JPS5834608A - 増幅回路 - Google Patents

増幅回路

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JPS5834608A
JPS5834608A JP56132832A JP13283281A JPS5834608A JP S5834608 A JPS5834608 A JP S5834608A JP 56132832 A JP56132832 A JP 56132832A JP 13283281 A JP13283281 A JP 13283281A JP S5834608 A JPS5834608 A JP S5834608A
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JP
Japan
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transistor
voltage
transistors
output
potential
Prior art date
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JP56132832A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Mizuguchi
博 水口
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はきわめて低い電源電圧のもとて安定に動作する
増幅回路(電圧コンパレータとして使用した場合も含む
)を提供するものである。
第1図に従来からよく知られた増幅回路の一例1vより
も低くなると動作が不安定となる。
すなわち、トランジスタ3とともに差動段を構成スるト
ランジスタ4のコレクタ・エミッタ間の動作電圧は約0
.4Vであり(ここでいう動作電圧とは、常温において
、コレクタ電流を1ooμ八位に設定したときの飽和電
圧の2倍の動作マージンを含めた値を指す。)、前記差
動段の電流供給路となるトランジスタ5のコレラ)・エ
ミッタ間の動作電圧も約0.4 Vであり、前記トラン
ジスタ4ノコレクタ側に接続されたトランジスタ6のコ
レクタ・エミッタ間電圧は約0.7vであり、これらを
合計すると1.6vとなる。
1だ、前記トランジスタ5のエミッタ側に接続された抵
抗7に0.1vの電圧降下をもだせるとすると限界電圧
は1,6vとなる。
したがって、第1図の回路では乾電池1個で働かせると
する。ト、充分な動作マージンをとることが出来ず、問
題が多かった。
また、上記例に限らず、より低い電源電圧まで安定に動
作する回路は資源の節減と言う観点からも必要であった
本発明の増幅回路は以上の様な問題を解消するものであ
る。
第2図は本発明の一実施例の回路結線図であり、NPN
型のトランジスタ3とNPN型のトランジスタ4のエミ
ッタは互いに接続されて、定電流供給用のトランジスタ
5と抵抗7を介してマイナス側給電線路2に接続され、
前記トランジスタ3゜4のコレクタは、それぞれ抵抗8
,9を介してプラス側給電線路1に接続されているとと
もに、前記トランジスタ3,4のコレクタには、それぞ
れ相補型であるところのPNP 型のトランジスタ10
.11のエミッタが接続されている。
また、前記トランジスタ10.11のベースは互いに接
続されるとともに定電流供給用のトランジスタ12−と
抵抗13を介してマイナス側給電線路2に接続され、前
記トランジスタ11のコレクタは直接にマイナス側給電
線路2に接続され、前記トランジスタ10のコレクタは
トランジスタ14のベースに接続されているとともに抵
抗16を介してマイナス側給電線路2に接続されている
さらに、前記トランジスタ14のエミッタは直接にマイ
ナス側給電線路2に接続され、コレクタは信号出力端子
16に接続されているとともに抵抗17を介してプラス
側給電線路1に接続されている。
また、前記トランジスタ3,4のベースは、それぞれ非
反転入力端子181反転入力端子19に接続され、プラ
ス側給電線路1.マイナス側給電線路2はそれぞれ給電
端子20.21に接続されている。
一方、プラス側給電線路1とマイナス側給電線路2の間
には抵抗22を介してトランジスタ23のベース・エミ
ッタ間が接続され、前記トランジスタ23のベースには
同トランジスタのコレクタが接続されているとともにト
ランジスタ24のベースが接続されている。
また、前記トランジスタ24の第1および第2エミツタ
は、いずれも抵抗26を介してマイナス側給電線路2に
接続され、コレクタはトランジスタ26のベースおよび
コレクタ、さらにはトランジスタ27のベースに接続さ
れている。前記トランジスタ26.27のエミッタは、
いずれもプラス側給電線路1に接続され、前記トランジ
スタ27のコレクタはトランジスタ28のベースおよび
コレクタ、さらには前記トランジスタ6.12のベース
に接続され、前記トランジスタ28のエミッタは抵抗2
9を介してマイナス側給電線路2に接続されている。
なお、トランジスタ3,4,5,12,14゜23.2
