JPS5838061A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
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- JPS5838061A JPS5838061A JP13409581A JP13409581A JPS5838061A JP S5838061 A JPS5838061 A JP S5838061A JP 13409581 A JP13409581 A JP 13409581A JP 13409581 A JP13409581 A JP 13409581A JP S5838061 A JPS5838061 A JP S5838061A
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- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は１例えばファクシミリにおいて、原稿の像を走
査する密着型イメージセンサに関するものである。
査する密着型イメージセンサに関するものである。
従来、・ファクシミリの読み坂り方法としては。
第１図に示すように原稿１０に光源ランプ１２により光
を照射し、その反射光を投影レンズ１３を経て主走査方
向に配列した光電変換素子１４．たとえば、ＣＣＤ上に
投影する方法が用いられている。かかる方法は、原稿の
大きさと光電変換素子の大きさが異な″るために縮小用
のレンズ系を必要とし、光学系を含めると装置が大型化
するという欠点を有していた。
を照射し、その反射光を投影レンズ１３を経て主走査方
向に配列した光電変換素子１４．たとえば、ＣＣＤ上に
投影する方法が用いられている。かかる方法は、原稿の
大きさと光電変換素子の大きさが異な″るために縮小用
のレンズ系を必要とし、光学系を含めると装置が大型化
するという欠点を有していた。
この問題を解決するために、投影レンズを使わずに直接
光電変換素子上に像を導く密着型イメージセンサが従来
よシ考案されてきた。例えば米国特許明細書筒４．１４
９．１９７号において第２図、第３図に示すような密着
型イメージセンサが提案された。この密着型イメージセ
ンサは第２図に主走査方向に沿っての断面図、第３図に
一部を切りとった斜視図を示すように、一方の透光性部
材２５より入射した光は不透明部材２４．光電変換素子
２６の中に設げた開口部、透光性部材２２を経て原稿を
照射し、その反射光な光電変換素子２３で受光して走査
しようとしたものである０かかる密着型イメージセンサ
は装置全体を小形にできるが、光電変換素子の中に開口
部を設けるために受光面積が小さくなるとともに、原稿
からの反射光め多くが、光電変換素子２３および不透明
部材２４に設けたｍ１口部を通して逃げてしまうから、
感度が必らずしも良くないと、覧われる。
光電変換素子上に像を導く密着型イメージセンサが従来
よシ考案されてきた。例えば米国特許明細書筒４．１４
９．１９７号において第２図、第３図に示すような密着
型イメージセンサが提案された。この密着型イメージセ
ンサは第２図に主走査方向に沿っての断面図、第３図に
一部を切りとった斜視図を示すように、一方の透光性部
材２５より入射した光は不透明部材２４．光電変換素子
２６の中に設げた開口部、透光性部材２２を経て原稿を
照射し、その反射光な光電変換素子２３で受光して走査
しようとしたものである０かかる密着型イメージセンサ
は装置全体を小形にできるが、光電変換素子の中に開口
部を設けるために受光面積が小さくなるとともに、原稿
からの反射光め多くが、光電変換素子２３および不透明
部材２４に設けたｍ１口部を通して逃げてしまうから、
感度が必らずしも良くないと、覧われる。
これを解決すべ（、第４図および第５図に示すような、
密着型イメージセンサが公開公報第５６−１０７７８号
、および第５６−２７５６２号で提案された。このよう
な密着型イメージセ／すでは光照射を斜め方向から行な
い、光電変換素子４４の受光面積を広くしている。かか
る密着型イメージセンサでは・原稿からの反射光を効率
良く受光することを考えると、第１の透明部材４５を薄
くできないために解像度を向上はむすがしく、照射光の
第１の透光性部材４３の原稿との対向面からの反射が多
くなりＳ／Ｎ比も大きいとは言えない。
密着型イメージセンサが公開公報第５６−１０７７８号
