JPS5845169A - 炭化珪素焼結体の製造法 - Google Patents
炭化珪素焼結体の製造法Info
- Publication number
- JPS5845169A JPS5845169A JP56144424A JP14442481A JPS5845169A JP S5845169 A JPS5845169 A JP S5845169A JP 56144424 A JP56144424 A JP 56144424A JP 14442481 A JP14442481 A JP 14442481A JP S5845169 A JPS5845169 A JP S5845169A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- silicon carbide
- powder
- manufacture
- slurry
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Producing Shaped Articles From Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は泥漿鋳込み成形法により不純物の混入のない炭
化珪素焼結体をうる方法に関するものである。
化珪素焼結体をうる方法に関するものである。
最近サブミクロンの炭化珪素（以下ＳｉＣと称する）粉
末にホウ素またはアルミニウム、ベリリウムなどから選
ばれた化合物と炭素材を添加し焼成することにより理論
密度に近い高密度のＳＩＣ焼結体がえられるようになり
８ｉＣ焼結体を高温で使用する各種部品に適用しうるよ
うになってきた。そして上記高密度の８ｉＣ焼結体の成
形方法としては通常のセラミックの場合と同様に鋳込み
、加圧成形、ろくろ成形表ど各種の成形方法が適用でき
るが９本発明においては大形の肉薄円筒状または多角筒
状のＳｉＣ焼結体をうるために排泥鋳込み成形法を採用
した。すなわち８ｉＣ粉末を′主体とした泥漿を石こう
型に流し込み必要厚さに着肉後余分の泥漿を排泥し脱型
す−ることにより成形する方法である。しかしながら上
記方法の場合サブミクロンの８ｉＣ１）末を主体とした
泥漿を用いるために成形体が石こう型からはがれにくい
ばか９でなく成形体に亀裂が発生しやすいなどの欠点が
ある。
末にホウ素またはアルミニウム、ベリリウムなどから選
ばれた化合物と炭素材を添加し焼成することにより理論
密度に近い高密度のＳＩＣ焼結体がえられるようになり
８ｉＣ焼結体を高温で使用する各種部品に適用しうるよ
うになってきた。そして上記高密度の８ｉＣ焼結体の成
形方法としては通常のセラミックの場合と同様に鋳込み
、加圧成形、ろくろ成形表ど各種の成形方法が適用でき
るが９本発明においては大形の肉薄円筒状または多角筒
状のＳｉＣ焼結体をうるために排泥鋳込み成形法を採用
した。すなわち８ｉＣ粉末を′主体とした泥漿を石こう
型に流し込み必要厚さに着肉後余分の泥漿を排泥し脱型
す−ることにより成形する方法である。しかしながら上
記方法の場合サブミクロンの８ｉＣ１）末を主体とした
泥漿を用いるために成形体が石こう型からはがれにくい
ばか９でなく成形体に亀裂が発生しやすいなどの欠点が
ある。
通常セラミックスの排泥鋳込み成形法の場合には成形体
の脱型を容易ならしめるためにあらかじめ雲母や滑石な
′どの粉末を離型剤として石こう型のＩｌＩ面に塗布し
て成形する方法が用いられるがこの方法の採用は本発明
の場合には不適当である。
の脱型を容易ならしめるためにあらかじめ雲母や滑石な
′どの粉末を離型剤として石こう型のＩｌＩ面に塗布し
て成形する方法が用いられるがこの方法の採用は本発明
の場合には不適当である。
すなわち、成形体の表面に上記雲母や滑石などの離型剤
が付着したｔま焼結されるとＳＩＣ焼結体の表面にＮａ
、 Ｋ、 Ｃａｔ Ａｔ、 Ｆｅ、 Ｃｒ、 Ｃｕなど
の不純物が付着するためにこのＳｉＣ焼結体を高純度が
要求される半導体拡散炉のライナーチューブやプロセス
チューブとして使用することができないからである。
が付着したｔま焼結されるとＳＩＣ焼結体の表面にＮａ
、 Ｋ、 Ｃａｔ Ａｔ、 Ｆｅ、 Ｃｒ、 Ｃｕなど
の不純物が付着するためにこのＳｉＣ焼結体を高純度が
要求される半導体拡散炉のライナーチューブやプロセス
チューブとして使用することができないからである。
本発明の目的は上記のような不純物の付着することがな
い泥漿鋳込成形法を用いた８ｉＣ焼結体の製造方法を提
供する仁とにある。
い泥漿鋳込成形法を用いた８ｉＣ焼結体の製造方法を提
供する仁とにある。
本発明はカーボン繊維を付着した石こう型に炭化珪素粉
末を主成分とする泥漿を流し込み見られた成形体を焼成
する仁とを特徴とする炭化珪素焼結体の製造法に関する
。
末を主成分とする泥漿を流し込み見られた成形体を焼成
する仁とを特徴とする炭化珪素焼結体の製造法に関する
。
亨発明に用いられるカーボン繊維（黒鉛繊維を含む）と
しては、、太さ１０〜２０μｍ、長さ０．５〜１〇−程
度のものが好適であり、これを水に分散した状態でスプ
レー、乾燥して石こう型の表面に薄く付着せしめる。こ
の場合の付着□量としては０．００５ ｔ／ｅｄ”程度
で十分である。
しては、、太さ１０〜２０μｍ、長さ０．５〜１〇−程
度のものが好適であり、これを水に分散した状態でスプ
レー、乾燥して石こう型の表面に薄く付着せしめる。こ
の場合の付着□量としては０．００５ ｔ／ｅｄ”程度