4.28がNPN 型トランジスタで、トランジスタ1
0,11.26.27はPNP  型トランジスタであ
る。
さて、第2図の回路において、入力端子18の電位が入
力端子19の電位よりも高くなったとすると、トランジ
スタ3のコレクタ電流が急激に増加し、反対にトランジ
スタ4のコレクタ電流が急激に減少するのでトランジス
タ10のコレクタ電流は急激に減少し、その結果、トラ
ンジスタ14のベース電流、コレクタ電流も減少して出
力端子16の電位は上昇する。
前記入力端子18の電位が前記入力端子19の電位より
も低くなったとすると逆の過程を経て前記出力端子16
の電位は下降する。
ところで、第2図の回路において、給電電圧の低下に対
して最も余裕のない箇所は、抵抗8およびトランジスタ
1oのベース・エミッタ間を経てトランジスタ12のコ
レクタ・エミッタ間に至る経路であり、前記トランジス
タ14の動作電圧が0.4V 、 前記)ランジスタ1
oのベース・エミッタ間電圧が約0.7vであるので、
前記抵抗8および13の両端の電圧を0.1vに設計し
たとすると限界電圧は約1.3vとなる。
つまり、第2図の回路では第1図の回路に比べて、1個
のトランジスタのコレクタ・エミッタ間飽和電圧分だけ
限界電圧が低くなったことになる。
なお、第2図の回路において、トランジスタ23.24
と抵抗22.25は定電流発生回路を構成しており、ト
ランジスタ26,27,28゜6.12と抵抗29,7
.13はいずれもカレントミラー回路を構成している。
さて、第3図は本発明の増幅回路を乾電池2本を電源と
するマイクロカセットテープレコーダのキャプスタン駆
動用モータの速度制御装置に適用した例を示したもので
、第2図と同様のものについては同一の符号を付してい
る。
第3図では、PNP 型のトランジスタ11のコレクタ
にNPN 型のトランジスタ30のベースおよびコレク
タ、さらにはNPN 型のトランジスタ31のベースが
接続され、前記トランジスタ30゜31のエミッタはい
ずれもマイナス側給電線路2に接続され、前記トランジ
スタ31のコレクタはトランジスタ10のコレクタに接
続されているとともにトランジスタ14のベースにも接
続されている。
さらに、トランジスタ10.11のベースとプラス側給
電線路1の間に電圧クランパとしてトランジスタ32の
ベース・エミッタ間および抵抗33が接続されているが
、これらは必ずしも必要ではない。
第3図の回路は第2図の回路にトランジスタ3゜とトラ
ンジスタ31による出力回路を付加したものであるが、
この出力回路によって増幅ゲインは第2図の回路に比べ
て一層高めることが出来る。
ところで、第2図、第3図の実施例では、いずれもバイ
ポーラトランジスタを用いているが、第4図に示す様に
ユニポーラトランジスタ(以下、FET  と略称する
)を用いて構成することも出来る。
第4図では、Nチャネルエンノ・ンスメント型MO8F
ET  103および10417)ドレインは、それぞ
れ抵抗8,9を介してプラス側給電線路1に接続され、
前記FET  103,104のドレインには、それぞ
れPチャネルエンハンスメント型MO8FET  11
0 、111(7)ソースカ接続され、前記FET11
1 のドレインidNチャネルエンハンスメント型MO
8FET 130 のゲートおよびドレイン、Nチャネ
ルエンノ1ンスメント型MO8FET131のゲートに
接続され、前記FET131  のドレインは前記FE
T110 のドレインに接続されているとともに信号出
力端子16にも接続されている。
tた、前記FET 130,131のソースはいずれも
マイナス側給電線路2に接続されている。
一方、プラス側給電線路1とマイナス側給電線路2の間
には抵抗22とNチャネルエンノ1ンスメ−ント型MO
8FET 123 のドレイン拳ソース間が直列に接続
され、前記FET123のドレインには同FET  の
ゲートおよびNチャネルエンノ・ンスメント型MO8F
ET 105,112のゲートが接続されている。前記
FET 105,112のソースはいずれもマイナス側
給電線路2に接続され、前記FET  10s (Dド
レインは前記FET 103゜104のソースに接続さ
れ、前記FET112 のドレインは前記FET  j
lo、111のゲートおよびPチャネルエンノ−ンスメ
ント型MO8FET132のゲートおよびドレインに接
続され、前記FET132のソースは抵抗33を介して
プラス側給電線路1に接続されている。
なお、第4図の回路の動作および効果については第2図
あるいは第3図の回路と同様であるので。
その説明は省略する。
以上の様に本発明の増幅回路は、第1のトランジスタと
第2のトランジスタの共通電極゛(エミッタあるいはソ
ース)を互いに接続するとともに第1の給電手段(第2
図においてはトランジスタ5と抵抗7であるが単なる抵
抗だけでも良い)を介して一方の給電線路に接続し、前
記第1.第2のトランジスタの出力電極(コレクタある
いはドレイン)はそれぞれ抵抗を介して他方の給電線路
に接続し、前記第1.第2のトランジスタの出力側にそ
れぞれ前記第1.第2のトランジスタと相補型の第3.
