JPS5834603A - マイクロ波トランジスタ発振器 - Google Patents
マイクロ波トランジスタ発振器Info
- Publication number
- JPS5834603A JPS5834603A JP13301481A JP13301481A JPS5834603A JP S5834603 A JPS5834603 A JP S5834603A JP 13301481 A JP13301481 A JP 13301481A JP 13301481 A JP13301481 A JP 13301481A JP S5834603 A JPS5834603 A JP S5834603A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric substrate
- conductor
- waveguide
- ground conductor
- rectangular waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、 ＭＩＣ（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔ
ｅｇｒａｔｅｄ Ｃ１ｒ −ｃｕｉｔ）で構成し、かつ
、出力端子を導波管とした。歯安定なマイクロ波トラン
ジスタ発振器に関するものである。
ｅｇｒａｔｅｄ Ｃ１ｒ −ｃｕｉｔ）で構成し、かつ
、出力端子を導波管とした。歯安定なマイクロ波トラン
ジスタ発振器に関するものである。
マイクロ波トランジスタ発掘器を構成する場合。
ＭＩＣで構成し、かつ、出力端子を方形導波管とするこ
とがある。
とがある。
第１ＵｇＪは、 ＭＩＣとしてマイクロストリップを
使用した場合の従来のこの種装置の構造を示す図であり
、トランジスタ（１１の第１の端子（２）、第２の端子
（３１，および第３の端子（４）は、誘電体基板（５；
上に設けた第１のストリップ導体（６１，第２のストリ
ップ導体（７１，および第３のストリップ導体（８１に
それぞれ接続されている。また、上記第１のス） ＩＪ
ツブ導体（６１の近傍の所定の位置に所定の形状の高Ｑ
な誘電体共振器（９）が装荷されており、上記第２のス
トリップ導体（７１の一端はＭＩＣ−同軸変換器−に接
続されている。
使用した場合の従来のこの種装置の構造を示す図であり
、トランジスタ（１１の第１の端子（２）、第２の端子
（３１，および第３の端子（４）は、誘電体基板（５；
上に設けた第１のストリップ導体（６１，第２のストリ
ップ導体（７１，および第３のストリップ導体（８１に
それぞれ接続されている。また、上記第１のス） ＩＪ
ツブ導体（６１の近傍の所定の位置に所定の形状の高Ｑ
な誘電体共振器（９）が装荷されており、上記第２のス
トリップ導体（７１の一端はＭＩＣ−同軸変換器−に接
続されている。
ここで、上記第１のストリップ導体（６１と上記誘電体
共振器（９１とは主に発振周波数を決定し特に、上記誘
電体共振器（９）は発振周波数の高安定化を計り上記第
２のス） ＩＪツブ導体（７）は主にインピーダンス変
換回路を形成し、上記第３のストリップ導体＋８１は主
に帰還量を決定するための４のである。
共振器（９１とは主に発振周波数を決定し特に、上記誘
電体共振器（９）は発振周波数の高安定化を計り上記第
２のス） ＩＪツブ導体（７）は主にインピーダンス変
換回路を形成し、上記第３のストリップ導体＋８１は主
に帰還量を決定するための４のである。
上記構造の発振器の出力マイクロ波信号は。
上記ＭＩＣ−同軸変換器ａＧｔ−介して同軸線路（１１
１に至り、そこを同軸線路の伝搬モードで伝搬し。
１に至り、そこを同軸線路の伝搬モードで伝搬し。
さらに同軸−導波管変換器ａＺｔ−介して方形導波管（
１３１に至り、そこを方形導波管の伝搬モードで伝搬し
出力端子（１４１に至る。なお１図において＜１５１は
接地導体である。このように従来のこの種装置では０発
振周波数の高安定化を計るための誘電体共振器（９）と
、 ＭＩＣと導波管との変換を計るためのＭＩＣ−同軸
変換器側、同軸線路０１１および同軸−導波管変換器α
２とが別個に必要であり。
１３１に至り、そこを方形導波管の伝搬モードで伝搬し
出力端子（１４１に至る。なお１図において＜１５１は
接地導体である。このように従来のこの種装置では０発
振周波数の高安定化を計るための誘電体共振器（９）と
、 ＭＩＣと導波管との変換を計るためのＭＩＣ−同軸
変換器側、同軸線路０１１および同軸−導波管変換器α
２とが別個に必要であり。
装置が複雑になり、かつ大きくなる欠点があった。
この発明はこの欠点を除去するため、一端を短絡した方
形導波・９中に方形導波管の幅狭面に平行に１発振回路
を構成するためのＭＩＣｉ形成した所定の形状の１枚の
誘電体基板を装荷することにより０発振周波数の安定化
をはかるための空胴および、導波管−ＭＩＣ変換器を同