で十分である。
本発明に用いられるＳｉＣ粉末は平均粒径１μｍ以下の
ものが好適であり、また結晶系としてはα型、β減のい
ずれであってもよい。
ものが好適であり、また結晶系としてはα型、β減のい
ずれであってもよい。
さらに焼結助剤としてホウ素化合物と炭素の添加が必要
でおるが、ホウ素化合物としてはホウ素含有量α２５〜
５９６のもの、炭素材としてはカーボンブラックあるい
は炭素含有量が０．５〜５ｓの有機材料が追歯である。
でおるが、ホウ素化合物としてはホウ素含有量α２５〜
５９６のもの、炭素材としてはカーボンブラックあるい
は炭素含有量が０．５〜５ｓの有機材料が追歯である。
またＳｉＣ粉末を主成分とする泥漿は上記８ｉＣ粉末、
焼結助剤の他に、解膠剤、界面活性剤。
焼結助剤の他に、解膠剤、界面活性剤。
バインダーを添加しこれらに２８〜４０９６重量部の水
を混合し調整される。鋳込みによって見られた成形体は
真空中あるいは不活性雰囲気中で１９００〜２５００℃
の温度で焼成する。
を混合し調整される。鋳込みによって見られた成形体は
真空中あるいは不活性雰囲気中で１９００〜２５００℃
の温度で焼成する。
なお、焼成体表面に付着するカーボン繊維はサンドプラ
スト処理あるいは空気中の燃焼によ抄容易に除去するこ
とができる。
スト処理あるいは空気中の燃焼によ抄容易に除去するこ
とができる。
次に本発明を実施例シよび比較例によりさらに具体的に
説明する。
説明する。
実施例１
平均粒径０．３μｍのβ蓋のＳｉＣ粉末１００重量部、
平均粒径１．５μｍのＢ４Ｃ粉末０．５重量部、カーボ
ンブラック１重量部、ケイ酸ナトリウム０．３重量部、
界面活性剤（花王アトラス社製デモールＮ ’） ０．
１重量部、ポリビニルエルコール（す２０００ ）０．
３重量部、水３５重量部をボールミルで１時間混合し鋳
込泥漿とする。一方向径１８０ＩＩｍ、長さ７００１１
１の制減となっている石こう型の内表面に太さ１２．．
５μｍ、長さ３ｍｍの黒鉛畝線（太洋科研社製Ｃ２０３
）の５重量％を含む水約４００？を均一にスプレー、乾
燥して黒鉛繊維を付着せしめる。
平均粒径１．５μｍのＢ４Ｃ粉末０．５重量部、カーボ
ンブラック１重量部、ケイ酸ナトリウム０．３重量部、
界面活性剤（花王アトラス社製デモールＮ ’） ０．
１重量部、ポリビニルエルコール（す２０００ ）０．
３重量部、水３５重量部をボールミルで１時間混合し鋳
込泥漿とする。一方向径１８０ＩＩｍ、長さ７００１１
１の制減となっている石こう型の内表面に太さ１２．．
５μｍ、長さ３ｍｍの黒鉛畝線（太洋科研社製Ｃ２０３
）の５重量％を含む水約４００？を均一にスプレー、乾
燥して黒鉛繊維を付着せしめる。
次に上記石こう型に上虻泥漿を流し込み肉厚を３ｍとし
た後排泥し脱型によりえられた成形体を２４時間ア１１
０℃まで昇温乾燥する。
た後排泥し脱型によりえられた成形体を２４時間ア１１
０℃まで昇温乾燥する。
次に上記の乾燥した成形体を真空中（０，ＩＴｏｒｐ千
１０ ａｔｍ）において５００℃／１時間の速度で２
２００℃まで昇温し２２００℃に３０分間保持し焼結し
た。
１０ ａｔｍ）において５００℃／１時間の速度で２
２００℃まで昇温し２２００℃に３０分間保持し焼結し
た。
なお焼結体表面に付着した黒鉛繊維はサンドブラストに
より除去した。該ＳｉＣ焼結体の破片につき分光分析を
行なった結果、多量のホウ素が検出されたが＊ ＡｔＩ
ＫＩ Ｎａ、 Ｆｅ、 Ｃｒ、 Ｃｕは１０ｐｐｍ以
下であ抄成形による不純物の混入はなかった。
より除去した。該ＳｉＣ焼結体の破片につき分光分析を
行なった結果、多量のホウ素が検出されたが＊ ＡｔＩ
ＫＩ Ｎａ、 Ｆｅ、 Ｃｒ、 Ｃｕは１０ｐｐｍ以
下であ抄成形による不純物の混入はなかった。
比較例１
実施例１に用いた石こう型の内表面に２０〜２００メツ
シユの雲母粉末の５重量−を含む水約４００ｉを均一に
スプレー乾燥した後実施例１の泥漿を流し込み同様に成
形、焼結した。該ＳｉＣ焼結体の破片につき分光分析を
行なった結果、多量のホウ素の外にＡｚ５００ｐｐｍ、
ＣＣａ１００ｐｐ、Ｆｅ５０ｐｐｍと多くの不純物が検
出された。なお、この場合に、Ｎａ、Ｃｒ、Ｃｕは１０
ｐｐｍ以下であり問題はなかった。
シユの雲母粉末の５重量−を含む水約４００ｉを均一に
スプレー乾燥した後実施例１の泥漿を流し込み同様に成
形、焼結した。該ＳｉＣ焼結体の破片につき分光分析を
行なった結果、多量のホウ素の外にＡｚ５００ｐｐｍ、
ＣＣａ１００ｐｐ、Ｆｅ５０ｐｐｍと多くの不純物が検
出された。なお、この場合に、Ｎａ、Ｃｒ、Ｃｕは１０
ｐｐｍ以下であり問題はなかった。
以上のように本発明によるときは石こう型に離臘剤とし
て天然鉱物の代りにカーボン繊維を用いたので成形体の
離型時にその表面に付着した無機物が、ＳｉＣ焼結体の
純度を低下することがなく。
て天然鉱物の代りにカーボン繊維を用いたので成形体の
離型時にその表面に付着した無機物が、ＳｉＣ焼結体の
純度を低下することがなく。
高純度でかう大形の８ｉＣ焼結体を製造することができ
その効果は極めて大である。
その効果は極めて大である。
Claims (1)
- １、 カーボン繊維を付着した石こう型に炭化珪素粉末
を主成分とする泥漿を流し込み、見られ九成形体を焼成