第4のトランジスタの共通電極を接続し、前記第3.第
4のトランジスタの入力電極(ベースあるいはゲート)
を互いに接続するとともに第2の給電手段(第2図にお
いてはトランジスタ12と抵抗13であるが単なる抵抗
だけでも良い。)を介して一方の給電線路に接続し、前
記第3、第4のトランジスタの少なくとも一方の出力電
極から出力信号を取り出す出力手段(第2図の回路にお
いてはトランジスタ14と抵抗17によスタ30,31
.14によって構成されている。)を備え、前記第1.
第2のトランジスタの少なくとも一方の入力電極に入力
信号を印加するように構成したもので、従来回路に比べ
て、より低い電源電圧まで安定に動作させることが出来
るという大なる効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例を示す回路結線図、第2図、第3図、第
4図はいずれも本発明の実施例である増幅回路の回路結
線図である。 3.4・・・・・・NPN型のトランジスタ、8,9・
・・・・・抵抗、10.11・−・・・・PNP型のト
ランジスタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)第1のトランジスタと第2のトランジスタの共通
    電極をたがいに接続するとともに第1の給電手段を介し
    て一方の給電線路に接続し、前記第1および第2のトラ
    ンジスタの出力電極はそれぞれ抵抗を介して他方の給電
    線路に接続し、前記第1および第2のトランジスタの出
    力側にそれぞれ前記第1および第2のトランジスタと相
    補型の第3および第4のトランジスタの共通電極を接続
    し、前記第3および第4のトランジスタの入力電極をだ
    がいに接続するとともに第2の給電手段を介して一方の
    給電線路に接続し、前記第3および第4のトランジスタ
    の少なくとも一方の出力電極から出力信号を取り出す出
    力手段を備え、前記第1および第2のトランジスタの少
    なくとも一方の入力電極に入力信号を印加するようにし
    たことを特徴とする増幅回路。 (2、特許請求の範囲第(1)項の記載において、前記
    第1および第2の給電手段を定電流回路によって構成し
    たことを特徴とする増幅回路。 (3)特許請求の範囲第(2)項の記載において、前記
    出力手段を、前記第3のトランジスタの出力電極に入力
    電極と出力電極が接続された第6のトランジスタと、前
    記第3のトランジスタの出力電極に入力電極が接続され
    、前記第4のトランジスタの出力電極に出力電極が接続
    された第6のトランジスタによって構成し、前記第6の
    トランジスタの出力電極から出力信号を取り出すように
    したことを特徴とする増幅回路。
JP56132832A 1981-08-24 1981-08-24 増幅回路 Pending JPS5834608A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61116412A (ja) * 1984-11-12 1986-06-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 差動増幅器
JPH0388507A (ja) * 1989-08-31 1991-04-12 Toshiba Micro Electron Kk 差動増幅回路
JP2008187403A (ja) * 2007-01-29 2008-08-14 Sony Corp 電流電圧変換回路、フォトディテクタ回路及び光ディスク装置

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JPS5199959A (ja) * 1975-01-29 1976-09-03 Rca Corp

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