JPS5832723B2 - 半田揚げ性エナメル線の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はエナメル線の製造方法に関するものであり、特
に２系列の不飽和ワニスな用い、紫外線もしくは電子線
硬化すせることによって製造することを特長とした半田
揚げ性エナメル線の製造方法に係るものである。

半田揚げ性エナメル線は絶縁高分子被覆を特別に剥離す
ることなく、直接半田付は作業ができることから、電気
機器釦よび部品に広く利用されている。

従来のエナメル線は、半田揚げ性エナメル線も含め、溶
剤型ワニスを導線に塗布し高温に保たれた加熱炉を通過
さぜワニスの硬化乾燥を行わせる方法により製造されて
いる。

この従来法ではワニスが約５０係程度の溶媒を含んでい
ること、ワニスの硬化は熱エネルギーによって行われる
ことからピンホールや偏向の無い良好な外観を有するエ
ナメル線の製造には、通常、ワニスの塗布および硬化乾
燥工程を７〜１２回も繰返えす必要がある。

また、ワニス中の溶媒は皮膜形成用の樹脂な溶解するだ
けの役目であり、硬化乾燥中に揮散されてしまうもので
ある。

これらの溶媒としては樹脂類に対し溶解力の大きいたと
えばクレゾール、フェノール、ピロリドン、ジメチルホ
ルムアミドなどのような高価な化学物質を多量に含んだ
ものであり、節資源化の点からもまた上述したような溶
媒の揮散に伴う公害問題Ｑ発生の阻止束の必要性の面な
どからも新しい合理的なエナメル線の製造方法の開発に
対する要請には大きいものがある。

本発明者らは上述した観点に鑑み、新規なエナメル線と
くに半田揚げ性エナメル線の製造方法を開発すべく研究
した結果本発明に達した。

本発明の骨子は導線上に不飽和ウレタンワニスを塗布し
、紫外線もしくは電子線を照射し硬化させた下地処理導
線に、他の不飽和エナメルワニスを上塗りし紫外線又は
電子線硬化させることを特長とした半田揚げ性エナメル
線の製造方法であり、前記２系列のワニスば１００％樹
脂固形分の無溶剤型であること、ワニスの硬化は紫外線
もしくは電子線照射によって行うもので、ワニスの塗布
・硬化はそれぞれのワニスに対し１回でよいなど高生産
で無公害の電線製造方法を提供することである。

本発明で下地処理に用いられるワニスとしてば※※分子
中に２個以上の重合性不飽和基とウレタン結合を有する
不飽和ウレタンワニスが好適である。

このような化合物としては次のようなものが列挙される
。

（１）分子中に１個以上の重合性不飽和基と１個以上の
水酸基を有する化合物ａとポリイソシアナートｂ釦よび
ポリエステルポリオールＯを成分とする、一般式 あ４Ｒ３はグリコール残基、Ｒ５は多価アルコール残基
、Ｒ４は二塩基酸の残基、Ｒ２はジイソシアナートの残
基である。

ｍとｎは１以上の整数、ｌは０〜１０である。

〕で示される不飽和ウレタン化合物。（２）分子中に１
個以上の重合性不飽和基と１個以上のエポキシ基を有す
る化合物ｄと分子中にウレタン結合を有する酸性ポリエ
ステルｅ ｉ−よびジイソシアナートｂおよび（１）の
化合物ａを成分とする、〔但し、式中Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４
は前出（Ａ）と同じ。

ｍｎ ） ｐ ｔｒｌ １以上の整数。

Ｒ２Ｈ−（：Ｈ，−ＣＯＯ−Ｃ６ ル基である。

Ｒ８ば−Ｒ１，脂肪族アルキル基である。

〕で示される不飽和ウレタン化合物。ここで成分ａとし
ては（メタ）アクリル酸又は該酸の無水物又はクロライ
ドとグリコールのモノエステル、たとえばヒドロキシエ
チル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ
）アクリレート、ヒドロキシｎテトラメチレン（メタ）
アクリレート、釦よび（メチル）アリルアルコールなど
がある。