することを特徴とする炭化珪素焼結体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56144424A JPS5845169A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | 炭化珪素焼結体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56144424A JPS5845169A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | 炭化珪素焼結体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5845169A true JPS5845169A (ja) | 1983-03-16 |
Family
ID=15361861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56144424A Pending JPS5845169A (ja) | 1981-09-12 | 1981-09-12 | 炭化珪素焼結体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5845169A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174614A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Mitsumi Electric Co Ltd | 高周波コイルの製造法 |
| JPH02258587A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-19 | Nippon Polyester Kk | 耐食性容器 |
-
1981
- 1981-09-12 JP JP56144424A patent/JPS5845169A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174614A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Mitsumi Electric Co Ltd | 高周波コイルの製造法 |
| JPH02258587A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-19 | Nippon Polyester Kk | 耐食性容器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2979401A (en) | Slip casting | |
| JPS5818349B2 (ja) | 気体不透過性中空炭化ケイ素成形品およびその製造方法 | |
| US3673293A (en) | Manufacture of plaster of paris mold having sprayed metal oxide linings and product | |
| JPS5845169A (ja) | 炭化珪素焼結体の製造法 | |
| DE3876942D1 (de) | Verfahren zur herstellung eines poroesen formkoerpers. | |
| JPS5848506B2 (ja) | 泥漿鋳込み成形法による炭化珪素焼結体の製造方法 | |
| US5266252A (en) | Ceramic slip casting technique | |
| SU1470423A1 (ru) | Способ изготовлени отливок по удал емым модел м | |
| JPH0513522Y2 (ja) | ||
| US3301689A (en) | Vacuum fired beryllia ware | |
| JPS62202703A (ja) | セラミツクス成形方法 | |
| JPH0224789B2 (ja) | ||
| JP3524668B2 (ja) | 連続鋳造用ノズル耐火物 | |
| JP2718777B2 (ja) | 反応焼結セラミックス部材の製造方法 | |
| JP2874299B2 (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 | |
| JPS6363547A (ja) | ブロツクモ−ルド法の鋳型用組成物 | |
| JPS58130165A (ja) | 炭化珪素摺動材 | |
| JPS59107980A (ja) | 薄板状セラミツクス焼結体の製造方法 | |
| JPH0723248B2 (ja) | セラミックス成形体の製造方法 | |
| JPH07187807A (ja) | ＳｉＣ質焼結体のプレス成形用原料およびプレス成形方法 | |
| JPS6216106A (ja) | 中空構造セラミツクスの製造方法 | |
| SU134399A1 (ru) | Способ формовани керамических изделий | |
| Lidman et al. | An Investigation of the Slip-casting Mechanism as Applied to Stainless Steel Powder | |
| JPH05345304A (ja) | セラミックス成形体の成形方法 | |
| JPS61174918A (ja) | 多層セラミツクフイルタ−の製造方法 |