JPS59161064U - 薄膜型超音波センサ - Google Patents

薄膜型超音波センサ

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Publication number
JPS59161064U
JPS59161064U JP5625483U JP5625483U JPS59161064U JP S59161064 U JPS59161064 U JP S59161064U JP 5625483 U JP5625483 U JP 5625483U JP 5625483 U JP5625483 U JP 5625483U JP S59161064 U JPS59161064 U JP S59161064U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
ultrasonic sensor
film ultrasonic
bimorph transducer
slit
Prior art date
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Pending
Application number
JP5625483U
Other languages
English (en)
Inventor
木下　勝裕
司郎 緒方
政義 谷口
安田　博彦
日野田　征佑
Original Assignee
オムロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by オムロン株式会社 filed Critical オムロン株式会社
Priority to JP5625483U priority Critical patent/JPS59161064U/ja
Publication of JPS59161064U publication Critical patent/JPS59161064U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の薄膜型超音波センサの斜視図、第２図は
本考案による薄膜型超音疲センサの斜視図、第３図は本
考案による他の実施例の平面図を示す。１１・・・シリ
コン単結晶基板、１２・・・圧電性薄膜、１３・・・二
酸化シリコン薄膜、１４・・・電極、１５・・・片持梁
、１６・・・バイモルフ変換子、２０・・・穴、３０・
・・スリット。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. シリコン単結晶基板上に超音波を受けて振動す゛るバイ
    モルフ変換子を圧電性薄膜と、二酸化シリコシ薄膜とか
    ら形成し、上記バイモルフ変換子にスリットを設けたこ
    とを特徴とする薄膜型超音波センサ。
JP5625483U 1983-04-14 1983-04-14 薄膜型超音波センサ Pending JPS59161064U (ja)

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JP5625483U JPS59161064U (ja) 1983-04-14 1983-04-14 薄膜型超音波センサ

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JP5625483U JPS59161064U (ja) 1983-04-14 1983-04-14 薄膜型超音波センサ

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JPS59161064U true JPS59161064U (ja) 1984-10-29

Family

ID=30186576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5625483U Pending JPS59161064U (ja) 1983-04-14 1983-04-14 薄膜型超音波センサ

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