JPS5841408A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS5841408A JPS5841408A JP13747381A JP13747381A JPS5841408A JP S5841408 A JPS5841408 A JP S5841408A JP 13747381 A JP13747381 A JP 13747381A JP 13747381 A JP13747381 A JP 13747381A JP S5841408 A JPS5841408 A JP S5841408A
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- JP
- Japan
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- magnetic head
- thin film
- film magnetic
- substrate
- protective
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、酸化物磁性材料からなる基板上に形成された
薄膜ヘッド素子部を酸化物保護基板で覆うように構成し
てなる薄膜磁気ヘッドに関する。
薄膜ヘッド素子部を酸化物保護基板で覆うように構成し
てなる薄膜磁気ヘッドに関する。
従来提案されているこの種の薄膜磁気ヘッドは、第１図
に示すように、導電性を有するＭｎ −Ｚｎフェライト
等からなる磁性体基板１の研摩を施した一表面全面に５
ｉＯｚ等をスパッタリングして絶縁層２を形成し、この
絶縁層２上に蒸着された導電性金属層をエツチングして
複数の信号導体３を形成し、この信号導体３上にＳ：Ｏ
ｚ等をスパッタリングして絶縁層４を形成し、この絶縁
層４を介して磁性体基板１の全面にスパッタリングされ
たパーマロイやセンダスト等の磁性材料層をエツチング
して上部コア５を形成して複数の磁気ヘッド素子部６を
上記磁性体基板１上に形成している。そして、当該薄膜
磁気ヘッドに摺接する磁気テープのテープ走行により生
ずる上記薄膜磁気ヘッド素子部６の摩耗を防止し、走行
する磁気テープによる薄膜磁気ヘッド素子部６への衝激
を防ぐ目的で、上記薄膜磁気ヘッド素子部６は８ｉ（ｈ
等をスパッタリング等して形成した保護膜７を介して配
設されるＺｎ−フェライト等の非磁性の酸化物材料から
なる保護基板８で覆われている。
に示すように、導電性を有するＭｎ −Ｚｎフェライト
等からなる磁性体基板１の研摩を施した一表面全面に５
ｉＯｚ等をスパッタリングして絶縁層２を形成し、この
絶縁層２上に蒸着された導電性金属層をエツチングして
複数の信号導体３を形成し、この信号導体３上にＳ：Ｏ
ｚ等をスパッタリングして絶縁層４を形成し、この絶縁
層４を介して磁性体基板１の全面にスパッタリングされ
たパーマロイやセンダスト等の磁性材料層をエツチング
して上部コア５を形成して複数の磁気ヘッド素子部６を
上記磁性体基板１上に形成している。そして、当該薄膜
磁気ヘッドに摺接する磁気テープのテープ走行により生
ずる上記薄膜磁気ヘッド素子部６の摩耗を防止し、走行
する磁気テープによる薄膜磁気ヘッド素子部６への衝激
を防ぐ目的で、上記薄膜磁気ヘッド素子部６は８ｉ（ｈ
等をスパッタリング等して形成した保護膜７を介して配
設されるＺｎ−フェライト等の非磁性の酸化物材料から
なる保護基板８で覆われている。
上記従来の薄膜磁気ヘッドにおいて、薄膜磁気ヘッド素
子部６を覆う酸化物保護基板８は、エポキシ樹脂等の有
機接着剤によって磁性体基板１に接合し、あるいは溶融
ガラス９によるガラス融着によって上記磁性体基板１に
接合している。そして、上記有機接着剤は、上部コア５
を形成する磁性材料に比し十分な硬度が得られないため
、磁気テープの摺接走行によって当該薄膜磁気ヘッドの
ギャップ部１０が臨むテープ摺接面１１において著しい
摩耗を生じ、上記テープ摺接面１１のいわゆるダレやへ
こみ等を生じ、テープ摺接面１１と磁気テープとの摺接
が円滑に行なわれなくなり、記録再生特性の劣化を生じ
耐久性に乏しいものとなってしまう。そこで、従来の薄
膜磁気ヘッドにあっては、酸化物保護基板８は、上部コ
ア５等に近似する十分な硬度が得られるガラスを用いて
磁性体基板１に接合される。
子部６を覆う酸化物保護基板８は、エポキシ樹脂等の有
機接着剤によって磁性体基板１に接合し、あるいは溶融
ガラス９によるガラス融着によって上記磁性体基板１に
接合している。そして、上記有機接着剤は、上部コア５
を形成する磁性材料に比し十分な硬度が得られないため
、磁気テープの摺接走行によって当該薄膜磁気ヘッドの