時に構成できるようにしたものであり、以下５図面につ
いて詳細に説明する。 ′ 第２図はＭＩＣとしてマイクロストリップを使用した場
合のこの発明による装置の実施例を示す斜視図であり、
第３図は方形導波管の幅狭面方向からみた断面図、第４
図は分解図である。
形導波・９中に方形導波管の幅狭面に平行に１発振回路
を構成するためのＭＩＣｉ形成した所定の形状の１枚の
誘電体基板を装荷することにより０発振周波数の安定化
をはかるための空胴および、導波管−ＭＩＣ変換器を同
時に構成できるようにしたものであり、以下５図面につ
いて詳細に説明する。 ′ 第２図はＭＩＣとしてマイクロストリップを使用した場
合のこの発明による装置の実施例を示す斜視図であり、
第３図は方形導波管の幅狭面方向からみた断面図、第４
図は分解図である。
一端を短絡した方形導波管ωの幅広面の寸法りを＃１ぼ
等分する位置に所定の形状の開孔ｃａ１１’を設け、上
記開孔Ｑｌｌから誘電体基板１５１ ′ｆｒ挿入してい
る。上記誘電体基板（５）の一方の面上には一端に導波
管の伝搬モード電磁界とマイクロストリップの伝搬モー
ド電磁界とを変換可能ならしめる第１のプローブ部分ｃ
！２１を形成した所定の形状の第１のス） ＩＪツブ導
体は、一端に導波管の伝搬モード電磁界とマイクロスト
リップの伝搬モード電磁界とを変換可能ならしめる第２
のプローブ部分（至）を形成した所定の形状の第２のス
トリップ導体の、および、所定の帰還ｔｆｔ得るための
所定の形状の第３のストリップ導体＠を設は上記第１の
ストリップ導体（ハ）の上記第１のプローブ部分のを形
成した端でない一端にトランジスタ（１１の第１の端子
（２）を接続し、上記第２のストリップ導体−の′上記
＠２のプローブ部分（２）全形成した端でない一端に上
記トランジスタ山の第２の端子（３１を接続し、上記第
３のストリップ導体例の一端に上記トランジスタは）の
第３の端子（４）を接続している。また、上記誘電体基
板（５１の他方の面は、上記方形導波管ωの上記第１の
プローブ部分のと上記第２のプローブ部分（２）とで挾
まれた導波管のＡ部分を発振周波数でカットオフ導波管
とするような形状とした接地導体−で被覆している。
等分する位置に所定の形状の開孔ｃａ１１’を設け、上
記開孔Ｑｌｌから誘電体基板１５１ ′ｆｒ挿入してい
る。上記誘電体基板（５）の一方の面上には一端に導波
管の伝搬モード電磁界とマイクロストリップの伝搬モー
ド電磁界とを変換可能ならしめる第１のプローブ部分ｃ
！２１を形成した所定の形状の第１のス） ＩＪツブ導
体は、一端に導波管の伝搬モード電磁界とマイクロスト
リップの伝搬モード電磁界とを変換可能ならしめる第２
のプローブ部分（至）を形成した所定の形状の第２のス
トリップ導体の、および、所定の帰還ｔｆｔ得るための
所定の形状の第３のストリップ導体＠を設は上記第１の
ストリップ導体（ハ）の上記第１のプローブ部分のを形
成した端でない一端にトランジスタ（１１の第１の端子
（２）を接続し、上記第２のストリップ導体−の′上記
＠２のプローブ部分（２）全形成した端でない一端に上
記トランジスタ山の第２の端子（３１を接続し、上記第
３のストリップ導体例の一端に上記トランジスタは）の
第３の端子（４）を接続している。また、上記誘電体基
板（５１の他方の面は、上記方形導波管ωの上記第１の
プローブ部分のと上記第２のプローブ部分（２）とで挾
まれた導波管のＡ部分を発振周波数でカットオフ導波管
とするような形状とした接地導体−で被覆している。
なお、上記接地導体面と上記第１のストリップ導体圏、
第２のストリップ導体内および第３のストリップ導体例
とでマイクロストリップを形成し、ている。
第２のストリップ導体内および第３のストリップ導体例
とでマイクロストリップを形成し、ている。
上記構造のトランジスタ発振器において、短絡板（支）
と上記接地導体面とで仕切られた導波管部分で空胴−を
形成している。
と上記接地導体面とで仕切られた導波管部分で空胴−を
形成している。
このような構造の朶胴（支）は一般に高Ｑである。
ここで、方形導波管■および短絡板＠全熱膨張係数の小
さな金属で形成すれば発掘′周波数の商安定化が図れる
。
さな金属で形成すれば発掘′周波数の商安定化が図れる
。
発掘出力信号は上記第２のプローブ部分□□□を介して
ＭＩＣの伝搬モード電磁界から導波管の伝搬モード電磁
界に変換される。
ＭＩＣの伝搬モード電磁界から導波管の伝搬モード電磁
界に変換される。
第５図はこの発明の他の実施例を示す斜視図であり、第
６図は第５図の平面図である。
６図は第５図の平面図である。
ここでは、誘電体基板（５）の第１．第２および第３の
ストリップ導体需、翫および■を設けた面上にも接地導
体■を設け、かつ、上記接地導体■と上記誘電体基板（
５１の他方の面を被覆した接地導体面とを貫通孔３１）
を介して導体中で接続し、かつ、上記接地導体（７）お
よび上記接地導体−と上記方形導波管■とを金属でなる
