JPS5837159U - 圧電薄膜形電気−機械的変位変換素子 - Google Patents
圧電薄膜形電気−機械的変位変換素子Info
- Publication number
- JPS5837159U JPS5837159U JP1981131782U JP13178281U JPS5837159U JP S5837159 U JPS5837159 U JP S5837159U JP 1981131782 U JP1981131782 U JP 1981131782U JP 13178281 U JP13178281 U JP 13178281U JP S5837159 U JPS5837159 U JP S5837159U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- piezoelectric thin
- mechanical displacement
- conversion element
- film electro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Apparatuses For Generation Of Mechanical Vibrations (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図はこの考案の一実施例にかかる圧電薄膜形電気−
機械的変位変換素子の一部切欠斜視図、第２図は同素子
の一部切欠側面図、第３図は従来例の縦断側面図である
。 ２０・・・半導体基体、２１ａ、２７・・・絶縁膜、２
３・・・空間部、２４・・・電極層、２５・・・圧電薄
膜層、２６・・・素子ブロック。
機械的変位変換素子の一部切欠斜視図、第２図は同素子
の一部切欠側面図、第３図は従来例の縦断側面図である
。 ２０・・・半導体基体、２１ａ、２７・・・絶縁膜、２
３・・・空間部、２４・・・電極層、２５・・・圧電薄
膜層、２６・・・素子ブロック。
Claims (3)
- （１）半導体基板の表面にエツチングを施して空間部を
形成するとともに、圧電薄膜層の両面に電極層を設けて
なる素子ブロックを上記空間部に突出して上記半導体基
体に片持梁状に設け、かつ上記電極層により上記圧電薄
膜層に電界を加えることにより上記素子ブロックの先端
部を変位させるようにした構成で、上記素子ブロックに
絶縁膜を被覆したことを特徴とする圧電薄膜形電気−機
械的変位変換素子。 - （２）絶縁膜は圧電薄膜層の機械的強度より大きい材料
からなる実用新案登録請求の範囲第１項記載の圧電薄膜
形電気−機械的変位変換素子。 - （３）絶縁膜は二酸化シリコン膜である実用新案登録請
求の範囲第１項または第２項記載の圧電薄膜形電気−機
械的変位変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981131782U JPS5837159U (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 圧電薄膜形電気−機械的変位変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981131782U JPS5837159U (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 圧電薄膜形電気−機械的変位変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837159U true JPS5837159U (ja) | 1983-03-10 |
Family
ID=29925347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981131782U Pending JPS5837159U (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 圧電薄膜形電気−機械的変位変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837159U (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010232113A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Otax Co Ltd | Ｒｆ−ｍｅｍｓスイッチ、ｒｆ−ｍｅｍｓスイッチの製造方法、アンテナ切り替え装置、携帯電話機、携帯用情報端末機器、ｉｃテスト用機器 |
| JP2012146592A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-02 | Advantest Corp | スイッチ装置および試験装置 |
| JP2012243389A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-10 | Advantest Corp | スイッチ装置、伝送路切り替え装置、製造方法、および試験装置 |
-
1981
- 1981-09-03 JP JP1981131782U patent/JPS5837159U/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010232113A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Otax Co Ltd | Ｒｆ−ｍｅｍｓスイッチ、ｒｆ−ｍｅｍｓスイッチの製造方法、アンテナ切り替え装置、携帯電話機、携帯用情報端末機器、ｉｃテスト用機器 |
| JP2012146592A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-02 | Advantest Corp | スイッチ装置および試験装置 |
| JP2012243389A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-10 | Advantest Corp | スイッチ装置、伝送路切り替え装置、製造方法、および試験装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5837159U (ja) | 圧電薄膜形電気−機械的変位変換素子 | |
| JPS5832665U (ja) | 圧電薄膜形電気−機械的変位変換素子 | |
| JPS6122374U (ja) | 電歪効果素子 | |
| JPS6133521U (ja) | 短冊型圧電振動子 | |
| JPS58168051U (ja) | 圧電リレ− | |
| JPS59171364U (ja) | 積層型圧電変位素子 | |
| JPS6284921U (ja) | ||
| JPH03106884U (ja) | ||
| JPS59111059U (ja) | 圧電バイモルフ素子 | |
| JPS6398670U (ja) | ||
| JPS6293890U (ja) | ||
| JPS5877918U (ja) | 振動子の振動素子搭載構造 | |
| JPH0324799U (ja) | ||
| JPS59125127U (ja) | 圧電共振子 | |
| JPS6122369U (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS60116225U (ja) | 半導体セラミツクコンデンサ | |
| JPS6045596U (ja) | 圧電発音体 | |
| JPH0417692U (ja) | ||
| JPS6018563U (ja) | 圧電バイモルフ | |
| JPH0268461U (ja) | ||
| JPS62134037U (ja) | ||
| JPS62145355U (ja) | ||
| JPH0427623U (ja) | ||
| JPS58111916U (ja) | 電子部品 | |
| JPS59195760U (ja) | 積層型圧電変位素子 |