ギャップ部１０が臨むテープ摺接面１１において著しい
摩耗を生じ、上記テープ摺接面１１のいわゆるダレやへ
こみ等を生じ、テープ摺接面１１と磁気テープとの摺接
が円滑に行なわれなくなり、記録再生特性の劣化を生じ
耐久性に乏しいものとなってしまう。そこで、従来の薄
膜磁気ヘッドにあっては、酸化物保護基板８は、上部コ
ア５等に近似する十分な硬度が得られるガラスを用いて
磁性体基板１に接合される。
ところで、上述のように構成される薄膜磁気ヘットにお
いて、薄膜磁気へラド素子部６上に酸化物保護基板８を
配設したとき、上記薄膜磁気ヘッド素子部６と酸化物保
護基板８間の相互拡散を防止するため、上記酸化物保護
基板８は、薄膜磁気ヘッド素子部６を覆い磁性体基板１
の全面に施された５１０２の保護膜７を介して溶融ガラ
ス９により接合されるが、高融点物質である５１０２か
らなる保護膜１とｐｂを主体とした低融点物質である溶
融ガラス９間において十分な拡散が起らないため、強固
な接合力を得ることができない。その結果、研削等の加
工工程中に酸化物保護基板８の磁性体基板１からの剥離
等１が生じ加工性が悪く、さらに機械的強度を十分に保
証されないものとなってしまっている。
いて、薄膜磁気へラド素子部６上に酸化物保護基板８を
配設したとき、上記薄膜磁気ヘッド素子部６と酸化物保
護基板８間の相互拡散を防止するため、上記酸化物保護
基板８は、薄膜磁気ヘッド素子部６を覆い磁性体基板１
の全面に施された５１０２の保護膜７を介して溶融ガラ
ス９により接合されるが、高融点物質である５１０２か
らなる保護膜１とｐｂを主体とした低融点物質である溶
融ガラス９間において十分な拡散が起らないため、強固
な接合力を得ることができない。その結果、研削等の加
工工程中に酸化物保護基板８の磁性体基板１からの剥離
等１が生じ加工性が悪く、さらに機械的強度を十分に保
証されないものとなってしまっている。
そこで本発明は、薄膜磁気ヘッド素子部を覆う酸化物保
護基板と上記薄膜磁気ヘッド素子部を形成した磁性体基
板との接合を十分な強度をもって行なえ、薄膜磁気ヘッ
ド素子部と酸化物保護基板との相互拡散を確実に防止し
得る薄膜磁気ヘッドを提供することを目的に提案された
ものである。
護基板と上記薄膜磁気ヘッド素子部を形成した磁性体基
板との接合を十分な強度をもって行なえ、薄膜磁気ヘッ
ド素子部と酸化物保護基板との相互拡散を確実に防止し
得る薄膜磁気ヘッドを提供することを目的に提案された
ものである。
以下本発明の具体的実施例を図面を参照して説明する。
本発明によって構成される薄膜磁気ヘッドは、従来提案
されているものと同様に導電性を有するＭｎ −Ｚｎ
フェライト、Ｎｉ −Ｚｎ フェライト等の酸化物
磁性材料からなる基板２１上に第２図及び第３図に示す
ように複数の薄膜磁気ヘッド素子部２２を形成している
。これら薄膜磁気ヘット素子部２２は、上記基板２１の
研摩を施した一表面全面に５ｉＣｈ 等をスパッタリン
グして絶縁層２３を形成し、この絶縁層２３上に蒸着等
の方法により形成された導電性金属にエツチングを施し
、複数の信号導体２４が基板２１内に並列するように形
成し、これら信号導体２４上に５ｉＣｈをスパッタリン
グして絶縁層２５を形成し、この絶縁層２５を介して基
板２１上にスパッタリング等により形成されたパーマロ
イやセンダスト等の磁性材料層をエツチングして上記信
号導体２４に対応して上部コア２６＠形成して構成され
ている。なお、各信号導体２４からは、それぞれ一対の
外部接続用の端子部２７が基板２１の一側縁に至るまで
延設されている。これら端子部２７は、信号導体２６を
エツチングにより形成する際に同時に形成される。
されているものと同様に導電性を有するＭｎ −Ｚｎ
フェライト、Ｎｉ −Ｚｎ フェライト等の酸化物
磁性材料からなる基板２１上に第２図及び第３図に示す
ように複数の薄膜磁気ヘッド素子部２２を形成している
。これら薄膜磁気ヘット素子部２２は、上記基板２１の
研摩を施した一表面全面に５ｉＣｈ 等をスパッタリン
グして絶縁層２３を形成し、この絶縁層２３上に蒸着等
の方法により形成された導電性金属にエツチングを施し
、複数の信号導体２４が基板２１内に並列するように形
成し、これら信号導体２４上に５ｉＣｈをスパッタリン
グして絶縁層２５を形成し、この絶縁層２５を介して基
板２１上にスパッタリング等により形成されたパーマロ
イやセンダスト等の磁性材料層をエツチングして上記信
号導体２４に対応して上部コア２６＠形成して構成され
ている。なお、各信号導体２４からは、それぞれ一対の
外部接続用の端子部２７が基板２１の一側縁に至るまで
延設されている。これら端子部２７は、信号導体２６を