成分すとしてはへキサメチレンジイソシアナート、テト
ラメチレンジイソシアナート。

イソフオロンジイソシアナート、トリメチルへキサメチ
レンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソナート付
加物などの脂肪族インシアナート、２．４−トルエンお
よび２．６−１ルエンジイソシアナート、ｍおよびｐ−
キシリレンジイソシアナート、４，４−ジフェニルメタ
ンジイソシアナートなどの芳香族ジイソシアナートなど
があげられる。

成分Ｃとしては、一般式ＨＯ−Ｒ−（）Ｈで示されるグ
リコール、たとえばエチレングリコール、ジエチレング
リコールおよびそのポリオール、プロピレングリコール
、ジプロピレングリコールおよびそのポリオール、トリ
メチレングリコール、テトラメチレングリコール、ヘキ
サメチレングリコール、ネオペンチルグリコールなどの
１種もしくは数種混合物あるいはグリセリン、トリメチ
ロールプロパンなどのような多価アルコールの一部併用
混合系をその１ｘ使用してもよいし、前記グリコ−ルと
一般式ＨＯＯＣ−Ｒ−ＣＯＯＨで示される二塩基酸又は
この酸の無水物、たとえばコノ・り酸、無水コハク酸、
アジピン酸、セパチン酸、マレイン酸、無水マレイン酸
、フマル酸などの脂肪族系のもの、ヘキサヒドロフタル
酸、テトラヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル
酸、ノＳイ□ツク酸釦よび該酸等の無水物のような指環
族系のもの、フタル酸、無水フタル酸、イソフタル酸、
テレフタル酸、ナフタレンジカルボン酸、などのような
芳香族系のものとのポリエステルポリオールがあげられ
る。

このポリエステルポリオールとしては一般式Ａで示のた
ようにグリコールな加剰に配合し、通常のエステル化反
応を行なわぞて得られる分子末端が水酸基となったもの
である。

該ポリエステルポリオールの分子鎖員としての二塩基酸
は、少くとも３０モル係以上を脂肪族系の要素で占有す
るような配合にすることが、良好な半田揚げ性を付与し
うろことから好ましい。

これは芳香族要素が多いと、ウレタン結合の易熱分解性
に対し、保：護効果的な作用を与えるため、たとえば半
田付は作業においてより高温と長時間を必要とするよう
になったり、あるいは分解物が炭化固形物状となり導線
から離れ難くなる傾向を示し、実作業の能率を阻害する
ような事態を生じるからである。

次に成分ｄとしてはグリシジル（メタ）アクリレート、
アリルグリシジルエーテルなどを具体例としてあげられ
る。

成分ｅは既出したジイソシアナート、グリコール釦よび
二塩基酸から合成されるものである。

すなわち一般式Ｂに示したようにジイソシアナートと加
剰量のグリコールから分子末端が水酸基のオリゴウレタ
ンとし、これに加剰量の二塩基酸をエステル化すせるこ
とにより分子末端カルボキシル基オリゴウレタンエステ
ルとしたものである。

一般式ＡｂよびＢで示した不飽和ウレタン化合物の合或
は、通常のエステル化反応釦よびウレタン化反応を利用
することでなされる。

たとえば化合物Ａば、既述したようにグリコールど二塩
基酸からポリエステルポリオール減分Ｃ〕を得、次いで
成分ａを配合した反応系に成分すを徐々に加えて反応さ
れることなどによって合成することができる。

また化合物１ｊ、既述したようにグリコールとジイソシ
アナートから分子末端が水酸基のオリゴウレタンとし、
次いで二塩基酸を配合しエステル化させてもよいし、前
記３種の原料を一度に反応系に仕込み最終的に成分ｅを
得てもよい。

成分ｅが得られた段階で次いで成分ｄを配合し、エステ
ル化すせることによって分子中に不飽和基が導入された
反応中間体が得られる。

該中間体は一般式Ｂから明らかなように水酸基が存在す
るものであり、この水酸基は次いで成分ａと釦よび／も
しくは一両アルコール（たとえばメチルアルコール、エ
チルアルコール、フロビルアルコールなト）とウレタン
化すせることによってワニスＢが得られる。

前記−価アルコールの使用目的は、化合物Ｂの重合性不
飽和基の加減の必要たとえば架橋度の調節による硬化皮
膜の機械的性質が硬度など釦よび紫外線もしくは電子線
硬化性の調節に対して行なわれるものである。

