JPS5835448A - Ｘ線試料台とその使用方法 - Google Patents
Ｘ線試料台とその使用方法Info
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- JPS5835448A JPS5835448A JP56134422A JP13442281A JPS5835448A JP S5835448 A JPS5835448 A JP S5835448A JP 56134422 A JP56134422 A JP 56134422A JP 13442281 A JP13442281 A JP 13442281A JP S5835448 A JPS5835448 A JP S5835448A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
- G01N23/2076—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions for spectrometry, i.e. using an analysing crystal, e.g. for measuring X-ray fluorescence spectrum of a sample with wavelength-dispersion, i.e. WDXFS
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- G01N23/223—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は溶液ｔたはガス雰囲気ＯＸ境下において試料を
容易に腐食するなどの変化をすることができるＸ線試料
台及びその使用方法に関するものである。
容易に腐食するなどの変化をすることができるＸ線試料
台及びその使用方法に関するものである。
金属材料における腐食に関連する一問題は工業的に重要
を問題であ〉、そのためＫｆ＆多くの研究が行なわれゐ
、しかしながら、基礎的な研究は、充分であるといえな
い状況にあゐ。
を問題であ〉、そのためＫｆ＆多くの研究が行なわれゐ
、しかしながら、基礎的な研究は、充分であるといえな
い状況にあゐ。
一般に腐食環境下に置れた金属材料の腐食生成物は、Ｘ
線回折法を用いて同定している。従来のその試験は次の
ような方法で行なっている・予め、Ｘ線試料台に取付る
ことの可能な寸法に試料を切断し、その試料表面が光沢
面になるようにΔ７研磨、化学研磨および電解研磨など
を順次はどこし、次いで、試料を角度分散ａＸ線回折装
置の試料台ＫＩＩ１．付で試験前の試料を構成する物質
を測定、Ｓ析する。その後、試料台から外した試料嬬腐
食液または腐食ガスを満した容器の中に所室時間、浸漬
する。そして、試料表両が変化した試料を腐食環境下か
ら取り出し、腐食環境が溶液Ｏ場金には直ちに水ま九は
溶媒によつて試料を洗滌し、乾燥すゐ、そして、再びそ
の試料をＸ線試料台に取り付て腐食生物からの回折ｘ＊
ｔ−測定し、ての物質の同定を行う。
線回折法を用いて同定している。従来のその試験は次の
ような方法で行なっている・予め、Ｘ線試料台に取付る
ことの可能な寸法に試料を切断し、その試料表面が光沢
面になるようにΔ７研磨、化学研磨および電解研磨など
を順次はどこし、次いで、試料を角度分散ａＸ線回折装
置の試料台ＫＩＩ１．付で試験前の試料を構成する物質
を測定、Ｓ析する。その後、試料台から外した試料嬬腐
食液または腐食ガスを満した容器の中に所室時間、浸漬
する。そして、試料表両が変化した試料を腐食環境下か
ら取り出し、腐食環境が溶液Ｏ場金には直ちに水ま九は
溶媒によつて試料を洗滌し、乾燥すゐ、そして、再びそ
の試料をＸ線試料台に取り付て腐食生物からの回折ｘ＊
ｔ−測定し、ての物質の同定を行う。
以上のように従来法は、腐食試験後Ｏ試料表間上に生成
した未知−貿を同定しようとするものであるが、次のよ
うな拳点がある。
した未知−貿を同定しようとするものであるが、次のよ
うな拳点がある。
（１）腐食溶液中の試料からＯｇｉ折Ｘ線を検出するこ
とができない。
とができない。