リボン（２）で接続しており、上記第１のグローブ部分
のが挿入されている開孔Ｃ２１１部分と上記第２のプロ
ーブ部分１９４が挿入されている開孔１２１１部分とを
分離している。
ストリップ導体需、翫および■を設けた面上にも接地導
体■を設け、かつ、上記接地導体■と上記誘電体基板（
５１の他方の面を被覆した接地導体面とを貫通孔３１）
を介して導体中で接続し、かつ、上記接地導体（７）お
よび上記接地導体−と上記方形導波管■とを金属でなる
リボン（２）で接続しており、上記第１のグローブ部分
のが挿入されている開孔Ｃ２１１部分と上記第２のプロ
ーブ部分１９４が挿入されている開孔１２１１部分とを
分離している。
なお以上は、 ＭＩＣとしてマイクロストリップを使用
する場合について説明したが、この発明はこれに限らず
、 ＭＩＣとしてトリプレート線路。
する場合について説明したが、この発明はこれに限らず
、 ＭＩＣとしてトリプレート線路。
コプレナー線路等の他の線路を使用して吃゛よい。
また、トランジスタとしてバイポーラトランジスタを使
用しても電界効果トランジスタを使用してもよい。
用しても電界効果トランジスタを使用してもよい。
以上のように、この発明に係るマイクロ波トランジスタ
発振器では一端を短絡した方形導波管中に上記方形導波
管の幅狭面に平行に９発振回路を構成するためのＭＩＣ
を形成した一枚の誘′成体基板を挿入することにより発
掘周波数の商″安定化を計るための空胴とＭＩＣ−導波
管変換器とを同時に形成できるので構成および製作が容
易であり、かつ小形で晶安定な発振器が得られる利点が
ある。
発振器では一端を短絡した方形導波管中に上記方形導波
管の幅狭面に平行に９発振回路を構成するためのＭＩＣ
を形成した一枚の誘′成体基板を挿入することにより発
掘周波数の商″安定化を計るための空胴とＭＩＣ−導波
管変換器とを同時に形成できるので構成および製作が容
易であり、かつ小形で晶安定な発振器が得られる利点が
ある。
第１図は従来のマイクロ波トランジスタ発振器の斜視図
、第２図はこの発明によるマイクロ波トランジスタ発振
器の一実施例の斜視図、第３図は第２図の断面１凱第４
図は第２図の分解図、第５図はこの発明によるマイクロ
波トランジスタ発振器の他の実施例の斜視図、′第６図
は第５図の平面図である〇 図中、ｔｌｌＦｉ）ランジスタ、（２）は第１の端子。 （３１は第２の端子、（４）は第３の、端子、（５）は
誘電体基板、’ｆ６１は第１のストリップ導体、（７１
は第２のストリップ導体、 （８＋Ｆｉ第３のストリッ
プ導体。 （９）は誘電体共振器＊ Ｇ（ＩはＭＩＣ−同軸変換器
、 （Ｉｌｌは同軸線路、１ｚは同軸−導波管変換器、
ｑ３１は方形導波管、０４１は出力端子、 ｆ１５１は
ｉ地導体、■は方形導波管、 （２１＋は開孔、■は第
１のブローフ゛部分、―は第１のストリップ導体、？ｌ
は第２の］。 ローフ部分、ムは第２のス） ＩＪツブ導体、 （２６
１は第３のストリップ導体、ａｉｌｉ接地導体、 ＣＩ
！８］Ｖｉ短絡板、＠は空胴、ｃｌｏｌは接地導体、
！３１１は貫通孔。 （３２！１は導体、＠は金属でなるリボンである。 なお０図中、同一あるいは相当部分には同一符号を付し
で示しである。 代理人 葛 野 信 − 寥 ３ Ｂ ’４４ 問
、第２図はこの発明によるマイクロ波トランジスタ発振
器の一実施例の斜視図、第３図は第２図の断面１凱第４
図は第２図の分解図、第５図はこの発明によるマイクロ
波トランジスタ発振器の他の実施例の斜視図、′第６図
は第５図の平面図である〇 図中、ｔｌｌＦｉ）ランジスタ、（２）は第１の端子。 （３１は第２の端子、（４）は第３の、端子、（５）は
誘電体基板、’ｆ６１は第１のストリップ導体、（７１
は第２のストリップ導体、 （８＋Ｆｉ第３のストリッ
プ導体。 （９）は誘電体共振器＊ Ｇ（ＩはＭＩＣ−同軸変換器
、 （Ｉｌｌは同軸線路、１ｚは同軸−導波管変換器、
ｑ３１は方形導波管、０４１は出力端子、 ｆ１５１は
ｉ地導体、■は方形導波管、 （２１＋は開孔、■は第
１のブローフ゛部分、―は第１のストリップ導体、？ｌ
は第２の］。 ローフ部分、ムは第２のス） ＩＪツブ導体、 （２６
１は第３のストリップ導体、ａｉｌｉ接地導体、 ＣＩ
！８］Ｖｉ短絡板、＠は空胴、ｃｌｏｌは接地導体、
！３１１は貫通孔。 （３２！１は導体、＠は金属でなるリボンである。 なお０図中、同一あるいは相当部分には同一符号を付し
で示しである。 代理人 葛 野 信 − 寥 ３ Ｂ ’４４ 問
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔｌｌ ＭＩＣ（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒ
ａｔ＠ｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔ）で構成し、かつ、出力端子