、および第５６−２７５６２号で提案された。このよう
な密着型イメージセ／すでは光照射を斜め方向から行な
い、光電変換素子４４の受光面積を広くしている。かか
る密着型イメージセンサでは・原稿からの反射光を効率
良く受光することを考えると、第１の透明部材４５を薄
くできないために解像度を向上はむすがしく、照射光の
第１の透光性部材４３の原稿との対向面からの反射が多
くなりＳ／Ｎ比も大きいとは言えない。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくロ、照
射光の利用効率が良いとともに、解像度を向上させるこ
とのできるように構成した密着型イメージセンサを提供
することである。
射光の利用効率が良いとともに、解像度を向上させるこ
とのできるように構成した密着型イメージセンサを提供
することである。
上記目的を達成するために１本発明による密着型イメー
ジセンサでは、走査すべき原稿と対向する側から第１の
透光性部材、原稿の主走査方向に沿って所定のピッチで
形成した光電変換素子アレイ、前記光電変′換素子アレ
イの各素子に対応したピッチで光透過用の開口部を設け
た不透明部材。
ジセンサでは、走査すべき原稿と対向する側から第１の
透光性部材、原稿の主走査方向に沿って所定のピッチで
形成した光電変換素子アレイ、前記光電変′換素子アレ
イの各素子に対応したピッチで光透過用の開口部を設け
た不透明部材。
第２の透光性部材、光源用ランプとから構成され。
原稿からの反射光を光電変換素子アレイで受光する密着
！イメージセンサにおいて、前記光電変換素子アレイの
各素子が主走査方向に沿って２乃至２５個の光透過用の
開口部を有すること、および前記不透明部材゛の開口部
が前記光電変換素子の開口部と同じ位置にあシ、かつ僅
かに小さいことを要旨とする。
！イメージセンサにおいて、前記光電変換素子アレイの
各素子が主走査方向に沿って２乃至２５個の光透過用の
開口部を有すること、および前記不透明部材゛の開口部
が前記光電変換素子の開口部と同じ位置にあシ、かつ僅
かに小さいことを要旨とする。
すなわち１本発明の密着型−イメージセンサは走査すべ
き原稿と対向する側から第１の透光性部材。
き原稿と対向する側から第１の透光性部材。
光電変換素、子、不透明部材、第２の透光性部材。
光源用ランプを具え、光電変換素子の中に複数個の光透
過用の開口部を設け、１ケの透過用の開口部の面積を小
さくして、−原稿からの反射光の通過量を抑え、各素子
内での分割され先光電変換素子間のクロストークが起る
ようにして実効的な受光面積を大きくして感度を良くし
ている。もちろん。
過用の開口部を設け、１ケの透過用の開口部の面積を小
さくして、−原稿からの反射光の通過量を抑え、各素子
内での分割され先光電変換素子間のクロストークが起る
ようにして実効的な受光面積を大きくして感度を良くし
ている。もちろん。
この場合、不透明部材にも光電変換素子の開口部に対応
して光通過用の開口部を設ける。以下附図を用いて説明
−する・ 原稿を照射する光の通過用の開口部を光電変換素子内に
１ヶ設けた場合の主走査方向の断面を第６図に示す。１
つの光電変換素子の主走査方向への大きさをＰとして、
光通過用の開口部の主走査方向の寸法をＷ、開口部の主
走査方向の距離をＢとする・第１の透光性部材の屈折率
を１１とすると。
して光通過用の開口部を設ける。以下附図を用いて説明
−する・ 原稿を照射する光の通過用の開口部を光電変換素子内に
１ヶ設けた場合の主走査方向の断面を第６図に示す。１
つの光電変換素子の主走査方向への大きさをＰとして、
光通過用の開口部の主走査方向の寸法をＷ、開口部の主
走査方向の距離をＢとする・第１の透光性部材の屈折率
を１１とすると。
光電変換素子間のクロストークな防ぐために、第１の透
光性部材１の厚みり、第１の透光性部＃１の原稿との対
向面から光電変換素子までの距離りとＢの間には次式を
満足する必要がある。
光性部材１の厚みり、第１の透光性部＃１の原稿との対
向面から光電変換素子までの距離りとＢの間には次式を
満足する必要がある。
これより、ＤとＬを小さくすることにより、Ｂを小さく
することができ、解像度を上げることができることがわ
かる。また光電変換素子内に設けた開口部の大きさＷを
大きくして照射光量を多くし・て原稿からの反射光量を
大きくしたいが、ＤやＬが小さい程開口部から逃げる原
稿からの反射光量も大きくなる。また、この原稿からの