（２）角度分散型Ｘ線回折法において、腐食によりて試
料表面が凹凸になりた場合には、試料＊ＷがＢｒａｇｇ
Ｂｒ＠ｎｔａｎ＊ の集中条件から外れる九めに腐
食生成物からの回折Ｘ線を精密Ｋ１１定することができ
ない。
料表面が凹凸になりた場合には、試料＊ＷがＢｒａｇｇ
Ｂｒ＠ｎｔａｎ＊ の集中条件から外れる九めに腐
食生成物からの回折Ｘ線を精密Ｋ１１定することができ
ない。
以上のような理由から、従来法は腐食環境下での時間に
対する腐食物の生成時期、種類および量などを求めるこ
とは不可能であり九。
対する腐食物の生成時期、種類および量などを求めるこ
とは不可能であり九。
そこで、本発明者らは種々研究Ｏ艙釆腐食環境下に試料
を保持し、かつその試料からの回折Ｘ線を容易に測定で
きる腐食Ｘ線試料台を発明し良。
を保持し、かつその試料からの回折Ｘ線を容易に測定で
きる腐食Ｘ線試料台を発明し良。
また、本発明の試料台をエネルギ分散ｌ１ｘ−回折装置
に組み込むことによりて前述の従来法０１１点を解消し
た。すなわち、エネにギ分散Ｘ＊ａ新法では平行ビーム
法を用いるので試料ｌＩｗが測定時に±０．５ｍ１１ｊ
ｉ変化しても回折Ｘ線の測定に支障をきたさ゛ない。
に組み込むことによりて前述の従来法０１１点を解消し
た。すなわち、エネにギ分散Ｘ＊ａ新法では平行ビーム
法を用いるので試料ｌＩｗが測定時に±０．５ｍ１１ｊ
ｉ変化しても回折Ｘ線の測定に支障をきたさ゛ない。
また、この回折法は通常の特性ｘＩＩを用いて検出器を
連続走査する角度分散形式と異な〉連続Ｘ線を用いて一
定角度位置に設定した半導体検出器を通して多重波高分
析器によ〕分光すゐ。工′枠ギ分散形弐によるもので、
螢光Ｘｌｓおよび多数の回折Ｘ線を同時に検出できる特
徴を有する。ところが、従来のエネルギ分散型Ｘ１ｍ回
折装置では、角度分散形式と同等の充分な回折強度を得
ゐために社、約５分以上の測定時間が必！であシ、腐食
時の試料表面において短時間におき石動的変化に追随し
て回折Ｘ線を検出することは困離である。しかしながら
、本発明者らは、既にこの難点を鱗消し良方法を出願し
た（４Ｉ願昭５５−４３１３５）が、本発明はその方法
を利用することにょシ、一層有効にしたものである。前
発明の要点はエネルギ分散Ｘ＊ａ新法において、対陰極
としてコバルト、鉄、り關ムのいずれかを用い九回転対
陰極屋Ｘ線管球を使用して強力な連続ｘＩＩ平行ビーム
を試料に照射し、かつ回折ＸＩｌの測定に際して、下限
および上限ディスタリミネータを用いて必畳な回折Ｘ線
のみを３０秒以内の極短時間に検出を行うものである。
連続走査する角度分散形式と異な〉連続Ｘ線を用いて一
定角度位置に設定した半導体検出器を通して多重波高分
析器によ〕分光すゐ。工′枠ギ分散形弐によるもので、
螢光Ｘｌｓおよび多数の回折Ｘ線を同時に検出できる特
徴を有する。ところが、従来のエネルギ分散型Ｘ１ｍ回
折装置では、角度分散形式と同等の充分な回折強度を得
ゐために社、約５分以上の測定時間が必！であシ、腐食
時の試料表面において短時間におき石動的変化に追随し
て回折Ｘ線を検出することは困離である。しかしながら
、本発明者らは、既にこの難点を鱗消し良方法を出願し
た（４Ｉ願昭５５−４３１３５）が、本発明はその方法
を利用することにょシ、一層有効にしたものである。前
発明の要点はエネルギ分散Ｘ＊ａ新法において、対陰極
としてコバルト、鉄、り關ムのいずれかを用い九回転対
陰極屋Ｘ線管球を使用して強力な連続ｘＩＩ平行ビーム
を試料に照射し、かつ回折ＸＩｌの測定に際して、下限
および上限ディスタリミネータを用いて必畳な回折Ｘ線
のみを３０秒以内の極短時間に検出を行うものである。
本発明のＸ線試料台は、演算装置によシ測定解析が自動
化したエネルギ分散１１Ｘ、１１ｇ１折装置に組み込ま
れる。以下にその装置の内容を図画をもとに詳細に説明
する。
化したエネルギ分散１１Ｘ、１１ｇ１折装置に組み込ま
れる。以下にその装置の内容を図画をもとに詳細に説明
する。
第１図は本発明のＸ線試料台を含むエネルギ分散型Ｘ線
回折装置の構成図である０図面において、１はＸ線管球
、２はプニオメータ、３はノーラス９ｙト、４は試料台