而して得られる化合物Ａ、Ｂばそのます下地処理用ワニ
スとして用いてもよいが、該化合物らが高粘度であった
りあるいは固体状に近い場合には加温し索動性を付与す
ればよい。

この際重合禁止剤としてたとえばハイドロキノン、キン
ヒドロン、モノメトキシハイドロキノン、パラ−ターシ
ャリ−ブチルカテコール、パラ−ベンゾキノン、などを
少量（たとえば０．０１〜０．１重量％）添加すればよ
い。

また反応性希釈剤としてのビニル単量体を用いることも
効果がある。

このビニル単量体としては（メタ）アクリル酸やこの酸
のアルキルエステルたとえばメチル（メタ）アクリレー
ト、プロピル（メタ）アクリレートなど、スチレン、ビ
ニルトルエン、酢酸ビニル、ジアリルフタレート、ジア
リルイソフタレート、ジビニルベンゼン、エチルアルコ
ールジ（メタ）アクリレート、シェチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、およびビニルピロリドンなどがあげ
られる。

このようにして得られる不飽和ウレタンワニスは後述さ
れるように紫外線もしくは電子線照射により良好な硬化
皮膜を形成すると共に、その半田揚げ性も優れており、
この発明の半田揚げ性エナメル線の下地処理用ワニスと
して良適に活用されるものである。

次に本発明で上塗り用として用いられる不飽和エナメル
ワニスについて説明する。

上塗り用エナメルワニスとしては上記した不飽和ウレタ
ンワニスより、芳香環濃度が高くまた分子中にはイミド
、アミドｐよびエステル結合が実質的にウレタン結合エ
リ多い。

耐熱的、機械的釦よび高温長時間での熱安定性に優れた
ものである。

この上塗り用エナメルワニスとしては次のようなものを
列挙できる。

（但し式中Ｒ３はグリコール残基、Ｒ４ば ３０モルφ
以上が芳香族鎖エリ成る二塩基酸の残基、Ｒ６は水素又
はメチル基である。

ｎばＯ〜２０の整数である。

）で表わされる分子末端不飽和ブレで表わされる分子末
端不飽和プレポリマー。

（２）一般式 ％式％（） （但し式中Ｒ３はグリコール残基、Ｒ４は３０モル係以
上がα、β−不飽和二塩基酸であること／釦よび３０モ
ル幅以上か芳香族二塩基酸である二塩基酸の残基、ｎば
５〜５０の整数）で表わされる不飽和プレポリマー。

Ｒ６は水素又はメチル基、Ｒ３はグリコール残基、Ｒ２
はジイソシアナー ト基である。

Ｒ３，Ｒ４は前記と同じでＸは分子末端が−ＣＯＯＨｉ
−よび／もしくＩｄ−ＯＨであるイミド化合物の残基で
ある。

ｎば０又は１であり、前記Ｘの分子末端の官能基に依存
する。

ｍばＯ〜２０である）で表わされる不飽和エステルイミ
ド化合物。

式Ｃで示される化合物は、既述したグリコールと二塩基
酸から分子末端が水酸基であるポリエステルポリオール
を合成し、該ポリオールとアクリル酸又はメタクリル酸
な縮合させることによって得ることができる。

ここで前記ポリオールとしてはその鎖員中に芳香族二塩
基酸が３０モル多以上含有していることが、硬化塗膜の
耐熱性、機械的性および硬度などの諸性質が優れたもの
になることから、好筐しい。

式りで示される化合物は、既述したグリコールと二塩基
酸およびα、β不飽和二塩基酸（たとえばマレイン酸、
フマル酸など）からエステル化反応によって得られるも
のである。

ここで二塩基酸成分には芳香族系のものを３０モル係以
上含有していることが電線皮膜として性能が優れること
から、好ましい。

筐た、α、β不飽和酸は二塩基酸成分中少くとも３０モ
ル係以上含有していることが、紫外線又は電子線硬化性
を良好ならしめるために必要である。

式Ｅの化合物は分子鎖中にイミド成分を含んだものであ
り、該成分の導入によって特に耐熱性、機械特性釦よび
劣化特性に優れた電線性能を付与しうるものである。

該化合物Ｅにおいてイミド結合を導入するには分子末端
官能性イミド化合物を用いることによってなされる。

こ＼で云う分子末端官能性とはイミド化合物の分子末端
が−ＣＯＯＨ釦よび／もしくば−ＯＨであることであり
、好適に用いられる前記イミド化合物としては次のよう
なものを列挙できる。