反射光量を小さくすると、照射光量が弱くなり、原稿か
らの反射光量は少、ないものとなる。
することができ、解像度を上げることができることがわ
かる。また光電変換素子内に設けた開口部の大きさＷを
大きくして照射光量を多くし・て原稿からの反射光量を
大きくしたいが、ＤやＬが小さい程開口部から逃げる原
稿からの反射光量も大きくなる。また、この原稿からの
反射光量を小さくすると、照射光量が弱くなり、原稿か
らの反射光量は少、ないものとなる。
本発明では、光電変換素子内に設ける開口部を複数個設
けることにょシ以上の問題を解決して・いる。第７図に
不発明による密着型イメージセンサの主走査方向の断面
の原理図を示す。この例では。
けることにょシ以上の問題を解決して・いる。第７図に
不発明による密着型イメージセンサの主走査方向の断面
の原理図を示す。この例では。
主走査方向に沿゛って５ケの開口部をもっている。
１０２．１０４，１０６．１０８はすべて同一の光電変
換素子であり、１０３，１０５．１０７はその中に設け
た開口部である０まず開口部の主走査方向の大きさにつ
いてのべる０第１の透光性部材が直接原稿と対向する場
合、照射光が原稿を照らす場合（ただし原稿は空気中に
あるとする）、照射光線の第１の透光性部材の原稿との
対向への入射角θは次式を満足する。
換素子であり、１０３，１０５．１０７はその中に設け
た開口部である０まず開口部の主走査方向の大きさにつ
いてのべる０第１の透光性部材が直接原稿と対向する場
合、照射光が原稿を照らす場合（ただし原稿は空気中に
あるとする）、照射光線の第１の透光性部材の原稿との
対向への入射角θは次式を満足する。
ｓｉｎθ＜ −（２１
１
としても意味がない。したがって２本発明のよう′な密
着型イメージセンサの構造をもつ場合には光が開口部か
ら入射するようになる。よって１本発明では、光電素子
変換素子内に設ける開口部の主走査方向の寸法Ｗとして
は を選んだ〇 つぎに、光電変換素子内に設ける照射光通過用の開口部
間の距離Ｂ１について述べる０本発明では例えば第７図
では、光電変換素子１０４．１０６でクロストークを起
こさせ１等価的に受光面積を大きくしている０”したが
って、クロストークを起こさせ１等価的に受光面積を増
やす条件として次式％式％ 各素子間のグロストークを防ぐためには、第７図で、光
電変換素子部１０１，１０２がクロスト−フレないよう
にすれば良い。クロストークを起こしてはならない開口
部間の距離を８２と書き、これを弐にすれば９１次式の
ようＫなる０また１本発明においては、第１の透明部材
の厚みとして５μｍ〜５ ｍｍ ＋分解能として４〜５
０Ｊ”７ｍｍが考えられ、また有効な照射光利用を考え
、各光電変換素子内に設ける開口部の数は２乃至２５個
が適切である。光電変換素子としては、 Ｃｄ８．８ｉ
。
着型イメージセンサの構造をもつ場合には光が開口部か
ら入射するようになる。よって１本発明では、光電素子
変換素子内に設ける開口部の主走査方向の寸法Ｗとして
は を選んだ〇 つぎに、光電変換素子内に設ける照射光通過用の開口部
間の距離Ｂ１について述べる０本発明では例えば第７図
では、光電変換素子１０４．１０６でクロストークを起
こさせ１等価的に受光面積を大きくしている０”したが
って、クロストークを起こさせ１等価的に受光面積を増
やす条件として次式％式％ 各素子間のグロストークを防ぐためには、第７図で、光
電変換素子部１０１，１０２がクロスト−フレないよう
にすれば良い。クロストークを起こしてはならない開口
部間の距離を８２と書き、これを弐にすれば９１次式の
ようＫなる０また１本発明においては、第１の透明部材
の厚みとして５μｍ〜５ ｍｍ ＋分解能として４〜５
０Ｊ”７ｍｍが考えられ、また有効な照射光利用を考え
、各光電変換素子内に設ける開口部の数は２乃至２５個
が適切である。光電変換素子としては、 Ｃｄ８．８ｉ
。
ｐｂｏ 、等の光電変換素子やＣＣＤ （Ｃｈａｒｇｅ
ＣｏｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃ？） 、 Ｂ Ｂ Ｄ （
Ｂｕｃｋｅｔ Ｂｒｉｇａｄｅ Ｄｅｖｉｃｅ ）等を
用いることができる。
ＣｏｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃ？） 、 Ｂ Ｂ Ｄ （
Ｂｕｃｋｅｔ Ｂｒｉｇａｄｅ Ｄｅｖｉｃｅ ）等を
用いることができる。
