蓋の拡散領
域にＮｍｌの高崇度の不純物を拡散してゼナーダイオー
ドが得られ、そのＮｌｌ高１１１度領域から金属薄膜ｃ
ｉｔｒｉを引出す場合に、上記ＪＩＩＩＰＩＩｆ領域及
びＮ１１ｉｉｌ１度領域関のＰＮ接合上を横切る仁とな
く引出す・この丸め、謳ＩＰ臘領域よ）もドープ量の少
ない補助領域として籐２のＰ！１領域を、ｔｓｘＰＷ１
領域に＠接して形成し、上記Ｎｌｌ高＃ｋＷＬ領域ｔこ
れ＊籐１籐２のＰ蓋領域に亘りて延在させる。電極を上
記ａｉｌ；２ＰＩＩｉ領域上のＮｆｆ１ｊｌ＆鎮１１１
１域から引出す。このようにしてゼナーダイオードのｆ
方式電圧を決定するＰＮ接合上を金属配−が横切らない
ようＫさせる。
ゼナーダイオードが得られ、またトランジスタのエミッ
タベースに適用することによ）、雑音特性、＝レタタ低
電流領域における電流増幅率等が改善される０ζＯ発＠
をゼナーダイオードに適用すれば、ｍ１ＯＰ蓋の拡散領
域にＮｍｌの高崇度の不純物を拡散してゼナーダイオー
ドが得られ、そのＮｌｌ高１１１度領域から金属薄膜ｃ
ｉｔｒｉを引出す場合に、上記ＪＩＩＩＰＩＩｆ領域及
びＮ１１ｉｉｌ１度領域関のＰＮ接合上を横切る仁とな
く引出す・この丸め、謳ＩＰ臘領域よ）もドープ量の少
ない補助領域として籐２のＰ！１領域を、ｔｓｘＰＷ１
領域に＠接して形成し、上記Ｎｌｌ高＃ｋＷＬ領域ｔこ
れ＊籐１籐２のＰ蓋領域に亘りて延在させる。電極を上
記ａｉｌ；２ＰＩＩｉ領域上のＮｆｆ１ｊｌ＆鎮１１１
１域から引出す。このようにしてゼナーダイオードのｆ
方式電圧を決定するＰＮ接合上を金属配−が横切らない
ようＫさせる。
次に一面を参蝋して説明する・菖ｌ園は従来のゼナーダ
イオードを示し、Ｐｆｊｌｉシリコン基板１上にＮｊｌ
ｌのエビタヤシャル７１１２が形成され、こ０層２はそ
の上面よ）基板１に達するＰ飄の絶縁分離領域３に分割
され、図に示してないが各分割されたＮ３１１層２に素
子が構成される。この本子分−のためのＰ微の絶縁領域
３ＫＮ臘領域４が形成される。Ｎ［領域４は図に示して
ないＮ置のエビタ中シャル層２０分割領域に例えばＮＰ
Ｎ）ツンジスタを構成する場合における工（ツタ形成用
のリン拡散によ〉同時に形成される。エピタキシャル層
８及び分−領域３上に二瞭化シリコン膜５が形成され、
膜５に孔が開けられて、分離領域３Ｋｇｇ４されたｍ極
金属引出配−６及びＮｌｌ領域４に＠＠され、た鳴極金
属引出配！Ｉ７がそれぞれ形成される。このようにして
得られたダイオードの逆方向降伏電圧は、同時に得られ
るＮＰＮ）ランジスタのエミッタベース接合のそれよ〕
も約ＩＶｔいものとなる。
イオードを示し、Ｐｆｊｌｉシリコン基板１上にＮｊｌ
ｌのエビタヤシャル７１１２が形成され、こ０層２はそ
の上面よ）基板１に達するＰ飄の絶縁分離領域３に分割
され、図に示してないが各分割されたＮ３１１層２に素
子が構成される。この本子分−のためのＰ微の絶縁領域
３ＫＮ臘領域４が形成される。Ｎ［領域４は図に示して
ないＮ置のエビタ中シャル層２０分割領域に例えばＮＰ
Ｎ）ツンジスタを構成する場合における工（ツタ形成用
のリン拡散によ〉同時に形成される。エピタキシャル層
８及び分−領域３上に二瞭化シリコン膜５が形成され、
膜５に孔が開けられて、分離領域３Ｋｇｇ４されたｍ極
金属引出配−６及びＮｌｌ領域４に＠＠され、た鳴極金
属引出配！Ｉ７がそれぞれ形成される。このようにして
得られたダイオードの逆方向降伏電圧は、同時に得られ
るＮＰＮ）ランジスタのエミッタベース接合のそれよ〕
も約ＩＶｔいものとなる。
こＯ１１来のダイオードにおいては、ＩＥ１ｍＫ２０と
して示すように領域３及び４関のＰＮ接合の少なくとも
一部の上をシリコン酸化膜を介して一極の引出電１ｉ７
が必ず横切っている。先にも触れたように電極用金属薄
１１７は直下のシリコン酸化薄膜５に機械的ストレスを
与え、８１−８１０ｍ界画附近に１衡がｌｌ１ｍ１され
易い低レベルの準位が形成される・ゼナーダイオード轄
その逆方向降伏はゼナー効果のみならず雪崩降伏も起し
、ＰＮ＊合にお−て雪崩降伏が起ると、熱い荷電粒子が
発生してシリコン酸化１１５＄に注入され、前記低レベ
ルの単位にｍａｉされ、空間電荷の再分布が起り、降伏
電圧が時間と共にシフトする。アニール（ＳＯＯ℃、３
０分）をすることによｐ威るＩ！直、儀砿的ストレス社
緩和され、従りて５ｌ−８ＩＯ，界面附近の上記低レベ
ル準位を減少することができるが完全でない。
して示すように領域３及び４関のＰＮ接合の少なくとも
一部の上をシリコン酸化膜を介して一極の引出電１ｉ７
が必ず横切っている。先にも触れたように電極用金属薄
