JPS5834936A - 半導体自動ボンデイング装置 - Google Patents
半導体自動ボンデイング装置Info
- Publication number
- JPS5834936A JPS5834936A JP56133487A JP13348781A JPS5834936A JP S5834936 A JPS5834936 A JP S5834936A JP 56133487 A JP56133487 A JP 56133487A JP 13348781 A JP13348781 A JP 13348781A JP S5834936 A JPS5834936 A JP S5834936A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- heater block
- abnormality
- semiconductor pellet
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体自動がンディング装置の改良に関する
。
。
近年、半導体自動がンディング装置は、その複数台を1
人のオペレータで操作するか、戒はオペレータを不要に
した無人化機構により、作業性の向上が図られている。
人のオペレータで操作するか、戒はオペレータを不要に
した無人化機構により、作業性の向上が図られている。
而して、半導体自動ぎンディング装置に設けられたがン
ディング機構を構成するキャピラリーの駆動やX−Yス
テージの駆動は、マイクロコンピュータにより制御され
ている。とのがンディング機構によるがンディング操°
作の際にリードフレームが所定位置に設定されているか
否かや、−ンディングされたがンディング線に欠陥があ
るかどうかは、異常検出機構によって検出され、異常が
発見された場合には送り機構によりリードフレームを所
定位置に戻してビンディング操作を停止するか、或は異
常を発見したその位置でビンディング操作を停止するよ
うになりでいる。
ディング機構を構成するキャピラリーの駆動やX−Yス
テージの駆動は、マイクロコンピュータにより制御され
ている。とのがンディング機構によるがンディング操°
作の際にリードフレームが所定位置に設定されているか
否かや、−ンディングされたがンディング線に欠陥があ
るかどうかは、異常検出機構によって検出され、異常が
発見された場合には送り機構によりリードフレームを所
定位置に戻してビンディング操作を停止するか、或は異
常を発見したその位置でビンディング操作を停止するよ
うになりでいる。
しかしながら、ゲンディグ操作位置で停止された場合に
は、リードフレームの下面に当接されたヒータブロック
は当接されたままの状態になっておシ、シかもゲンディ
ング操作時の温度が高いため(通常的400℃)、停止
状態で長時間放置するとリードフレームの酸化が急速に
進行する。また、リードフレームに載置された半導体ベ
レットが熱による損傷を受け、その信頼性を著しく低下
させる問題があった。
は、リードフレームの下面に当接されたヒータブロック
は当接されたままの状態になっておシ、シかもゲンディ
ング操作時の温度が高いため(通常的400℃)、停止
状態で長時間放置するとリードフレームの酸化が急速に
進行する。また、リードフレームに載置された半導体ベ
レットが熱による損傷を受け、その信頼性を著しく低下
させる問題があった。
本発明は、かかる点に艦みてなされたもので、異常を検
出した任意の位置で長期間に亘ってリードフレームの移
動を停止させてしかも半導体ベレットの高信頼性を維持
し、かつ作業性の向上を図った半導体自動−ンディング
装置を提供するものである。
出した任意の位置で長期間に亘ってリードフレームの移
動を停止させてしかも半導体ベレットの高信頼性を維持
し、かつ作業性の向上を図った半導体自動−ンディング
装置を提供するものである。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
図は、本発明の一実施例の構成を示す説明図である。図
中1は、半導体ベレット2が載置されたり−ド7レーム
31にフレーム4に沿って移送せしめる送シ機構である
。フレーム4間の下方には、リードフレーム4の下面に
当接されるヒータブロック5が設けられている。ヒータ
プロ、り5は、ヒータブロック昇降機構6によって自在
に昇降動するよう和なっている。リードフレーム3の上
方には、半導体4レツト2にがンディングを施すメンデ
ィング機構7とぎンディング操作の異常を検出する異常
検出機構8が設けられている。異常検出機構8の出力信
号は、送り機構1に電気的に接続さ庇た停止機構9とヒ
ータプロ、り昇降機構6に電気的に接続されたヒータプ
ロ、り降下機構10に供給されるようになっている゛。
中1は、半導体ベレット2が載置されたり−ド7レーム
31にフレーム4に沿って移送せしめる送シ機構である
。フレーム4間の下方には、リードフレーム4の下面に
当接されるヒータブロック5が設けられている。ヒータ
プロ、り5は、ヒータブロック昇降機構6によって自在
に昇降動するよう和なっている。リードフレーム3の上
方には、半導体4レツト2にがンディングを施すメンデ
ィング機構7とぎンディング操作の異常を検出する異常
検出機構8が設けられている。異常検出機構8の出力信
号は、送り機構1に電気的に接続さ庇た停止機構9とヒ
ータプロ、り昇降機構6に電気的に接続されたヒータプ
ロ、り降下機構10に供給されるようになっている゛。
而して、このように構成された半導体自動がンディング
装置11によれば、送シ機構1によって半導体ベレット
2が載置されたリードフレーム3t−所定位置に移送し
、ヒータプロ、り昇降機構6によってリードフレーム3
の下面にヒータブロック5と当接した状態で、カンディ
ング機構7を操作して半導体ベレット2にがンディング
を施す。次いで、このがンディング操作時に半導体ベレ
ット2が所定位置に設定されていなかったシ、或はeン
ディングされたがンデ、イング線に損傷が発生している
ような異常の有無を異常検出機構8によって検出する。
装置11によれば、送シ機構1によって半導体ベレット
2が載置されたリードフレーム3t−所定位置に移送し
、ヒータプロ、り昇降機構6によってリードフレーム3
の下面にヒータブロック5と当接した状態で、カンディ
ング機構7を操作して半導体ベレット2にがンディング
を施す。次いで、このがンディング操作時に半導体ベレ
ット2が所定位置に設定されていなかったシ、或はeン
ディングされたがンデ、イング線に損傷が発生している
ような異常の有無を異常検出機構8によって検出する。
異常が検出された場合には、所定の信号が停止機構9に
供給され、この停止機構90指令に従って送シ機構IK