、５は半導体検出器、６は増幅器、７は多重波高分析器
、８はインター７３Ｌス、９はポンプまたは電磁弁、ｌ
Ｏは演算装置および１１は操作盤である。
回折装置の構成図である０図面において、１はＸ線管球
、２はプニオメータ、３はノーラス９ｙト、４は試料台
、５は半導体検出器、６は増幅器、７は多重波高分析器
、８はインター７３Ｌス、９はポンプまたは電磁弁、ｌ
Ｏは演算装置および１１は操作盤である。
この装置では試料の腐食条件（例えば、腐食溶液の循環
およびガスの流量など）、回折Ｘ線の測定条件などのす
べての情報、指令は操作盤１１を経由して演算−置１０
とヤシとシを行うが、それを実線と点線で示しである。
およびガスの流量など）、回折Ｘ線の測定条件などのす
べての情報、指令は操作盤１１を経由して演算−置１０
とヤシとシを行うが、それを実線と点線で示しである。
すなわち、Ｘ線管球１からの連続Ｘ線をノーツスリ、ト
３゛によって平行ビーム状ＫＬ、そのビームを試料台４
の試料に照射し、回折Ｘ線をソー２スリｙ＞ａを通して
半導体検出器５によって検出し、電気信号に変換する。
３゛によって平行ビーム状ＫＬ、そのビームを試料台４
の試料に照射し、回折Ｘ線をソー２スリｙ＞ａを通して
半導体検出器５によって検出し、電気信号に変換する。
その信号は増幅器６によって増幅し、多重波高分析器７
ではエネルギ分光するとともに、その信号を所定時間ま
で計数する。その結果をインタフニス８を通して演算装
置１ｏに記憶し、随時、解析結果を演算装置のｘ−ｙプ
四、ター上に打出す。
ではエネルギ分光するとともに、その信号を所定時間ま
で計数する。その結果をインタフニス８を通して演算装
置１ｏに記憶し、随時、解析結果を演算装置のｘ−ｙプ
四、ター上に打出す。
なお演算装置１０には波高分析器７の測定結果を連続的
に記憶することが可能であ〕、単位時間当）の測定を数
多くできる。ｔた、演算装置１ｏは、操作盤１１の指令
にし九がって、インター７エス８を経由し、−ン７”９
（または電磁弁）を調節し、試験条件を変える。
に記憶することが可能であ〕、単位時間当）の測定を数
多くできる。ｔた、演算装置１ｏは、操作盤１１の指令
にし九がって、インター７エス８を経由し、−ン７”９
（または電磁弁）を調節し、試験条件を変える。
次に試料台４について図面に示す実施例によ）詳細に説
明す為、第２図は本発明の溶液を用いる腐食試料台の構
成図である０図面に訃いて、１２は腐食カプセル、１３
は自動温度調節器を備えた腐食溶液貯蔵容器、１４はポ
ンプ、１５と１５′は細管である。
明す為、第２図は本発明の溶液を用いる腐食試料台の構
成図である０図面に訃いて、１２は腐食カプセル、１３
は自動温度調節器を備えた腐食溶液貯蔵容器、１４はポ
ンプ、１５と１５′は細管である。
第３図６）はカプセルの止ｍｓ、第３図伽）＃１カプセ
ルの横方向の断面図である０図面において、１６は試料
、１７は試料保持具、１８は腐食液、１９は入射Ｘ線窓
、２０は入射Ｘ線、２１は回折Ｘ線であゐ、カプセル１
２には／ｙｆ１４にようて任意の一定温度の腐食溶液１
８が細管１ｓｔ通して送）こまれ、その腐食溶液はカプ
セルから溢れることなく細管１５′を通りて腐食溶液貯
＊ｌ１）１３に戻る。この貯麓器には容ＩＩＯ康に＊ｐ
付は九ヒータによりて常に腐食液を一定の任意温度に調
節することもできる。そして、試料１６は試料保持＾１
７によりてカプセルの中Ｋｌｌ定されるが、試料表面、
すなわち測定間は！ニオメータ２の軸上にある。その測
定面と平行に対間するｘ！１入射窓１９にａＸ線吸収係
数が小さく、腐食ｔｏ圧力訃よび酸などに充分耐えるこ
とができるマイラー箔が張夛付けである。まえ、Ｉン７
”１４Ｇ作動は演算装置によりて制御される。すなわち
、力ｆ−にル中の試料の腐食程度が強い場合には、予め
モーターを作動し、腐食溶液を循環する。逆に腐食の程
度が弱い場合には、腐食溶液を循環すゐヒとなく、腐食
溶液が満されたカプセルの中に試料を浸漬し、腐食を行
なう。
ルの横方向の断面図である０図面において、１６は試料
、１７は試料保持具、１８は腐食液、１９は入射Ｘ線窓
、２０は入射Ｘ線、２１は回折Ｘ線であゐ、カプセル１
２には／ｙｆ１４にようて任意の一定温度の腐食溶液１