エツチングにより形成する際に同時に形成される。
−Ｆ述のように基板２１上に形成された複数の薄膜磁気
ヘット素子部２２上に５ｉＯｚ等をスパンクリングして
保護膜２９を形成するが、この保護膜２９は、上記基板
２１上における薄膜磁気ヘッド素子部２２の両側の部分
３０．３１及び後にテープ摺接面３２を形成するように
研摩される薄膜磁気ヘッド素子部２２の各ギャップ部３
３が臨む前面側の部分３４を除いて形成される。そして
、各信号導体２４から延設された各端子部２７が基板２
１の一側縁側に臨む端子引出部３５における上記端子部
芝７上に形成された保護膜２９は選択的に除去され、上
記端子部２７が外部に臨むようになされる。
ヘット素子部２２上に５ｉＯｚ等をスパンクリングして
保護膜２９を形成するが、この保護膜２９は、上記基板
２１上における薄膜磁気ヘッド素子部２２の両側の部分
３０．３１及び後にテープ摺接面３２を形成するように
研摩される薄膜磁気ヘッド素子部２２の各ギャップ部３
３が臨む前面側の部分３４を除いて形成される。そして
、各信号導体２４から延設された各端子部２７が基板２
１の一側縁側に臨む端子引出部３５における上記端子部
芝７上に形成された保護膜２９は選択的に除去され、上
記端子部２７が外部に臨むようになされる。
上述のように薄膜磁気ヘッド素子部２２上に形成した保
護膜２９を介して上記薄膜磁気ヘッド素子部２２を覆う
Ｚｎ−フェライト等の非磁性の酸化物材料からなる酸化
物保護基板３６を基板２１上に配設する。この保護基板
３６には、第４図に示すように複数の薄膜磁気ヘッド素
子部２２に対応するように凹状溝３７が形成され、この
凹状溝３Ｔに各薄膜磁気ヘッド素子部２２が対応して臨
まされ上記基板２１上に配設される。そして、上記保護
基板３６は、第１の凹状溝３７部分に配設されたガラス
棒３８及びギャップ部３３の形成される面と対向する保
護基板３６の一側面側に配設されたガラス棒４０を５５
０℃程度の温度で加熱溶融することによって溶融ガラス
４１により第５図に示すように基板２１ζこ接合される
。
護膜２９を介して上記薄膜磁気ヘッド素子部２２を覆う
Ｚｎ−フェライト等の非磁性の酸化物材料からなる酸化
物保護基板３６を基板２１上に配設する。この保護基板
３６には、第４図に示すように複数の薄膜磁気ヘッド素
子部２２に対応するように凹状溝３７が形成され、この
凹状溝３Ｔに各薄膜磁気ヘッド素子部２２が対応して臨
まされ上記基板２１上に配設される。そして、上記保護
基板３６は、第１の凹状溝３７部分に配設されたガラス
棒３８及びギャップ部３３の形成される面と対向する保
護基板３６の一側面側に配設されたガラス棒４０を５５
０℃程度の温度で加熱溶融することによって溶融ガラス
４１により第５図に示すように基板２１ζこ接合される
。
次に、第５図に示すように各薄膜磁気ヘッド素子部２２
のギャップ部３３が所定の深さをもって外部に露呈する
ような位置において、所定の円筒研摩等の機械加工にて
テープ摺接面３９を形成することにより、本発明による
薄膜磁気ヘッドが完成される。
のギャップ部３３が所定の深さをもって外部に露呈する
ような位置において、所定の円筒研摩等の機械加工にて
テープ摺接面３９を形成することにより、本発明による
薄膜磁気ヘッドが完成される。
一ト述のように構成される本発明による薄膜磁気ヘッド
によると、保護基板３６は薄膜磁気ヘッド素子部２２の
両側の部分３０．３１及び前面側の部分３４においては
、５Ｉ０２からなる保護膜２９を介することなく直接基
板２１に対し溶融ガラス４１により接合される。従つ、
てこの部分においては、保護基板３６、溶融ガラス４１
及び基板２１間で十分な拡散が得られ強固な接合力をも
って上記保護基板３６と基板２１間の接合が図られる。
によると、保護基板３６は薄膜磁気ヘッド素子部２２の
両側の部分３０．３１及び前面側の部分３４においては
、５Ｉ０２からなる保護膜２９を介することなく直接基
板２１に対し溶融ガラス４１により接合される。従つ、
てこの部分においては、保護基板３６、溶融ガラス４１
及び基板２１間で十分な拡散が得られ強固な接合力をも
って上記保護基板３６と基板２１間の接合が図られる。
そして、テープ摺接面３９を形成するように研削・研摩
する場合にあっても保護基板３６と基板２１の剥離を防
止でき、加工性の良い十分に機械的強度の保証された薄
膜磁気ヘッドの提供が可能となる。
する場合にあっても保護基板３６と基板２１の剥離を防
止でき、加工性の良い十分に機械的強度の保証された薄
膜磁気ヘッドの提供が可能となる。
また、本発明においても薄膜磁気ヘッド素子部２２は５
ｉｎ２の保護膜２９で覆われているので、上記保護基板
３６との間に生ずる相互拡散は確実に防止できる。