よるリードフレーム3の移送が停止される。異常検出機
構Iの出力信号は、更にヒータブロック降下機構10に
供給され、ヒータプロ、り降下機構10の指令に従って
ヒータブロック昇降機構6が作動し、ヒータブロック5
はリードフレームJの下面から離間される。
供給され、この停止機構90指令に従って送シ機構IK
よるリードフレーム3の移送が停止される。異常検出機
構Iの出力信号は、更にヒータブロック降下機構10に
供給され、ヒータプロ、り降下機構10の指令に従って
ヒータブロック昇降機構6が作動し、ヒータブロック5
はリードフレームJの下面から離間される。
このようにして異常を検出した位置でリードフレーム3
の移送を停止することができ、しかも、がンディング操
作のために約400℃の高温に加熱されたヒータプロ、
り5がリードフレーム3の下面から離間されるので、リ
ードフレーム3の移送を長期間に亘って停止して龜ヒー
タプロ、り5による過剰過熱によってリードフレーム3
が酸化されるのを防止できると共に、半導体ベレット2
に熱による損傷が発生するのを防止できる。
の移送を停止することができ、しかも、がンディング操
作のために約400℃の高温に加熱されたヒータプロ、
り5がリードフレーム3の下面から離間されるので、リ
ードフレーム3の移送を長期間に亘って停止して龜ヒー
タプロ、り5による過剰過熱によってリードフレーム3
が酸化されるのを防止できると共に、半導体ベレット2
に熱による損傷が発生するのを防止できる。
その結果、異常を検出した任意の位置で直ちにリードフ
レーム3の移送を停止させることができ、しかも長期間
に亘って停止状態を保っても半導体ベレット2の高信頼
性を維持することができ、作業性を向上させることがで
きる。
レーム3の移送を停止させることができ、しかも長期間
に亘って停止状態を保っても半導体ベレット2の高信頼
性を維持することができ、作業性を向上させることがで
きる。
尚、リードフレーム3の下面からヒータプロ、り5を離
間させる速度及び離間距離はがンディング時の温度及び
半導体ベレット2の仕様尋に応じて適宜設定するのが望
ましい。
間させる速度及び離間距離はがンディング時の温度及び
半導体ベレット2の仕様尋に応じて適宜設定するのが望
ましい。
以上説明した°如く、本発明に係る半導体自動ビンディ
ング装置によれば、リードフレームの移送を任意の位置
で長期間行い、しかも半導体ベレットの高信頼性を維持
して作業性を向上させることができる等顕著な効果を奏
するものである。
ング装置によれば、リードフレームの移送を任意の位置
で長期間行い、しかも半導体ベレットの高信頼性を維持
して作業性を向上させることができる等顕著な効果を奏
するものである。
図は、本発明の一実施例の構成を示す説明図である。
Claims (1)
- 半導体ペレットが載置されたリードフレームを送給する
送り機構と、前記半導体イレットにワイヤボンディング
を施す一ンディング機構と、前記リードフレームの下面
にヒータブ冒、りを当接せしめるヒータツロ、り昇降機
構と、ビンディング操作の異常を検出する異常検出機構
と、該異常検出機構の信号によ)前記送り機構の駆動を
停止せしめる停止機構と、該異常検出機構の信号によシ
前記ヒータブロックを前記リードフレームから離間せし
めるヒータブロック降下機構とを具備することt%徴と
する半導体自動がンディンダ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56133487A JPS5834936A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 半導体自動ボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56133487A JPS5834936A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 半導体自動ボンデイング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5834936A true JPS5834936A (ja) | 1983-03-01 |
Family
ID=15105912
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56133487A Pending JPS5834936A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 半導体自動ボンデイング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5834936A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5921284A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-02-03 | Hitachi Ltd | Pwmインバ−タの制御装置 |
JPS61148827A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-07 | Toshiba Corp | ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法 |
JPH03102842A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-30 | Nec Corp | 半導体のワイヤボンディング装置 |
-
1981
- 1981-08-26 JP JP56133487A patent/JPS5834936A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5921284A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-02-03 | Hitachi Ltd | Pwmインバ−タの制御装置 |
JPS61148827A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-07 | Toshiba Corp | ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法 |
JPH03102842A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-30 | Nec Corp | 半導体のワイヤボンディング装置 |
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