８が細管１ｓｔ通して送）こまれ、その腐食溶液はカプ
セルから溢れることなく細管１５′を通りて腐食溶液貯
＊ｌ１）１３に戻る。この貯麓器には容ＩＩＯ康に＊ｐ
付は九ヒータによりて常に腐食液を一定の任意温度に調
節することもできる。そして、試料１６は試料保持＾１
７によりてカプセルの中Ｋｌｌ定されるが、試料表面、
すなわち測定間は！ニオメータ２の軸上にある。その測
定面と平行に対間するｘ！１入射窓１９にａＸ線吸収係
数が小さく、腐食ｔｏ圧力訃よび酸などに充分耐えるこ
とができるマイラー箔が張夛付けである。まえ、Ｉン７
”１４Ｇ作動は演算装置によりて制御される。すなわち
、力ｆ−にル中の試料の腐食程度が強い場合には、予め
モーターを作動し、腐食溶液を循環する。逆に腐食の程
度が弱い場合には、腐食溶液を循環すゐヒとなく、腐食
溶液が満されたカプセルの中に試料を浸漬し、腐食を行
なう。
第４図は本発明のガス雰囲気腐食試料台の構成図である
１図面において、２２はガスがンペ、２３はガス自動亀
度調節器、２４は電磁弁、２５は腐食カプセル、２６は
流量計、２７社細管である・なお、ここでは腐食カプセ
ル２５０図面を省略するが、それは第３図（ａ）、伽）
Ｋ示すカプセルと同様な形状を有し、試料をカプセル内
に保持後、ガスがカプセルから漏れるとと９ないように
上蓋を被せて用いるものである。このカプセルには任意
温度で、しか４任意圧力のガスが細管２７を通して入ゐ
、すなわち、ガスがンペ２２からの任意圧力のガスは、
まずガス自動温度調節器２３に入り、任意温度に高めら
れ、電磁弁２４を開くことによって低圧力側Ｏカ！セル
の中に入る。そして、そのガスは流量計２６を通して大
気中へ放出する。
１図面において、２２はガスがンペ、２３はガス自動亀
度調節器、２４は電磁弁、２５は腐食カプセル、２６は
流量計、２７社細管である・なお、ここでは腐食カプセ
ル２５０図面を省略するが、それは第３図（ａ）、伽）
Ｋ示すカプセルと同様な形状を有し、試料をカプセル内
に保持後、ガスがカプセルから漏れるとと９ないように
上蓋を被せて用いるものである。このカプセルには任意
温度で、しか４任意圧力のガスが細管２７を通して入ゐ
、すなわち、ガスがンペ２２からの任意圧力のガスは、
まずガス自動温度調節器２３に入り、任意温度に高めら
れ、電磁弁２４を開くことによって低圧力側Ｏカ！セル
の中に入る。そして、そのガスは流量計２６を通して大
気中へ放出する。
なお、ガスの流量は演算装置によ〕電磁弁の開きを制御
することによ）、任意に変え為ことがで亀る。そこで、
ガス雰囲気中での試料の腐食１１１ＩＬが少い場合には
、大気中へ放出すゐ量を零とし、反対に試料の腐食程度
が大きい場合には、大気中へ放出する量を任意に増加す
ゐ。
することによ）、任意に変え為ことがで亀る。そこで、
ガス雰囲気中での試料の腐食１１１ＩＬが少い場合には
、大気中へ放出すゐ量を零とし、反対に試料の腐食程度
が大きい場合には、大気中へ放出する量を任意に増加す
ゐ。
以上のように、本発明のＸ線試料台を用いることにより
て腐食溶液中およびガス雰囲気中の試料を変化させて、
その変化の過程を容易に調ぺ為ことができる。
て腐食溶液中およびガス雰囲気中の試料を変化させて、
その変化の過程を容易に調ぺ為ことができる。
実施例
第２図および第３図に示す本発明のＸ線試料台ヲ用イテ
、４０℃のＳ ９１ ＮａＣ１水Ｓｔを循環させながら
、軟鋼板の表面を腐食し、り四本対陰極Ｏ強力Ｘ線源を
有するエネルイ分散ｍＸ線回折装置によって腐食生成過
程を調べた。そ６１１１．管電圧は５０ｋＶ、管電流は
１６０ｍＡ とし、測定時間は１５秒である。
、４０℃のＳ ９１ ＮａＣ１水Ｓｔを循環させながら
、軟鋼板の表面を腐食し、り四本対陰極Ｏ強力Ｘ線源を
有するエネルイ分散ｍＸ線回折装置によって腐食生成過
程を調べた。そ６１１１．管電圧は５０ｋＶ、管電流は
１６０ｍＡ とし、測定時間は１５秒である。
第５図の（、）と（ｂ）には、測定結果の一例を示し、
（−は腐食時間が零時間、伽）は腐食時間が５時間Ｏ回
折図形を示す０図中の回折Ｘ線上の印は素地と酸化鉄を
示゛シ、Δ印はαＦ・素地、０印はｒＦ・２０１、Ｘ印
