JPS5832665U - 圧電薄膜形電気−機械的変位変換素子 - Google Patents

圧電薄膜形電気−機械的変位変換素子

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JPS5832665U
JPS5832665U JP12689281U JP12689281U JPS5832665U JP S5832665 U JPS5832665 U JP S5832665U JP 12689281 U JP12689281 U JP 12689281U JP 12689281 U JP12689281 U JP 12689281U JP S5832665 U JPS5832665 U JP S5832665U
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thin film
piezoelectric thin
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displacement transducer
layer
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JP12689281U
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濱川　圭弘
木下　勝裕
加藤　充孝
日野田　征佑
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社団法人生産技術振興協会
オムロン株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案の一実施例にかかる圧電薄膜形電気−
機械的変位変換素子の一部切欠斜視図、第２図は同素子
の一部切欠側面図、第３図は従来例の一部切欠側面図で
ある。 １１・・・半導体基体、１２，１２２・・・絶縁層、１
３・・・開口部、１４・・・孔、１６・・・下部電極層
、１７・・・圧電薄膜層、１８・・・上部電極層、１９
・・・素子ブロック。

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）半導体基体の表面に絶縁層を形成するとともに、
    この絶縁層の開口部を通して設けられた半導体基体の孔
    の上に、上記絶縁層と圧電薄膜層とその両面の電極層と
    からなる素子ブロックを片持梁状に設け、かつ上記電極
    層により上記圧電薄膜層に電界を加えることにより、上
    記素子ブロックの先端部を変位させるようにした構成で
    、上記圧電薄膜−を負の熱膨張係数を有する材料で形成
    したことを特徴とする圧電薄膜形電気−機械的変位変換
    素子。
  2. （２）圧電薄膜層はチタン酸鉛である実用新案登録請求
    の範囲第１項記載の圧電薄膜形電気−機械的変位変換素
    子。
JP12689281U 1981-08-26 1981-08-26 圧電薄膜形電気−機械的変位変換素子 Granted JPS5832665U (ja)

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JPH0132746Y2 JPH0132746Y2 (ja) 1989-10-05

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012210090A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Seiko Epson Corp 圧電型発電機とその製造方法、及びセンサーノード

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JPH0132746Y2 (ja) 1989-10-05

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