１１７は直下のシリコン酸化薄膜５に機械的ストレスを
与え、８１−８１０ｍ界画附近に１衡がｌｌ１ｍ１され
易い低レベルの準位が形成される・ゼナーダイオード轄
その逆方向降伏はゼナー効果のみならず雪崩降伏も起し
、ＰＮ＊合にお−て雪崩降伏が起ると、熱い荷電粒子が
発生してシリコン酸化１１５＄に注入され、前記低レベ
ルの単位にｍａｉされ、空間電荷の再分布が起り、降伏
電圧が時間と共にシフトする。アニール（ＳＯＯ℃、３
０分）をすることによｐ威るＩ！直、儀砿的ストレス社
緩和され、従りて５ｌ−８ＩＯ，界面附近の上記低レベ
ル準位を減少することができるが完全でない。
こＯ発明では降伏電圧を決定するＰＮＮ会合上８１０ｍ
ｔ電４１ｋ１８金属薄膜が横切らないようにされる。＄
１２１１は本発明牟尋体鋭置〇−例を示Ｌ、ＮＰＮ）ツ
ンジスタのエイツタベース接合を利用するゼナーダイオ
ードの断面図である。
ｔ電４１ｋ１８金属薄膜が横切らないようにされる。＄
１２１１は本発明牟尋体鋭置〇−例を示Ｌ、ＮＰＮ）ツ
ンジスタのエイツタベース接合を利用するゼナーダイオ
ードの断面図である。
ｐｍ絶縁領域３により分離され九Ｎｊｌエピタキシャル
ＩＩｊ２にＰＩｌｌｌペース領域８、吏にベース領域８
゛に工きツタを構成するＮ臘ＩＩ＆崇度領域４を形成す
る場合に、そＯＩＩ＆＊を領域４をＰａｌ領域８０外Ｏ
Ｎ臘工ピタキシヤル層２（Ｑ、Ｓ〜１０Ω−ｃｍ ）
ｔで延在させる。この場合もＰＮｍ合は領域４及び８閣
と、領域２及び４間とにそれぞれ形成され、その降伏電
圧は前者は７〜８Ｖ。
ＩＩｊ２にＰＩｌｌｌペース領域８、吏にベース領域８
゛に工きツタを構成するＮ臘ＩＩ＆崇度領域４を形成す
る場合に、そＯＩＩ＆＊を領域４をＰａｌ領域８０外Ｏ
Ｎ臘工ピタキシヤル層２（Ｑ、Ｓ〜１０Ω−ｃｍ ）
ｔで延在させる。この場合もＰＮｍ合は領域４及び８閣
と、領域２及び４間とにそれぞれ形成され、その降伏電
圧は前者は７〜８Ｖ。
後者は５０〜１ｏｏｖと＾なるので降伏電圧は低い方の
降伏電圧で決定される。領域４及び８０形成するＰＮＮ
含金上通ることなく、エピタキシャル層２上の領域４か
も金属薄ｊ１７が導出される。
降伏電圧で決定される。領域４及び８０形成するＰＮＮ
含金上通ることなく、エピタキシャル層２上の領域４か
も金属薄ｊ１７が導出される。
この例はエピタキシャル層を補助、領域として作用させ
た場合であるが、エピタキシャル層２と領域４とはＮ−
導電瀝である仁とに留意されたい。即ち、この実施例で
はＮ十蓋高鎖度領域４ｔｐＨ領域８の中にのみ形成する
のではなく、２厘領域８の一部とＮｌｌエビタ中シャル
領域２の一部とＫわたつて形成することによ）、Ｎ＋型
高Ｗｋ度領域４とｐｍｓ域８とが接する境界に形成され
、この素子特性に直接を与するＰＮ”接合を横切らすＫ
Ｎ 領域から電１に７を取）出すことができる。しか
も、電極７ＦｉＰＮ接合上を通ることなく単位素子外部
へ引き出すことができるため、電極直下の半導体部分を
高耐圧化することができる。
た場合であるが、エピタキシャル層２と領域４とはＮ−
導電瀝である仁とに留意されたい。即ち、この実施例で
はＮ十蓋高鎖度領域４ｔｐＨ領域８の中にのみ形成する
のではなく、２厘領域８の一部とＮｌｌエビタ中シャル
領域２の一部とＫわたつて形成することによ）、Ｎ＋型
高Ｗｋ度領域４とｐｍｓ域８とが接する境界に形成され
、この素子特性に直接を与するＰＮ”接合を横切らすＫ
Ｎ 領域から電１に７を取）出すことができる。しか
も、電極７ＦｉＰＮ接合上を通ることなく単位素子外部
へ引き出すことができるため、電極直下の半導体部分を
高耐圧化することができる。
また、図のように亀＆７０オーミ、り接触部を、Ｎ＋と
Ｐとが重なっていない所に形成することにより、オー建
ツク接触時に生じる金属−手導体合金層を重畳なＰＮ
接合から遠ざけることができる、この結果、雑音特性
勢の素子轡性會大きく改善−することができる。
Ｐとが重なっていない所に形成することにより、オー建
ツク接触時に生じる金属−手導体合金層を重畳なＰＮ
接合から遠ざけることができる、この結果、雑音特性
勢の素子轡性會大きく改善−することができる。
第１図は従来の絶縁ボロン拡散層に形成した（ナーダイ
オード管示す概略断面図、籐２１１Ｆｉ本発＠をＮＰＮ
）ランジスタのエミッタベース綴金を用いたゼナーダイ
オードに適用した概略断面図である、 ′４１．／ｅ 茶 ２２ ３５７−
オード管示す概略断面図、籐２１１Ｆｉ本発＠をＮＰＮ
）ランジスタのエミッタベース綴金を用いたゼナーダイ
オードに適用した概略断面図である、 ′４１．／ｅ 茶 ２２ ３５７−
Claims (1)