ｉｎ２の保護膜２９で覆われているので、上記保護基板
３６との間に生ずる相互拡散は確実に防止できる。
ところで薄膜磁気ヘッドを形成する場合、前述したよう
に基板２１に保護基板３６を接合した後、各薄膜磁気ヘ
ッド素子部２２のギャップ部３３が所定の深さをもって
露呈するようにテープ摺接面３９を研削研摩するが、上
記ギャップ部３３の所定の深さｄを得る必要な研削研摩
量を容易に認識できるように、薄膜磁気ヘッド素子部２
２が形成される基板２１の前面側一端から上記ギャップ
部３３の所定の深さｄを得るまでの距離ｌｌに対応する
距離１２を有する溝部４３を上記基板２１に接合される
保護基板３６に第６図に示すようにエノチンクや切削等
の機械加工により該保護基板３６の前面側一端から薄膜
磁気ヘッド素子部２２の並列方向に直交する方向に穿設
する。そして、基板２１に保護基板３６を接合した後、
上記保護基板３６に設けた溝部４３の残り量を観察しな
がらテープ摺接面３９を形成するように研削−研摩すれ
ば、容易に所定の深さｄを有するギャップ部３３を有す
る薄膜磁気ヘッドの形成が行なえる。
に基板２１に保護基板３６を接合した後、各薄膜磁気ヘ
ッド素子部２２のギャップ部３３が所定の深さをもって
露呈するようにテープ摺接面３９を研削研摩するが、上
記ギャップ部３３の所定の深さｄを得る必要な研削研摩
量を容易に認識できるように、薄膜磁気ヘッド素子部２
２が形成される基板２１の前面側一端から上記ギャップ
部３３の所定の深さｄを得るまでの距離ｌｌに対応する
距離１２を有する溝部４３を上記基板２１に接合される
保護基板３６に第６図に示すようにエノチンクや切削等
の機械加工により該保護基板３６の前面側一端から薄膜
磁気ヘッド素子部２２の並列方向に直交する方向に穿設
する。そして、基板２１に保護基板３６を接合した後、
上記保護基板３６に設けた溝部４３の残り量を観察しな
がらテープ摺接面３９を形成するように研削−研摩すれ
ば、容易に所定の深さｄを有するギャップ部３３を有す
る薄膜磁気ヘッドの形成が行なえる。
また、第７図及び第８図に示すように、薄膜磁気ヘッド
素子部２２が形成される基板２１の前面側一端からギヤ
ツブ部３３の所定の深さｄを得るまでの距離１．を指示
するディプスマーカ４５を」二記基板２１に設け、この
基板２１に接合される保護基板３６の接合されたとき上
記デイプスマーカ４５に対応する位置に切削等の方法に
より窓部４６を穿設し、この窓部４６に透明なガラス４
７を充填する。そして、この保護基板３６を基板２１に
接合した後、ガラス４７を充填した窓部４６〃 を介して透視されるデイプスマーサ４５を観察しながら
テープ摺接面３９を形成するように研削・研摩すれば、
容易に所定の深さｄを有するギャップ部３３を有する薄
膜磁気ヘッドの形成が行なえる。
素子部２２が形成される基板２１の前面側一端からギヤ
ツブ部３３の所定の深さｄを得るまでの距離１．を指示
するディプスマーカ４５を」二記基板２１に設け、この
基板２１に接合される保護基板３６の接合されたとき上
記デイプスマーカ４５に対応する位置に切削等の方法に
より窓部４６を穿設し、この窓部４６に透明なガラス４
７を充填する。そして、この保護基板３６を基板２１に
接合した後、ガラス４７を充填した窓部４６〃 を介して透視されるデイプスマーサ４５を観察しながら
テープ摺接面３９を形成するように研削・研摩すれば、
容易に所定の深さｄを有するギャップ部３３を有する薄
膜磁気ヘッドの形成が行なえる。
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。第
２図は本発明による薄膜磁気ヘッドの薄膜磁気ヘッド素
子部が形成される基板側を示す平面図であり、第３図は
その断面図であり、第４図は基板に保護基板を接合する
状態を示す分解断面図であり、第５図は本発明による薄
膜磁気ヘッドの断面図である。第６図は保護基板に研削
量指示用の溝部を設けた例を示す断面図であり、第７図
は基板に研削量指示用のディプスマーカを設けた例を示
す分解斜視図であり、第８図はその平面図である。 ２１・・・・・・・・・・・・・・・基板２２・・・・
・・・・・・・・・・・薄膜磁気ヘッド素子部２９・・
・・・・・・・・・・・・・保護膜３０．３１・・・・
・・基板２１上の薄膜磁気ヘッド素子部２２の両側部分 ３６・・・・・・・・・・・・・・保護基板特許出願人
ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 晃 同 １） 村 榮 −
２図は本発明による薄膜磁気ヘッドの薄膜磁気ヘッド素
子部が形成される基板側を示す平面図であり、第３図は
その断面図であり、第４図は基板に保護基板を接合する