以下に実施例を用いて本発明を一層詳しく説明する。
実施例１
本発明を適用した密着型イメージセンサの主走査方向の
断面を第８図に、副走査方向の断面を第１９図に、一部
を切シ取りた斜視図を第１０図に示す。本例では、光源
用ランプからの照射光を通過させる開口部が主走査方向
にそって６ケ設けられている。光源用ランプ５から出た
光線７は、第２の透光性部材４．不透明部材３中に設け
られた開口部、光電変換素子２の中に設けられた開口部
。
断面を第８図に、副走査方向の断面を第１９図に、一部
を切シ取りた斜視図を第１０図に示す。本例では、光源
用ランプからの照射光を通過させる開口部が主走査方向
にそって６ケ設けられている。光源用ランプ５から出た
光線７は、第２の透光性部材４．不透明部材３中に設け
られた開口部、光電変換素子２の中に設けられた開口部
。
第１の透光性部材１を通過し、原稿６を照射する。
原稿６からの反射光は透光性部材１を通り、光電変換素
子２に受光され、電極８，９で信号とり出す◇ここで第
７図と対応させて、第１の透光性部材、１に通常のガラ
ス（たとえば５ｉｎ２）を用いて。
子２に受光され、電極８，９で信号とり出す◇ここで第
７図と対応させて、第１の透光性部材、１に通常のガラ
ス（たとえば５ｉｎ２）を用いて。
Ｄ＝ １０／ｊｍ、Ｗ＝ ２０ ｐｍ、 Ｂ１＝ １６
ｐｍ、Ｂ２＝５４ ｐｍと設定すると、ｎ１神１．５で
あるから式（ｓｌ、 （４）、 ＜５＞の条件を満たし
、１２本／ｍｍの解像度が得られる。
ｐｍ、Ｂ２＝５４ ｐｍと設定すると、ｎ１神１．５で
あるから式（ｓｌ、 （４）、 ＜５＞の条件を満たし
、１２本／ｍｍの解像度が得られる。
また２本発明のように、光電変換素子２の中に複数個の
光通過用の開口部を設けることにより、第１の透光性部
材１を薄くでき、スパッタリング等の薄膜形成技術の導
入が可能となり２歩留り良く生産できるようになること
が前に述べた議論からより明らかである。
光通過用の開口部を設けることにより、第１の透光性部
材１を薄くでき、スパッタリング等の薄膜形成技術の導
入が可能となり２歩留り良く生産できるようになること
が前に述べた議論からより明らかである。
実施例２
第１１図は本発明を適用した第２の密着型イメージセン
サの副走査方向の断面を示す。これは。
サの副走査方向の断面を示す。これは。
副走査方向に沿っても複数個の光通過用の開口部を設け
９等価的に照射光の利用率を上げようとし゛いて述べた
ものと同じである◇第１１図に示す密着型イメージセン
サの主走査方向の断面が第８図と同じとすると、各光電
変換素子が結局３Ｘ３＝９個の光通過用の開口部を有す
ることになる。
９等価的に照射光の利用率を上げようとし゛いて述べた
ものと同じである◇第１１図に示す密着型イメージセン
サの主走査方向の断面が第８図と同じとすると、各光電
変換素子が結局３Ｘ３＝９個の光通過用の開口部を有す
ることになる。
実施例６
第１２図は本発明の他の実施の態様における密着型イメ
ージセンサの主走査方向に沿っての断面。
ージセンサの主走査方向に沿っての断面。
第１３図は副走査方向に沿っての断面を示す。この例は
、信号数シ出し用の電極の一方を酸化インジウムのよう
な透明電極を用いて、光電変換素子２を２つの電極８，
９でサンドイッチして使用するものである。光電変換素
子を厚み方向に利用するため、感度が高く、原理的に小
型化が可能である。図中、１１０は透光性部材を示す。
、信号数シ出し用の電極の一方を酸化インジウムのよう
な透明電極を用いて、光電変換素子２を２つの電極８，
９でサンドイッチして使用するものである。光電変換素
子を厚み方向に利用するため、感度が高く、原理的に小
型化が可能である。図中、１１０は透光性部材を示す。
実施例４
第１４図は本発明の他の一つの実施の態様における密着
型イメージセ／すの主走査方向の断面。
型イメージセ／すの主走査方向の断面。
第１５図は副走査方向の断面を示す。本例は光電変換素
子２として透明な水素を含む非晶質シリコン膜を用いて
構造の簡単化を図“った例である０光源用ランプ５から
出た光は第２の透光性部材４゜不透明部材３中に設けた
開口部、水素を含む非晶質シリコン膜よりなる光電変換
素子２．透明電極６、第１の透光性部材１を通りて、原
稿６を照射し、原稿からの反射光は第１の透光性部材１
．透明電極８を経て光電変換素子２に受光される。照射
光の通過する水素を含む非晶質シリコン膜の領域にも光
キャリアが発生するが、下部電極９が存在しないため、