に対応するように一般式ＨＯＯＣ−Ｒべ、、’）ＯＴ示
されるトリカルボン酸無水物ａ、一般式０ （謂＞Ｒｅ
＜、’＞で示されるテトラカルボン酸二無水物すとそれ
ぞれ一般式Ｈ２Ｎ−Ｒ６−Ｃ０ＯＨで示すしるモノアミ
ノモノカルボン酸（Ｃ）、一般式Ｈ２Ｎ−ＲＣ−（）Ｈ
で示されるモノアミノモノアルコール（ｄ）、一般式Ｈ
２Ｎ −Ｒｄ−ＮＨ２で示されるジアミン（ｅ）を反応
させることによって得ることができる。

また式＜ｓ） 、 （７） 、（ｇ）および（９）のイ
ミド化合物においては前記ジアミン（ｅ）の代りに一般
式０ＣＮ−Ｒｄ−ＮＣＯで示されるジイソシアナー）
（ｆ）を用いることができる。

ここで上記した各成分について説明する。

成分（ａ）としては無水トリメリット酸、３．４ 、４
’−ジフェニルトリカルボン酸無水物、３．４，４−ジ
フェニルエーテルトリカルボン酸無水物、エチレントリ
カルボン酸無水物、２゜３．６−ナフタリントリカルボ
ン酸無水物などが用いられる。

成分（ｂ）としてはピロメリット酸二無水物、３，３，
４，４−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２
．３，３−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，
３，６，７、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２
，２′ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）フロパン
ニ無水物、ブタジェンテトラカルボン酸二無水物などが
用いられる。

成分（Ｃ）としてはガンマ−アミノ酪酸、アンスラニー
ル酸、Ｐ−アミノ安息香酸、ｍ−アミノ安息香酸、β−
アミノプロピオン酸などがある。

成州ｄ）としては２−アミノ−１−ブタノール、２−ア
ミノ−２−メチル−１−プロパツール、２−アミンエタ
ノール、３−ア□ノー１−プロパンノールなどがある。

成分（ｅ）としてはメタフェニレンジアミンオルソフェ
ニレンジアミン、パラフェニレンジアシン、２．４−）
ルエンジアミン、２．６−）ルエンジアミン、４．４−
シア□ノジフェニルスルフオン、４，４−ジアミノジフ
ェニルエーテル、４゜４−ジアミノジフェニルメタン、
４，４−ジアミノジフェニル、４，４−シア□ノベンゾ
フエノン、ヘキサメチレンジアミン、エチレンジアミン
、ジアミノプロパン、２，２−ジメチルプロピレンジア
ミンなどがある。

上記成分（ｅ）の代りに用いることができる前記ジイソ
シアーナ（ｆ）Ｕ、本発明の化合物Ａ、Ｂで説明した成
分すが利用できる。

上記した成分Ｃ，ｄ、ｅあるいはｆばそれぞれ単独で使
用しててよいし、該成分間で適宜数種を混合して使用し
てもよい。

式（１）〜（９）のイミド化合物は該式から上記成分釦
よび配合を選定し、通常溶媒たとえばｍ−クレゾール、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、あるい
は前記溶媒にキシレン、トルエン、アニソールなどを添
加した混合溶媒中で縮合反応サセることによって得るこ
とができる。

而して得られる（１）〜（９）のイくド化合物は分子末
端が−Ｃ００Ｈあるいは−ＯＨあるいは−ＣＯＯＨと−
（）Ｈのものである。

本発明の不飽和化合物Ｅを得るには上記式（１）〜（９
）のイミド化合物と一般式ＨＯ−Ｒ２−（）Ｈで示され
るグリコールの１種もしぐは数種の混合物と一般式ＨＯ
ＯＣ−Ｒ４−（’ＯＯＨで示される三塩基性酸あるいは
この酸の低級アルキルエステル又は無水物などの１種も
しくは数種混合物とから通常のエステル化反応を行ない
、分子末端水酸基オリゴエステルイ□ドとする。