状態を示す分解断面図であり、第５図は本発明による薄
膜磁気ヘッドの断面図である。第６図は保護基板に研削
量指示用の溝部を設けた例を示す断面図であり、第７図
は基板に研削量指示用のディプスマーカを設けた例を示
す分解斜視図であり、第８図はその平面図である。 ２１・・・・・・・・・・・・・・・基板２２・・・・
・・・・・・・・・・・薄膜磁気ヘッド素子部２９・・
・・・・・・・・・・・・・保護膜３０．３１・・・・
・・基板２１上の薄膜磁気ヘッド素子部２２の両側部分 ３６・・・・・・・・・・・・・・保護基板特許出願人
ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 晃 同 １） 村 榮 −
Claims (1)
- 酸化物磁性材料からなる基板上に複数の薄膜磁気ヘッド
素子部を形成するとともに、少なくとも上記基板上にお
ける上記薄膜磁気ヘッド素子部の両側を除いて上記薄膜
磁気ヘッド素子部上に保護膜を形成し、該保護膜を介し
て上記薄膜磁気ヘッド素子部を覆うように上記基板上に
酸化物保護基板を配設するとともに該酸化物保護基板を
ガラスにより接合してなる薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13747381A JPS5841408A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13747381A JPS5841408A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5841408A true JPS5841408A (ja) | 1983-03-10 |
Family
ID=15199428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13747381A Pending JPS5841408A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5841408A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59223917A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-15 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS60138713A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Canon Inc | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS60243811A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツドの製法 |
| EP0382244A2 (en) * | 1989-02-10 | 1990-08-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetic head and process for producing same |
-
1981
- 1981-09-01 JP JP13747381A patent/JPS5841408A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59223917A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-15 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS60138713A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Canon Inc | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS60243811A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツドの製法 |
| EP0382244A2 (en) * | 1989-02-10 | 1990-08-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetic head and process for producing same |
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