電子と正孔を分離することはできず、再結合してしまう
。この場合、下部電極９の近傍で発生した光キャリアの
一部は、電極に入り込むから８７Ｎ比が減少する恐れが
あるが、不透明部材３と下部電極９の位置関係の最適設
計や実施例３のように、水素を含む非晶質シリコン膜中
に光通過用の開口部を設けることにより防げる。
子２として透明な水素を含む非晶質シリコン膜を用いて
構造の簡単化を図“った例である０光源用ランプ５から
出た光は第２の透光性部材４゜不透明部材３中に設けた
開口部、水素を含む非晶質シリコン膜よりなる光電変換
素子２．透明電極６、第１の透光性部材１を通りて、原
稿６を照射し、原稿からの反射光は第１の透光性部材１
．透明電極８を経て光電変換素子２に受光される。照射
光の通過する水素を含む非晶質シリコン膜の領域にも光
キャリアが発生するが、下部電極９が存在しないため、
電子と正孔を分離することはできず、再結合してしまう
。この場合、下部電極９の近傍で発生した光キャリアの
一部は、電極に入り込むから８７Ｎ比が減少する恐れが
あるが、不透明部材３と下部電極９の位置関係の最適設
計や実施例３のように、水素を含む非晶質シリコン膜中
に光通過用の開口部を設けることにより防げる。
本発明による密着型イメージセンサによれば。
（１）照射光利用率が高い密着型イメージセンサが得ら
れる。（２）原稿と対向する側の第１・の透光性部材１
の厚みを小さくでき、薄膜形成技術の導入が図れる。（
３）分解能が高い（１０〜５０本／ｍｍ）密着型イメー
ジセンサが得られる１等の効果を得ることができる。
れる。（２）原稿と対向する側の第１・の透光性部材１
の厚みを小さくでき、薄膜形成技術の導入が図れる。（
３）分解能が高い（１０〜５０本／ｍｍ）密着型イメー
ジセンサが得られる１等の効果を得ることができる。
第１図は従来のイメージセンサの原理図、第２図は従来
の密着型イメージセンサの断面図、第３図は第２図の装
置の斜視図、第４図および第５図ハ他ノ二つの従来の密
着型イメージセンサの断面図、第６図はこのような従来
の密着型イメージセンサの原理を示す断面図、第７図は
本発明の原理を示すための密着型イメージセ／すの主走
査方向の断面図、第８図は本発明による密着型イメージ
セ／すの一例の主走査方向の断面図、第９図は第８図に
示す装置の副走査方向の断面図、第１０図は第８図およ
び第９図に示す装置の一部を切りとった斜視図、第１１
図は本発明の第２の実施例における密着型イメージセン
サの副走査方向の断面図、第１２図は本発明の第６の実
施例における密着型イメージセンサの主走査方向の断面
図、第１３図は第１２図に示す装置の副走査方向の断面
図。 第１４図は本発明の第４の実施例における密着型イメー
ジセンサの主走査方向の断面図、第１５図は第１４図に
示す装置の副走査方向の断面図である０ １・・・第１の透光性部材 ２・・・光電変換素子−３
・・・不透明部材 ４・・・第２の透光性部材５
・・・光源用ランプ ６・・・原稿７・・・光線
８，９・・・電極１０１、１’０２．１０
４．１０６．１０８・・・光電変換素子部１０３．１０
５，１０７．１０９・・・不透明部材に設けられた開口
部 １１０・・・透光性部材 代理人弁理士 中村純之助 ７１ 図 １ 才 ２ 図 才３（￥１ ル４ 図 ／１７５ 区 ４７″ＸｆＸ） 才 ６ 図 才 ７ 図 １０１ １０２ １０３ １０４１０５ １０６１
０７１０８才 ８ 図 ８ ．１７９ 図 オ １１ 図 朱 １２ ［！］
の密着型イメージセンサの断面図、第３図は第２図の装
置の斜視図、第４図および第５図ハ他ノ二つの従来の密
着型イメージセンサの断面図、第６図はこのような従来
の密着型イメージセンサの原理を示す断面図、第７図は
本発明の原理を示すための密着型イメージセ／すの主走
査方向の断面図、第８図は本発明による密着型イメージ
セ／すの一例の主走査方向の断面図、第９図は第８図に
示す装置の副走査方向の断面図、第１０図は第８図およ
び第９図に示す装置の一部を切りとった斜視図、第１１
図は本発明の第２の実施例における密着型イメージセン
サの副走査方向の断面図、第１２図は本発明の第６の実
施例における密着型イメージセンサの主走査方向の断面
図、第１３図は第１２図に示す装置の副走査方向の断面
図。 第１４図は本発明の第４の実施例における密着型イメー
ジセンサの主走査方向の断面図、第１５図は第１４図に
示す装置の副走査方向の断面図である０ １・・・第１の透光性部材 ２・・・光電変換素子−３