前記グリコールおよび二塩基酸としてはこれ１でに既述
したものが用いられる。

この際、式（１）〜（９）のイミド化合物の官能基（−
ＣＯＯＨ釦よび／もしくは−ＯＨ）の種類と数との対応
からグリコール釦よび／もしぐは二塩基酸の配合を調節
することによって＝般式Ｅで明示したオリゴエステルポ
リオールＱ残基の重合度ｍを変化させることができる。

通常、この重合度ｍば２０より大きくなると最終的に得
られる不飽和合物Ｅの不飽和基濃度が低下し、速硬化性
が損なわれるようになること、系の粘度が著しく高くな
って実作業上の取扱いに不便が生じるなど好１しくない
傾向を有するようになり、したがってｍの値は上記した
範囲から求めるのがよい。

このようにして得られた分子末端水酸基オリゴエセテル
イ□ドはアクリル酸又はメタクリル酸もしくは既述した
成分ａとｂから得られる不飽和モノイソシアナート化合
物と反応すせることによって目的とする不飽和エステル
イミドＥを得ることができる。

次に本発明の半田揚げ性エナメル線の製造技術について
説明する。

この発明で用いられる前記した下地処理用ワニスおよび
上塗り用ワニスはそれぞれ紫外線或は電子線照射によっ
て硬化させることができ、紫外線硬化の場合には紫外線
によってラジカル活性種を発生するような増感剤として
たとえばベンゾフェノンおよび該アルキルエーテル類、
アントラキノンなどの多核キノン類、ブフェニルジスル
フイドなどのポリスルフィド類、アゾビスイソブチロニ
トリルなどのアゾ化合物類を０．０１〜５重量係重量し
、光源としてたとえば太陽光、低圧水銀灯、中圧水銀灯
、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、クセノンランプなどを使
用して行うことができる。

電子線硬化の場合には加速電圧３００〜２０００ｋｅＶ
の電子線照射装置を用いればよい。

本発明＋７）’７ニスは１〜５０Ｍｒａｄの照射線量で
硬化さすことができる。

本発明の半田揚げ性エナメル線は次のようにして製造さ
れる。

すなわち、導線を前記した不飽和ウレタンワニスＡもし
くＩｔ−１Ｂを充填したワニス槽に導入し、不飽和ウレ
タンワニス塗布を行う。

該ワニス槽にはたとえばダイス、フェルトのようなワニ
ス塗布量を調節する治具類を付設ｇ−ｅでおき、１回で
規定厚さの塗膜を施すようにすればよい。

半田揚げ性を良好に具現させるためには、前記ウレタン
ワニスは全硬化エナメル皮膜の１／１ｏ〜１／２の範囲
での皮膜厚として施すのがよい。

１／１０より塗布量を少くした場合は後述されるる上塗
り塗膜量が大きくなることから、エナメル線として要求
される緒特性は優れたものとなるが、逆に半田揚げ性は
悪くなり好筐しくない。

これは熱安性に特にすぐれている上塗り皮膜の厚塗布化
のためである。

一方１／２より下塗りウレタンワニスの膜厚が多くなる
と、半田揚げ性は良好となるが、一般電線特性、とくに
耐熱性の点で劣るようになって好昔しくない。

これは必然的に上塗りワニスの量が少くなるためである
。

したがって、一般電線特性を高水準で堅持させながら、
良好な半田揚げ性を付与するには、前記ウレタンワニス
の塗膜付着量は上記範囲から選定するのが好ましい。

不飽和ウレタンワニス塗布導線は上記した紫外線又は電
子線を照射し硬化塗膜が形成された下地処理導線となる
。

該下地処理導線は、次いで上塗り用の不飽和エステルワ
ニスＣ又はＤあるいばＥを満した第２のワニス槽に導入
し、該上塗りワニスを最終の所定の絶縁厚さに塗布した
る後、先の場合と同様に紫外線又は電子線照射により硬
化すせることによって目的とする半田揚げ性エナメル線
を製造することができる。

前記製造中、塗膜の紫外線又は電子線照射工程は通常空
気（酸素）ゑ硬化防害作用を阻止するために不活性ガス
たとえば炭酸ガス、窒素ガスなどの雰囲気中で行う方が
よい。