を導波管上するマイクロ波トランジスタ発振器において
、一端を短絡板で短絡した方形導波管の幅広面金形成す
る２つの管壁のうちの一方の管壁の所定の位置に、所要
形状の開孔を設け、上記開孔を介して所定の形状の誘電
体基板を上記方形導波管の幅狭面にハホ平行な面にそっ
て挿入し、上記誘電体基板の第１の面上に第１．第２お
よび第３の所定の形状のス） ＩＪツブ導体を設け。 上記第１のストリップ導体とトランジスタの第１の端子
とを接続するとともに、上記第２のストリップ導体と上
記トランジスタの第２の端子とを接続し、さらに上記第
３のストリップ導体とｔ記トランジスタの第′３゛の端
子とを接続し、上記第１のストリップ導体の一端で方形
導波管の伝搬モード電磁界とＭＩＣの伝搬モードｔ４ｉ
ａ界との結合を可能ならしめる第１のプローブ部分を形
成し、上記第２のストリップ導体の一端で方形導波管の
伝搬モード電磁界とＭＩＣの伝搬モード電磁界との結合
を可能ならしめる＠２のプローブ部分を形成し。 上記誘電体基板の第２の面は上記第１の１０一プ部分と
上記第２のプローブ部分とで挾まれる方形導波管部分を
動作周波数において所定の減衰ｔ’を有するカットオフ
導波管をなすような所要形状の接地導体で被覆し、上記
第ｘ、第２および第３のストリップ導体と上記接地導体
とでＭＩＣｉ構成し、、かつ、上記短絡板と上記カット
オフ導波管部分とで挾まれた上記方形導波部分で空胴を
構成したことを特徴とするマイクロ波トランジスタ発振
器。 （２） 上記誘電体基板の第１の面上に接地導体を設
け、上記接地導体と上記誘電体基板の第２の面に設けた
接地導体とを貫通孔を介して金域で接続し、かつ、上記
方形導波管の管壁のうちの上記開孔を設げた管壁と上記
誘電体基板の第１の面上に設けた接地導体と上記誘電体
基板の第２の面上に設けた接地導体と金金桐で接続し、
かつ、上記誘電体基板の第１の面上に設けた接地導体お
よび上記誘電体基板の第２の面上に設けた接地導体の一
方もしくは両方を上記第１のプローブ部分と上記第２の
プローブ部分とで挾まれる方形導波管部分を動作周波数
において所定の減哀１１を有するカットオフ纒波管金な
すような形状としたことを特徴とする時計請求の範囲第
（１１項記載のマイクロ波トランジスタ発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13301481A JPS5834603A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | マイクロ波トランジスタ発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13301481A JPS5834603A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | マイクロ波トランジスタ発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834603A true JPS5834603A (ja) | 1983-03-01 |
Family
ID=15094774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13301481A Pending JPS5834603A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | マイクロ波トランジスタ発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834603A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04131790U (ja) * | 1991-05-24 | 1992-12-04 | 愛知機械工業株式会社 | 車体底部の路面干渉検出装置 |
| RU2845266C1 (ru) * | 2025-03-10 | 2025-08-15 | Федор Федорович Архипцев | Транзисторный генератор свч |
-
1981
- 1981-08-25 JP JP13301481A patent/JPS5834603A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04131790U (ja) * | 1991-05-24 | 1992-12-04 | 愛知機械工業株式会社 | 車体底部の路面干渉検出装置 |
| RU2845266C1 (ru) * | 2025-03-10 | 2025-08-15 | Федор Федорович Архипцев | Транзисторный генератор свч |
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