・・・不透明部材 ４・・・第２の透光性部材５
・・・光源用ランプ ６・・・原稿７・・・光線
８，９・・・電極１０１、１’０２．１０
４．１０６．１０８・・・光電変換素子部１０３．１０
５，１０７．１０９・・・不透明部材に設けられた開口
部 １１０・・・透光性部材 代理人弁理士 中村純之助 ７１ 図 １ 才 ２ 図 才３（￥１ ル４ 図 ／１７５ 区 ４７″ＸｆＸ） 才 ６ 図 才 ７ 図 １０１ １０２ １０３ １０４１０５ １０６１
０７１０８才 ８ 図 ８ ．１７９ 図 オ １１ 図 朱 １２ ［！］
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）走査すべき原稿と対向する側から第１の透光、件
部材、原稿の主走査方向に沿って所定のピンチで形成し
た光電変換素子アレイ、前記光電変換素子アレイの各素
子に対応したピッチで光透過用の開口部を設けた不透明
部材、第２の透光性部材。 光源用ランプとから構成され、該光源用ランプからの光
を前記第２の透光性部材、前記不透明部材に設けた開口
部、前記光電変換素子アレイの各素子内に設けた開口部
、前記第１の透光性部材を通して原稿に導き、原稿から
の反射光を光電変換素子アレイで受光する密着型イメー
ジセンサにおい向に沿って、２乃至２５個の光透過用の
開口部を有すること、および前記不透明部材の開口部が
前記光電変換素子の開口部と同じ位置にあシ、かつ僅か
に小さいことを特徴とする密着型イメージセンサ。 （２）前記第１の透光性部材の厚さり、屈折率ｎ。 前記光電素子アレイの各素子の中に設けた光透過用の各
開口部の主走査方向の寸法Ｗが 特徴とする。特許請求範囲第１項記載の密着型イメージ
センサ。 （６）前記第１の透光性部材の厚さり、屈折率ｎ１原稿
との対向面と前記光電変換素子の距離り、前記光電変換
素子アレイの各素子の中に設ける光通過用の各開口部の
主走査方向の距離Ｂ１がを満足する関係にあることを特
徴とする特許請求範囲第１項記載の密着型イメージセン
サ。 （４）前記第１の透光性部材の厚さり、屈折率ｎ。 原稿との対向面と前記光電変換素子の距離り、前記光電
変換素子アレイの各素子間で最近接する開口部の主走査
方向の距離Ｂ２が を満足する関係にあることを特徴とする特許請求範囲第
１項記載の密着型イメージセンサ０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13409581A JPS5838061A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13409581A JPS5838061A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5838061A true JPS5838061A (ja) | 1983-03-05 |
| JPH0328109B2 JPH0328109B2 (ja) | 1991-04-18 |
Family
ID=15120311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13409581A Granted JPS5838061A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5838061A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6253068A (ja) * | 1985-08-31 | 1987-03-07 | Kyocera Corp | 読取り装置 |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP13409581A patent/JPS5838061A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6253068A (ja) * | 1985-08-31 | 1987-03-07 | Kyocera Corp | 読取り装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0328109B2 (ja) | 1991-04-18 |
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