以下実施例にてさらに本発明の詳細な説明する。

７０重量部にアクリル酸エチル１０重量部、グリシジル
メタクリレ−）１０重量部およびビニルピロリドン１０
重量部を加え液状の不飽和ウレタンワニスとし、これを
下地処理用ワニスとして用いる。

８０重量部にエチレングリコールジアクリレート１０重
量部とグリシジルメタクリレ−）１０重量部を加え液状
の不飽和ポリエステルワニスとし、これを上塗り用とし
て用いる。

０．３７ｍｍφの軟銅線に前記不飽和ウレタンワニスに
１重量優のベンゾインメチルエーテルを添加した下地処
理用ワニスを塗布し、反射鏡を付備したチッ素ガス雰囲
気に保たれたｌ０ＫＷの高圧水銀灯中を通過さぞ、皮膜
厚０．００８ｍｍの下地処理導線とした。

つぎに、この皮膜の上に前記不飽和ポリエステルワニス
に１重量幅のベンゾインメチルエーテルを添加した上塗
り用ワニスを塗布し、同様の高圧水銀灯中を通過させ全
皮膜の厚みが０．０２２ｒｒｒＩＩＬのエナメル線を得
た。

実施例 ２ ０．３７ｍｍφの軟銅線に実施例１の不飽和ウレタ述※
ンワニスな塗布し、３００ＫｅＶの加速電圧、５ Ｍｒ
ａｄ／１通過の線量率の２台の電子線照射装置から形成
されたチッ素ガス雰囲気に保たれた電子線照射野を通過
させ、全面に電子線照射を行い皮膜厚０．００７ｍｍの
下地処理導線とした。

次にこの皮膜の上に実施例１の不飽和ポリエステルワニ
スを塗布し、同様の電子線照射野を２通過ｇ−ｔｒ、全
皮膜厚０．０２３１１１のエナメル線を得た。

実施例 ３ ６０重量部にビニルピロリドン１５重量部、グリシジル
メタクリレ−）１５重量部およびアクリル酸エチル１０
重量部を加え液状の不飽和ウレタンフニスとし、これを
下地処理用ワニスとして用いる。

７０重量部にグリシジルメタクリレート１０重量部、ビ
ニルピロリドン１５重量部およびアクリル酸メチル５重
量部を加え液状の不飽和エステルイミドワニスとした。

これを上塗り用として用いる。０．３７ｍｍφの軟銅線
に前記不飽和ウレタンワニスに１重量幅のベンゾインメ
チルエーテルを添加した下地処理用ワニスを塗布し、実
施例１と同様にして紫外線照射し皮膜厚０．００６５ｍ
の下地処理導線とした。

つぎに、この皮膜上に前記不飽和エステルイ□ドワニス
に、２重量幅のベンゾインメチルエーテルを添加した上
塗り用ワニスな塗布し、実施例１と同様にして紫外線硬
化さぞ、全皮膜厚みが０．０２３ｍｍのエナメル線を得
た。

実施例 ４ ０．０３７ｍｍφの軟銅線に実施例３の不飽和ウレタン
ワニスを塗布し、実施例２の電子線照射装置を用いて、
５ Ｍｒａｄの電子線を照射し皮膜厚０．００８ｍｍの
下地処理導線とした。

次にこの皮膜の上に実施例３の不飽和エステルイ□ドワ
ニスを塗布し、実施例２と同様の電子線照射野を３通過
サセ、全皮膜厚０．０２４ｒＩｒＩｎのエナメル線を得
た。

比較例 ｌ デスモジュールＡｐステープル（バイエル社商品名）３
４．５重量幅とデスモヘア８００（バイエル社商品名）
１４．２重量％を溶媒（メチルグリコールアセテート：
トルエン：エチルアセテートの等重量混合物）５１．３
重量ダに溶かしたワニスを０．３７ｍφの軟銅線に塗布
と焼付けを８回行って皮膜厚０．０２５ｗ＋＋のウレタ
ン線を得た。