はＦ・ＯＱ１’ｌである。
（−は腐食時間が零時間、伽）は腐食時間が５時間Ｏ回
折図形を示す０図中の回折Ｘ線上の印は素地と酸化鉄を
示゛シ、Δ印はαＦ・素地、０印はｒＦ・２０１、Ｘ印
はＦ・ＯＱ１’ｌである。
以上から、本試料台は試料表面を腐食することが可能で
、しかも腐食生成物の回折Ｘ線の測定。
、しかも腐食生成物の回折Ｘ線の測定。
鱗析が容易にできるので、その効果は極めて大きい。
第１８社本発明のＸｓ試料台を含むエネルギ分散１１ｘ
ｌ１回折装置Ｏ構成を示す図、第２図は溶液を用いるＸ
線試料台の構成を示す図、第３図（ａ）。 伽）は、ｘＩｌ試料台ＯｖＡであり、−）は正面図、伽
）は断面図、篤４図はガスを用いるＸ線試料台の構成を
示す図、篤６ｍ（ａ）、伽）は、本発明Ｏ溶液を用い為
Ｘｉｌ試料台において、５チＮａｅｌ 水溶ｆ［Ｋ軟
鋼板を浸漬したと亀の測定結果を示す図であり、−）は
腐食時間が零、Ｃｂ）は５時間のそれぞれの回折Ｘ線を
示す。 １−Ｘ線管球 ２−・ｆニオメータ３−ソー２ス
リ、ト ４−・試料台 ５・・・半導体検出器 ６・−増幅器７・・・多重波
高分析器 ８・・・インター７、ス９・・・Ｉング
１０・・・演算装置１１・・・操作盤 １
２・・・腐食カプセル１３・・・腐食＊Ｗ貯蔵容器 １４−／ング １５・・・細管 １６−・試料 １７・・・試料保持具１８・・
・腐食液 １９・・・入射Ｘ線窓２０・・・入射
Ｘ線 ２１・・・回折Ｘ線２２・−ガスが／ぺ
２３・・・ガス自動温度調節器２４−・・電磁弁
２５・・・腐食カプセル２６・・・流量計 ２
７・・・細管。 第１図 第２１ 第３図 第４ｗｉ 手続補正書 昭和５６年１２月８日 特許庁長官島田春材 殿 １、事件の表引 昭和ケ乙年持 許願第１３久嫁２号 ゛１￥件との関係 出 願 人 ＩＦ ＋”＆ （＋ｇ＋ｉｌ？ｊ東京都千代田区大手
町２丁目６番３号氏 名（名称’ （６６５） ｇｒ日
本製鐵株式会社４、代理 人 、 −二 ノ一 本願明細喪中下記事項を補正いたしますＯ記 １、第２頁８行目に 「光沢面」とらるを 「平滑」と訂正する０ ２、第７頁４〜５行目に 「１９は入射Ｘ線窓、」と６るを ｒ１９はＸ線窓（マイラー箔）、」と訂正する０３、第
７頁１５行目に ｒＸ線入射窓１９」と６るを 「Ｘ線窓１９」と訂正する０ ４、第′７頁１７行目に 「マイ５−箔が」と小るを ［物質の薄膜（例えばマイう一１鉄、アルミニウムなど
）が」と訂正する０ ５、第１１頁７行目に 「１９・・・入射Ｘ線窓」とめるを ｒ１９・・・Ｘ線窓」と訂正する。
ｌ１回折装置Ｏ構成を示す図、第２図は溶液を用いるＸ
線試料台の構成を示す図、第３図（ａ）。 伽）は、ｘＩｌ試料台ＯｖＡであり、−）は正面図、伽
）は断面図、篤４図はガスを用いるＸ線試料台の構成を
示す図、篤６ｍ（ａ）、伽）は、本発明Ｏ溶液を用い為
Ｘｉｌ試料台において、５チＮａｅｌ 水溶ｆ［Ｋ軟
鋼板を浸漬したと亀の測定結果を示す図であり、−）は
腐食時間が零、Ｃｂ）は５時間のそれぞれの回折Ｘ線を
示す。 １−Ｘ線管球 ２−・ｆニオメータ３−ソー２ス
リ、ト ４−・試料台 ５・・・半導体検出器 ６・−増幅器７・・・多重波
高分析器 ８・・・インター７、ス９・・・Ｉング
１０・・・演算装置１１・・・操作盤 １
２・・・腐食カプセル１３・・・腐食＊Ｗ貯蔵容器 １４−／ング １５・・・細管 １６−・試料 １７・・・試料保持具１８・・
・腐食液 １９・・・入射Ｘ線窓２０・・・入射
Ｘ線 ２１・・・回折Ｘ線２２・−ガスが／ぺ
２３・・・ガス自動温度調節器２４−・・電磁弁
２５・・・腐食カプセル２６・・・流量計 ２
７・・・細管。 第１図 第２１ 第３図 第４ｗｉ 手続補正書 昭和５６年１２月８日 特許庁長官島田春材 殿 １、事件の表引 昭和ケ乙年持 許願第１３久嫁２号 ゛１￥件との関係 出 願 人 ＩＦ ＋”＆ （＋ｇ＋ｉｌ？ｊ東京都千代田区大手
町２丁目６番３号氏 名（名称’ （６６５） ｇｒ日
本製鐵株式会社４、代理 人 、 −二 ノ一 本願明細喪中下記事項を補正いたしますＯ記 １、第２頁８行目に 「光沢面」とらるを 「平滑」と訂正する０ ２、第７頁４〜５行目に 「１９は入射Ｘ線窓、」と６るを ｒ１９はＸ線窓（マイラー箔）、」と訂正する０３、第