- 一導電鳳の菖ｌ半導体領域に形成された他の導電朧の第
２半導体領域と、この７１２半導体領域と前記第１半導
体領域とＫまたが９て形成された前記−導電瀝の第３半
導体領域と、この第３牛導体領域と前記第２牛導体とが
重なる境界１１Ｋｍ威され素子特性に直接寄与するＰＮ
接合と會有し、前記第３牛導体領域の少なくとも一部と
接する電極は―記ＰＮ接合の上を横切らないように形成
されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11106082A JPS584981A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11106082A JPS584981A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2794474A Division JPS50120971A (ja) | 1974-03-09 | 1974-03-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584981A true JPS584981A (ja) | 1983-01-12 |
Family
ID=14551379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11106082A Pending JPS584981A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584981A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6241947B1 (en) | 1998-01-27 | 2001-06-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Chemical analysis system and blood filtering unit |
| US6792791B2 (en) | 2000-02-18 | 2004-09-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Inspection chip for sensor measuring instrument |
| US6903335B1 (en) | 1998-06-05 | 2005-06-07 | Arkray, Inc. | Ion activity-measuring device and method for producing the same |
| US7182911B1 (en) | 1998-01-27 | 2007-02-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Chemical analysis system |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP11106082A patent/JPS584981A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6241947B1 (en) | 1998-01-27 | 2001-06-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Chemical analysis system and blood filtering unit |
| US7182911B1 (en) | 1998-01-27 | 2007-02-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Chemical analysis system |
| US6903335B1 (en) | 1998-06-05 | 2005-06-07 | Arkray, Inc. | Ion activity-measuring device and method for producing the same |
| US6792791B2 (en) | 2000-02-18 | 2004-09-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Inspection chip for sensor measuring instrument |
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