上記実施例１〜４および比較例１のエナメル線の特性を
ＪＩＳ−Ｃ３２０１に準じて求めたものを表ＨＣ示した
。

なお、上表中加熱後の巻付性ば１８０’Ｃ１６ｈｒ後の
ものな肉眼判定により求めた。

筐た半田揚げ性は、半田として鉛−錫系（鉛５０係、錫
５０％）のものを用い、３８０℃の熔融した半田温度下
へ浸漬し半田の乗り具合から求めた。

上表から明らかなように、本発明によるエナメル線は良
好な半田揚げ性を持っていると同時に、一般的電線特性
も優れたものであり、本発明の有効性は顕著であること
が判る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 導線上に不飽和ウレタンワニスを塗布しこれに紫外
   線もしぐは電子線を照射して硬化ｇ−ａで下地処理導線
   を形成する工程と、不飽和エナメルワニスを上記下地処
   理導線上に塗布しこれに紫外線もしくは電子線を照射し
   て硬化させる工程を備えてなる半田揚げ性エナメル線の
   製造方法。 ２ 不飽和ウレタンワニスとして、分子中ｌｃ１個以上
   の重合性不飽和基と１個以上の水酸基を有する化合物と
   ポリイソシアナートとポリエステルオールを主成分とす
   る、一般式 Ｒ３Ｕグリコール残基、Ｒ６は多価アルコール残基、Ｒ
   ４は二塩基酸の残基、Ｒ２はジイソシアナートの残基、
   ｍとｎば１以上の整数、ｔばＯ〜１０の整数を示す）で
   示される不飽和ウレタン化合物を主成分とするワニスを
   用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
   半田揚げ性エナメル線の製造方法。 ３ 不飽和ウレタンワニスとして、分子中［１個以上の
   エポキシ基を有する化合物と分子中にウレタン結合を有
   する酸性ポリエステルとジイソシアナート及び分子中に
   １個以上の水酸基を有する化（但し、式中Ｒ２はジイソ
   シアナートの残基、Ｒ３はグリコールの残基、Ｒ４は二
   塩基酸の残基、ｍ ｔ ｎ ｔ Ｐ ｕ １以上の整数
   、Ｒ７は−ＣＨ２Ｃ００−Ｃ＝ＣＨ２，−０−ＣＨ２−
   Ｃ＝ＣＨ２で１ ６Ｒ６ Ｒ６は水素又はメチル基、Ｒ８はＲ１と同じ脂肪族アル
   キル基である。 ）で示される不飽和ウレタン化合物を主成分とするワニ
   スを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載の半田揚げ性エナメル線の製造方法。 ４ 不飽和エナメルワニスとして、 （但し、式中Ｒ３Ｕグリコール残基、Ｒ４ば３０モル係
   以上が芳香族鎖より成る二塩基酸の残基、ＲｔＨ水素又
   はメチル基、ｎばＯ〜２０の整数である）で示される分
   子末端不飽和プレポリマーを主成分とするワニスを用い
   たことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項
   のいずれかに記載の半田揚げ性エナメル線の製造方法。 ５ 不飽和エナメルワニスとして、 （但し、式中Ｒ３はグリコール残基、Ｒ４Ｕ３Ｏモル係
   以上がα、β−不飽和二塩基酸であること及び３０モル
   係以上が芳香族二塩基酸である二塩基酸の残基、ｎば５
   〜５０の整数である）で示される不飽和プレポリマーを
   主成分とするワニスを用いたことを特徴とする特許請求
   の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の半田揚げ
   性エナメル線の製造方法。 ６ 不飽和エナメルワニスとして、 示し、Ｒ６Ｕ水素又はメチル基、Ｒ３はグリコール残基
   、Ｒ２はジイソシアナート残基、Ｒ４ｆｉ３０モル係以
   上がα、β−不飽和二塩基酸であること及び３０モルφ
   以上が芳香族二塩基酸である二塩基酸の残基、ＸＵ分子
   末端が−ＣＯＯＨ及び／又は−ＯＨであるイ□ド化合物
   の残基、ｎ （ｒｉ Ｏ又は１の整数でＸの分子末端の
   官能基に依存する。 ｍば０〜２０の整数である）で示される不飽和エステル
   イミド化合物を主成分とするワニスを用いたことを特徴
   とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに
   記載の半田揚げ性エナメル線の製造方法。