７頁１５行目に ｒＸ線入射窓１９」と６るを 「Ｘ線窓１９」と訂正する０ ４、第′７頁１７行目に 「マイ５−箔が」と小るを ［物質の薄膜（例えばマイう一１鉄、アルミニウムなど
）が」と訂正する０ ５、第１１頁７行目に 「１９・・・入射Ｘ線窓」とめるを ｒ１９・・・Ｘ線窓」と訂正する。
Claims (2)
- （１）外周部の一部に開口部を設け、諌開口部にＸ線透
過可能な物質の薄膜をとシつけた容量内に、試料保持機
構を有す為ことを特徴とするＸ線試料台・ - （２）外周部の一部に開口部を設け、皺開口部にＸ線透
過可能な物質の薄膜をと夛つけた容器内に、任意の溶液
また拡任意のガスを満した状態および／ｌた杜それらを
循環、流動した状態の客器内に試料を保持し、試料表面
を変化させることを善黴とするＸ線試料台の使用方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56134422A JPS5835448A (ja) | 1981-08-27 | 1981-08-27 | Ｘ線試料台とその使用方法 |
| NL8104483A NL8104483A (nl) | 1981-08-27 | 1981-10-01 | Werkwijze en inrichting voor x-straaldiffractometrie. |
| DE19813139128 DE3139128A1 (de) | 1981-08-27 | 1981-10-01 | Verfahren und vorrichtung zur roentgenbeugungsspektrokopie |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56134422A JPS5835448A (ja) | 1981-08-27 | 1981-08-27 | Ｘ線試料台とその使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5835448A true JPS5835448A (ja) | 1983-03-02 |
Family
ID=15128008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56134422A Pending JPS5835448A (ja) | 1981-08-27 | 1981-08-27 | Ｘ線試料台とその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5835448A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003506244A (ja) * | 1999-07-30 | 2003-02-18 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 自動車のウィンドウガラスをクリーニングするためのワイパブレード |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5124285B2 (ja) * | 1972-06-10 | 1976-07-23 |
-
1981
- 1981-08-27 JP JP56134422A patent/JPS5835448A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5124285B2 (ja) * | 1972-06-10 | 1976-07-23 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003506244A (ja) * | 1999-07-30 | 2003-02-18 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 自動車のウィンドウガラスをクリーニングするためのワイパブレード |
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